射频MOS管的非线性特性分析与线性度提高技术

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关键词：射频场效应晶体管；非线性；三阶交调失真；线性度提高；电容补偿；跨导补偿
中图分类号：ＴＭ２７７文献标识码：Ａ文章编号：０２５８ — ７９９８（２０１５）０４ — ００５６ — ０４
ＨｕｂｅｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｗｕｈａｎ４３００６８，Ｃｈｉｎａ）
Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＢａｓｅｄｏｎｔｈｅｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｃｉｒｃｕｉｔａｎｄｎｏｎｌｉｎｅａｒｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｍｏｄｅｌｏｆＲＦＭＯＳＦＥＴｆｒａｄｉｏｆｒｅｑｕｅｎｃｙｍｅｔａｌ —ｏｘｉｄｅ — ｓｉｌｉｃｏｎ
提高技术应用在射频功率放大器（ＰＡ）上，该ＰＡ采用ＴＳＭＣ０．１８ＩｘｍＲＦＣＭＯＳ工艺设计，仿真结果表明：采用线性度提高技术后，该功率放大器的线性度提高了４～１０ｄＢ。
ＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
射频ＭＯＳ管的非线性特性分析与线性度提高技术
徐元中，刘凌云
（湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心，湖北武汉４３００６８）
ｉｆｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ），ａｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅａｎａｌｙｓｉｓｏｆｉｔｓｎｏｎｌｉｎｅａｒｂｅｈａｖｉｏｒｂｙＳｙｍｂｏｌｉｃａｌｌｙＤｅｉｆｎｅｄＤｅｖｉｃｅ（ＳＤＤ）ｉｎＡｇｉｌｅｎｔ ’ ｓＡＤＳｓｏｆｔｗａｒｅｗａｓｐｒｅｓｅｎｔｅｄ．Ｆｕｒｔｈｅｒｍｏｒｅ，ｔｏｄｅｃｒｅａｓｅｔｈｅｎｏｎｌｉｎｅａｉｒｔｙｗｈｉｃｈｍａｉｎｌｙｃａｍｅｆｒｏｍｇａｔｅ — ｓｏｕｒｃｅｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ（），ｔｒａｎｓ — ｃｏｎ —
ＤＯＩ：１０．１６１５７／ｊ．ｉｓｓｎ．０２５８ —７９９８．２０１５．０４．０１２
ＮｏｎｌｉｎｅａｒａｎａｌｙｓｉｓａｎｄｌｉｎｅａｒｉｔｙｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓｏｆＲＦＭＯＳ
ｄｕｃｔａｎｃｅ（骱），ｏｕｔｐｕｔｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ（）ａｎｄｄｒａｉｎｊｕｎｃｔｉｏｎｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ（），ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓｓｕｃｈａｓｔｈｅｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌｍｕｈｉｐｌｅｇａｔｅ
ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＤＭＧＴＲ），ＰＭＯＳｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ，ＮＭＯＳｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ，ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎｏｆｃｏｍｍｏｎ — ｇａｔｅＭＯＳＦＥＴ，ｄｅｅｐＮ— Ｗｅｌｌ
摘要：基于射频（ＲＦ）ＭＯＳ管的等效电路及非线性等效模型，采用Ａｇｉｌｅｎｔ公司ＡＤＳ软件中的
ＳｙｍｂｏｌｉｃａｌｌｙＤｅｉｆｎｅｄＤｅｖｉｃｅ（ＳＤＤ），对ＲＦＭＯＳ管的非线性特性进行了综合分析。在此基础上，针对栅源电容（Ｃ）、跨导（ｇｎ１）、输出导纳（）和漏极结电容（Ｃ－ｄ）四个主要非线性源，提出了多栅晶体管补偿、ＰＭＯＳ管补偿、ＮＭ０Ｓ管补偿、共栅管栅电容补偿、深Ｎ阱和二次谐波短路等线性度提高技术。将这些线性度
ＸｕＹｕａｎｚｈｏｎｇ，ＬｉｕＬｉｎｇｙｕｎ
ｆＨａｂｅｉＣｏｌｌａｂｏｒａｔｉｖｅＩｎｎｏｖａｔｉｏｎＣｅｎｔｅｒｆｏｒＨｉｇｈ— ｅｉｃｆｉｅｎｃｙＵｔｉｌｉｚａｔｉｏｎｏｆＳｏｌａｒＥｎｅwk.baidu.comｒｇｙ