半导体论文

浅谈半导体材料
半导体材料的发展与器件紧密相关。

1941年用多晶硅材料制成检波器，是半导体材料应用的开始，1948~1950年用切克劳斯基法成功的拉出了锗单晶，并用它制成了世界上第一个具有放大性能的锗晶体三极管。

1951年用四氯化硅锌还原法制出了多硅晶，1952年用直拉法成功拉出世界上第一根硅单晶，同年制出了硅结型晶体管，从而大大推进了半导体材料的广泛应用和半导体器件的飞速发展。

一．半导体材料的分类：
半导体材料是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。

半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内。

半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。

按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、化合物半导体、有机半导体、固溶体半导体和非晶态与液态半导体。

元素半导体大约有十几种，处于ⅢA族—ⅦA族的金属元素与非金属元素交界处，如Ge，Si，Se，Te等；化合物半导体分为二元化合物半导体和多元化合物半导体；有机半导体分为有机分子晶体、有机分子络合物、和高分子聚合物，一般指具有半导体性质的碳-碳双键有机化合物，电导率为10-10~102Ω·cm。

固溶体半导体是由两个或多个晶格结构类似的元素化合物相融合而成，有二元系和三元系之分，如ⅣA-ⅣA组成的Ge-Si固溶体，ⅤA-ⅤA组成的Bi-Sb固溶体。

原子排列短程有序、长程无序的半导体成为非晶态半导体，主要有非晶硅、非晶锗等。

二．半导体材料的制备工艺：
不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。

半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。

常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。

所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。

提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为物理提纯；另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。

物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。

化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精
馏等，使用最多的是精馏。

由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。

绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。

成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。

直拉法应用最广，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300毫米。

在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。

在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。

悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。

水平区熔法用以生产锗单晶。

水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。

用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。

在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。

外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。

工业生产使用的主要是化学气相外延，其次是液相外延。

金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。

非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。

三．半导体材料的特性参数：
半导体材料的特性参数对半导体的应用甚为重要，因为不同的性质决定着不同的用途。

下面介绍晶体管、光电器件和温差电器件对半导体材料特性的要求。

1.晶体管对半导体材料特性的要求：根据晶体管的工作原理，要求材料有较大的非平衡载流子寿命和载流子迁移率。

用载流子迁移率大的材料制成的晶体管可以工作于更高的频率（有较好的频率响应）。

晶体缺陷会影响晶体管的特性甚至使其失效。

晶体管的工作温度高温限决定于禁带宽度的大小。

禁带宽度越大，晶体管正常工作的高温限也越高。

2.光电器件对材料特性的要求：利用半导体的光电导（光照后增加的电导）性能的辐射探测器所适用的辐射频率范围与材料的禁带宽度有关。

材料的非平衡载流子寿命越大，则探测器的灵敏度越高，而从光作用于探测器到产生响应所需的时间(即探测器的弛豫时间)也越长。

因此，高的灵敏度和短的弛豫时间二者难于兼顾。

对于太阳电池来说，为了得到高的转换效率，要求材料有大的非平衡载流子寿命和适中的禁带宽度(禁带宽度于1.1至1.6电子伏之间最合适)。

晶体缺陷会使半导体发光二极管、半导体激光二极管的发光效率大为降低。

3.温差电器件对材料特性的要求：为提高温差电器件的转换效率首先要使器件两端的温差大。

当低温处的温度（一般为环境温度）固定时，温差决定于高温处的温度，即温差电器件的工作温度。

为了适应足够高的工作温度就要求材料的
禁带宽度不能太小，其次材料要有大的温差电动势率、小的电阻率和小的热导率。

四．半导体材料的应用：
1.元素半导体材料：硅在当前的应用相当广泛，它不仅是半导体集成电路、半导体器件和硅太阳能电池的基础材料，而且用半导体制作的器件和产品已经大范围进入我们的日常生活，人们的家用电器80%以上都离不开硅材料。

锗是稀有元素，地壳中含量较少，由于锗有特殊的性质使得它的应用主要集中在制作各种二极管和三极管等。

2.有机半导体材料：有机物半导体具有热激活电导率，如聚丙烯和聚二乙烯苯以及碱金属和蒽的络合物，有机半导体材料可分为有机物，聚合物和给体受体络合物三类。

有机半导体芯片等产品生产能力差，但是拥有加工处理方便，结实耐用，成本低廉等特性。

3.非晶半导体材料：非晶半导体按键的合力性质分为共价键非晶半导体和离子键非晶半导体两类，可以用液相快冷方法和真空蒸汽或溅射的方法制备。

在工业上，非晶半导体材料主要用于制备像传感器，太阳能电池薄膜晶体管等非晶体半导体器件。

4.化合物半导体材料：化合物半导体材料的种类繁多，按元素在周期表族来分类，分为三五族、二六族、四四族等。

如今化合物半导体材料已经在太阳能电池、光电器件、超高速器件、微波等领域占据有重要位置。

五．半导体材料中杂质与缺陷的控制：
杂质控制的方法大多数是在晶体生长过程中同时掺入一定类型一定数量的杂质原子。

这些杂质原子最终在晶体中的分布，除了决定于生长方法本身以外，还决定于生长条件的选择。

例如用提拉法生长时杂质分布除了受杂质分凝规律的影响外，还受到熔体中不规则对流的影响而产生杂质分布的起伏。

此外,无论采用哪种晶体生长方法,生长过程中容器、加热器、环境气氛甚至衬底等都会引入杂质，这种情况称自掺杂。

晶体缺陷控制也是通过控制晶体生长条件（例如晶体周围热场对称性、温度起伏、环境压力、生长速率等）来实现的。

随着器件尺寸的日益缩小，对晶体中杂质分布的微区不均匀和尺寸为原子数量级的微小缺陷也要有所限制。

因此如何精心设计，严格控制生长条件以满足对半导体材料中杂质、缺陷的各种要求是半导体材料工艺中的一个中心问题。

补充：半导体的第一个应用就是利用它的整流效应作为检波器，就是点接触二极管（也俗称猫胡子检波器，即将一个金属探针接触在一块半导体上以检测电磁波）。

除了检波器之外，在早期，半导体还用来做整流器、光伏电池、红外探测器等，半导体的四个效应都用到了。

从1907年到1927年，美国的物理学家研制成功晶体整流器、硒整流器和氧化亚铜整流器。

1931年，兰治和伯格曼研制成功硒光伏电池。

1932年，德国先后研制成功硫化铅、硒化铅和碲化铅等半导体红外探测器，在二战中用于侦探飞机和船舰。

二战时盟军在半导体方面的研究也取得了很大成效，英国就利用红外探测器多次侦探到了德国的飞机。

20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。

超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。

纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。

总之，半导体材料的发展迅速，应用广泛随着时间的推移和技术的发展，半导体材料的应用将更加重要和关键，半导体技术和半导体材料的发展也将走向更高端的市场。