异质结原理及对应的半导体发光机制
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[1]文尚胜. 姚日晖. 吴玉香. 邵燕宁编著.《半导体照明技术》.华南理工大学出版社 2013 年 8 月第一版第三章. [2]赵近芳. 王登龙主编. 《大学物理学》第 3 版修订版下“18.1 新技术的物理基础”. [3]邓永永 (2013) 新型异质结可见光响应光催化剂的制备及性能表征. 温州大学.
子的形式释放出来。同样，N 区也会发生同样的释放出光子的过程。根据这个现象，可以制 作出发光二极管（LED）。 二．单异质 PN 结 以同质 P-N 结为基础的 LED 存在严重缺陷，限制了其在固体照明中的应用。首先，电子跃迁 产生的光子在很大程度上被导电区再吸收，使光引出效率降低。其次，因为只能在一种类型 的导电区中（通常是 P 型区）实现高内量子效率，要求注入到 N 区的空穴浓度低，即 N＞ ＞P。这个问题可以通过高度非对称的掺杂浓度（ND＞＞ＮＡ）解决。但是，高掺杂导致再 吸收的增加，也可能引起不希望的杂质复合物增加，从而增加无辐射复合中心的负担。 Figure2 为单异质结的能带图。P 型导电区的禁带宽度小于 N 型区的禁带宽度。能带的 不连续使向 N 型区扩散的空穴势垒高度增加了价带偏移量������Ev 。电子的势垒高度为������Ec 。N 型区对 P 型区中产生的光子是透明的，这就大大减少了向结构中 N 型区一端传播的光的再 吸收。
Figure 1
在 P-N 结处，势能曲线呈弯曲状，构成势垒区，它将阻止 N 区的电子和 P 区的空穴进一步 向对方扩散，所以 P-N 结中的势垒区又称为阻挡区。 由于阻挡区的存在， 当在 P-N 结两端加上正向偏向电压时， 外电场的方向与阻挡层的电场方 向相反，使 P-N 结中电势减弱，势垒降低，或者说使阻挡层减薄。于是 N 型中的电子和 P 型中的空穴就容易通过阻挡层，不断向对方扩散，形成从 P 区到 N 区的正向电流，P-N 结导 通。P 区导带中的部分电子跃迁到价带中，与价带中的电子复合，电子跃迁产生的能量以光
Figure 2
三．双异质 PN 结 Figure3 为双异质结的能带图。它是由一层窄禁带 P 型有源层夹在分别为 N 型和 P 型的宽禁 带导电层中构成的。 这样使过剩载流子可从两个方向注入有源层， 电子和空穴在有源层中复 合。 此外， 扩散过一个异质界面的少数载流子被第二个异质界面阻挡在有源层中不可能扩散 出去。 这就增加了有源区中过剩载流子的浓度， 从而增加了辐射复合的速率。 在这种结构中， 两个导电层对于发射光是透明的， 对于向两个方向传播的光的再吸收效应都最小化， 但是在 有源层存在再吸收。
Figure 3
四．发光机制 LED 是利用半导体 PN 结或类似结构把电能转换为光能的器件。 半导体中的自发光是由 于过剩电子和空穴的辐射复合。 过剩载流子和空穴是电流注入产生的， 能量损失很小。
过剩载流子既可辐射复合也可非辐射复合。辐射和非辐射复合过程的竞争决定了 LED 的内量子效率。辐射复合的一种本征机制是带间跃迁，在带间跃迁中，一个电子—空 穴对复合， 发射一个光子。 更进一步， 只要温度不太高， 电子和空穴可以结合为激子。 激子具有类氢结构，结合能在毫电子伏数量级。激子的辐射湮灭是光发射的第二种本 征机制。在用于制造 LED 的一些Βιβλιοθήκη Baidu金中，组分空间分布的不均匀性可能引起能带势能 相当大的起伏，定域在这样起伏处的载流子不再能到达发生非辐射复合的位置，所以 辐射复合的概率很大。实际上，定域载流子维持着一种状态，直到另一种不同的载流 子定域到近得足以与它的波函数交叠的位置，形成定域激子。定域激子复合是辐射复 合的第三种本征机制。 参考文献：
异质结原理及对应的半导体发光机制
摘要本文以能带理论为基础，从 P 型半导体和 N 型半导体开始介绍了同质 PN 结的形成。但 是同质 PN 结中电子带间跃迁产生的光子在很大程度上会被导电区再吸收，使光引出效率降 低。于是引入了异质 PN 结，介绍了单异质 PN 结和双异质 PN 结的形成过程及异质 PN 结的 发光机制。 关键词能带理论异质结发光机制 由于 LED 光源具有高效节能、环保、长寿以及体积小、发热度低、控制方便等特点，LED 照 明产业得到了快速的发展。LED 发光效率是衡量 LED 性能的一项重要指标。LED 发光效率= 内量子效率× 芯片的出光效率。而 LED 的核心元件 PN 结决定了 LED 的内量子效率。因此研 究发展具有高内量子效率的 PN 结对发展 LED 产业具有重要意义。相比于同质 PN 结，异质 PN 结具有更高的内量子效率。 1. 同质 PN 结 在一片本征半导体的两侧各掺以施主型（高价）和受主型（低价）杂质，就构成一个 P-N 结。这时 P 型半导体一侧空穴的浓度较大，而 N 型半导体一侧电子的浓度较大， 因此 N 型中的电子向 P 型区扩散，P 型中的电子向 N 型区扩散，结果在交界面两侧出 现正负电荷的积累，在 P 型一边是负电，N 型一边是正电。这些电荷在交界处形成一 电偶层即 P-N 结，其厚度约为 10-7 m。在 P-N 结内部形成存在着由 N 型指向 P 型的 电场，起到阻碍电子和空穴继续扩散的作用，最后达到动态平衡。此时，因 P-N 结中 存在电场，两半导体间存在着一定的电势差 U0，电势自 N 型向 P 型递减。由于电势差 U0 的存在，在分析半导体的能带结构时，必须把由该电势差引起的附加电子静电势能 -e U0 考虑进去。因为 P-N 结中，P 型一侧积累了较多的负电荷，N 型一侧积累了较多 的正电荷，所以 P 型导带中的电子要比 N 型导带中的电子有较大的能量，这能量的差 值为 e U0 。如果原来两半导体的能带如 Figure1（a）所示，则在 P-N 结处，能带发生 弯曲，如 Figure1（b）所示。
子的形式释放出来。同样，N 区也会发生同样的释放出光子的过程。根据这个现象，可以制 作出发光二极管（LED）。 二．单异质 PN 结 以同质 P-N 结为基础的 LED 存在严重缺陷，限制了其在固体照明中的应用。首先，电子跃迁 产生的光子在很大程度上被导电区再吸收，使光引出效率降低。其次，因为只能在一种类型 的导电区中（通常是 P 型区）实现高内量子效率，要求注入到 N 区的空穴浓度低，即 N＞ ＞P。这个问题可以通过高度非对称的掺杂浓度（ND＞＞ＮＡ）解决。但是，高掺杂导致再 吸收的增加，也可能引起不希望的杂质复合物增加，从而增加无辐射复合中心的负担。 Figure2 为单异质结的能带图。P 型导电区的禁带宽度小于 N 型区的禁带宽度。能带的 不连续使向 N 型区扩散的空穴势垒高度增加了价带偏移量������Ev 。电子的势垒高度为������Ec 。N 型区对 P 型区中产生的光子是透明的，这就大大减少了向结构中 N 型区一端传播的光的再 吸收。
Figure 1
在 P-N 结处，势能曲线呈弯曲状，构成势垒区，它将阻止 N 区的电子和 P 区的空穴进一步 向对方扩散，所以 P-N 结中的势垒区又称为阻挡区。 由于阻挡区的存在， 当在 P-N 结两端加上正向偏向电压时， 外电场的方向与阻挡层的电场方 向相反，使 P-N 结中电势减弱，势垒降低，或者说使阻挡层减薄。于是 N 型中的电子和 P 型中的空穴就容易通过阻挡层，不断向对方扩散，形成从 P 区到 N 区的正向电流，P-N 结导 通。P 区导带中的部分电子跃迁到价带中，与价带中的电子复合，电子跃迁产生的能量以光
Figure 2
三．双异质 PN 结 Figure3 为双异质结的能带图。它是由一层窄禁带 P 型有源层夹在分别为 N 型和 P 型的宽禁 带导电层中构成的。 这样使过剩载流子可从两个方向注入有源层， 电子和空穴在有源层中复 合。 此外， 扩散过一个异质界面的少数载流子被第二个异质界面阻挡在有源层中不可能扩散 出去。 这就增加了有源区中过剩载流子的浓度， 从而增加了辐射复合的速率。 在这种结构中， 两个导电层对于发射光是透明的， 对于向两个方向传播的光的再吸收效应都最小化， 但是在 有源层存在再吸收。
Figure 3
四．发光机制 LED 是利用半导体 PN 结或类似结构把电能转换为光能的器件。 半导体中的自发光是由 于过剩电子和空穴的辐射复合。 过剩载流子和空穴是电流注入产生的， 能量损失很小。
过剩载流子既可辐射复合也可非辐射复合。辐射和非辐射复合过程的竞争决定了 LED 的内量子效率。辐射复合的一种本征机制是带间跃迁，在带间跃迁中，一个电子—空 穴对复合， 发射一个光子。 更进一步， 只要温度不太高， 电子和空穴可以结合为激子。 激子具有类氢结构，结合能在毫电子伏数量级。激子的辐射湮灭是光发射的第二种本 征机制。在用于制造 LED 的一些Βιβλιοθήκη Baidu金中，组分空间分布的不均匀性可能引起能带势能 相当大的起伏，定域在这样起伏处的载流子不再能到达发生非辐射复合的位置，所以 辐射复合的概率很大。实际上，定域载流子维持着一种状态，直到另一种不同的载流 子定域到近得足以与它的波函数交叠的位置，形成定域激子。定域激子复合是辐射复 合的第三种本征机制。 参考文献：
异质结原理及对应的半导体发光机制
摘要本文以能带理论为基础，从 P 型半导体和 N 型半导体开始介绍了同质 PN 结的形成。但 是同质 PN 结中电子带间跃迁产生的光子在很大程度上会被导电区再吸收，使光引出效率降 低。于是引入了异质 PN 结，介绍了单异质 PN 结和双异质 PN 结的形成过程及异质 PN 结的 发光机制。 关键词能带理论异质结发光机制 由于 LED 光源具有高效节能、环保、长寿以及体积小、发热度低、控制方便等特点，LED 照 明产业得到了快速的发展。LED 发光效率是衡量 LED 性能的一项重要指标。LED 发光效率= 内量子效率× 芯片的出光效率。而 LED 的核心元件 PN 结决定了 LED 的内量子效率。因此研 究发展具有高内量子效率的 PN 结对发展 LED 产业具有重要意义。相比于同质 PN 结，异质 PN 结具有更高的内量子效率。 1. 同质 PN 结 在一片本征半导体的两侧各掺以施主型（高价）和受主型（低价）杂质，就构成一个 P-N 结。这时 P 型半导体一侧空穴的浓度较大，而 N 型半导体一侧电子的浓度较大， 因此 N 型中的电子向 P 型区扩散，P 型中的电子向 N 型区扩散，结果在交界面两侧出 现正负电荷的积累，在 P 型一边是负电，N 型一边是正电。这些电荷在交界处形成一 电偶层即 P-N 结，其厚度约为 10-7 m。在 P-N 结内部形成存在着由 N 型指向 P 型的 电场，起到阻碍电子和空穴继续扩散的作用，最后达到动态平衡。此时，因 P-N 结中 存在电场，两半导体间存在着一定的电势差 U0，电势自 N 型向 P 型递减。由于电势差 U0 的存在，在分析半导体的能带结构时，必须把由该电势差引起的附加电子静电势能 -e U0 考虑进去。因为 P-N 结中，P 型一侧积累了较多的负电荷，N 型一侧积累了较多 的正电荷，所以 P 型导带中的电子要比 N 型导带中的电子有较大的能量，这能量的差 值为 e U0 。如果原来两半导体的能带如 Figure1（a）所示，则在 P-N 结处，能带发生 弯曲，如 Figure1（b）所示。