第三章第五节 晶须(Whisker)

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

晶须不仅具有优异的力学性能, 晶须不仅具有优异的力学性能,而且许多 晶须具有各种特殊性能, 晶须具有各种特殊性能,可用来制备各种性能 优异的功能复合材料。 优异的功能复合材料。 晶须的成本较高,影响其应用。目前已开 晶须的成本较高,影响其应用。 发出许多低成本晶须, 发出许多低成本晶须,如K2Ti 6O13等。另外晶 须在基体材料中的分散工艺也是目前需要解决 的问题之一。 的问题之一。
第五节 填料
10.1 填料的种类和作用 10.1.1 种类 10.1.2 作用 填料/ 10.2 填料/聚合物复合材料的制备方法
有机填料
化学组成
无机填料 合成填料
来 源
填 料 的 分 类
天然填料 粒状 片状
外观形态
纤维状 中空微珠 增强剂
填料功能
填充剂
返回
填料的作用
• 增量作用: 增量作用:
降 价格; 价格;
• 改性作用: 改性作用:
显 改 机械 , , 。
活性填料: 活性填料:起补强作用,可提高制品性能
可相互转化
惰性填料: 惰性填料:起稀释作用,降低了制品强度 返回
聚合物/ 聚合物/填料复合材料的制备方法
• 传统

熔融共混 造粒


分散
填 料
单 体
聚 合
返回
粉体材料的特性要求
• • • • •
a 高纯 b 状 c 严 团 d结 态 e 细
颗粒( 颗粒(Particle) )
具有高强度、高模量、耐热、耐磨、 具有高强度、高模量、耐热、耐磨、耐高温 的陶瓷和石墨等非金属颗粒,加入到基体材料中 的陶瓷和石墨等非金属颗粒, 起提高耐磨、耐热、强度、模量和韧性的作用。 起提高耐磨、耐热、强度、模量和韧性的作用。 其成本低,易于批量生产。 其成本低,易于批量生产。
。T-ZnO 须具 , 长 维空间 韧 复 导 光区具 规
对 2% 3 为5.78%,这
SiC晶须微观形貌 SiC晶须微观形貌
六钛酸钾晶须以其优良的隔热性能、良好的红外线反射特点和高温吸音特性而备受青睐。


须:
晶须的制备方法有:化学气相沉积( 晶须的制备方法有:化学气相沉积(CVD)法、 ) 溶胶-凝胶法、气液固法、液相生长法、 溶胶 凝胶法、气液固法、液相生长法、固相生 凝胶法 长法和原位生长法等。 长法和原位生长法等。 制备陶瓷晶须经常采用CVD法。 法 制备陶瓷晶须经常采用
VLS(气液固) 晶须的过程是: VLS(气液固)法制备 SiC 晶须的过程是: 在预选高温将触媒固体颗粒( 30µ 在预选高温将触媒固体颗粒(∼30µm)熔化成 液态触媒球,通入气相源(H SiO), 液态触媒球,通入气相源(H2、CH4、SiO),气相中 的碳、 的碳、硅原子被液球吸收溶解形成过饱和的碳硅溶 液,以SiC的形式沉积在支撑衬底上。沉积不断进 SiC的形式沉积在支撑衬底上。 的形式沉积在支撑衬底上 行,晶须不断生长,触媒球被生长着的晶须抬起, 晶须不断生长,触媒球被生长着的晶须抬起, 继续吸收、溶解和沉积。 继续吸收、溶解和沉积。
即通过气体原料在高温下反应,并沉积在衬底上 即通过气体原料在高温下反应, 而长成晶须。 而长成晶须。
e.g. CVD 法制备 SiC 晶须的基本反应式为: 晶须的基本反应式为:
SiC↓ HCl( ) CH3 SiCl3(g) + H2 → SiC↓ + HCl(g) ) CVD 法制备难溶金属氮化物和碳化物的基本 反应式为: 反应式为: 2MCl4(g)+ 4H2 +N2 = 2MN(s)↓+ 8HCl(g) 8HCl( ) ) () MCl4(g)+ CH2 = MC(s)↓ + 4HCl(g) 4HCl( ) ) ()
另外, 另外,还有一种颗粒增强体称为延性颗粒增 强体( ),主要为 强体(Ductile Particle Reinforcement),主要为 ), 金属颗粒, 金属颗粒,一般是加入到陶瓷基体和玻璃陶瓷基 体中起到增韧作用。如Al2O3中加入Al、Ni,WC中 体中起到增韧作用。 中加入Al、Ni,WC中 Al 加入Co等 加入Co等。金属颗粒的加入使材料的韧性显著提 Co 高,但高温力学性能有所下降。 但高温力学性能有所下降。
十分优异的新型复合材料补强增韧材料。 十分优异的新型复合材料补强增韧材料。
ZnO晶须微观形貌 ZnO晶须微观形貌

须 独 功
具 :

维结构
脚 须
• ①高 态规 均 较高 态规 均 ; • ②各 。T—ZnO 须具 , 为 强 赋 补强 机械 各 ; • ③ 导 质。T—ZnO n • ④ 线。T—Zno 须 显 ,可改 高 ; • ⑤高 。 加剂 % 间 T—ZnO 须 对 种 减 。
固相生长法的典型实例 利用稻壳法制备SiC晶须 利用稻壳法制备SiC晶须 SiC
反应: 反应: 稻壳(700-900° 无氧气氛) 稻壳(700-900°C 、无氧气氛)→SiO2(s) + C( ) (700 ) C(s) SiO2(s) + 3C(s) → SiC ↓+ 2 CO (g) ) ()

须(Whisker)ຫໍສະໝຸດ BaiduWhisker)
晶须(whisker)是指由高纯度单晶生长而成的直径 是指由高纯度单晶生长而成的直径 晶须 几微米、长度几十微米的单晶纤维材料。 几微米、长度几十微米的单晶纤维材料。 由于其原子结构排列高度有序,结构完整难以容 由于其原子结构排列高度有序, 纳大晶体中常存的缺陷, 纳大晶体中常存的缺陷,故机械强度近似等于原 子间价键力的理论强度 晶须是含缺陷很少的单晶纤维, 晶须是含缺陷很少的单晶纤维,其拉伸强度接近 其纯晶体的理论强度。 其纯晶体的理论强度。
相关文档
最新文档