调幅电路设计参考

一、总设计方框图

。

二、主振电路（LC 振荡器）设计

振荡电路的作用是产生频率为0f 的高频振荡信号，如图所示。

LC 振荡器

主要技术指标：工作中心频率：f 0=5MHz ； 1．定电路形式，设置静态工作点

2．LC 振荡电路基极偏置电路元件R 1、R 2、R 3、R 4的计算

图中，晶体管V1与C 1、C 2、C 3、C 4、L 1组成改进型电容三点式振荡器，V 1为共基组态，C b 为基级旁路电容。 其静态工作点由R 1、R 2、R 3、R 4共同决定。晶体管V1选择3DG100，其参数见表1所示。

小功率振荡器的集电极静态工作电流I CQ 一般为(1~4)mA 。I CQ 偏大，振荡幅度增加，但波形失真严重，频率稳定性降低。I CQ 偏小对应放大倍数减小，起振

困难。为了使电路工作稳定，振荡器的静态工作点取mA I CQ 2=,V V CEQ 6=,测得三极管的60=β。

mA

R R R R V Vcc I CEQ cQ 26

124343=+-=+-=

可得R 3+R 4=3k Ω，为了提高电路的稳定性，R 4的值可适当增大，取R 4=1k Ω，则R 3=2k Ω。

V k mA R I V V V cQ BE BQ EQ 21*24=Ω=≈-=

V V R R R Vcc R R R V EQ BQ 7.27.012212

212=+=+=+=

uA mA I I cQ BQ 3.3360/2/===β

为了提高电路的稳定性，取流过电阻R 2上的电流

mA I I BQ 33.0102==

Ω==≈

k mA V

I V R BQ 18.833.07.222

取标称值R 2=8.2k Ω。

根据公式

Ω

=*-=*+=

K R V V R V R R R V BQ

CC CC BB 2.28)1(21212

则

得 R 1=28.2KΩ

实际运用时R 1取20k Ω电阻与47k Ω电位器串联，以便调整静态工作点。

C b 为基极旁路电容，可取C b =0.01uF 。C c =0.01uF,输出耦合电容。

3.计算主振回路元件值：C 1、C 2、C 3、C 4、L 1

C 1、C 2、C 3、C 4、L 1组成并联谐振回路，其中C 2两端的电压构成振荡器的反馈电压，满足相位平衡条件。

比值C 1/ C 2=F ，决定反馈系数的大小，F 一般取0.125~0.5之间的值。 为了减小晶体管极间电容对振荡器振荡频率的影响，C 1、C 2的值要大。如果C 3取几十皮法，则C 2、C 3在几百皮（几千）皮法以上。

若取C 3=20pF ， 电容C 1、C 2由反馈系数F 及电路条件C 1>>C 3、C 2>>C 3 决定，若取C 1=330pF ，由F = C 2/ C 3= 0.125~0.5取C 2=750pF 。则谐振回路的总电容为∑C

MHz

C L f Q o 5211==

∑

π

可得 L

三、缓冲隔离级电路(射极输出器)设计

从振荡器的什么地方取输出电压也是十分重要的。一般尽可能从低阻抗点取出信号，并加入隔离、缓冲级如射极输出器，以减弱外接负载对振荡器幅度、波形以及频率稳定度的影响。

射极输出器的特点是输入阻抗高，输出阻抗低，放大倍数接近于1。 1、电路形式

由于待传输信号是高频调幅波，主要考虑的是输入抗高，传输系数大且工作稳定。选择电路的固定分压偏置与自给偏压相结合，具有稳定工作点特点的偏置电路,如图所示。射极加R W2可改变输入阻抗。

V

25

in

射极输出器电路

2、估算偏置电路元件

(1)已知条件：Vcc=+12V ，负载电阻

R L (小信号放大器输入电阻)，晶体管为3DG100（3DG6）。3DG100的参数如表4-3所示。

表1 3DG100参数表

β0=60。晶体管的静态工作点应位于交流负载线的中点，一般取U CEQ =0.5Vcc ，I CQ =(3~10)mA 。

根据已知条件选取I CQ =4mA,，V CEQ =0.5Vcc=6V ，则

Ω=-=-==

+k mA V

Vc V R R EQ cc w 5.14612I I V CQ CQ EQ 210

(2)R 10、R w2： 取R 10=1kΩ，R w2为1kΩ的电位器。

(3) R 8、R 9

V EQ =6.0V V BQ = V EQ +0.7=6.7V I BQ =I CQ /β0 =66.67uA

Ω≈=

k I V R BQ BQ

10109

取标称值R 9=10k Ω。

Ω=-=

k I V V R BQ BQ

cc 95.7108

取标称值R 8=8.0k Ω。 (4)输入电阻R i

若忽略晶体管基区体电阻的影响，有

Ω≈+=k R R R R R R L w i 63.3]||)[(||)||(21098β

(5)耦合电容C 8、C 9

三、高频小信号放大器设计

R

U CC

R 12

四、调幅电路设计