半导体材料的基本性质
半导体材料的简介
半导体材料的简介一、引言半导体材料是一类特殊的材料,具有介于导体和绝缘体之间的特性。
它在现代电子技术中扮演着重要的角色。
本文将介绍半导体材料的定义、性质、种类以及在各个领域中的应用。
二、定义和性质2.1 定义半导体材料是一种具有能带间隙的固体材料,其导电性介于导体和绝缘体之间。
半导体的导电性主要由载流子(电子和空穴)的运动决定。
2.2 性质1.导电性:半导体的电导率介于导体和绝缘体之间,它能在外加电场或热激发下传导电流。
2.温度特性:半导体的电导率随温度的变化而变化,通常是随温度的升高而增加。
三、半导体材料的种类3.1 元素半导体元素半导体是由单一元素构成的半导体材料,常见的有硅(Si)和锗(Ge)。
3.2 化合物半导体化合物半导体是由两个或更多的元素组合而成的半导体材料,例如砷化镓(GaAs)和磷化氮(GaN)。
3.3 合金半导体合金半导体是由不同元素的合金构成的半导体材料,合金的成分可以调节材料的性质。
四、半导体材料的应用4.1 电子器件半导体材料是制造各种电子器件的重要材料,如晶体管、二极管和集成电路。
这些器件被广泛应用于电子设备、通信系统等领域。
4.2 光电子学半导体材料在光电子学中有重要应用,例如激光器、光电二极管和太阳能电池。
这些器件利用半导体材料的光电转换特性,将光能转化为电能或反之。
4.3 光通信半导体材料广泛应用于光通信领域,如光纤通信和光学传感器。
半导体激光器和光电探测器在光通信中起到关键作用。
4.4 光储存半导体材料在光存储技术中发挥重要作用,如CD、DVD等光盘的制造。
这些光存储介质利用半导体材料的光电转换和可擦写性能来实现信息存储与读取。
五、总结半导体材料是一类具有重要应用价值的材料,广泛应用于电子器件、光电子学、光通信和光存储等领域。
随着科技的不断发展,对新型半导体材料的研究和应用也在不断推进。
通过不断探索和创新,半导体材料有望在未来的科技发展中发挥更加重要的作用。
参考文献1.Bhuyan M., Sarma S., Duarah B. (2018) [Introduction toSemiconductor Materials]( In: Introduction to Materials Science and Engineering. Springer, Singapore.。
半导体材料的性质和制备
半导体材料的性质和制备半导体材料是一种具有特殊性质的材料,具有电学性质介于导体和绝缘体之间。
它的电学性质具有温度敏感、电阻率渐进式降低、半导带型式可控等特点。
因此,半导体材料在现代电子技术领域的应用非常广泛,例如计算机芯片、太阳能电池板、LED灯等众多高新技术产品都需要半导体材料。
一、半导体材料的性质半导体材料的性质决定了它可以用来制作何种电子器件。
其中最关键的属性是它的电阻率。
半导体材料的电阻率介于导体和绝缘体之间,用Ohm*cm或Ohm*m表示,一般在10^-2 ~10^8之间,通过杂质掺杂可以将半导体材料的电阻率调节到所需要的范围内。
其次,半导体材料的温度敏感性是其独特性质之一。
当半导体材料温度上升时,其电导率会随之增加。
这种性质被广泛用于制造高精度温度测量器和温度控制器。
半导体材料的导带和价带之间的带隙能量也是其重要的性质。
带隙能量越小,材料的电导率越高,反之则越低。
通过控制半导体材料的带隙能量可以改变其电学性质。
半导体材料具有电学性质介于导体和绝缘体之间,与导体不同的是,半导体材料中的电子不能自由传导,但与绝缘体不同的是,半导体材料中的电子可以被激发到导电状态。
二、半导体材料的制备半导体材料的制备主要通过控制杂质掺入来改变其电学性质。
这种方法被称为半导体掺杂。
半导体材料的制备通常有以下几种方法:1. 气相扩散法这种方法是将一种气体制成相对静止的状态,使其扩散到待制成半导体材料的样品中。
杂质通过热扩散的方式将杂质掺入到半导体材料中。
这种方法制造的材料质量较高,但加工比较复杂。
2. 原位合成法这种方法是通过化学气相沉积、分子束外延等技术将杂质掺入到半导体材料中。
这种方法可以制造出高品质的单晶薄膜。
3. 离子注入法这种方法是利用离子束将杂质注入到半导体材料中。
这种方法精度高、效率高,但可能会造成杂质的残留,对杂质掺入量的控制不够精细。
4. 液相扩散法这种方法是利用化学反应,在液相中将杂质掺入到半导体材料中。
半导体材料的性质及应用
半导体材料的性质及应用半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料,具有导电性和绝缘性。
它的导电性介于金属和非金属之间,而它的绝缘性则取决于材料中载流子的浓度。
半导体材料的性质:1. 阻带半导体材料中存在着能级间隔,其中从价带到导带的能隙被称为阻带。
在纯半导体中,电子在价带中,因此材料不能导电。
只有当外界施加功率,激发电子跃迁至导带中才会导电。
电子跃迁时释放的能量通过热传导或辐射传导,使半导体温度升高,这也被称为耗能。
2.载流子半导体的导电性能够体现出载流子的特性。
通常材料中含有非常少的自由电子和空穴,初始不具有导电性。
在加入掺杂物后,形成了n型和p型半导体。
n型半导体由元素(例如磷、氮)掺入,导致一些额外的电子存储在晶格中。
p型半导体由元素(例如铝、硼)掺入,导致一些额外的空穴存储在晶格中。
3. p-n结p-n结是半导体材料中一个非常重要的结构。
它由一个p型区域和一个n型区域组成,中间夹着一个非常薄的界面。
p-n结的导电性能够由正向偏置和反向偏置控制。
在正向偏置时,电子和空穴在结附近重新结合,导致电流的流动。
反向偏置时,由于存在阻挡电场,电流几乎不会流动。
p-n结的应用广泛,如发光二极管(LED)、太阳能电池等。
半导体材料的应用:半导体材料是当今很多电子设备的核心材料,如晶体管、集成电路、光电传感器和太阳能电池等。
这些设备的应用是基于半导体电子与光学性质之间的相互作用。
1. 晶体管晶体管是一种用于放大电信号的半导体器件。
在晶体管中,控制信号的电压可以控制大量电子或空穴的流量,从而可以控制电路的运行。
晶体管经常用于放大器和开关,可广泛应用于电视机、收音机、计算机等各种电子设备中。
2. 集成电路集成电路平均只占从前一堆晶体管和元件的约四分之一的面积,但其中蕴藏着复杂的电子电路。
集成电路可以分为数字集成电路(Digital IC)和模拟集成电路(Analog IC)。
数字集成电路通常用于计算和逻辑电路,在计算机和控制电子设备中用于控制和计算。
半导体材料的基本性质及应用前景
半导体材料的基本性质及应用前景随着人类科技的不断发展,半导体技术得到了广泛的应用。
半导体材料作为半导体技术的基础,其基本性质和应用前景也逐渐引起了人们的注意。
一、半导体材料的基本性质半导体材料具有包括导电性、光电性、热电性、感应光电性、压电性、光致发光性等在内的多种物理特性。
其中最核心的特性是导电性和不导电性。
半导体材料导电性的变化,可以通过控制半导体中杂质或缺陷的数量和类型实现。
杂质或缺陷的引入可以增强或减弱半导体的导电性。
例如,硅与锗纯净材料的导电性很弱,但加入P、N、B、As等DONOR或ACCEPTOR型杂质后,可以制备出p型或n型半导体材料。
半导体材料还具有光电性,它们与化学元素周期表上的光电发射材料相似。
半导体材料可以吸收光,电荷在导带和价带之间跃迁,从而导致光电效应。
常见的应用包括太阳能电池、光电探测器和紫外线灯等。
半导体材料的热电性可以用来制备热电材料,这种材料能够将热转换成电。
它的应用主要涉及节能和环境保护,例如,通过热电材料可以将热能转化为电能,应用于废气排放泄露的能量回收。
二、半导体材料的应用前景半导体技术以其稳定的性能、小型化的尺寸、易制备的成本、低功耗的特点等,日益成为信息技术、光电技术、新材料技术、环境保护技术等领域的重要基础材料。
以下几个方向是半导体材料未来的主要应用领域:1、新型显示屏随着信息技术的不断发展,显示屏在我们的生产和生活中发挥着越来越重要的作用。
半导体材料的光电性和导电性使其成为新一代显示技术的必需品。
例如,OLED技术已经得到了广泛的应用,其特点是超薄、超亮、超清、超省电,非常适合移动设备、电视以及广告牌等领域。
2、光电器件光电探测器、半导体激光器、光电开关、光电晶体管、光电倍增管等光电器件的应用正迅速扩展。
半导体材料的光电性使其非常适合用于制造光电器件,以便高效地转换光和电。
3、太阳能电池半导体材料的光电性是太阳能电池得以进行光电转换的重要基础材料。
第二章半导体材料的基本性质
第二章半导体材料的基本性质半导体材料是一类介于导体和绝缘体之间的材料,具有独特的电学性质和光学性质,广泛应用于电子器件和光电器件中。
本文将从电学性质和光学性质两个方面介绍半导体材料的基本性质。
一、电学性质1.带隙:半导体材料具有带隙,即价带和导带之间的能隙。
在绝缘体中,带隙较大,电子不易通过;在导体中,带隙为零,电子容易通过。
而在半导体中,带隙较小,介于绝缘体和导体之间,可以通过掺杂和加电场的方式改变其电导性能。
2.载流子:在半导体中,电子和空穴是载流子。
在纯净的半导体中,电子和空穴的数量相等,即n型和p型半导体中电子和空穴的浓度相等。
而在掺杂半导体中,通过掺杂可以使电子或空穴的浓度增加,从而改变其电导性质。
3.本征导电性:半导体材料在纯净状态下呈现本征导电性,即电导率较低。
本征导电性是由于半导体中的有限数量的载流子引起的。
n型半导体中主要是电子导电,p型半导体中主要是空穴导电。
本征导电性可以通过掺杂来改变。
4.外加电场下的导电性:在外加电场的作用下,半导体材料的导电性能发生变化。
当正电荷提供给半导体,将推动电子向正极移动,此时半导体变为n型半导体;当负电荷提供给半导体,将推动空穴向负极移动,此时半导体变为p型半导体。
这种现象被称为电场效应,也是半导体中众多器件如二极管和晶体管的基础。
二、光学性质1.吸收:半导体材料具有宽带隙能够吸收光的性质。
当光射入半导体中,部分光能会被电子吸收,使电子从价带跃迁到导带,此时光的能量将转化为电子的动能。
不同的半导体材料对不同波长的光吸收能力不同,这种特性使半导体材料成为光电器件的重要组成部分。
2.发光:除了吸收光能,有些半导体材料还可以发光。
当电子从导带跃迁到价带时,会释放出能量,部分能量以光的形式散发出来,形成发光现象。
不同的半导体材料对应不同的发光颜色,从红光到紫光等都可以通过不同材料的跃迁产生。
3.光电效应:半导体材料的光电效应是指当光照射到半导体表面时,会产生电流。
半导体材料的性质及在电子行业的应用
半导体材料的性质及在电子行业的应用半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料,具有一些独特的性质和特点,因而在电子行业中有着广泛的应用。
本文将简要介绍半导体材料的性质和应用。
一、半导体材料的性质1.导电性能。
半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。
与导体相比,半导体的导电性能较弱,但比绝缘体要强。
通常情况下,半导体的导电性能受温度、掺杂浓度等因素的影响,可以通过控制这些因素来改变半导体材料的导电性能。
2.禁带宽度。
半导体材料中能带的能量范围称为禁带,禁带中间的能量范围称为禁带宽度。
半导体材料的禁带宽度通常较窄,约为1eV左右,这使得半导体材料在连通和断开电路方面比绝缘体更加灵活。
3.热电性能。
半导体材料还具有一些特殊的热电性能。
例如,热电效应使得半导体材料可以将温度变化转化为电压输出。
这种特性在温度传感器方面有着广泛的应用。
二、半导体材料应用于电子行业1.半导体芯片。
半导体芯片是半导体材料最重要的应用之一。
半导体材料可以制成各种芯片,如处理器芯片、内存芯片、传感器芯片等。
这些芯片是电子设备的核心,它们的性能直接影响到设备的整体性能。
2.光电设备。
半导体具有较好的光电特性,如光电转换和发光等。
在光电设备方面,半导体材料可以用于制造光电二极管、太阳能电池板、LED灯等。
这些设备在通信、光学、能源等领域有着广泛的应用。
3.传感器。
半导体材料的热电、光电等特性使得其可以用于制造各种传感器。
例如,压力传感器、温度传感器、光传感器等。
这些传感器在工业生产、汽车行业、医疗行业等多个领域都有广泛的应用。
4.功率器件。
功率器件是电子行业中必不可少的元器件,半导体材料可以制成各种功率器件,如三极管、场效应管、晶闸管等。
这些器件在电力、电动车、电子制造等领域有着广泛的应用。
总体而言,半导体材料具有独特的性质和特点,可以制成各种电子器件,应用于多个领域。
随着半导体技术的不断发展和进步,半导体材料在电子行业中的应用也会越来越广泛,为我们的生活带来更多的便利和高科技体验。
半导体指的是什么东西
半导体指的是什么东西半导体是一种电子材料,具有介于导体和绝缘体之间的电导率。
它的电导率介于导体和绝缘体之间,当半导体处于不同的电场中或受到光照时,其电导率会发生变化。
半导体在电子学和光电子学领域有着广泛的应用,是现代电子行业中至关重要的材料之一。
半导体的基本特性1.导电性质半导体的导电性介于导体和绝缘体之间,当外加电压或光照作用于半导体材料时,会产生载流子,从而改变其电导率。
这种特性使得半导体可以被用于制造各种电子器件,如晶体管、二极管等。
2.能带结构半导体的导电性取决于其能带结构,包括价带和导带。
在基本结构中,价带中填充了电子,当电子受到激发或加热时,会跃迁到导带中,从而形成电子与空穴对,使半导体具有导电性。
3.半导体材料常见的半导体材料包括硅、锗、砷化镓等。
其中,硅是最为广泛应用的半导体材料,其稳定性和可控性较高,适用于各种电子器件的制造。
半导体的应用领域1.微电子器件半导体器件的制造和发展推动了微电子技术的进步,例如集成电路、晶体管等,广泛应用于计算机、通信设备等领域。
2.光电子器件某些半导体材料还具有光电转换特性,可以用于制造激光器、太阳能电池等光电子器件,将光能转化为电能。
3.传感器半导体传感器利用半导体材料的导电性变化来感知温度、压力、光照等物理量,广泛应用于工业控制、汽车电子等领域。
未来发展趋势随着技术的不断创新和发展,半导体材料和器件的研究也在不断向着更高性能、更小尺寸的方向发展。
纳米技术、量子技术等将为半导体领域带来全新的突破,推动电子学、光电子学等领域的进步。
总的来说,半导体作为一种介于导体和绝缘体之间的电子材料,在现代电子领域中发挥着不可替代的作用。
通过不断的研究和应用,将为人类带来更多更好的科技产品和服务。
半导体材料有哪些特性及应用
半导体材料特性及应用半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料,具有特殊的电子结构和导电性质。
半导体材料具有多种独特的特性,使其在电子、光电子、光伏和光通信等领域有广泛的应用。
半导体材料的主要特性1. 能带结构:半导体材料的电子能隙较窄,介于导体和绝缘体之间,使其在一定条件下可导电。
2. 斯特克斯位:半导体材料中的离子实栅靠近导带边缘,使电子在能带中具有很大的有效质量,有利于电子迁移。
3. 自由载流子浓度调控:通过施加外电场或调控杂质,可以有效调控半导体中的自由载流子浓度,实现半导体材料的导电性能调节。
4. 温度特性:半导体材料的电导率和载流子浓度都会随温度的变化而变化,通常表现为负温度系数。
5. 光电效应:半导体材料对光具有敏感性,可以通过光照射产生电子空穴对,实现光电转换及光电控制。
半导体材料的应用电子领域应用•集成电路(IC):半导体材料在微电子领域中广泛应用,作为IC芯片的基础材料,实现电子元器件、逻辑电路等功能。
•太阳能电池:半导体材料通过光电效应转化光能为电能,广泛应用于太阳能电池板制造。
光电子领域应用•激光器:利用半导体材料的光电效应和电子受激辐射特性,制作激光器用于光通信、医疗等领域。
•LED:利用半导体材料的电子激发辐射特性制造发光二极管,广泛应用于照明、显示等领域。
光伏领域应用•光伏电池:利用半导体材料的光电转换特性,制造光伏电池转化光能为电能,应用于太阳能发电系统。
光通信领域应用•光纤通信:利用半导体激光器和探测器构成的光通信系统,提供高速、远距离的光通信服务。
综上所述,半导体材料由于其特殊的电子结构和性质,在电子、光电子、光伏和光通信领域有着重要而广泛的应用。
随着科学技术的不断发展,半导体材料的应用前景将更为广阔。
气体传感器中半导体材料性能的研究和应用
气体传感器中半导体材料性能的研究和应用气体传感器是一种非常重要的传感器类型,在很多领域都有广泛的应用。
其中,半导体气体传感器是其中一类性能较为优异的气体传感器。
半导体气体传感器的工作原理是基于半导体材料的电学性质变化来实现对气体浓度的检测。
因此,对于半导体材料本身的性能研究具有很大的重要性,并且也直接决定了半导体气体传感器的应用性能。
一、半导体材料的基本性质半导体是介于导体和绝缘体之间的一种物质。
半导体材料具有一些独特的电学性质,如光电效应、热电效应、半导体正负载流特性、PN结等。
因此,半导体材料广泛应用于电子信息技术中。
半导体材料的基本性质可以分为以下几个方面。
1. 能带结构能带理论是描绘半导体材料电学特性的基本理论。
能带结构分别为导带和价带,其中导带带隙与价带带隙之间存在禁带宽度。
在室温下,半导体的禁带宽度一般在1.1eV-4.08eV之间。
2. 晶体结构半导体材料具有晶体结构,所有晶体结构均是在空间点阵之上所排列出的原子序列。
常用的半导体材料包括硅、锗、砷化镓等。
晶体结构对于半导体材料的电学性质以及气敏性能均有着重要影响。
3. 费米能级费米能级是描述半导体材料中电子运动的基本概念。
费米能级高度将会决定半导体材料在电学特性上表现出导体或绝缘体的性质。
费米能级还决定了半导体材料中载流子浓度的大小。
二、半导体材料在气体传感器中的应用半导体材料在气体传感器中的应用主要是基于气敏机理来实现气体浓度的检测。
气敏机理可以分为两种类型,一种是化学吸附作用,另一种是电学效应。
化学吸附作用主要是通过吸附物对半导体发生表面化学反应,从而形成半导体表面的不均匀性,进而影响电学性质。
这种气敏机理的检测方法主要是基于阈值电压或电流的变化来实现气体浓度的测量。
电学效应主要是通过半导体材料的电学特性变化实现气体浓度的检测。
电学效应的气敏机理可以分为PN结气敏电阻效应、PN结气敏电容效应、MOS气敏电容效应等几种。
在具体的应用领域中,半导体气体传感器有着很广泛的应用。
半导体的性质
半导体的性质半导体是一种特殊的材料,它具有绝对电导率和几乎绝对的绝缘性,使它成为电子器件的关键材料。
近半个世纪以来,半导体材料的研究和应用得到了蓬勃发展,并在改变着我们的生活方式。
本文将简要介绍半导体的基本性质,以及它如何影响我们的日常生活。
一、半导体的性质1.定义半导体是一种材料,具有中间的电导率,既比金属高,又比绝缘体低。
它介于绝缘体和导体之间,用于将电能传递给物理设备。
半导体由晶体结构的离子组成,其中一些离子是带电的,可以传导电流。
2.电子结构半导体由电子、孔和离子组成。
电子是组成晶体结构的最小粒子,它们在晶体结构中运动,可以传导电流。
孔是晶体结构中的空位,它们可以吸收电子,形成局域态(电子活动区域)。
离子是晶体结构中的带电粒子,它们可以吸收电子,形成另一个局域态(离子活动区域)。
3.电子能带半导体电子能带是一种电子活动区域,由电子和空位(孔)组成。
它有两个部分:电子能带总体和电子能带禁带。
电子能带总体包括从最低到最高能级的能带,它们可以传导电流,也就是电子传导性。
电子能带禁带是一个禁止电子传导的区域,其高度要低于电子能带总体,因此它们不能传导电流,也就是绝缘性。
4.半导体的类型半导体的类型可以分为半导体和半导体半导体。
半导体半导体是一种由半导体结构组成的半导体,它包括金属半导体、半导体材料,以及混合半导体材料。
金属半导体是一种由金属原子构成的半导体材料,具有较高的电导率,但具有绝缘性。
半导体材料是一种由碳原子构成的半导体材料,具有较低的电导率,但具有几乎绝缘性。
混合半导体材料是一种由金属和碳原子构成的半导体材料,具有中间的电导率,既比金属高,又比绝缘体低,可以将电能传递给物理设备。
二、半导体的应用1.晶体管晶体管是一种由金属半导体和碳半导体组成的三极管。
它是由一个金属半导体封装在一块碳半导体上,金属半导体是收集极,碳半导体是基极,晶体管可以控制电流的流向,从而控制电流的大小。
晶体管可以将一个微弱的电流放大,也可以将一个强电流压缩,是一种关键的电子器件。
半导体材料是什么
半导体材料是什么半导体材料是一种特殊的材料,具有介于导体和绝缘体之间的导电性质。
在它的基础上,可以制造出各种电子元器件,如晶体管、二极管和集成电路,广泛应用于现代电子技术领域。
本文将对半导体材料进行详细介绍。
半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间,这是因为它的能带结构与导带和价带之间的带隙相对较小。
在绝缘体中,带隙较大,导电能力很弱,而在导体中,带隙几乎不存在,所以导电能力很强。
半导体材料的导电能力可以通过控制材料成分、杂质掺入和温度等因素来调节。
半导体材料的导电性质是由其原子结构和能带结构决定的。
在半导体材料中,每个原子都有四个价电子,这四个价电子可以与相邻原子共享,形成共价键。
共价键的形成使得半导体材料中的原子形成一个有序的三维晶格结构。
在这个结构中,能带被划分为价带和导带两个部分。
价带是最高能级的带,它的电子是不自由移动的。
导带是比价带能级更高的带,它的电子可以自由移动,并且可以传递电流。
半导体材料的导电能力与其带隙的大小有关。
带隙是价带和导带之间的能量差,当带隙较小时,电子可以通过吸收辐射或热激发等方式从价带跃迁到导带,形成导电。
这种导电方式被称为本征导电。
而当带隙较大时,电子很难从价带跃迁到导带,因此导电能力很弱。
半导体材料的导电性还可以通过掺杂来调节。
掺杂是在半导体材料中加入一些掺杂原子,这些原子与半导体原子有不同的电子和空穴能级,从而改变材料的导电性质。
根据掺杂原子的电子能级,掺杂可以分为n型和p型。
n型半导体是通过掺入能够提供自由电子的杂质原子,导致导带电子浓度增加,从而增加了导电性。
p型半导体是通过掺入能够接受电子的杂质原子,导致价带空穴浓度增加,从而增加了导电性。
半导体材料在现代电子技术中有着广泛的应用。
晶体管是半导体技术最重要的应用之一,它是一种能够控制电流的电子元器件。
通过控制晶体管的电子流,可以实现放大信号、开关电路和数字逻辑运算等功能。
集成电路是将数亿个晶体管和其他电子元器件集成在一起制成一个芯片,广泛应用于计算机、手机、电视等各个领域。
半导体的基本特征
半导体的基本特征半导体是一种具有特殊电性质的材料,其具备一些独特的特征。
本文将介绍半导体的基本特征,包括导电性、能带结构、载流子、禁带宽度以及掺杂等方面。
一、导电性半导体的导电性介于导体和绝缘体之间。
它的导电性来源于其晶格中的原子或离子。
在晶格中,半导体的原子或离子排列紧密,但并非十分紧密,因此其导电性比金属导体差。
半导体在常温下,其电子处于能带中,无法自由移动。
只有在施加外界电场或加热的情况下,电子才能克服能带间隙的能量差,从而跃迁到导带中,实现电导。
二、能带结构半导体的能带结构是其导电性的重要依据。
能带是指电子能量的分布区域,包括价带和导带。
价带是指电子处于低能态的能带,其电子难以自由移动;而导带是指电子处于高能态的能带,电子能够自由移动。
半导体的能带结构中,导带与价带之间存在一段能量间隙,称为禁带。
禁带宽度决定了半导体的导电特性,禁带宽度较小的半导体更易导电。
三、载流子在半导体中,载流子是指能够携带电荷的粒子,包括自由电子和空穴。
自由电子是指从价带跃迁到导带中的电子,它们带有负电荷,能够自由移动。
而空穴是指在价带中留下的缺电子的位置,它们带有正电荷,也能够自由移动。
半导体的导电性与载流子的数量和移动性息息相关。
四、禁带宽度禁带宽度是半导体的一个重要参数,它决定了半导体的导电性能。
禁带宽度越小,半导体的导电性越好。
当外界电场或加热作用下,电子能够克服禁带宽度的能量差,跃迁到导带中,形成自由电子。
因此,禁带宽度的大小直接影响了半导体的导电特性。
五、掺杂掺杂是指在半导体中加入少量的杂质元素,以改变其导电性能。
掺杂分为N型和P型两种。
N型半导体是指通过掺杂杂质元素,使半导体中的电子数目增加,导电性变强。
而P型半导体是指通过掺杂杂质元素,使半导体中的空穴数目增加,导电性变强。
通过N型和P型半导体的结合,可以形成PN结,进一步扩展了半导体材料的应用。
半导体的基本特征包括导电性、能带结构、载流子、禁带宽度以及掺杂等方面。
半导体材料的性质与应用
半导体材料的性质与应用随着信息时代的到来,半导体材料的应用越来越广泛。
在计算机、通信、电子、光电等领域中,半导体材料已经成为必不可少的材料之一。
那么,半导体材料具有怎样的性质呢?它的应用又有哪些方面呢?本篇文章将详细介绍半导体材料的性质与应用。
一、半导体材料的性质半导体材料的电导率介于金属与非金属之间,其导电性能在低温下较差,在高温下表现出非线性的特点。
半导体材料通常具有以下性质:1. 半导体材料的电导率可由材料的掺杂(即:添加少量杂质原子)来改变。
掺杂过程中添加的杂质原子又称为施主或受主,它们可引起半导体电子或空穴的增加,从而改变材料的导电性能。
2. 半导体材料的锗、硅等常用材料存在于红、近红外光谱范围,可直接将其变为光电器件。
3. 半导体材料具有热敏特性,随着温度升高,材料电导率增大,须进行温度补偿,即根据电导率与温度之间的关系,在测量时进行数据修正。
4. 半导体材料不能像导体那样均匀地传递电子,而是只能沿着特定的方向传输电子。
该方向垂直于晶体中原子排列的基矢量方向。
这种特性被称为“整流性”。
利用半导体材料的整流特性,可以制成二极管、晶体管等电子器件。
二、半导体材料的应用1. 电子器件方面半导体材料的应用于电子器件,是半导体产业发展的重要方向之一。
电子器件主要包括二极管、三极管、场效应管、光电二极管、太阳能电池和集成电路等。
其中,集成电路是现代电子技术的核心和重点。
它是由几千万个晶体管、电容器和电阻器等元器件组成的微型电路,具有体积小、功耗低、工作可靠等特点。
集成电路技术已被广泛应用于计算机、通信、军事、医疗等领域。
2. 光电子学方面半导体材料也被广泛应用于光电子学领域。
半导体激光器、LED等光电器件已广泛应用于光通信、光储存、显示器、照明等领域。
激光器由于其具有单色性好、方向性强等特点,已成为医疗、工业、军事等领域不可或缺的光源。
3. 环保能源方面半导体材料也可应用于环保能源领域,如太阳能电池、燃料电池等。
半导体材料有哪些基本特性
半导体材料基本特性在当今科技领域,半导体材料是一类关键的材料,在电子、光电子和通讯领域具有广泛应用。
半导体材料与金属和绝缘体都有着截然不同的特性。
下面将介绍半导体材料的一些基本特性。
导电性半导体材料的导电性介于金属和绝缘体之间。
在室温下,半导体的电导率比绝缘体高,但远远低于金属。
这是因为半导体材料具有能带结构,在绝缘体中,能带带隙很大,电子难以从价带跃迁到导带,因此导电性很差;而在金属中,能带带隙几乎为零,使得电子自由跃迁,导电性很好。
而在半导体中,能带带隙介于绝缘体和金属之间,当半导体受到外部激发(如光或热)时,电子可以跃迁到导带,形成电流,导致导电性增加。
光吸收和发射半导体材料还具有光吸收和发射的特性。
当光线照射在半导体表面时,光子能量被半导体吸收,激发半导体内的电子跃升至激发态,形成激子。
当激子重新组合时,释放出能量,发出辐射光。
这种光发射现象被广泛应用于半导体激光器、LED 等领域。
能带结构半导体的能带结构是其特有的性质之一。
能带结构包括导带和价带,两者之间的能隙是半导体的重要指标。
当传输能量较小的电子从价带跃迁到导带时,半导体呈现导电性,而当没有足够能量的光子作用时,电子则不能跃迁到导带,半导体呈现绝缘性。
温度特性半导体材料的电学性质与温度密切相关。
一般来说,在半导体中,随着温度升高,电阻率会降低,导电性将增强;而在一些特殊情况下,随温度升高,半导体的导电性也可能会降低。
这种温度特性是半导体器件稳定工作的重要因素之一。
杂质控制半导体材料的纯度对其性能有着重要影响。
在制备半导体材料时,必须严格控制杂质的含量,尤其是掺杂控制。
通过掺入不同种类的杂质元素,可以调节半导体的电学性质,如增加或减小导电性等。
因此,对杂质的控制是确保半导体器件稳定性和可靠性的关键要素。
综上所述,半导体材料具有独特的导电性、光吸收和发射特性、能带结构、温度特性和杂质控制等基本特性,这些特性使得半导体材料在现代电子、光电子和通讯领域发挥着重要作用。
半导体材料基础基本特性
有机半导体
按构造分:
晶体:单晶体、多晶体 非晶、无定形
1. 无机半导体晶体材料(组分)
无机半导体晶体材料包括元素、化合物及固溶体半导体。 (1) 元素半导体晶体
熔点太高、 不易制成单晶
C B
稀少
Te Sn
低温某种固相
P
Si
Ge
Se
元素 半导体
As
I S Sb
不稳定,易挥发
(2)化合物半导体及固溶体半导体
三、半导体旳发展
1874年 F.Braun 金属-半导体接触
1879年Hall效应
K.Beadeker半导
体中有两种不同
萌
类型旳电荷
芽
期 1870
1930
1948年 Shockley ,Bardeen,
Brattain 锗晶体管 (transistor)
点接触式旳
1940
1950
氧化铜、硒 整流器、曝光计
能量还是约等于Eg。
——推论:除竖直跃迁,还存在另一类跃迁过
程:由价带顶向具有不同k值旳导带底旳跃迁。
E f = Ei E p 电子旳动量变化很大。而光子旳动量很小,
k ' = k q 故必须吸收或发射声子才干满足准动量守恒.
除了吸收光子之外还要吸收或发射声于旳跃迁,称为间接跃 迁或非竖直跃迁。相应旳材料称为间接能隙半导体材料。
电阻率:
R
绝缘体
导体: ρ<10-4Ωcm 如:ρCu=10-6Ωcm
半导体:10-3Ωcm<ρ<108Ωcm 如:ρGe=0.2Ωcm
绝缘体:ρ>108Ωcm
半导体
负旳温度系数 T
电阻温度系数图
半导体材料的性质和应用
半导体材料的性质和应用半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的特殊材料,广泛应用于电子行业、光电行业、新能源行业等领域。
本文将简要介绍半导体材料的性质和应用。
一、半导体材料的性质半导体材料具有以下性质:1.导电性能不如金属和导体,但比绝缘体强;2.带电荷载体主要为电子和空穴;3.绝缘性能可以通过掺杂来改变;4.光电效应强,可转化为光学信号输出;5.半导体器件具有自主性,易于控制。
这些性质决定了半导体材料在电子行业中的广泛应用。
二、半导体材料在电子行业中的应用半导体材料在电子行业中有以下应用:1.芯片制造芯片是半导体材料的典型应用之一,制造芯片需要先把半导体材料进行掺杂、清洗、敷膜、光刻和刻蚀等工艺,然后制成不同功能的小型电路芯片,用来存储、处理和控制电子信息。
半导体芯片技术是当今计算机、通讯和控制系统的基础。
2.光电器件半导体材料的光电特性使其成为制造发光二极管、激光器、光敏器件、光电子器件和太阳能电池等光电器件的理想原材料。
发光二极管(LED)是半导体材料的重要应用领域之一,将电能转化为光能,具有节能、长寿命、无污染等优点。
LED已广泛应用于室内外照明、车灯、指示灯、显示屏等领域。
而激光器则是激光器、激光雕刻、激光打印等高科技工具的基础,广泛应用于航空、航天、军事、医学、安检和照明等领域。
除此之外,光敏器件主要应用于光通信、安防、成像等领域,而太阳能电池则是新能源行业重要的组成部分之一。
三、半导体材料在新能源行业中的应用半导体材料在新能源行业中的应用也十分广泛,如:1.光电池制造光电池是将太阳辐射能转化为电能的器件,由半导体材料组成。
半导体材料的光电性质决定了太阳能电池的效率和稳定性。
现在,太阳能电池正逐渐成为替代传统能源的重要选择。
2.电动汽车技术半导体材料在电动汽车技术中的应用越来越广泛,如:(1)电动车发动机和驱动器中的IGBT(绝缘栅双极晶体管)等功率半导体元件;(2)电池管理系统中电池的监测和控制,如锂离子电池的智能控制;(3)车载信息系统的处理器和传感器,如车载导航、车载娱乐、车路通信等;(4)智能电网的监测和控制等。
介绍半导体材料的物理学性质
介绍半导体材料的物理学性质半导体材料是当前最热门的材料之一,它的应用范围非常广泛。
半导体材料的特殊性质使得其在物理学、化学、电子学等领域得到了广泛的研究和应用。
在这篇文章中,我们将介绍半导体材料的物理学性质。
1.晶体结构半导体材料一般是以晶体形式存在的,晶体结构是其最基本的物理特性之一。
晶体结构是由空间排列有序的固体。
半导体材料的晶体结构可以分为四种:简单立方晶体、面心立方晶体、体心立方晶体和密堆积晶体。
每种晶体结构都有自己的特殊性质和应用领域。
2.能带结构在半导体材料中,电子的行为和能量是非常重要的性质。
电子的能量和位置在半导体中取决于能带结构。
一个固体的能带结构决定了它的导电性质、光学性质和吸收性质。
半导体材料中的能带结构可分为导带和价带。
导带中的电子比价带中的电子具有更高的能量,它决定半导体的导电性质。
当电子从导带跃迁至价带时,会释放出能量,同时形成光子,即半导体发光。
3.掺杂掺杂也是半导体材料的一种重要属性。
掺杂是将不同原子或分子加入到半导体材料中,以改变材料原本的电学性能。
这样可以使半导体材料的导电性质更加灵活和多样化。
掺杂可以分为两种:p型掺杂和n型掺杂。
在p型掺杂中,掺杂的原子通常是铝、硼等元素,它们会制造电子空穴,从而增加半导体的阳极区间导电性。
而在n型掺杂中,掺杂的原子通常是磷、硼等元素,它们会增加半导体电子的数目,从而增加半导体的阴极区间导电性。
4.击穿当半导体材料的电场强度足够强时,会产生击穿现象,这会导致电子流的急剧增加。
该现象通常发生在某些特殊的材料和器件中,如晶体管和LED等。
击穿通常是由于电子和空穴大量被电场加速而击穿到价带和导带之间而引起的,形成了一个极高的电流,通常可以用击穿电压来描述。
5.热引导半导体材料中的热电导性质是另一种重要的物理属性。
我们知道,在金属中,减少温度可能导致电阻率的下降。
而在半导体中,减少温度可能导致电阻率升高。
半导体材料中的热引导本质上是从混杂势导出的。
半导体材料的基本性质
a) N型半导体 b)P型半导体
对于N型半导体,其少数载流子的浓度p为
ni 2 ni 2 p n ND
对于P型半导体,其少数载流子的浓度n为
ni 2 ni 2 n p NA
1.4.4 杂质半导体的费米能级及其与杂质浓 度的关系
杂质半导体费米能级位置 a)本征半导体 b)N型半导体 c)P型半导体
vn = -
mn
vp =
mp
1.6.2 迁移率μ
迁移率定义为在单位电场作用下的载流子的漂移速度。 电子的迁移率μn(单位为cm2/Vs)为
μn = qτ mn
则
vn = -u n E
式中,μn是一个比例常数,描述了外加电场对载流子运动影响 的程度。 迁移率与平均自由时间及有效质量有关。显然,由于电子和空 穴的运动状态不同,它们的有效质量和平均碰撞时间都是 不同的,因此半导体中的电子和空穴都有不同的迁移率。
E ' FN E ' FP np n0 p0 exp T
' ' E E 2 FN FP n i exp T
N型半导体小注入前后准费米能级偏离费米能级的程度 a)小注入前 b)小注入后
1.6载流子的漂移运动
半导体导带电子和价带空穴是可以参加导电的,它 们的导电性表现在当有外加电场作用在半导体上的 时候,导带电子和价带空穴将在电场作用下作定向 运动,传导电流,我们把该运动称为载流子的漂移 运动。
不同温度下费米分布函数随(E-EF)的变化关系
a) T=0K b)T>0K(T2>T1)
下图从左到右形象描绘出了能级分布,费米分布及 本征半导体与空穴在能带中的分布情况.
a)能级分布图 b) 费米分布曲线 c) 电子与空穴的分布d) 载流子浓度
半导体材料具有哪些主要特性
半导体材料具有哪些主要特性
半导体是一种介于导体(金属)和绝缘体之间的材料,具有一些独特的特性,
使其在电子学和光电子学领域具有重要的应用。
以下是半导体材料的主要特性:
1. 带隙能量
半导体材料具有禁带宽度,即能带隙。
这是指在材料中电子能级的变化范围,
使得材料在低温下几乎是绝缘体,而在受到刺激(例如光或热)时,电子可以跨越能带隙并变得导电。
带隙能量的大小决定了半导体的导电性质,常用电子伏特(eV)作为度量单位。
2. 控制载流子浓度
半导体材料可以通过掺杂来控制载流子(电子和空穴)的浓度,这在半导体器
件的制造中至关重要。
通过引入少量的杂质原子,可以从而增加或减少载流子的浓度,从而改变材料的导电性质。
3. 半导体器件的制造
半导体材料可通过各种加工工艺来制造成各种半导体器件,如二极管、晶体管
和光电器件等。
这些器件在现代电子技术中发挥着重要作用,推动了信息技术和通信技术的快速发展。
4. 温度特性
半导体材料的电导率和带隙能量都随温度的变化而变化。
这种温度特性使得半
导体器件在一定的温度范围内工作性能更稳定,同时也为一些特定应用提供了可能,如温度传感器等。
5. 光电特性
半导体材料在受到光照射后会产生光生载流子,这种光电性质使得半导体器件
在光电子学领域有广泛的应用,如太阳能电池、发光二极管(LED)和激光器等。
总的来说,半导体材料具有能带隙、控制载流子浓度、器件制造、温度特性和
光电特性等一系列独特的特性,使得其在现代电子学领域具有重要的应用价值。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
N型半导体的概念
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素,即构成 N 型半导体(或称电子型半导体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
V族杂质在硅中电离时,能够释放电子而产生导电电 子并形成正电中心,称为施主杂质。
施主电离能和施主能级
2.3 半导体中的杂质和缺陷
2.3.1 本征半导体 2.3.2 n型半导体 2.3.3 p型半导体
2.3.1 本征半导体
完全纯净、结构完整的 半导体晶体称为本征半 导体。
本征半导体也存在电子 和空穴两种载流子
但电子数目n和空穴数目 p一一对应,数量相等, n=p。
•传导电子
•导带
•空穴
电流密度
•V •E
•L
电流密度是指通过垂直于电流方向的单位 面积的电流
均匀导体,电流密度 电场强度 欧姆定律的微分形式
迁移率
假设电子平均速度为vd,电子浓度为n,电流密度为
平均速度和电场强度成正比 电流密度 电导率
称为电子迁移率,表示单位场强下电子的平均漂移 速度
2.4.2 电导率
晶体中的某一个电子是在周期性排列且固定不动的原 子核势场以及其它大量电子的平均势场中运动
大量电子的平均势场也是周期性变化的,而且它的周 期与晶格的周期相同。
两者的共同点在于都有一个恒定的势场。 因而可以先分析自由电子的状态,接着再考虑加上一
个平均场后的电子状态
(1)自由电子的薛定谔方程
自由电子与时间因素无关,因而波函数可以表 示为:
•E1=-13.6 eV
多电子原子能级
晶体是由大量的原子组成,由于原子间距离很小,原 来孤立原子的各个能级将发生不同程度的交叠:
1. 电子也不再完全局限于某一个原子,形成“共有化” 电子。
2. 原来孤立的能级便分裂成彼此相距很近的N个能级 ,准连续的,可看作一个能带
原子能级分裂为能带
•原子能级
•立方 Cubic
•四方 Tetragonal
•正交 Rhombic
•三方 Rhombohedral•六方 Hexagonal •单斜 Monoclinic •三斜 Triclinic
2.1.3 晶体结构
一般表达一个晶体结构,需要给出: 1. 晶系; 2. 晶胞参数; 3. 晶胞中所包含的原子或分子数Z; 4. 特征原子的坐标。
•k
的能量是连续能谱,从零到 无限大的所有能量值都是允
许的。
(2)晶体中的电子状态
在自由电子的薛定谔方程上再考虑一个周期性 势场
晶体中电子所遵守的薛定谔方程为:
晶体中电子的E(k)与K的关系
•E
•Resulted from r-
•E
g
•k
-2p/a -p/a
•0
p/a 2p/a
•Resulted from r+
多余的空穴束缚在负电中
•EC
心B-的周围,但这种束
缚作用比共价键的弱得多 •Eg
,只要很少的能量就可以
使它摆脱束缚,形成导电
•ED
空穴。
•EV
使空穴摆脱束缚所需要的 能量称为பைடு நூலகம்主杂质电离能
•EV-- 价带能级 •EC-- 导带能级 •ED-- 施主能级 •Eg-- 带隙宽度
自补偿效应
有些半导体中,既有n型杂质又有p型杂质 N型杂质和P型杂质先相互补偿,称为自补偿效应。
2半导体材料的基本性质
第二章 半导体材料的基本性质
2.1 半导体的晶体结构 2.2 半导体的能带结构 2.3 半导体的杂质和缺陷 2.4 半导体的电学性质 2.5 半导体的光学性质
2.1 半导体的晶体结构
2.1.1 晶体 2.1.2 晶体结构 2.1.3 晶体类型
2.1.1 晶体
多余的价电子束缚在正电
中心P+的周围,但这种
•EC
束缚作用比共价键的弱得
•ED
多,只要很少的能量就可 以使它摆脱束缚,形成导 •Eg
电电子。
•EV
使价电子摆脱束缚所需要 的能量称为杂质电离能
•EV-- 价带能级 •EC-- 导带能级 •ED-- 施主能级 •Eg-- 带隙宽度
多子和少子
N型半导体中,自由电子浓度远大于空穴的浓 度,即 n >> p 。
•禁带
•价带
实际晶体不是理想情况
1. 原子并不是静止在具有严格周期性的晶格格点位置 上,而是在平衡位置附近振动;
2. 半导体材料并不是纯净的,而是含有若干杂质;
3. 实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的,而是存 在着各种缺陷:点缺陷、线缺陷和面缺陷
2.3.2 杂质半导体
为了控制半导体的性质而人为的掺入杂质,这些半导 体称为杂质半导体,可以分为:
简单立方堆积
体心立方堆积
面心立方堆积
密排六方堆积
金刚石型堆积
•109º28´
半导体的晶体结构
结构类型 金刚石型 闪锌矿型 纤锌矿型 NaCl型
半导体材料 Si,金刚石,Ge GaAs,ZnO,GaN,SiC InN,GaN,ZnO,SiC
PbS,CdO
2.1.3 晶体类型
金属晶体 通过金属键而形成的晶体
电子的电导率 n是电子浓度, 是电子的迁移率
空穴的电导率 p是电子浓度, 是电子的迁移率
本征半导体的电导率
本征半导体,n=p N型半导体,n>>p P型半导体,n<<p
直接跃迁对应的半导体材料 称为直接禁带半导体
例子:GaAs,GaN,ZnO
间接跃迁对应的半导体材料 称为间接禁带半导体
例子:Si,Ge
直接跃迁和间接跃迁
考虑到光子的动量较小,可以忽略
因而电子吸收或放出一个光子,发生跃迁时电子的动 量基本不变
单纯的光跃迁过程是直接跃迁,效率高
间接跃迁为了能量守恒,必须有声子参加,因而发生 间接跃迁的概率要小得多
β、γ称为晶胞参数。 它们决定了晶胞的大小和形状。
七大晶系
晶系 立方 四方 正交 三方 六方 单斜 三斜
晶轴 a=b=c a=b≠c a≠b≠c a=b=c a=b≠c a≠b≠c a≠b≠c
夹角 α=β=γ= 900 α=β=γ= 900 α=β=γ= 900 α=β=γ≠ 900 α=β= 900, γ =1200 α= γ= 900 ,β≠ 900 α≠ β≠ γ≠ 900
离子晶体 通过离子键而形成的晶体
分子晶体 通过分子间作用力而形成的晶体
原子晶体 通过共价键形成的晶体
2.2 半导体的能带结构
2.2.1 原子结构和原子能级 2.2.2 半导体的电子状态 2.2.3 半导体的能带结构 2.2.4 半导体的载流子
2.2.1 单原子结构
•电子
•原子核
波尔理论
•EC •ED •Eg
•EV
热平衡条件
•温度一定时,两种载流子浓度乘积等于本征浓度 的平方。
•ni为本征载流子浓度 •本征半导体 •n型半导体 •p型半导体
电中性条件
整块半导体的正电荷量与负电荷量恒等。
例子:
本征硅中掺入0.0000002%的磷杂质(原子比),已 知硅的原子密度为5×1022/cm3,ni=1.5×1010/cm3
N型半导体和P型半导体
后面以硅掺杂为例子进行说明
硅是化学周期表中的第IV族元素,每一个硅原子具有 四个价电子,硅原子间以共价键的方式结合成晶体。
2.3.3 N型半导体
•额外的电子
P是第V族元素,每一个 P原子具有5个价电子
P替位式掺入Si中,其中 四个价电子和周围的硅 原子形成了共价键,还 剩余一个价电子
2.2.4 半导体的载流子
电子 空穴
(1)电子
价带顶部的电子被激发 到导带后,形成了传导 电子
传导电子参与导电
电子带有负电荷-q,还 具有负的有效质量
•传导电子
•导带 •禁带
•价带
(2)空穴
价带顶部的电子被激发到导 带后,价带中就留下了一些 空状态
激发一个电子到导带,价带 中就出现一个空状态
①核外电子只能在有确定半径和能 量的轨道上运动,且不辐射能量
②基态:能量最低;
能级:轨道的不同能量状态;
激发态:电子被激发到高能量轨 道上
③激发态的电子不稳定,跃迁到低 能级,以光的形式释放能量。
原子能级结构图
•激发态 •基态
•E4=-0.85 eV •E3=-1.51 eV •E2=-3.4 eV
(1)晶胞中质点的占有率
体心
面心
棱边
顶角
•晶胞中各质点的占有率
•立方晶 胞
•体心: •1
•面心: •1/2
•棱边 •1/4 : •顶点 •1/8 :
(2)密排堆积方式
密堆积方式因充分利用了空间,而使体系的势能尽可 能降低,而结构稳定。
常见的密排堆积方式的种类有: 简单立方堆积 体心立方堆积 面心立方堆积 密排六方堆积 金刚石型堆积
•禁带 •禁带
•能带
•允带 •允带
•允带
2.2.2 半导体的电子状态
孤立原子的电子状态 孤立原子的电子只在该原子核的势场中运动
金属的电子状态 金属元素的价电子为所有原子(或离子)所共有,可 以在整个金属晶格的范围内自由运动,称为自由电子 。自由电子是在一恒定为零的势场中运动
半导体的电子状态
半导体中的电子状态
•价带
•绝缘体
•E
g
•半导体
•导体
直接带隙和间接带隙
直接带隙半导体和间接带隙半导体
价带的极大值和导带的极小 值都位于k空间的原点上
价带的极大值和导带的极小 值不位于k空间的原点上
价带的电子跃迁到导带时, 只要求能量的改变,而电子 的准动量不发生变化,称为 直接跃迁