溅射镀膜实验报告

篇一：磁控溅射镀膜实验报告

近代物理实验

磁控溅射镀膜

宋爽核12 2011011723 指导老师：王合英 2013-5-24

【摘要】

本实验根据气体辉光放电和磁场约束电子运动的原理，运用真空系统和磁控溅射镀膜技术，测量了基片加热温度和真空度变化的关系，溅射气压、溅射功率和溅射速率的关系，并在载玻片上镀上了铜膜。

关键词：磁控溅射镀膜，辉光放电，溅射速率，溅射气压、溅射功率一．

前言

当今信息社会，众多通讯机器的心脏部分，离不开以薄膜技术为基础而制作的元器件、电子回路、集成电路等。磁控溅射镀膜是目前应用最为广泛的薄膜制备方法之一。

磁控溅射技术是在普通的溅射技术基础上发展起来的。溅射是近年来在真空镀膜中得到广泛应用的一种

成膜方法。

溅射法是利用高能离子（电场加速正离子，由电极间工作气体在强电场作用下电离产生）高速冲击负极溅射材料表面，发生碰撞。由于高能离子的能量大于靶材原子表面结合能，从而使靶材表面的原子或分子等得到入射离子的能量，逐渐溢出表面形成溅射。溅射镀膜就是基于荷能离子轰击靶材时的溅射效应，整个过程都是建立在辉光放电的基础上，即溅射离子都来源于气体放电。

而磁控溅射技术工作原理如图1所示：

图1 磁控溅射原理

就是在电子运动过程中，用磁场和电场同时作用于电子，磁场b垂直于电场e，靶极表面附近的电子在互为正交的电、磁场作用下，受到洛仑兹力作用而沿螺旋路径运动，这就延长了电子在空间运动的时间，从而提高电子对工作气体的电离几率和有效地利用电子的能量，并能尽量避免高能粒子直接轰击样品表面。磁控溅射具有“低温”、“高速”两大特点，故又称为高速低温溅射技术。

二、实验

图2 高真空磁控溅射镀膜机真空室结构示意图

按各部分的功能分类，该设备主要由真空系统、溅射镀膜系统、测量及控制系统三部分组成：1、真空系统及其测量

真空系统为溅射镀膜提供一个高真空的薄膜生长环境，本底真空度的高低也直接影响薄膜的结构和性能，是薄膜制备最基本和重要的条件。真空度底，镀膜室内残余气体分子多，薄膜受残余气体分子的影响，使其性能变差。

常用真空获取与测量设备：

(1)旋片式机械真空泵

机械真空泵是通常用来获得低真空的设备或充当其他高真空泵的前级泵。

(2)涡轮分子泵

分子泵是一种获取高真空的常用设备，作为本实验二级泵。

(3)真空的测量---复合真空计

本实验采用程控复合真空计测量真空室的真空度，

高、低真空分别用电离规管和热偶规管测量，分别显示于两个窗口便于实验。

2、溅射镀膜及控制、测量系统（1）磁控溅射靶（2）多功能基片架

（3）溅射气压气体的测量及控制（4）薄膜厚度的在线监测

本实验采用石英晶体振荡法测量薄膜厚度和淀积速率。

df2n??m

dx

此式即为表示振荡频率变化与薄膜质量膜厚之间关系的基本公式。实验目的：

1.掌握真空的获得与测量技术

2.了解磁控溅射镀膜的工作原理，探究仪器参数对镀膜过程的影响。

3.运用磁控溅射镀膜技术在玻璃载玻片上镀上铜膜。注意事项：

实验时基片的选取很重要，本实验选用普通的玻璃载玻片，镀膜前需用丙酮和乙醇对基片进行仔细的清洗。热处理影响镀膜的质量，本实验在160℃下进行镀膜，使吸附原子的动能随着增大，跨越表面势垒的几率增多，容易结晶化，并使薄膜缺陷减少，薄膜内应力也相应减小。同时也可以除去基片上残留的水蒸气。对真空室加热时，需在达到指定温度后保持30分钟再进行镀膜，这样一方面使基片温度达到设置温度并尽可能稳定，一方面使真空室在恒定温度下继续抽气，使杂质气体的浓度尽可能低，减少镀膜时的干扰。对于不同的靶材应选用不同的磁控靶，如nife这样软磁材料的靶，即外回路磁阻很小时，如果采用永磁靶这样磁阻较大的靶，绝大部分磁力线都将被屏蔽，而在靶面上方空间不可能形成足够的平行磁场（漏磁很小）。这样就破坏了磁控模式运行的前提条件，故nife应用电磁靶溅射。而如cu这样的抗磁材料，则电磁靶和永磁靶都可使用，而电磁靶产生的磁场强，可更好的延长电子在氩气中的运动时间，利于起辉放电，故实验选用电磁靶。实验结

泵抽气速率，气压开始下降且到达指定温度后，温度基本不变，下降速率越来越快。 2、镀膜速率与溅射气压的关系

用30秒内膜厚度的增长量来度量溅射速率，在溅射电流i=0.1a ，靶磁场电流i=1.5a的条件下，得到图像：溅

射气压和溅射速率的关系

溅射速率 (a/min)

束后，应等待真空室冷却后，再放气取出样品，否则会造成薄膜氧化，影响其性能。三．数据记录与分析讨论

1.基片加热过程中真空度的变化

基片

5

加热时温度与真空度的变化关系

溅射气压 (pa)

气压 (0.001pa)

4

图4 溅射气压和溅射速率的关系

由图可知，在一定范围内，溅射气压越大，溅射速率越

3

小。分析：

20

70

140

温

度

(℃

)

气压越大，真空室内氩气分子密度就越大，镀膜材

料分子运动的平均自由程就越小，即材料分子在飞往基

片过程中更容易与氩气分子碰撞，导致到达基片的材料分子减少，故气压大溅射速率低。 3、镀膜速率与溅射功率的关系：

用60秒内膜厚度的增长量来度量溅射速率，溅射气压p=1.3pa，靶磁场电流i=1.5a 得到图像：

图3 基片加热时温度与真空度的变化关系由图可知，随着温度上升，气压迅速升高，随后气压降低至不变，至温度稳定后，气压持续降低。

基片暴露在空气中会吸附气体分子（主要是水蒸气），在基片加热的过程中这些吸附的分子会迅速释放出来导致迅速气压上升，这就解释了曲线前面的上升段。当气体大部分释放完后，气体释放速率降低，并且气体温度上升与真空泵抽气平衡，气压基本不变，温度上升至接近指定温度时，温度上升速率减慢，低于真空

)

nim/a( 率速射溅溅射功率 (w)

图5 溅射功率和溅射速率的关系

y=6.635x，r=0.995

由图可知，在一定范围内，溅射电流（溅射功率）越大，溅射速率越大，且成线性关系。分析：

溅射电流的提高，轰击靶材料的氩离子的浓度提高，就会有更多的靶材料被溅射出来；另外，溅射粒子的能量也提高，使薄膜与基片的附着力增加，加快了薄膜的形成速率。而讲义上说溅射速率与溅射功率基本成正比关系，实验结果与此符合得较好。

需要注意的是，溅射时电流与电压之间的关系遵循公式：i=kvn

，而式中的参数k、n与气压、靶材料、磁场和电场有关，实验中注意到靶磁场的增大会使溅射电压减小，因此猜想靶磁场增大会使k增大。对于靶材蚀刻跑道的讨论：

由于试验用的铜靶使用时间很长，靶面上留下了很深的蚀刻轨道。蚀刻跑道形状如图6，截面如图8(b)所示，这是由于沿靶面一圆周上径向有一如图7的镜像磁场，使电子被约束在跑道宽度内，假设在 x = ±a 处是临界磁约束点, 即电子在此区域内被约束来回反射。但能被约束的电子并不都是在 x = ±a 处才反射, 也

即是说电子的横向宏观振荡半径并不都是a, 而是 0 ～ a 内均可发生, 因此在x = ±a 区域内各处电子

的浓度并不相同, 显然 x = 0 处是所有受约束的电子

运动的必经之路, 浓度最大, 越往±a 处能到达的电子数目越少, 其浓度也就越小(但不能认为该处的浓度

为零) , 可以近似认为符合高斯分布,如图 8(a) 所示。

随着刻蚀的加深, 靶面下降, 更强的磁力线露出靶面

(需要说明的是, 磁力线本身的分布并不因溅射而有所改变) , 约束力增强, 临界约束半径减小即约束区域变窄, 于是溅射区域也随之变窄。如此长期作用下去, 刻蚀跑道的形状就自然是宽度连续收缩,中心深度加剧的倒高斯分布, 如图 8(b) 所示。

图6蚀刻跑道

图7镜像场磁力线分布

要几种真空泵组合使用，用于工业化生产。关于溅射功率和溅射气压对溅射速率影响的讨论：虽然分析的结果是提高靶的溅射功率能够提高溅射速率，但是查阅资料表明，如果溅射功率过大，靶的温度将过高，甚至可能靶开裂，升华和熔化。因此，溅射靶的力学性质和