半导体行业用水标准
浅析纯水,高纯水,超纯水的区别
析纯水，高纯水，超纯水的区别纯度：超纯水＞双级反渗透水（双级RO水）＞双蒸水（ddH2O）＞纯水（RO水）＞蒸馏水（dH2O）超纯水Ultrapure水（超纯水）又称高纯水，是指将水中的导电介质几乎完全去除，又将水中不离解的胶体物质、气体及有机物均去除至很低程度的水。
电阻率大于18MΩ*cm，或接近18.3MΩ*cm极限值。
超纯水的含盐量在0.1mg/L以下电导率小于0.1μs/cm。
常见纯化仪器NANOpure或Milli-Q，它是时下纯度最高的水，其次是双级反渗透水（双级RO水）、双蒸水（ddH2O）、纯水（RO水）、蒸馏水。
超纯水作为所有的实验用水都可以，特别是高灵敏度ICP/MS、ppt级分析、同位素分析、疾控中心、药检所、质检所、环监站、高校科研等标准实验室及各种高端精密仪器用水。
其他的纯水及双蒸水根据实际情况，在要求不是很严格的情况下也可以用的。
超纯水纯度极高的水。
集成电路工业中用于半导体原材料和所用器皿的清洗、光刻掩模版的制备和硅片氧化用的水汽源等。
此外，其他固态电子器件、厚膜和薄膜电路、印刷电路、真空管等的制作也都要使用超纯水。
超纯水，是一般工艺很难达到的程度，采用预处理、反渗透技术、超纯化处理以及后级处理四大步骤，多级过滤、高性能离子交换单元、超滤过滤器、紫外灯、除TOC装置等多种处理方法，电阻率方可达18。
25MΩ*cm 超纯水是美国科技界为了研制超纯材料(半导体原件材料、纳米精细瓷材料等)应用蒸馏、去离子化、反渗透技术或其它适当的超临界精细技术生产出来的水，这种水中除了水分子(H20)外，几乎没有什么杂质，更没有细菌、病毒、含氯二恶英等有机物，当然也没有人体所需的矿物质微量元素，一般不可直接饮用，对身体有害，会析出人体中很多离子。
高纯水高纯水(high-purity water,ultra-high purity water)是化学纯度极高的水，其中的杂质的含量小于0.1mg/L。
半导体工艺冷却水
半导体工艺冷却水半导体工艺冷却水1. 概述半导体工艺冷却水是在半导体制造过程中用于冷却设备和材料的水。
半导体制造过程中产生的高温会导致设备和材料的热量累积，影响其性能和寿命，因此冷却水在此过程中起到至关重要的作用。
本文将深入探讨半导体工艺冷却水的相关方面。
2. 冷却水的选择与要求在选择合适的冷却水时，我们需考虑以下几个关键要求：2.1 温度稳定性：半导体工艺过程中，温度波动可能会导致器件性能不稳定或损坏，因此冷却水需要具备良好的温度稳定性。
2.2 导热性：冷却水需要具备高导热性，以有效地吸收和散发热量，保持设备和材料的稳定工作温度。
2.3 低溶解度：冷却水不应溶解半导体工艺过程中使用的化学物质，以防止对器件和材料产生不可逆的损害。
2.4 清洁度：冷却水需要保持一定的清洁度，以防止颗粒物质和污染物对设备和材料造成损害。
2.5 环保性：冷却水需要具备良好的环保性能，以减少对自然环境的影响。
3. 常用的冷却水类型3.1 纯水：纯水是一种理想的冷却水，因其无杂质和化学物质，不会对器件和材料产生不可逆的损害。
然而，纯水的导热性较差，无法满足半导体制造过程中的高热量散发需求。
3.2 混合水：混合水是将纯水与其他添加剂混合而成，以改善其导热性、防腐性和抗溶解性。
可以添加抗菌剂、防腐剂和缓冲剂来提高冷却水的性能。
3.3 高纯度水：高纯度水是一种除去大部分离子、溶解物和微生物的纯净水，以提供更高的冷却效果和更好的设备保护。
高纯度水广泛应用于半导体工艺中，但其制备和处理要求较高。
4. 冷却水系统设计和优化冷却水系统的设计和优化对于半导体工艺的运行和设备寿命至关重要。
以下是一些设计和优化的关键方面：4.1 流动平衡：冷却水系统中的管道和设备布置应合理，以确保冷却水的流量均匀分布，避免冷热不平衡导致的设备损伤。
4.2 温度控制：冷却水系统应配备稳定精准的温度控制装置，以确保冷却水温度在合理范围内波动，保证设备和材料的工作稳定性。
半导体氨水标准-概述说明以及解释
半导体氨水标准-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述:半导体工业是一种高度技术密集型和精密制造的行业，它在现代科技发展中扮演着至关重要的角色。
在半导体的生产过程中，氨水是一种常用的原料，用于表面清洁、去除氧化物和脏物等。
由于氨水对半导体产品的质量和性能有着直接影响，因此制定和实施氨水标准变得至关重要。
本文将探讨半导体氨水标准的重要性，以及氨水在半导体制造中的应用。
同时，我们还将介绍氨水标准的制定与实施过程，以及对未来半导体行业发展的展望。
通过详细的分析和研究，希望读者能更好地理解和认识半导体氨水标准的重要性，以及对半导体产业的推动作用。
1.2 文章结构文章结构部分的内容：本文主要分为引言、正文和结论三部分。
引言部分主要包括概述、文章结构和目的几个小节。
在概述部分，将介绍半导体氨水标准的背景和意义；文章结构部分将介绍本文的结构安排，即分为引言、正文和结论三大部分；目的部分将说明本文撰写的目的和意义。
正文部分将分为三小节：半导体的重要性、氨水在半导体制造中的应用和氨水标准的制定与实施。
将详细介绍半导体产业的重要性，氨水在半导体制造过程中的作用以及相关的标准制定情况。
结论部分将总结半导体氨水标准的必要性、展望未来半导体行业发展以及对整篇文章进行简要的总结，并提出未来的研究方向和展望。
通过以上结构安排，读者可以清晰了解本文的主要内容和撰写思路，有助于更好地理解和阅读全文。
1.3 目的:本文的主要目的是探讨半导体制造过程中氨水标准的重要性，并对当前标准的制定与实施进行深入分析。
通过对氨水在半导体制造中的应用和影响进行全面了解，旨在强调制定和遵守氨水标准的必要性，以确保半导体生产过程的质量和稳定性。
通过本文的研究，希望能够为半导体行业的发展提供一定的参考和指导，为未来半导体技术的发展奠定坚实的基础。
2.正文2.1 半导体的重要性半导体作为现代电子工业的基础材料，扮演着至关重要的角色。
从智能手机、平板电脑到计算机、汽车和航空航天领域，几乎所有电子产品都离不开半导体技术的支持。
半导体用水设备的详细说明
半导体用水设备的详细说明一、简介生产半导体、集成电路芯片及封装、液晶显示、高精度线路板、光电器件、各种电子器件等电子工业用超纯水系统。
水质可达最高可达18.3兆欧，符合电子行业生产所需超纯水水质要求。
水质：水质符合美国ASTM标准，电子超纯水水质标准(18MΩ*cm，15MΩ*cm，2MΩ*cm和0.5MΩ*cm四级)材质：钢衬胶不锈钢有机玻璃等流量(m3/h)：0.1-500应用范围：半导体材料、器件、印刷电路板和集成电路;超纯材料和超纯化学试剂;实验室和中试车间;汽车家电表面抛光处理医药行业用水;其他高科技精微产品二、工艺1、预处理-反渗透-水箱-阳床-阴床-混合床-纯化水箱-纯水泵-紫外线杀菌器-精制混床-精密过滤器-用水对象2、预处理-一级反渗透-加药机( PH调节)-中间水箱-第二级反渗透-纯化水箱-纯水泵-紫外线杀菌器-0.2或0.5 μm精密过滤器-用水对象3、预处理-反渗透-中间水箱-水泵-EDI装置-纯化水箱-纯水泵-紫外线杀菌器-0.2或0.5 μ m精密过滤器-用水对象4、预处理-反渗透-中间水箱-水泵-EDI装置-纯化水箱-纯水泵-紫外线杀菌器-精制混床-0.2或0.5 μm精密过滤器-用水对象三、为满足用户需要，达到符合标准的水质，尽可能地减少各级的污染，在工艺设计上，取达国家自来水标准的水为源水，再设有介质过滤器，活性碳过滤器，精密过滤器等预处理系统、RO反渗透主机系统、离子交换混床系统等。
1、介质过滤器主要作用是去除源水中的悬浮物质及机械杂质设备由优质不锈钢材料制作而成。
体内装有布水帽、精制石英砂等，亦可装其它填料。
合理的石英砂装填比例及良好的布水系统，使系统的产水水质更加稳定。
另外设备还设有气体冲刷功能，能最大限度地清除介质上及床层中的污垢，提高出水水质和延长工作周期。
2、活性碳过滤器具有除臭、去色、除油、吸附有机物杂质等作用,能最大程度的去除水中的游离余氯，保证反渗透膜的进水水质，设备由优质不锈钢材料制成。
半导体纯水规格
半导体纯水规格半导体所用的超纯水需要达到的水质标准为：我国电子工业部电子级水质技术标准(18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm五级标准）、我国电子工业部高纯水水质试行标准、美国半导体工业用纯水指标、日本集成电路水质标准、国内外大规模集成电路水质标准。
半导体纯水规格通常包括以下方面：1. 电导率（或电阻率）：电导率是衡量水中离子导电能力的一个重要指标，电阻率则是电导率的倒数。
半导体工业中，超纯水的电导率通常要求在0.1μS/cm以下，甚至更低。
2. 总有机碳（TOC）：有机物是微生物和化学物质的来源，可能会对半导体制造过程产生负面影响。
因此，超纯水通常要求总有机碳含量极低，一般在10ppb 以下。
3. 颗粒物：水中颗粒物可能会污染半导体芯片，因此超纯水系统通常会使用过滤器等设备来去除水中的颗粒物。
一般要求超纯水中的颗粒物含量在1ppb 以下。
4. 金属离子：金属离子如铜、铁、锌等可能会对半导体制造过程产生负面影响。
因此，超纯水通常要求金属离子含量极低，一般在1ppt以下。
5. 酸碱度：酸碱度是衡量水溶液酸碱性的指标。
半导体工业中，超纯水的酸碱度通常要求在pH 5-8之间。
6. 微生物：水中微生物可能会污染半导体芯片，因此超纯水系统通常会使用紫外线消毒等设备来灭菌。
一般要求超纯水中的微生物含量在1个/ml以下。
7. 其他指标：除了上述主要指标外，半导体纯水规格还包括硅、氯离子、硫酸根等其他指标的要求。
具体指标可能会因不同的生产工艺和产品类型而有所不同。
总的来说，半导体纯水需要具备极高的纯度和洁净度，以保障半导体制造过程中的质量和稳定性。
半导体行业用水标准
半导体行业用水标准集团标准化工作小组 #Q8QGGQT-GX8G08Q8-GNQGJ8-MHHGN#电子行业水质标准1.电子工业与超纯水在半导体制作工艺中，80%以上的工序要经过化学处理，而每一道化学处理都离不开超纯水；在硅片的处理工序中，一半以上的工序经过超纯水清洗后便直接进入高温处理过程，此时如水中含有杂质便会进入硅片，造成器件性能下降成品率低。
电子工业提出的超纯水电阻率≥18MΩ.cm (25℃),已极其接近理论纯水水质 M Ω.cm(25℃)。
对电解质、DO、TOC、SIO2、颗粒及细菌等技术指标提出更高要求。
如256 兆位的动态随机储存器生产工艺，光刻线条宽已达微米,要保证这一指标,超纯水中颗粒径就得≤μm,而且≥μm 不得超过500 个/升超纯水。
2、水质标准超纯水水质标准大多数由中科院半导体所主要制定。
电子级水国家标准:详见表3、超纯水中杂质的污染源制备超纯水的水源由于水是一种溶解能力很强的溶剂,因此天然水中含有各种盐类和化合物,溶有CO2, 还有胶体(包括硅胶和腐殖质胶体),天然水中还存在大量的非溶解性质,包括粘土、砂石、细菌、微生物、藻类、浮游生物、热源等等。
材料的影响:制备超纯水的材料设备的材质都是用金属和塑料制成的,金属在水中会有痕量溶解,造成金属离子污染。
一些高分子材料在合成时常常加入各种添加剂、增塑剂紫外吸光剂着色剂，引入大量的金属、非金属杂质、同时还会带来有机污染。
材质的污染主要以污染值来衡量，所谓污染值是指，单位面积的材料使单位体积的纯水电阻率的增加值。
表分别列出了各种材料的污染值和TOC 的溶出值。
表各种材料的污染值(TOC 的溶出值)4水的电阻值在测定水的导电性能时，与水的电阻值大小有关，电阻值大，导电性能差，电阻值小，导电性能就良好。
根据欧姆定律，在水温一定的情况下，水的电阻值R大小与电极的垂直截面积F成反比，与电极之间的距离L成正比。
水的电阻率的大小，与水中含盐量的多少，水中离子浓度、离子的电荷数以及离子的运动速度有关。
半导体工业超纯水的技术指标及其制备概述
半导体工业超纯水来自自来水，但由于我国自来水规定 无 TOC 标 准 ，所 代 表 的 有 机 物 含 量 指 标 为 CODmn，限 值 为 3ppm。而且，自来水常规 TOC 多在 1ppm~3ppm 之间。因此， 处理 TOC 过程需多级工艺来达到目标水质。目前，可供选择 的工艺包括：UF、ACF、EDI 以及 RO 等。采用这些工艺进行前 端处理后，就可将 TOC 值降低至 10ppb~30ppb 以内。此后，经 TOC-UV 灯的处理就可将 TOC 值控制在 1ppb 以下，进而达到 半导体工业使用超纯水的水质要求，最终助力超导体芯片的 生产制造。
3 半导体工业超纯水的技术指标要求
半导体工业中的超纯水（Ultrapure water），又名 UP 水，其 除了水分子外，几乎没有其他杂质。这就意味着超纯水没有 病毒、细菌以及含氯二噁英等有机物质，是电阻率为 18（MΩ× cm）的水。在生产制造半导体工业时，电子元器件对超纯水使 用水质要求高。市场环境变化使得元器件尺寸缩小与精细度 上升，使得超纯水水质与水量的技术指标不断提升。然而，超 纯水生产过程，只要微粒子、电阻率、TOC 以及气泡其中一个 指标出现略微差异，就会使半导体元器件生产的合格率下降。 为此，制备技术人员应严格按照 ITRS 浸没式超纯水制备要求 进行生产控制。然而，掌握这一制备技术的生产厂家多是国 外企业，自主研发还有很长一段路要走。相关建设者应从现 有研究成果基础上，对制备技术进行不断优化，进而落实现代 化经济建设背景下全面发展进程[1]。
关键词：半导体工业；超纯水；技术指标；制备技术
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ1 引言
半导体工业，作为全世界范围内综合国力的体现形式之 一，其具有研发成本高、技术要求高等特点。想要以最低成本 获取最高价值，在借鉴先进技术的同时，需从技术指标要求入 手来对超纯水制备技术运用效果进行优化调整，进而达到高 精度使用控制预期。
3747-2020半导体行业污染物排放标准
半导体行业污染物排放标准1 范围本标准规定了半导体企业的水污染物和大气污染物排放标准限值、监测要求、达标判定、实施与监督。
本标准适用于半导体企业的水污染物排放管理、大气污染物排放管理，以及半导体企业排污许可管理、建设项目环境影响评价、建设项目环境保护设施设计、竣工验收及其投产后的污染控制与管理。
半导体企业与污水集中处理设施采用协商方式确定企业水污染物间接排放限值时，污水集中处理设施的水污染物排放管理也适用于本标准。
2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB 3095 环境空气质量标准GB 3838 地表水环境质量标准GB/T 6920 水质pH值的测定玻璃电极法GB/T 7466 水质总铬的测定GB/T 7467 水质六价铬的测定二苯碳酰二肼分光光度法GB/T 7470 水质铅的测定双硫腙分光光度法GB/T 7471 水质镉的测定双硫腙分光光度法GB/T 7475 水质铜、锌、铅、镉的测定原子吸收分光光度法GB/T 7484 水质氟化物的测定离子选择电极法GB/T 7485 水质总砷的测定二乙基二硫代氨基甲酸银分光光度法GB/T 7494 水质阴离子表面活性剂的测定亚甲蓝分光光度法GB 8978 污水综合排放标准GB/T 11893 水质总磷的测定钼酸铵分光光度法GB/T 11901 水质悬浮物的测定重量法GB/T 11907 水质银的测定火焰原子吸收分光光度法GB/T 11910 水质镍的测定丁二酮肟分光光度法GB/T 11912 水质镍的测定火焰原子吸收分光光度法GB 13271 锅炉大气污染物排放标准GB/T 15432 环境空气总悬浮颗粒物的测定重量法GB/T 15516 空气质量甲醛的测定乙酰丙酮分光光度法GB/T 16157 固定污染源排气中颗粒物测定与气态污染物采样方法GB/T 16489 水质硫化物的测定亚甲基蓝分光光度法HJ/T 27 固定污染源排气中氯化氢的测定硫氰酸汞分光光度法HJ/T 28 固定污染源排气中氰化氢的测定异烟酸-吡唑啉酮分光光度法HJ/T 30 固定污染源排气中氯气的测定甲基橙分光光度法HJ 38 固定污染源废气总烃、甲烷和非甲烷总烃的测定气相色谱法HJ/T 42 固定污染源排气中氮氧化物的测定紫外分光光度法HJ/T 43 固定污染源排气中氮氧化物的测定盐酸萘乙二胺分光光度法HJ/T 55 大气污染物无组织排放监测技术导则HJ/T 60 水质硫化物的测定碘量法HJ/T 65 大气固定污染源锡的测定石墨炉原子吸收分光光度法HJ/T 67 大气固定污染源氟化物的测定离子选择电极法HJ 75 固定污染源烟气（SO2、NO x、颗粒物）排放连续监测技术规范HJ 76 固定污染源烟气（SO2、NO x、颗粒物）排放连续监测系统技术要求及检测方法HJ 84 水质无机阴离子的测定离子色谱法HJ/T 91 地表水和污水监测技术规范HJ/T 195 水质氨氮的测定气相分子吸收光谱法HJ/T 199 水质总氮的测定气相分子吸收光谱法HJ/T 200 水质硫化物的测定气相分子吸收光谱法HJ/T 397 固定源废气监测技术规范HJ/T 399 水质化学需氧量的测定快速消解分光光度法HJ 484 水质氰化物的测定容量法和分光光度法HJ 485 水质铜的测定二乙基二硫代氨基甲酸钠分光光度法HJ 486 水质铜的测定2,9-二甲基-1,10-菲啰啉分光光度法HJ 487 水质氟化物的测定茜素磺酸锆目视比色法HJ 488 水质氟化物的测定氟试剂分光光度法HJ 489 水质银的测定3,5-Br2-PADAP分光光度HJ 490 水质银的测定镉试剂2B分光光度法HJ 493 水质采样样品的保存和管理技术规定HJ 494 水质采样技术指导HJ 495 水质采样方案设计技术指导HJ 501 水质总有机碳的测定燃烧氧化-非分散红外吸收法HJ 533 环境空气和废气氨的测定纳氏试剂分光光度法HJ 534 环境空气氨的测定次氯酸钠-水杨酸分光光度法HJ 535 水质氨氮的测定纳氏试剂分光光度法HJ 536 水质氨氮的测定水杨酸分光光度法HJ 537 水质氨氮的测定蒸馏-中和滴定法HJ 544 固定污染源废气硫酸雾的测定离子色谱法HJ 548 固定污染源废气氯化氢的测定硝酸银容量法HJ 549 环境空气和废气氯化氢的测定离子色谱法HJ 604 环境空气总烃、甲烷和非甲烷总烃的测定直接进样-气相色谱法HJ 636 水质总氮的测定碱性过硫酸钾消解紫外分光光度法HJ 637 水质石油类和动植物油的测定红外分光光度法HJ 644 环境空气挥发性有机物的测定吸附管采样-热脱附/气相色谱-质谱法HJ 657 空气和废气颗粒物中铅等金属元素的测定电感耦合等离子体质谱HJ 659 水质氰化物等的测定真空检测管-电子比色法HJ 665 水质氨氮的测定连续流动-水杨酸分光光度法HJ 666 水质氨氮的测定流动注射-水杨酸分光光度法HJ 667 水质总氮的测定连续流动-盐酸萘乙二胺分光光度法HJ 668 水质总氮的测定流动注射-盐酸萘乙二胺分光光度法HJ 670 水质磷酸盐和总磷的测定连续流动-钼酸铵分光光度法HJ 671 水质总磷的测定流动注射-钼酸铵分光光度法HJ 683 环境空气醛、酮类化合物的测定高效液相色谱法HJ 692 固定污染源废气氮氧化物的测定非分散红外吸收法HJ 693 固定污染源废气氮氧化物的测定定电位电解法HJ 694 水质汞、砷、硒、铋和锑的测定原子荧光法HJ 700 水质65 种元素的测定电感耦合等离子体质谱法HJ 732 固定污染源废弃挥发性有机物的采样气袋法HJ 734 固定污染物源废气挥发性有机物的测定固相吸附-热脱附/气相色谱-质谱法HJ 759 环境空气挥发性有机物的测定罐采样/气相色谱-质谱法HJ 776 水质32种元素的测定电感耦合等离子体发射光谱法HJ 777 空气和废气颗粒物中金属元素的测定电感耦合等离子体发射光谱法HJ 828 水质化学需氧量的测定重铬酸盐法HJ 836 固定污染源废气低浓度颗粒物的测定重量法HJ 908 水质六价铬的测定流动注射-二苯碳酰二肼光度法HJ 955 环境空气氟化物的测定滤膜采样/氟离子选择电极法HJ 970 水质石油类的测定紫外分光光度法《污染源自动监控管理办法》（国家环境保护总局令第28号）《环境监测管理办法》（国家环境保护总局令第39号）3 术语和定义下列术语和定义适用于本标准。
纯化水toc标准
纯化水toc标准
纯化水是一种高纯度的水，可以用于各种实验、工业生产和医疗用途。
为保证纯化水的质量，需要遵循一些标准，其中TOC（总有机碳）是其中一个重要的指标。
TOC是指样品中所有有机物的总含量，包括有机溶剂、悬浮物、胶体、微生物等。
TOC测量可用于监测纯化水的质量，对纯化水的制备和使用都有重要意义。
纯化水TOC标准通常根据具体应用需求进行制定。
例如，在医药制造过程中，TOC级别一般要求达到0.5ppb以下；在半导体制造过程中，TOC级别可以达到0.1ppb以下。
为保证TOC测量的准确性，需要注意以下几点：
1. 选择合适的TOC分析仪器和方法，按照操作规程进行测量。
2. 采集样品时要注意装置的清洁和样品的保存条件，避免污染。
3. 对于高TOC样品，可以采用预处理方法进行处理，如加入氧化剂、过滤等。
纯化水TOC标准是保障纯化水质量的重要措施，对于各行业的生产和研究都有重要意义。
- 1 -。
DB323747-2020半导体行业污染物排放标准-江苏
DB32/3747-2020江苏省地方标准DB32 半导体行业污染物排放标准Emission standard of pollutants for semiconductor industry2020-02-06发布 2020-03-01实施江苏省生态环境厅江苏省市场监督管理局发布ICS 13.020.40 Z 60目次前言 (II)1 范围 (1)2 规范性引用文件 (1)3 术语和定义 (3)4 水污染物排放控制要求 (4)5 大气污染物排放控制要求 (6)6 污染物监测要求 (8)7 达标判定 (10)8 标准的实施与监督 (11)前言本标准规定了半导体企业的水污染物和大气污染物排放限值、监测和监控要求，以及标准实施与监督等相关规定。
本标准未规定的污染物项目仍执行国家或地方相应的污染物排放标准。
本标准实施后，国家新发布的行业标准严于本标准时，应执行国家标准。
环境影响评价文件或排污许可证要求严于本标准时，按照批复的环境影响评价文件或排污许可证执行。
本标准根据GB/T 1.1起草。
本标准为首次发布。
本标准由江苏省生态环境厅提出并归口。
本标准起草单位：江苏省环境科学研究院、江苏省环科咨询股份有限公司。
本标准江苏省人民政府于2019年12月11日批准。
半导体行业污染物排放标准1 范围本标准规定了半导体企业的水污染物和大气污染物排放标准限值、监测要求、达标判定、实施与监督。
本标准适用于半导体企业的水污染物排放管理、大气污染物排放管理，以及半导体企业排污许可管理、建设项目环境影响评价、建设项目环境保护设施设计、竣工验收及其投产后的污染控制与管理。
半导体企业与污水集中处理设施采用协商方式确定企业水污染物间接排放限值时，污水集中处理设施的水污染物排放管理也适用于本标准。
2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
半导体行业用水标准
半导体行业用水标准随着科技的发展和社会的进步，半导体行业成为了现代信息技术的核心产业之一。
在半导体制造的过程中，水被广泛使用，起到冷却设备和设施、清洗材料和设备、供应纯净环境等重要作用。
因此，在半导体行业中，设定并遵守严格的用水标准显得尤为重要。
本文将介绍半导体行业用水标准的背景、重要性以及如何确保和遵守这些标准的相关措施。
一、半导体行业用水标准的背景半导体制造涉及到多个工序，包括化学处理、湿法制程、干法制程、电镀、清洗、蚀刻、抛光等。
净化水是半导体工艺中使用最广泛的水类，质量的提升对半导体芯片的性能和可靠性有着重要的影响。
而半导体行业用水标准的制定就是为了确保水质符合制造半导体设备和器件的要求，保证半导体芯片的质量和性能。
二、半导体行业用水标准的重要性1. 产品质量保证：半导体芯片是电子产品的重要组成部分，其质量直接关系到电子产品的性能和可靠性。
严格的用水标准可以保证生产过程中水的纯净度，从而确保半导体芯片产品的质量。
2. 设备保护：在半导体制造过程中，许多设备对入水质量有严格的要求。
合格的用水标准可以减少设备的损坏和维护成本，延长设备的使用寿命。
3. 节能减排：半导体行业用水量较大，严格的用水标准可以通过提高水的再利用率和减少废水排放，达到节约用水、减少污染物排放的目的，符合可持续发展的要求。
三、半导体行业用水标准的具体要求1. 纯度要求：用水标准中对水的纯度有严格的要求，包括总溶解固体（TDS）、电导率、有机物、微生物等指标。
通常要求水质达到纯净水或超纯水的级别，确保半导体制造过程中不会引入杂质和污染物。
2. 温度要求：用水的温度对一些半导体工艺有严格要求，需要在一定的温度范围内进行操作，以保证工艺的稳定性和一致性。
3. 压力要求：用水的压力对一些设备和工艺也有重要影响，需要符合特定的压力范围，以确保系统正常运行和工艺的准确性。
4. 微生物控制：半导体行业对水中的微生物有严格的要求，包括细菌、菌落总数、大肠菌群等。
工业蒸馏水的分类标准
工业蒸馏水的分类标准
工业蒸馏水是指通过蒸馏技术制取的具有高纯度、低离子含量和低溶解气体含量的水。
根据其用途和生产工艺的不同，可以将工业蒸馏水分为以下几类：
1.电子级蒸馏水：主要用于电子、半导体、光学等高科技领域的生产与研究，要求纯度极高，离子含量低至1ppb以下。
2.医药级蒸馏水：用于制药工业中，要求水质符合国家药典标准，纯度高、无菌、无毒、无致病微生物和病毒。
3.化工级蒸馏水：用于化工生产过程中，要求水质符合国家标准，纯度高，离子含量低、无杂质。
4.饮用级蒸馏水：用于饮用水生产中，要求水质符合国家饮用水卫生标准，无毒、无害、无致病微生物，无异味、无色、透明。
5.实验室级蒸馏水：用于科研实验室中，要求水质符合实验要求，纯度高，离子含量低。
综上所述，工业蒸馏水的分类主要取决于其纯度、离子含量、用途和生产工艺等因素。
不同级别的蒸馏水在应用时需选择对应的规格和品质。
- 1 -。
各类行业用水分析一
各类行业用水分析各种工业对水质的要求往往不同，即使是同一种工业，不同的生产工艺过程，对水质的要求也有差异。
应根据工艺的具体要求，对原水进行必要的处理，以保证工业生产的正常运行。
食品工业用水水质与生活饮水相同。
在纺织工业及造纸工业中，水直接与产品接触，水的质量直接影响产品的质量，因此对水的澄清程度和那些容易产生沉淀的杂质限制较严。
否则会产生斑点，影响产品的漂白度和印染质量。
水的硬度过大会产生钙斑。
特别要注意，这种水的含铁量、含锰量要很低，否则将在纺织品及纸张上产生锈斑，造成废品。
石油、钢铁、电力、化学工业等部门需要大量冷却水。
冷却水的温度有一定的要求，且要求不发生悬浮物和溶解盐类的沉淀，没有藻类、微生物等的滋长，以防堵塞管适、设备。
还要求水质对于设备没有腐蚀作用。
一般锅炉的补水对于水的硬度和碱度都有较严的限制。
高压锅炉用水的水质要求接近纯水。
半导体器件洗涤水的质直接影响产品的质量。
因此半导体洗涤水的水质要求已经达到高纯水的程度。
工业用水的水质标准要求是有关工业的工艺人员提出的。
给水工作者要理解这些标准的根据和标准是否适当，就必须了解并熟悉有关工业的工艺过程和水质产品的设备影响。
因此，工人的用水经验也是很宝贵的。
给水处理的任务是变革原水的水质以满足用水水质标准的要求。
由于各种用水的水质要求不同，所以处理的流程也不相同。
给水处理流程是由一些处理方法组成，但除了冷却处理外，处理方法的实质都是按水中杂质的大小来划分的，按照这个方法分为三大类：去除水中的悬浮杂质分类，粒度在1 mu以上的为悬浮杂质。
各种性质的用水都荽求去除水中的悬浮杂质，有的用水要求去除得多一些，有的用水则要求去除得少一些。
生活饮用水的处理主荽是去除水中悬浮物的问题。
对千工业用水，则有不同程度的要求，有的比生活饮用水要求低，有的相当千生活饮用水，有的则远远高千生活饮用水。
去除水中悬浮杂质的方法包括渭凝、沉淀、过滤、消寿等处理方法。
变革水中溶解杂质的含跫这类处理一般是在去除水中的悬浮杂质后进行的。
半导体行业用水标准
电子行业水质标准1.电子工业与超纯水在半导体制作工艺中,80%以上的工序要经过化学处理,而每一道化学处理都离不开超纯水；在硅片的处理工序中，一半以上的工序经过超纯水清洗后便直接进入高温处理过程，此时如水中含有杂质便会进入硅片，造成器件性能下降成品率低。
电子工业提出的超纯水电阻率≥18MΩ.cm (25℃)，已极其接近理论纯水水质18。
3 MΩ.cm（25℃)。
对电解质、DO、TOC、SIO2、颗粒及细菌等技术指标提出更高要求。
如256 兆位的动态随机储存器生产工艺，光刻线条宽已达0.1 微米，要保证这一指标,超纯水中颗粒径就得≤0.05μm,而且≥0。
05μm 不得超过500 个/升超纯水.2、水质标准超纯水水质标准大多数由中科院半导体所主要制定.2.1 电子级水国家标准：详见表2.13、超纯水中杂质的污染源3。
1 制备超纯水的水源由于水是一种溶解能力很强的溶剂,因此天然水中含有各种盐类和化合物,溶有CO2，还有胶体(包括硅胶和腐殖质胶体),天然水中还存在大量的非溶解性质，包括粘土、砂石、细菌、微生物、藻类、浮游生物、热源等等。
3.2 材料的影响:制备超纯水的材料设备的材质都是用金属和塑料制成的，金属在水中会有痕量溶解，造成金属离子污染。
一些高分子材料在合成时常常加入各种添加剂、增塑剂紫外吸光剂着色剂，引入大量的金属、非金属杂质、同时还会带来有机污染。
材质的污染主要以污染值来衡量，所谓污染值是指,单位面积的材料使单位体积的纯水电阻率的增加值。
表3。
2 分别列出了各种材料的污染值和TOC 的溶出值。
表3.2 各种材料的污染值(TOC 的溶出值)4水的电阻值在测定水的导电性能时，与水的电阻值大小有关,电阻值大,导电性能差，电阻值小，导电性能就良好。
根据欧姆定律,在水温一定的情况下，水的电阻值R 大小与电极的垂直截面积F成反比，与电极之间的距离L成正比.水的电阻率的大小，与水中含盐量的多少,水中离子浓度、离子的电荷数以及离子的运动速度有关。
半导体行业工业超纯水生产流程
半导体行业工业超纯水生产流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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②反渗透(RO)：预处理后的水经高压泵送入反渗透膜组件，高效去除水中的大部分无机盐、有机物及细菌等，大幅降低水的电导率。
③中间处理：反渗透产水进入中间水箱暂存，通过泵输送至后续处理单元。
④EDI（电去离子）：利用电渗析与离子交换技术结合的EDI装置，深度脱盐，进一步降低水中离子含量，提升水质纯度。
⑤精处理阶段：EDI产水进入纯化水箱，再由纯水泵送入抛光混床，进行最终的离子去除，确保超低电导率及TOC（总有机碳）含量。
⑥灭菌与过滤：经过抛光混床的水经过紫外线杀菌器消毒，杀死残留微生物，随后通过0.2或0.5μm精密过滤器，去除极微小颗粒。
⑦终端处理与分配：经过上述步骤得到的超纯水，最终进入纯水箱储存，通过管道网络分配至半导体生产各环节使用，如芯片清洗、光刻等，确保半导体制造的高洁净度要求。
整个流程旨在连续、稳定地产出电阻率≥18MΩ.cm的超纯水，满足半导体行业对水质的极高要求。
电子行业废水研究
注：电子行业包含很多行业，半导体行业、电子元件行业（其中包括电容器、电阻器、电感器、电位器、电路板、电子变压器、磁性材料和电子敏感元件等）、平板显示器行业（其中包括TFT-LCD和PDP等）。
半导体行业废水研究一、废水来源在制备晶圆时，需要使用超纯水冲洗，无机药剂需要用到盐酸、氨水、硫酸和氢氟酸，有机药剂需要用到光阻剂：乙酸丙二醇单甲基醚酯PGMEA（C6H12O3）和乳酸乙酯EL（C5H10O3）；显影剂：氢氧化四甲基铵TMAH（C4H13NO）；去光阻剂：一甲基-2-比喀NMP（C5H9NO）；光阻制程用药：酚（C6H6O）；晶片干燥过程用药：异丙醇IPA（C3H8O）。
在使用药剂的过程中就会产生废水。
二、废水水质1、含氟废水常见水质：2、酸碱废水酸碱废水中，常含有SS，所以在处理时需要注意是否另行添加去除颗粒度的设备，或是和研磨废水合流处理。
3、有机废水4、研磨废水5、氨氮废水6、含铜废水具体水质可参看上海华立项目和大连英特尔项目三、出水水质1、国家标准污水综合排放标准2、行业标准3、企业标准有些企业考虑到最终排放水质要与生活污水合流排放，或是响应国家号召，会出现与国家标准和行业标准不相同的标准。
四、工艺流程参考上海华立项目和大连英特尔项目。
电子元件行业废水研究一、废水来源电子元件，以印制电路板行业为主要介绍对象。
在上述印制电路板的过程中，会产生有机废水、酸性废水、碱性废水、含氰废水、络合废水、含铜废水和研磨废水。
二、废水水质废水水质：序号废水种类比例(%)pH COD Cu Ni CN NH3-N 说明1 磨板废水15~30 5~7 <30 <32 络合废水3~8 10 200~300 <50 化学镀铜等清洗水，含EDTA等络合物3 高浓度有机废水3~6 >10 5000~15000 2~10 显影、剥膜、除胶废液和显影首级清洗水4一般有机废水10~15 <10 200~600 脱膜、显影工序的二级后清洗水；贴膜、氧化后、镀锡后以及保养清洗水5 电镀废水15~20 3~5 <60 10~506 综合废水20~30 3~5 80~300 20~35 一般清洗水7 含氰废水0.1~1.0 8~10 30~50 <200 挠性板含氰废水较多8 含镍废水0.1~1.0 2~5 <80 <100 镀镍清洗水9 含氨废水1~5 8~10 60~200 碱性蚀刻清洗水废液成分序号废液种类pH COD 总Cu 废液成分1 油墨废液≥125000~20000 冲板机显影阻焊油墨渣2 褪膜废液≥125000~20000 (3~8)％NaOH，溶解性干膜或湿膜3 化学镀铜废液≥123000~20000 2000~10000 CaSO4，NaOH，EDTA，甲醛4 挂架褪镀废液~5M酸50~100 ~80000 硝酸铜，浓硝酸5 碱性蚀刻废液9 50~100 130000~150000 Cu(NH3)2Cl26 酸性蚀刻废液~2M酸50~100 150000 CuCl2，HCl三、出水水质1、国家标准污水综合排放标准2、行业标准4、企业标准有些企业考虑到最终排放水质要与生活污水合流排放，或是响应国家号召，会出现与国家标准和行业标准不相同的标准。
半导体行业纯水制备工艺流程
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半导体行业用水标准
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电子行业水质标准
1.电子工业与超纯水
在半导体制作工艺中，80%以上的工序要经过化学处理，而每一道化学处理都离不开超纯水；在硅片的处理工序中，一半以上的工序经过超纯水清洗后便直接进入高温处理过程，此时如水中含有杂质便会进入硅片，造成器件性能下降成品率低。
电子工业提出的超纯水电阻率≥18MΩ.cm (25℃),已极其接近理论纯水水质 M Ω.cm(25℃)。
对电解质、DO、TOC、SIO2、颗粒及细菌等技术指标提出更高要求。
如256 兆位的动态随机储存器生产工艺，光刻线条宽已达微米,要保证这一指标,超纯水中颗粒径就得≤μm,而且≥μm 不得超过500 个/升超纯水。
2、水质标准
超纯水水质标准大多数由中科院半导体所主要制定。
电子级水国家标准:详见表
3、超纯水中杂质的污染源
制备超纯水的水源
由于水是一种溶解能力很强的溶剂,因此天然水中含有各种盐类和化合物,溶有CO2, 还有胶体(包括硅胶和腐殖质胶体),天然水中还存在大量的非溶解性质,包括粘土、砂石、细菌、微生物、藻类、浮游生物、热源等等。
材料的影响:
制备超纯水的材料设备的材质都是用金属和塑料制成的,金属在水中会有痕量溶解,造成金属离子污染。
一些高分子材料在合成时常常加入各种添加剂、增塑剂紫外吸光剂着色剂，引入大量的金属、非金属杂质、同时还会带来有机污染。
材质的污染主要以污染值来衡量，所谓污染值是指，单位面积的材料使单位体积的纯水电阻率的增加值。
表分别列出了各种材料的污染值和TOC 的溶出值。
表各种材料的污染值(TOC 的溶出值)
4水的电阻值
在测定水的导电性能时，与水的电阻值大小有关，电阻值大，导电性能差，电阻值小，导电性能就良好。
根据欧姆定律，在水温一定的情况下，水的电阻值R大小与电极的垂直截面积F成反比，与电极之间的距离L成正比。
水的电阻率的大小，与水中含盐量的多少，水中离子浓度、离子的电荷数以及离子的运动速度有关。
因此，纯净的水电阻率很大，超纯水电阻率就更大。
水越纯，电阻率越大。
水的电导率
由于水中含有各种溶解盐类，并以离子的形态存在，当水中插入一对电极时，通电之后，在电场的作用下，带电的离子就产生一定方向的移动，水中的阴离子移向阳极，阳离子移向阴极，使水溶液起导电作用。
水的导电能力的强弱程度，就称为电导度S （或称电导）。
电导度反映了水中含盐量的多少，是水的纯净程度的一个重要指标。
水越纯净，含盐量越少，电阻越大，电导度越小。
超纯水几乎不能导电。
电导的大小等于电阻值的倒数。
即S=1/R，S=(1/ρ)·(F/L)。
1/ρ就称为电导率，其国际制单位为西·米-1(S·m-1)
理论上,水中由于水本身的电解作用而只存在两种离子即 H+和OH-, 其浓度如下[H+] = [OH-] = 10-7 eq/l (or 10-10 eq/ml)
这些浓度的离子经计算而得到理论的电导率为:
=S/cm 在 25°C
电阻率为电导率的倒数,所以
R=18. 2MΩ.CM在25°C
电阻率的检测:电阻率在线测试仪(中科院半导体所参加起草制定)
电阻率是指在一定的温度下,边长1cm 的立方体水,其相对的两侧面之间的电阻,其单位是欧姆.厘米(Ω.cm)。
水的电导率是电阻率的倒数，单位是西门子/厘米（s/cm）。
4．3水的温度与电导率关系
影响水的电阻率值的因素很多,例如测量方法、电极方向、电容效应、极化效应、水的纯度、测量温度等。
超纯水的测量必须采用带温度补偿的仪器进行在线测试，而且定期到法定机构计量校正。
温度校正是将测量的电阻率值换算到25℃时的电阻率值，以便于比较不同水质。
表4. 1 水的温度(t)、电导率K、电阻率及温度系数K 的关系
纯水的电导率象征水中有导电能力的各种可溶性的电解质的含量,因此,通过测量水的电导率值可以近似的换算成总溶解性固体,此法换算出来的总溶液解性固体值对水处理设计仍然是重要的参考数据。
表4. 2 水的电导率\电阻率与溶解性固体之间的关系
超纯水电阻率与温度的关系
电阻率
(兆欧.厘米) 温度(摄氏度)
01020304050607080900
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
CO2对超纯水的影响pH=
时间(分钟)
电阻率。