内存条详细讲解

内存条详细讲解
内存条是连接CPU 和其他设备的通道!起到缓冲和数据交换作用！！！！
内存的作用与分类
内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。

我们平常使用的程序，如WindowsXP系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。

通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。

内存分为DRAM和ROM两种，前者又叫动态随机存储器，它的一个主要特征是断电后数据会丢失，我们平时说的内存就是指这一种；后者又叫只读存储器，我们平时开机首先启动的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去调用硬盘中的Windows，ROM的一个主要特征是断电后数据不会丢失。

根据内存条上的引脚多少，我们可以把内存条分为30线、72线、168线等几种。

30线与72线的内存条又称为单列存储器模块SIMM，168线的内存条又称为双列存储器模块DIMM。

目前30线内存条已经没有了；前两年的流行品种是72线的内存条，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等几种；目前市场的主流品种是168线内存条，168线内存条的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等几种，一般的电脑插一条就OK了，不过，只有基于VX、TX、BX芯片组的主板才支持168线的内存条。

内存发展简史
起初，电脑所使用的内存是一块块的IC，我们必须把它们焊接到主机板上才能正常使用，一旦某一块内存IC坏了，必须焊下来才能更换，这实在是太费劲了。

后来，电脑设计人员发明了模块化的条装内存，每一条上集成了多块内存IC，相应地，在主板上设计了内存插槽，这样，内存条就可随意拆卸了，从此，内存的维修和扩充都变得非常方便。

根据内存条上的引脚多少，我们可以把内存条分为30线、72线、168线等几种。

30线与72线的内存条又称为单列存储器模块SIMM，168线的内存条又称为双列存储器模块DIMM。

目前30线内存条已经没有了；前两年的流行品种是72线的内存条，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等几种；目前市场的主流品种是168线内存条，168线内存条的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等几种，一般的电脑插一条就OK了，不过，只有基于VX、TX、BX芯片组的主板才支持168线的内存条。

现如今，最流行的应属184线的内存条了。

内存的性能指标
评价内存条的性能指标一共有四个：
(1) 存储容量：即一根内存条可以容纳的二进制信息量，如目前常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。

而DDRII3普遍为1GB到2GB。

(2) 存取速度（存储周期）：即两次独立的存取操作之间所需的最短时间，又称为存储周期，半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。

(3) 存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间来衡量，可以理解为两次故障之间
的平均时间间隔。

(4) 性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容，性能价格比是
一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。

什么是EDO和SDRAM
前面我们已经按引脚数的多少把内存条分为30、72和168线等几种，其实，它们在结构和性
能上还有着本质的区别。

譬如，72线内存条是一种EDO内存，而现今主流的168线内存条几乎清一色又都是SDRAM 内存；目前，EDO内存的存取速度基本保持在60纳秒左右，能够适应75兆赫兹的外频，但跑8 3兆赫兹则有点勉为其难了；而SDRAM内存的存取速度一般能达到10纳秒左右，能够适应100兆赫兹以上的外频。

所以从97年底起EDO内存已逐步被SDRAM所取代，至今，几乎已无人再用EDO来装机了，只有升级扩充旧电脑内存时还用得着它。

其实，EDO内存被SDRAM所取代有其必然性，因为，目前市场上主流CPU的主频已高达4 50兆赫兹，未来CPU的主频还会越来越高。

但由于传统内存条的读写速度远远跟不上CPU的速度，迫使CPU插入等待指令周期，从而大大降低了电脑的整体性能。

为了缓解这个内存瓶颈的问题，我们就必须采用新的内存结构，即SDRAM。

因为，从理论上说，SDRAM与CPU频率同步，共享一个时钟周期。

SDRAM内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储阵列访问数据的同时，另一个已准备好读写数据，通过两个存储阵列的紧密切换，读取效率得到成倍提高。

目前，最新的
SDRAM的存储速度已高达5纳秒，所以，SDRAM已成为近期内存发展的主流。

当然，EDO内存也并没有完全举手投降，相反，凭借其出色的视频特性和低廉的价格，
在显示内存等领域仍是连连得手，众多低档显卡更是无一例外地采用EDO内存。

另外，许多硬盘、
光驱和打印机也是采用EDO缓存，可见，EDO内存还真是宝刀不老啊！
内存选购
选购内存条时除了要考虑前面介绍的引脚数、容量和存取速度之外，还要考虑以下几个因素：
(1) 奇偶性
为了保证内存存取数据的的准确性，有些内存条上有奇偶校验位，如3片或9片装的内存条。

如果您对电脑运行的准确性要求很高，最好选择有奇偶校验功能的内存条。

(2) 价格
虽然现在的内存条和以前相比，价格已经大幅下降，但不同的品牌和性能，价格还是有一些差别，您可根据自己的需要和预算情况选择适合自己的价位。

另外，购买内存时您还须注意品牌和质量，目前，生产内存的厂家较多，质量较为可靠的品牌有：南韩LG、金士顿,日本的东芝、日本精工、日本电气公司、日本松下。

内存在电脑中起着举足轻重的作用。

内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）。

只不过因为RAM是其中最重要的存储器。

通常所说的内存即指电脑系统中的RAM。

RAM有些像教室里的黑板，上课时老师不断地往黑板上面写东西，下课以后全部擦除。

RAM 要求每时每刻都不断地供电，否则数据会丢失。

如果在关闭电源以后RAM中的数据也不丢失就好了，这样就可以在每一次开机时都保证电脑处于上一次关机的状态，而不必每次都重新启动电脑，重新打开应用程序了。

但是RAM要求不断的电源供应，那有没有办法解决这个问题呢?随着技术的进步，人们想到了一个办法，即给RAM供应少量的电源保持RAM的数据不丢失，这就是电脑的待机功能，特别在Win2000里这个功能得到了很好的应用，休眠时电源处于连接状态，但是耗费少量的电能。

按内存条的接口形式，常见内存条有两种：单列直插内存条（SIMM），和双列直插内存条（D
IMM）。

SIMM内存条分为30线，72线两种。

DIMM内存条与SIMM内存条相比引脚增加到168线。

DIMM可单条使用，不同容量可混合使用，SIMM必须成对使用。

按内存的工作方式，内存又有FPA EDO DRAM和SDRAM（同步动态RAM）等形式。

FPA（FAST PAGE MODE）RAM 快速页面模式随机存取存储器：这是较早的电脑系统普通使用的内存，它每个三个时钟脉冲周期传送一次数据。

EDO（EXTENDED DATA OUT）RAM
扩展数据输出随机存取存储器：EDO内存取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，他每个两个时钟脉冲周期输出一次数据，大大地缩短了存取时间，使存储速度提高30%。

EDO一般是72脚，EDO内存已经被SDRAM所取代。

S（SYSNECRONOUS）DRAM
同步动态随机存取存储器：SDRAM为168脚，这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。

SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使CPU和RAM能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据，速度比EDO内存提高50%。

DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM
SDRAM的更新换代产品，他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。

RDRAM（RAMBUS DRAM）存储器总线式动态随机存取存储器；RDRAM是RAMBUS公司开发的具有系统带宽，芯片到芯片接口设计的新型DRAM，他能在很高的频率范围内通过一个简单的总线传输数据。

他同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。

INTEL将在其
820芯片组产品中加入对RDRAM的支持。

内存的参数主要有两个：存储容量和存取时间。

存储容量越大，电脑能记忆的信息越多。

存取时间则以纳秒（NS）为单位来计算。

一纳秒等于10^9秒。

数字越小，表明内存的存取速度越快。

内存条种类之间的区别
DDR2与DDR的区别
与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR
内存两倍的带宽。

这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。

作为对比，
在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。

技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DR
AM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。

与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比
传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。

DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封
装方式替代了传统的TSOP方式。

然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板
才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。

首先是接口不一样，DDR2的
针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DD
R内存的2.5V不同。

DDR2的定义：
DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。

换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写
数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。

回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

DDR2与DDR的区别：
在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。

这得益于DDR 2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。

换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。

也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。

举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。

实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是2 00MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

2、封装和发热量：
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ 限制。

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。

这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。

而DDR2内存均采用FBGA封装形式。

不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

DDR2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。

OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。

DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。

使用OC D通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。

我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。

它大大增加了主板的制造成本。

实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。

因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。

DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。

使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。

在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。

原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。

由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

DDR3与DDR2几个主要的不同之处：
1.突发长度（Burst Length，BL）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DD R2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。

而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

2.寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。

DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。

DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。

另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。

3.DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。

DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。

这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。

当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。

在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。

这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

4.DDR3新增ZQ校准功能
ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。

这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。

当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化
之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

5.参考电压分成两个
在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。

6.点对点连接（Point-to-Point，P2P）
这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。

在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。

而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。

面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。

在CPU 外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。

目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。

现在常见的内存条品牌有以下几种
现代（HY）
个人认为，原厂现代和三星内存是目前兼容性和稳定性最好的内存条，其比许多广告吹得生猛的内存条要来得实在得多，此外，现代"Hynix（更专业的称呼是海力士半导体Hynix Semiconduc tor Inc.）"的D43等颗粒也是目前很多高频内存所普遍采用的内存芯片。

目前，市场上超值的现代高频条有现代原厂DDR500内存，采用了TSOP封装的HY5DU56822CT-D5内存芯片，其性价比很不错。

金士顿（Kingston）
作为世界第一大内存生产厂商的Kingston，其金士顿内存产品在进入中国市场以来，就凭借
优秀的产品质量和一流的售后服务，赢得了众多中国消费者的心。

不过Kingston虽然作为世界第一大内存生产厂商，然而Kingston品牌的内存产品，其使用的内存颗粒确是五花八门，既有Kingston自己颗粒的产品，更多的则是现代（Hynix）、三星（Sam sung）、南亚（Nanya）、华邦（Winbond）、英飞凌（Infinoen）、美光（Micron）等等众多厂商的内存颗粒。

Kingston的高频内存有采用"Hynix"D43颗粒和Winbond的内存颗粒的金士顿DDR400、DD R433-DDR500内存等，其分属ValueRam系列（经济型）和HyperX系列。

Kingston的ValueRam系列，价格与普通的DDR400一样，但其可以超频到DDR500使用。

而Kingston的HyperX系列其超频性也不错，Kingston 500MHz的HyperX超频内存（HyperX P C4000）有容量256MB、512MB单片包装与容量512MB与1GB双片的包装上市，其电压为2.6
伏特，采用铝制散热片加强散热，使用三星K4H560838E-TCCC芯片，在DDR400下的CAS值为2.5，DDR500下的CAS值为3，所以性能也一般。

利屏
利屏是进来新近崛起的一个内存新秀。

利屏科技（深圳）有限公司总部设在美国西部风景如画的世界高科技重镇旧金山。

公司致力于研发、生产和销售利屏LPT极限高端内存条产品。

公司拥有一支技术过硬的产品研发团队和足迹遍及中、外的专业销售队伍。

产品深受广大游戏玩家和超频爱好者的喜爱。

同时被冠以“超频之神”的美誉。

“利屏”眼镜蛇DDR400系列内存也是专门为追求性能的玩家所设计，它采用的也是D43的颗粒，但是时序更高，为了加强散热更是加上了金属散热片，其超频能力相当强劲，在加0.1V左右的电压下可以超频到DDR520。

而利屏的DDR466内存，它采用的是编号为K4H560838E-TCCC 的三星颗粒，运行在DDR466的时候内存时序为3-4-4-8，但其256MB容量接近500元的报价就显得太高了。

而利屏的高端极限内存DDR560，提供单片256MB和512MB包装，同时双片装的512MB和1024MB支持双通道架构，每条内存的表面均有铜质散热片进行散热及确保运行的稳定性，其CA S值均为3，只能说刚好能用而已。

勤茂（TwinMOS）
勤茂（TwinMOS）CAS为2的DDR433内存，采用CSP技术封装—这款，勤茂DDR433内存的CAS Latency控制在2，Burst Length控制在2、4、8，性能指数不错。

此外，内存外面包裹着金黄色内存罩，能起到散热和屏蔽的作用，内存颗粒与散热片之间则填充了导热的垫片。

价格在350元左右，其可超性也不含糊，性价比不错。

胜创（Kingmax）
成立于1989年的胜创科技有限公司是一家名列中国台湾省前200强的生产企业（Commonw ealth Magazine，May 2000），同时也是内存模组的引领生产厂商。

通过严格的质量控制和完善的研发实力，胜创科技获得了ISO-9001证书，同时和IT行业中最优秀的企业建立了合作伙伴关系。

公司以不断创新的设计工艺和追求完美的信念生产出了高性能的尖端科技产品，不断向移动计算领域提供价廉物美的最出色的内存模组。

在SDRAM时期，Kingmax就曾成功的建造了PC150帝国，开启了内存产品的高速时代，也奠定了Kingmax在内存领域领先的地位。

而今DDR来了，从266到300，再到现在的500，Kin gmax始终保持着领先的位置，继续引领着内存发展的方向。

说到KingMax内存，就不能不说到它独特的“TinyBGA”封装技术专利——作为全球领先的DRAM生产厂商，胜创科技在1997年宣布了第一款基于TinyBGA封装技术的内存模组，这项屡获殊荣的封装技术能以同样的体积大小封装3倍于普通技术所达到的内存容量。

同时，胜创科技还研制了为高端服务器和工作站应用设计的1 GB StackBGA模组、为DDR应用设计的FBGA模组以及为Rambus RIMM应用设计的速度高达1.6GB/秒的flip-chip BGA/DCA模组。

Kingmax胜创推出的低价版的DDR433内存产品，该产品采用传统的TSOP封装内存芯片，工作频率433MHz。

Kingmax推出的这个SuperRam PC3500系列的售价和PC3200处于同一档次，这为那些热衷超频又手头不宽裕的用户提供了一个不错的选择。

此外，Kingmax也推出了CL -3的DDR500内存产品，其性能和其它厂家的同类产品大同小异。

海盗船（Corsair）
Corsair（海盗船）是一家较有特点的内存品牌，其内存条都包裹着一层黑色金属外壳，这层金属壳紧贴在内存颗粒上，一方面可以屏蔽其他的电磁干扰。

其代表产品如Corsair TwinX PC32 00（CMX512-3200XL）内存，其在DDR400下，可以稳定运行在CL2-2-2-5-T1下，将潜伏期和寻址时间缩短为原来的一半，这款内存并不比一些DDR500产品差，而且Corsair为这种内存提供终身保修。

而Corsair DDR500内存采用Hynix芯片，这款XMS4000能稳定运行在DDR500，并且可以超频到DDR530，在DDR500下其CAS值为2.5，性能还算不错。

宇瞻（Apacer）
在内存市场，Apacer一直以来都有着较好的声誉，其SDRAM时代的WBGA封装也响彻一时，在DDR内存上也树立了良好形象。

宇瞻科技隶属宏基集团，实力非常雄厚。

初期专注于内存模组行销，并已经成为全球前四大内存模组供应商之一。

据权威人士透露，在国际上，宇瞻的品牌知名度以及产品销量与目在前国内排名第一的品牌持平甚至超过，之所以在国内目前没有坐到龙头位置，是因为宇瞻对于品牌宣传一直比较低调，精力更多投入到产品研发生产而不是品牌推广当中。

最近，宇瞻相应推出的"宇瞻金牌内存"系列。

宇瞻金牌内存产品线特别为追求高稳定性、高兼容性的内存用户而设计。

宇瞻金牌内存坚持使用100％原厂测试颗粒（决不使用OEM颗粒）是基于现有最新的DDR内存技术标准设计而成，经过ISO 9002认证之工厂完整流程生产制造。

采用20微米金手指高品质6层PCB板，每条内存都覆盖有美观精质的黄金色金属铭牌，而且通过了最高端的Advantest测试系统检测后，采用高速SMT机台打造，经过高低压、高低温、长时间的密封式空间严苛测试，并经过全球知名系统及主板大厂完全兼容性测试，品质与兼容性都得到最大限度的保证。

宇瞻的DDR500内存（PC4000内存）采用金黄色的散热片和绿色的PCB板搭配。

金属散热片的材质相当不错，在手中有种沉甸甸的感觉，为了防止氧化，其表面被镀成了金色。

内存颗粒方面，这款内存采用了三星的内存颗粒，具体型号为：K4H560838E-TCC5，为32Mx8规格DDR46 6@CL=3的TSOPII封装颗粒，标准工作电压2.6V+-0.1V，标准运行时序CL-tRCD-tRP为3-4-4。

在DDR500下其CL值为3，性能将就。

金邦（Geil）
金邦科技股份有限公司是世界上专业的内存模块制造商之一。

全球第一家也是唯一家以汉字注册的内存品牌，并以中文命名的产品"金邦金条"、"千禧条GL2000"迅速进入国内市场，在极短的时间内达到行业销量遥遥领先。

第一支"量身订做，终身保固"记忆体模组的内存品牌，首推"量身订做"系列产品，使计算机进入最优化状态。

在联合电子设备工程委员会JEDEC尚未通过DDR400标准的情况下，率先推出第一支"DDR400"并成功于美国上市。

金邦高性能、高品质和高可靠性的内存产品，引起业界和传媒的广泛关注。

在过去几年中，金邦内存多次荣获国内权威杂志评为读者首选品牌和编辑选择奖，稳夺国内存储器市场占有率三强。

金邦的Geil Platinum系列的DDR500内存（PC4000），采用TSOPII封装，使用了纯铜内存散热片，可较妥善的解决内存的散热问题。

采用六层低电磁干扰PCB板设计；单条容量256MB，在内存芯片上做了整体打磨并上打上了Geil的印记，"号称"使用了4ns的内存芯片，但仍可以看出其是采用Hynix的内存颗粒。

额定工作频率可达500MHz，在内存参数方面这是默认为CL3，可达CL2.5。

除此而外，其还有金条PC4200（DDR533）等款产品。

威刚（ADATA）。