电容率与磁导率
波导法测量材料的电容率和磁导率
第 ３９ 卷
第８期
２０１９年８月
ＰＨＹＳＩ物ＣＳ Ｅ理ＸＰ ＥＲ实ＩＭ Ｅ验ＮＴＡＴＩＯＮ
Ｖｏｌ．３９ Ｎｏ．８ Ａｕｇ．，２０１９
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文 章 编 号 ：１００５４６４２（２０１９）０８００２２０４
１ 测 量 原 理
如图１所示，矩形波导管中，角频率为ω 的基 模 ＴＥ１０沿狕 方向垂直入射到介质板上．假设矩形 波 导 管 的 横 截 面 尺 寸 为犪×犫，介 质 板 的 厚 度 为 犱．
图 １ 波 导 管 和 介 质 板 示 意 图
收 稿 日 期 ：２０１９０２０８ 基 金 项 目 ：陕 西 省 自 然 科 学 基 础 研 究 计 划 资 助 项 目（Ｎｏ．２０１７ＪＭ６０９４）；国 家 自 然 科 学 基 金（Ｎｏ．６１７７１４０２） 作者简介：付全红（１９８１－），男，湖北随州人，西北工 业 大 学 理 学 院 讲 师，博 士，从 事 大 学 物 理 实 验 教 学
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真空电容率和真空磁导率的乘积 隔离
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在物理学和工程学中，真空电容率和真空磁导率的乘积经常被用来描述电磁场的特性。
时间延缓效应公式推导
时间延缓效应公式推导为了推导时间延缓效应的公式，我们首先需要了解光在不同介质中的传播速度。
根据物理学原理，光在真空中的速度为c，而在介质中的速度为v。
假设有两个介质，介质1的光速为v1，介质2的光速为v2、我们设定光线从介质1传播到介质2，其中光线在介质1中的传播路径长度为L1，光线在介质2中的传播路径长度为L2、根据时间延缓效应的定义，光线传播的时间延迟Δt可以表示为：Δt=(L2/v2)-(L1/v1)接下来，我们来推导时间延缓效应的一般公式。
我们知道，光的速度在真空中为常数c，可以表示为：c=1/√(ε0μ0)其中ε0表示真空中的电容率，而μ0表示真空中的磁导率。
假设光从真空中传播到介质1，光线在介质1中的速度可以表示为：v1=1/√(ε1μ1)其中ε1表示介质1的电容率，而μ1表示介质1的磁导率。
同样，光从真空中传播到介质2，光线在介质2中的速度可以表示为：v2=1/√(ε2μ2)其中ε2表示介质2的电容率，而μ2表示介质2的磁导率。
将以上表达式带入到时间延缓效应的定义中，我们可以得到：Δt=(L2/v2)-(L1/v1)=(L2/(1/√(ε2μ2)))-(L1/(1/√(ε1μ1)))=√(ε2μ2)*L2-√(ε1μ1)*L1可以看到，上述公式中包含了电容率和磁导率的乘积，这被称为介质的折射率n。
因此，我们可以将上述公式进一步简化为：Δt=n2*L2-n1*L1这里n1和n2分别表示介质1和介质2的折射率。
所以，时间延缓效应的一般公式为：Δt=n2*L2-n1*L1通过上述公式，我们可以根据不同介质的折射率和传播路径长度来计算时间延缓效应的大小。
需要注意的是，公式的推导过程基于光从真空中传播到介质中的情况，即光线从一个折射率较小的介质传播到折射率较大的介质。
如果光线从一个折射率较大的介质传播到折射率较小的介质，我们需要对公式进行适当的修正。
总结起来，时间延缓效应的公式可以通过光速度和折射率的关系推导得到。
谐振腔谐振频率及几何尺寸的探讨
摘要谐振腔腔壁由导体组成，是产生高频振荡的有效工具；是比LC回路运用更广的振荡元件；本文对真空中谐振腔与谐振频率的关系做了详细的讨论；当谐振腔中有介质存在时，对谐振频率的影响也做了详细的推导，并对不同性质的介质对谐振频率的影响做了分类讨论，最后将不同情况下得出的谐振频率的结论加以总结，从而得出谐振腔谐振频率不受谐振腔尺寸限制的结论，对传统理论有了进一步的发展；为探索和设计新颖的谐振腔提供理论依据。
为设计合理的谐振腔提供现实的理论价值。
关键词：谐振腔；谐振频率；左手介质；右手介质；几何尺寸AbstractResonator is posed by conductors chamber wall,Itis the effective tools produce high-frequency oscillatory, Than LC circuit is used more widely oscillation ponent; For a vacuum resonator and the resonant frequency of relationship discussed in detail; When resonator, have media have resonance frequency effect to do a detailed derivation, and the different nature of the media on the resonance frequency effect of classification, finally discussed the different cases obtained the conclusion summarized the resonant frequency, so as to obtain the resonance frequency from resonator resonator size restrictions on traditional theory, the conclusion has been further development; For exploration and novel design provides the theory basis for the resonator. To design the reasonable resonator provide realistic theoretical value.Keywords:Resonant cavity；The resonant frequency；Left-handed medium; The right hand medium; Geometry dimension目录摘要IAbstract I1 绪论91.1问题的提出91.2论文研究背景与意义92 真空谐振腔的谐振频率与几何尺寸102.1 一定频率下电磁波基本方程102.2 谐振腔的截止频率133谐振腔填充介质后的谐振频率163.1填充普通介质（右手介质）73.1.1填充普通介质时的基本方程163.1.2填充普通介质时谐振频率的变化193.2填充特殊介质（左手介质）203.2.1左手介质简介203.2.2左手介质存在的可能213.2.3填充左手介质时谐振频率的变化22结论23参考文献24致错误!未定义书签。
kvv 导体参数
kvv 导体参数kvv导体参数是指导体的电导率、电容率和磁导率。
导体是一种能够传导电流和磁场的材料，通常用于制造电缆、电磁线圈和电子器件等。
导体的电导率是指单位长度导体截面积内的电流密度与电场强度之比。
电导率越高，导体的电流传导能力越强。
常见的高导电导体材料有铜和银，它们具有很高的电导率，因此被广泛应用于电子领域。
导体的电导率与温度密切相关，一般情况下，导体的电导率随温度的升高而降低。
导体的电容率是指导体存储电荷的能力。
导体的电容率与导体材料的介电常数和几何形状有关。
导体的电容率越高，导体存储电荷的能力就越强。
在电子器件中，常用高电容率的导体材料制造电容器，以实现电荷的存储和释放。
导体的磁导率是指导体对磁场的响应能力。
导体的磁导率与导体材料的磁性有关。
常见的磁性导体材料有铁和钴，它们具有高磁导率，因此被广泛应用于电机、变压器和磁存储器等设备中。
导体的磁导率通常随温度的升高而降低。
在实际应用中，导体的参数对电路和电子设备的性能有重要影响。
例如，在电力传输中，使用高电导率的导体可以减少电阻损耗，提高能量传输效率。
在通信领域，使用高电容率的导体可以实现高速数据传输和信号处理。
在磁存储器中，使用高磁导率的导体可以提高存储密度和读写速度。
导体的参数还与材料的制备和加工工艺密切相关。
例如，通过合金化、掺杂和纳米结构设计等方法可以改变导体的电导率、电容率和磁导率。
通过优化材料的微观结构和晶体取向，可以进一步提高导体的性能。
kvv导体参数是导体的电导率、电容率和磁导率，这些参数与导体的材料特性、几何形状和加工工艺密切相关。
导体的参数对电路和电子设备的性能有重要影响，因此在实际应用中需要选择合适的导体材料和优化导体的设计。
磁导率u0和ur
磁导率u0和ur
磁导率是描述材料对磁场的响应程度的一个重要物理量。
在电磁学中，我们通常会遇到两种磁导率：真空磁导率（u0）和相对磁导率（ur）。
首先，真空磁导率u0，是一个常数，它表示在真空中磁场的传导能力。
这个常数的值在国际单位制中被精确定义，并且它是所有其他磁导率测量的基础。
在电磁场理论中，真空磁导率与真空中的光速和真空中的电容率有着密切的关系，这三个常数共同构成了麦克斯韦方程组的基础。
另一方面，相对磁导率ur，是描述特定材料对磁场响应程度的一个物理量。
它是材料的磁导率与真空磁导率的比值。
对于不同的材料，相对磁导率可以有很大的差异。
例如，对于大多数非磁性材料（如铜、铝等），它们的相对磁导率接近1，这意味着它们对磁场的响应与真空相近。
然而，对于磁性材料（如铁、镍等），它们的相对磁导率可以远远大于1，这意味着它们对磁场的响应要远远强于真空。
磁导率在电磁学中有着广泛的应用。
例如，在电机和变压器的设计中，我们需要考虑材料的磁导率来确定电磁场的分布和强度。
在磁共振成像（MRI）等医学成像技术中，磁导率也起着关键的作用。
此外，在地质勘探和磁性材料的研发中，磁导率也是一个重要的物理参数。
总的来说，真空磁导率u0和相对磁导率ur是描述磁场在不同介质中传播特性的重要物理量。
它们在电磁学、材料科学、医学成像等多个领域都有着广泛的应用和研究价值。
光速与真空磁导率与电容真空电容率
光速与真空磁导率与电容真空电容率光速与真空磁导率、电容与真空电容率是电磁学中的重要概念和参数，它们之间存在着密切的关系。
本文将从定义、性质、测量以及它们在电磁学中的应用等方面进行讨论，详细阐述光速与真空磁导率、电容与真空电容率的相关知识。
首先，我们来介绍一下光速与真空磁导率。
光速（c）是光在真空中传播的速度，也是一个宇宙物理学和理论物理学中极为重要的物理常数。
它的数值约为299792458米/秒，被定义为精确值，即1秒钟光在真空中传播的距离。
光速的使用范围非常广泛，涵盖了光学、相对论、量子力学等多个领域。
真空磁导率（μ0）是电磁学中的一个常量，它描述了真空中电磁波的传播特性。
真空磁导率的数值约为4π×10^-7N/A^2（牛顿每安培的平方），其单位与磁场强度（H）的单位相同。
根据安培定律可以得知，真空中电流与磁场之间的关系是通过真空磁导率来描述的。
接下来，我们介绍一下电容与真空电容率。
电容（C）是电学中的一个重要参数，它用来度量导体存储电荷的能力。
电容的单位是法拉（F），代表一个电容器中，当储存一库仑电荷（C），则其电势差（V）为1伏。
电容的数值与电势差和储存的电荷之间的关系是通过电容公式C=Q/V（Q为电荷数，V为电势差）来表示的。
真空电容率（ε0）是电磁学中的一个常量，它描述了真空中电场的传播特性。
真空电容率的数值约为8.854×10^-12F/m（法拉每米），也可以写作8.854×10^-12C^2/(N·m^2)。
根据库仑定律可以得知，真空中电荷与电场之间的关系是通过真空电容率来描述的。
光速与真空磁导率以及电容与真空电容率之间存在着密切的关系。
根据麦克斯韦方程组和光学方程，我们可以得到光速与真空磁导率、电容与真空电容率之间的基本关系：光速与真空磁导率之间的关系可以表示为c=1/√(ε0μ0)。
这个方程表明，光速的数值与真空磁导率和真空电容率之间有关系，即光速是真空电容率和真空磁导率的函数。
人体组织电特性磁共振断层成像(MR EPT)技术进展
人体组织电特性磁共振断层成像(MR EPT)技术进展辛学刚【摘要】科学研究早已证实,人体组织的电特性参数(包括电导率和电容率)在正常组织与肿瘤组织之间差异较大,因此测量人体活体组织的电特性参数变化有可能成为肿瘤早期诊断的有效手段.磁共振成像(MRI)本质上是非电离电磁场,即强的静磁场、梯度磁场和射频电磁场与人体组织的相互作用,因此MRI影像信息中必然包含人体组织的电特性信息.MRI领域近年来新兴的研究热点之一人体组织电特性磁共振断层成像(MR EPT)技术,其就是研究如何从MRI影像信息中有效提取人体组织电特性信息.本文概述MR EPT技术的产生背景,从反映电磁场基本运动规律的麦克斯韦方程组出发,解析给出MR射频场与人体组织电特性参数之间的量化关系,深入剖析了3T和7T不同场强下MR EPT成像方法的国际研究进展以及潜在的技术突破口.同时,还介绍目前运用MR EPT技术开展的动物实验和前期临床人体测试等情况,展示这一新兴技术的诱人前景.【期刊名称】《中国生物医学工程学报》【年(卷),期】2015(034)001【总页数】8页(P83-90)【关键词】生物组织电特性;人体组织电特性磁共振断层成像;磁共振射频;癌症早期检测【作者】辛学刚【作者单位】南方医科大学生物医学工程学院,广州510515;纽约大学医学院Bernard and Irene Schwartz生物医学成像中心,纽约10016,美国【正文语种】中文【中图分类】R318引言人体组织电特性磁共振断层成像(magnetic resonance electrical properties，MR EPT)技术是在传统质子磁共振成像(magnetic resonance imaging，MRI)技术的基础上，通过检测能够反映人体组织非均匀电特性(electrical properties，EPs)分布的磁共振射频场(radiofrequency field，RF field)，来计算得到人体组织各处的EPs分布的新兴的MR成像是近年来MR领域备受瞩目的研究热点之一。
功能材料(负折射率材料)
实现负折射方法：
主要成分是铜 适用于微波波 段范围
负折射率超材料用于以新的方式控制电磁波。比如，天然物质的光学 和电磁性质通过化学来改变，而超材料通过单胞的几何排列来控制电 磁性质。单胞有序排列的线度小于电磁波的某一波长。人工的单胞对 波源的电磁辐射有响应。超材料对电磁波的总的响应比通常材料更宽 广。 通过改变单胞的形状、大小和构型，可以改变材料的电容率和磁导率， 由此控制电磁波的传输。电容率和磁导率这两个参数决定了电磁波在 物质中的波的传播。调控这两个参数可以使材料的折射率为负值或零， 而通常的材料的折射率为正值。超材料的性质依赖于人的预先设计， 其光学性质是透镜、平面镜和常规材料所不及。
负折射率材料扭曲光波Байду номын сангаас阻碍人眼看见所照物体 负折射率材料可使电磁波绕过目标实现隐身
负折射率材料
当光波从具有正折射率的材料入射到具有负折 射率材料的界面时，光波的折射与常规折射相 反，入射波和折射波处在于界面法线方向同一 侧。在这种材料中，电场、磁场和波矢方向遵 守“左手”法则，而非常规材料中的“右手” 法则。因此，这种具有负折射率的材料也被称 为左手材料，光波在其中传播时，能流方向与 波矢方向相反。用同时具备负介电常数和负磁 导率的超材料可以得到这一现象。此时超材料 具负折射率，这样的材料也被称作负折射率材 料。
电导率电容率磁导率测量和意义
根据上式, 只要测得平行板间的距离d、电容C 及圆板的直径D , 即可求得空气 的电容率 ，但不论是单次测量还是多次测量求平均值, 利用上式求得的结果误
-3-
差均较大。根据分析可知, 交流电桥测得的电容量不单是平行板的电容, 还包括 分布电容Z由于两平行板的几何尺寸较小, 电容量不大, 因此分布电容的影响比 较大, 这就是直接利用上式来求结果误差较大的原因。式可以看出C 与1/d 呈线 性关系,只要测量出不同间距d 的电容C, 作1/d 与C 的关系曲线, 则截距a= C0, 斜率b= πD^2/4 ,进一步改写
。 有些物质会有异向性的电导率，必需用 3 X 3 矩阵来表达（使用数学术语，第 二阶张量，通常是对称的）。 电导率是电阻率 的倒数。在国际单位制中的单位是西门子/米：
。
2.电传导性 是物质可以传导电子的性质。按物质是否具有电传导性，可把物质分为导体，
半导体和绝缘体。 固态半导体的掺杂程度会造成电导率很大的变化。增加掺杂程度会造成高电
电导仪示意图
电导率的测量需要两方面信息。一个是溶液的电导 G，另一个是溶液的 几何参数 K。电导可以通过电流、电压的测量得到。根据关系式 S=K×G 可 以等到电导率的数值。这一测量原理在直接显示测量仪表中得到广泛应用。
而 K= L /A A——测量电极的有效极板； L——两极板的距离； 这一值则被称为电极常数。在电极间存在均匀电场的情况下，电极常 数可以通过几何尺寸算出。当两个面积为 1cm 的方形极板，之间相隔 1cm 组成电极时，此电极的常数 K=1cm-1。如果用此对电极测得电导值 G=1000 μs，则被测溶液的电导率 K=1000μs/ cm。 一般情况下，电极常形成部分非均匀电场。此时，电极常数必须用标 准溶液进行确定。标准溶液一般都使用 KCl 溶液这是因为 KCl 的电导率的 不同的温度和浓度情况下非常稳定，准确。0.1mol/l 的 KCl 溶液在 25℃时 电导率为 12.88ms/cm。
JJF1023电学计量名词术语(修改稿9)
6.1.1 真空磁导率(permeability of vacuum) 6.1.2 介电系数，电容率(permittivity)0也称电常数(electric constant)。
6.1.3电动势(electromotive force)6.1.4接触电动势(contact electromotive force) 6.1.5感应电(动)势(induced electromotive force)6.1.6导体(conductor)6.1.7绝缘体(insulator)6.1.8半导体(semiconductor)6.1.9超导体(superconductor)6.1.10接触电位(差)（contact potential[difference]）6.1.11热电效应(thermoelectric effect)6.1.12塞贝克效应(Seebeek effect)6.1.13珀耳帖效应(Polfier effect)6.1.14汤姆逊效应(Thomson effect)6.1.15约瑟夫森效应(Josephson effect)6.1.16量子化霍尔效应(quantum Hall effect) 6.1.17单电子隧道效应(single electron tunnel effect)6.1.18 功率天平（Watt balance）6.1.19交流电阻时间常数(time constant of ac resistor)6.1.20介电强度(dielectric strength)6.1.21绝缘电阻(insulation resistance)6.1.22 电流(electric current)6.1.23 电压(voltage)6.1.24 电阻(resistance)6.1.25 电导(conductance)6.1.26 阻抗(impedance)6.1.27 导纳(admittance)6.1.28 电容(capacitance)6.1.29 电感(inductance)6.1.30 电阻率(resistivity)6.1.31 电导率(conductivity)6.1.32 磁导率（permeability）6.1.33 静电场(electrostatic field)6.1.34 电场强度(electric field intensity)6.1.35 电位(electric potential)6.1.36 电荷(electric charge)6.1.37 库伦定律(Coulomb’s law)6.1.38 电位移(electric displacement)6.1.39 拉普拉斯方程(Laplace’s equation) 6.1.40 静电感应(electrostatic induction)6.1.41 恒定电场(steady electric field)6.1.42 欧姆定律(Ohm law)6.1.43 焦耳定律(Joule’s law)6.1.44 安培(ampere)6.1.45 伏特(volt)6.1.46 库仑(couomb)6.1.47 欧姆(ohm)6.1.48 西门子(siemens)6.1.49 法拉(farad)6.1.50 亨利(henry)6.1.51 瓦特(watt)6.1.52 电路(electric circuit)6.1.53 激励(excitation)6.1.54 响应(response)6.1.55 电路元件(electric circuit elements) 6.1.56 无源二端元件(passive two-terminal elements)6.1.57 电压源(voltage sources)6.1.58 电流源(current sources)6.1.59 受控源(controlled sources)6.1.60 开路(open circuit)6.1.61 短路(short circuit)6.1.62 理想变压器(ideal transformer)6.1.63 基尔霍夫定律(Kirchhoff’s law)6.1.64 直流(direct current)6.1.65 交流(alternating current)6.1.66 正弦电流(sinusoidal current)6.1.67 频率(frequency)6.1.68 赫兹(hertz)6.1.69 相位(phase)6.1.70 相量(phasor)6.1.71相量图(phasor diagram)6.1.72 谐振(resonance)6.1.73 铁磁谐振电路(ferro- resonance circuit)6.1.74 三相电路(three-phase circuit)6.1.75 三相电源(three-phase sources)6.1.76 三相负载(three-phase loads)6.1.77 相电压(phase voltages)6.1.78 线电压(line voltages)6.1.79 相电流(phase currents)6.1.80 线电流(line currents)6.1.81 对称三相电路(symmetricalthree-phase circuit)6.1.82 非对称三相电路(unsymmetrical three-phase circuit)6.1.83 三相电路功率(power of three-phase circuit)6.1.84 非正弦周期电流电路(non-sinusoidal periodic current circuits)6.1.85 基波电流(fundamental current)6.1.86 谐波电流(harmonic current)6.1.87 频谱(frequency spectrum)6.1.88 瞬时值(instantaneous value)6.1.89 平均值(average value)6.1.90有效值(effective value)6.1.91 峰值（peak [value]）6.1.92波形因数(wave factor)6.1.93 总谐波畸变率(total harmonic distortion)6.1.94 平均功率(average power)6.1.95视在功率(apparent power)6.1.96无功功率(reactive power)6.1.97 复功率(complex power)6.1.98 谐波功率(harmonic power)6.1.99 畸变功率(distortion power)6.1.100 伏安(volt ampere)6.1.101 乏(var)6.1.102 瓦特小时(watt hour)6.1.103 串联(series connection)6.1.104 并联(parallel connection)6.1.105 星形阻抗与三角形阻抗的变换(transformation between star-connected and delta connected impedances)6.1.106电源的等效变换(equivalent transformation between sources)6.1.107回路法(loop analysis)6.1.108节点法(node analysis)6.1.109叠加定理(superposition theorem)6.1.110替代定理(substitution theorem)6.1.111 互易定理(reciprocity theorem)6.1.112戴维南定理(Thevenin theorem)6.1.113诺顿定理(Norton theorem)6.1.114 二端口(2-port)6.1.115 特性阻抗(characteristic impedance) 6.1.116 输入阻抗(input impedance)6.1.117 输出阻抗(output impedance) 6.1.118 传播常数(propagation constant)6.1.119 品质因数(quality factor )6.1.120 阻抗匹配(impedance matching)6.1.121 网络函数(network functions)6.1.123 分布参数电路(distributed parameter circuit)6.1.124 一阶电路(first order circuit)6.1.125 二阶电路(second order circuit)6.1.126 高阶电路(high order circuit)6.1.127 非线性电路(nonlinear electric circuit)6.1.128 端子（terminal）6.1.129 端变量（terminal variable）6.1.130 两端(2T) (2-terminal)6.1.131 三端(3T) (3-terminal)6.1.132 四端(4T) (4-terminal)6.1.133五端(5T) (5-terminal)6.1.134四端对(4TP)(4-terminal pair)6.1.135磁场(magnetic field)6.1.136 磁感应强度(magnetic induction)6.1.137磁通量(magnetic flux)6.1.138 磁导率(permeability)6.1.139 相对磁导率(Reletive permeability) 6.1.140磁矩（Magnetic(area) moment）6.1.141 磁化强度（Magnetization）6.1.142 磁极化强度(magnetic polarization) 6.1.143 磁场强度（magnetic intensity）6.1.144磁偶极矩（magnetic dipole moment）6.1.145 磁通势（magnetomotive force）6.1.146 磁阻（reluctance）6.1.147 磁导（permeance）6.1.148 磁化率（magnetic susceptibility）6.1.149 磁共振（magnetic resonance）6.1.150核磁共振（nuclear magnetic resonance）6.1.151霍尔效应（hall effect）6.1.152 波尔磁子（Bohr magneton）6.1.153 质子旋磁比（Proton gyro magnetic ratio）6.1.154 磁通量子（F1ux quantum (F1uxon)）6.2 电学计量6.2.1.1直流电压基准(Primary Standard of DC V oltage)6.2.1.2直流电动势基准(Primary Standard of DC Electromotive Force)6.2.1.3直流电阻基准(Primary Standard of DC Resistance)6.2.1.4电容基准(Primary Standard of Capacitance)6.2.1.5电容器损耗因数基准(Primary Standard of Dissipation Factor)6.2.1.6电感基准(Primary Standard of Inductance)6.2.1.7交流电流基准(Primary Standard of AC Current)6.2.1.8交流电压基准(Primary Standard of AC V oltage)6.2.1.9交流功率基准(Primary Standard of AC Power)6.2.1.10工频电能基准(Primary Standard of AC Energy at Industrial Frequency)6.2.1.11磁感应强度基准(Primary Standard of Magnetic Flux Density)6.2.1.12数字阻抗电桥标准(Standard for LCR meter)6.2.1.13数字多用表检定装置(Standard of Multimeter)6.2.1.14超导强磁场标准(Standard of Supper Conducting High Magnetic Field)6.2.1.15非铁磁金属电导率标准(Standard of Conductivity for Nonferrous Metals)6.2.1.16模/数、数/模转换测量标准（Standard of ADC and DAC）6.2.1.17标准电池(standard cell)6.2.1.18固态电压标准(solid state voltage standard)6.2.1.19标准电阻(standard resistor)6.2.1.20计算电容(cross capacitor)6.2.1.21感应分压器(inductive voltage divider)6.2.1.22分流器(shunt)6.2.1.23直流电流比较仪(direct current comparator)6.2.1.25多功能校准源(multifunction calibrator)6.2.1.26数字阻抗电桥(LCR meter)6.2.1.27 电压表（voltmeter）6.2.1.28 电流表(amperometer)6.2.1.29 电阻表(ohnneter)6.2.1.30 功率表(Watt meter)6.2.1.31 电能表(kWh meter)6.2.2电学计量常用测量方法6.2.2.1 直接测量（法）(direct (method of) measurement)6.2.2.3组合测量（法）(combination (method of) measurement)6.2.2.4 比较测量（法）(comparison (method of) measurement)6.2.2.5 零值测量（法）(null (method of) measurement)6.2.2.6 差值测量（法）(differential (method of) measurement)6.2.2.7 替代测量（法）(substitution (method of) measurement)6.2.2.8 不完全替代法(semi-substitution method of measurement)6.2.2.9 内插测量（法）(interpolation (method of) measurement)6.2.2.10 互补测量（法）(complementary (method of) measurement)6.2.2.11 差拍测量（法）(beat (method of) measurement)6.2.2.12 谐振测量（法）(resonance (method of) measurement)6.2.2.13 模数转换(analogue to digital conversion)6.2.2.14 数模转换(digital to analogue conversion)6.2.2.15 静电屏蔽(electrostatic screen)6.2.2.16 磁屏蔽(magnetic screen)6.2.2.17 泄漏电流(leakage current)6.2.2.18 电位屏蔽(potential screen)6.2.2.19 等电位屏蔽(equip—potential screen)6.2.2.20 无定向结构(astatic construction)6.2.2.21交流-直流转换(AC-DC conversion) 6.2.2.22交流-直流转换器<AC-DC converter) 6.2.2.23交流-直流比较仪(AC-DC comparator)6.2.2.24热电变换器(thermal converter)6.2.2.25 共模电压(common mode voltage)6.2.2.26 串模电压(series mode voltage)6.2.2.27 共模抑制比(common mode rejection ratio ———CMRR)6.2.2.28 串模抑制比(series mode rejection ratio——SMRR)6.2.2.29 非对称输入(asymmetrical input) 6.2.2.30 非对称输出(asymmetrical output) 6.2.2.31 对称输入(symmetrical input)6.2.2.32 对称输出(symmetrical output)6.2.2.33 差分输入电路(differential input circuit)6.2.2.34 接地输入电路(earthed input circuit 或grounded input)6.2.2.35 接地输出电路(earthed output circuit或grounded output)6.2.2.36 浮置输入电路(floating input circuit)6.2.2.37 浮置输出电路(floating output circuit)6.2.3.1 模拟（测量）仪表（analogue (measuring) instrument）模拟指示仪表（analogue indicating instrument）6.2.3.2 数字（测量）仪表（digital (measuring) instrument）6.2.3.3 热电系仪表（electrothermal instrument）6.2.3.4 双金属系仪表（bimetallic instrument）6.2.3.5 热偶式仪表（thermocouple instrument）6.2.3.6 整流式仪表（rectifier instrument）6.2.3.7 振簧系仪表（vibrating reed instrument）6.2.3.8 多用表、万用表（multimeter）6.2.3.9（测量）电桥（(measuring) bridge）6.2.3.10（测量）电位差计（(measuring) potentiometer）6.2.3.11 分压器（voltage divider）6.2.3.12 比较仪（comparator）6.2.3.13 指针式仪表（pointer instrument）6.2.3.14 光标式仪表（instrument with optical index）6.2.3.15 动标度仪表（moving-scale instrument）6.2.3.16 影条式仪表（shadow column instrument）6.2.3.17 静电系仪表（electrostatic instrument）6.2.3.18 磁电系仪表（(permanent magnet) moving-coil instrument）6.2.3.19 动磁系仪表（moving magnet instrument）6.2.3.20 电磁系仪表（moving-iron instrument）6.2.3.21 电动系仪表（electrodynamic instrument）6.2.3.22 铁磁电动系仪表（ferrodynamic instrument）6.2.3.23 感应系仪表（induction instrument）。
电容率与磁导率
介质光速和介质折射率、磁导率、电容率（介电常数）的关系/zhoujiajun198204@126/摘要：介质里的光速和该介质的折射率、磁导率、电容率是有关系的，但是这种关系却不适用到所有的介质。
确切来说，介质里的光速和该介质的折射率的关系，有久恒的关系，适用于任何介质。
介质光速和该介质磁导率、电容率（介电常数）的关系，不适用于所用介质，在某些介质中适用或许是一种偶然，又或许介质的折射率、磁导率、电容率还有一些我们尚未知道的关系。
关键词：真空光速；介质光速；介质绝对折射率；入射角；折射角；光速传播计算公式；磁导率；电容率；相对磁导率；相对电容率。
介质绝对折射率n，是说光从真空射入介质发生折射时，入射角i与折射角r的正弦之比，亦为真空光速c0和介质光速c x之比：n==由麦克斯韦电磁方程组电磁波计算公式c=，可知介质里的光线传播速度只与该介质的磁导率μ、电容率ε有关。
任何一种介质的相对磁导率μr、相对电容率εr为：μr=εr=μr：相对磁导率，εr：相对电容率，μx: 介质磁导率，εr：介质电容率，μ0：真空磁导率，ε0：真空电容率。
因此，就可推导出介质里光线传播计算公式，为：c x=根据介质绝对折射率的定义，可得：n===由此可见，介质的绝对折射率和该介质的相对磁导率μr、相对电容率εr有关。
用此关系式对介质进行检验，结果如下：1、用空气检验空气为顺磁性介质，其相对磁导率μr=1.0000004，相对电容率εr=1.000585，代入计算得n空气===1.000293≈1.0003和实际很相符。
2、用水检验水为抗磁性介质，其相对磁导率μr=0.999991，相对电容率εr=81.5，代入计算得n水===9.0277≠1.33和实际相差很大。
从这两个例子可看出，光速和磁导率、电容率的关系适用于非磁性介质和顺磁性介质，对于抗磁性介质却不适用，差别很大。
对于铁磁性介质来说，会是什么结果呢，因为没有这方面的参考资料，没法判定。
真空磁导率wb
真空磁导率（Vacuum Permeability）是一种物理常数，通常用符号μ₀表示，它是描述真空中磁场传播性质的关键参数。
在国际单位制中，真空磁导率的数值约为4π× 10⁻⁷特斯拉·米/安培（T·m/A）。
本文将从以下几个方面详细介绍真空磁导率。
一、真空磁导率的定义和意义真空磁导率是指真空中的磁场强度与电流密度之间的比值。
简单来说，它反映了真空中磁场的传播能力和自由度。
真空磁导率的定义公式为 B = μ₀H，其中B是磁感应强度（单位为特斯拉），H 是磁场强度（单位为安培/米），μ₀即为真空磁导率。
真空磁导率在电磁学领域有着重要的作用。
它是麦克斯韦方程组中的一个关键参数，可以描述电场和磁场之间的相互作用。
同时，真空磁导率也是计算电磁波传播速度的基础常数之一。
二、真空磁导率的实验测定为了确定真空磁导率的数值，科学家们进行了一系列精密的实验测量。
最早的实验是由英国物理学家亨利·卡文迪什（Henry Cavendish）于18世纪末完成的。
他通过测量两个平行导线之间的力来确定真空磁导率的数值。
随后，许多科学家采用不同的方法进行了更准确的测量。
其中一种常用的方法是利用托尔磁力仪（Torsion Balance）进行测量。
该方法通过测量磁场对一个悬挂在扭秤上的磁针的作用力，从而计算出真空磁导率的数值。
经过多次实验测量和数据分析，科学家们得到了真空磁导率的精确数值，并将其作为一个普遍接受的常数。
三、真空磁导率的重要性真空磁导率在科学研究和应用领域有着广泛的应用。
以下是几个重要的方面：1. 电磁波传播速度计算：根据麦克斯韦方程组，在真空中的电磁波的传播速度等于真空中的光速。
而光速的数值正好可以通过真空磁导率和真空电容率（ε₀）计算得到，即c = 1 / √(ε₀μ₀)。
因此，真空磁导率在光学和电磁波传播研究中起着至关重要的作用。
2. 电感计算：电感是指导体中由电流产生的磁场所储存的能量。
真空介电常数公式
真空介电常数公式真空介电常数，也称为电容率，是描述真空中电磁场传播的性质的物理量。
它在物理学和工程学中具有重要的应用价值。
真空介电常数的公式可以用来计算真空中电场的传播速度以及电磁波的传播特性。
真空介电常数的公式可以表示为ε0 = 1/(μ0c^2)，其中ε0表示真空介电常数，μ0表示真空磁导率，c表示光速。
根据这个公式，我们可以得知真空介电常数与真空磁导率和光速之间存在着数学上的关系。
真空介电常数的数值约为8.85×10^-12 F/m。
它是一个常量，表示真空中电场的传播速度。
这个数值的大小决定了电磁波在真空中的传播速度。
实际上，真空介电常数是所有电磁波在真空中传播速度的上限。
真空介电常数的公式来源于麦克斯韦方程组，这是描述电磁场和电磁波传播的基本方程。
麦克斯韦方程组由四个方程组成，分别描述了电场和磁场的产生、传播和相互作用。
其中一个方程描述了电场和磁场的传播速度，这个方程与真空介电常数有直接的关系。
真空介电常数的公式在电磁学和光学等领域有广泛的应用。
在电磁学中，它被用来计算电场和磁场的相互作用力。
在光学中，它被用来计算光的传播速度和光的折射和反射现象。
真空介电常数也是许多其他物理常数的基准之一，它的精确度对于实验和测量的准确性至关重要。
除了真空介电常数外，还存在其他介电常数，它们描述了不同介质中电磁场的传播特性。
这些介电常数与真空介电常数相比，通常具有较大的数值。
在介电常数的计算中，真空介电常数往往被用作基准值进行比较和计算。
真空介电常数是描述真空中电磁场传播特性的物理量。
它的公式可以用来计算电场的传播速度和电磁波的传播特性。
真空介电常数在电磁学和光学等领域具有广泛的应用，对于实验和测量的准确性至关重要。
了解真空介电常数的公式和应用，有助于我们更好地理解电磁场的传播规律和光的行为特性。
n35磁铁参数
n35磁铁参数磁铁参数是研究磁性材料的性质和磁特性的基本指标，能完整反映磁性材料的特性和性能。
其中，磁铁参数可以分为磁学参数，电学参数和热学参数等几种形式。
磁学参数是指材料的磁学特性，主要有磁化率、有效磁导率、磁导率和磁矩等。
磁化率用于衡量磁性材料强度，是由相对磁密、磁导率和材料组成等因素决定的；有效磁导率表示磁性材料用于把磁感应材料的能力；磁导率表示材料的强度以及在磁场中的抗性；磁矩表示材料在磁场作用下的变形大小。
电学参数是指电磁学特性，主要参数有电阻率、介电常数、电容率、电导率和功率因数等。
电阻率表示材料电阻值，是材料中可导电元素构成和电子迁移速率及流动程度的量度；介电常数表示材料抗电磁波能力，是电磁波穿过材料时功率的衰减程度；电容率表示材料电容作用及容量；电导率表示材料的导电率，是电子在材料中流动的程度；功率因数则表示材料对于电磁波的消耗程度。
热学参数是指材料的热特性，主要有导热系数、比热容和热电系数等。
导热系数表示晶体、晶粒、孔隙或空洞等结构之间的热放射，是材料的导热性能的衡量标准，指其传热性能；比热容指材料在规定压力下升温的分量；而热电系数则表示材料对热电能的转换效率。
以上几种参数都是研究磁性材料的一些基本参数，此外，还可以研究其他特性，如结构、尺寸、表面等。
在研究磁性材料的性质和磁特性时，这些参数都必须要考虑，只有全方位考虑不同参数，才能全面了解磁性材料的特性。
例如，磁铁参数对于磁性材料的磁力学特性有着重要的影响，如磁化率、有效磁导率等。
如果这些参数能够有效控制，就可以使磁性材料在车辆制动、自动控制、传感器等应用中得到更好的效果。
此外，磁铁参数还可以用于研究磁性材料在辐射环境下的变化情况。
比如，对于应用于空间航天等特殊场合的磁性材料，空间环境中的辐射会影响磁性材料的磁学特性，而磁铁参数可以定量反映这一点。
因此，磁铁参数是研究磁性材料性质和磁性特性的重要指标，通过研究不同参数，可以客观反映磁性材料的性质和特性，能够使磁性材料的应用更加全面有效的控制。
麦克斯韦速率方程
麦克斯韦速率方程麦克斯韦速率方程是电磁学中的重要公式之一，用于描述电磁波在介质中的传播速度。
该方程是由麦克斯韦根据他的电磁理论推导得出的，它的形式为：v = 1/√(με)，其中v表示电磁波在介质中的传播速度，μ表示介质的磁导率，ε表示介质的电容率。
麦克斯韦速率方程的提出，对电磁学的发展起到了重要作用。
它揭示了电磁波在介质中传播的速度与介质的磁导率和电容率有关，同时也揭示了电磁波在真空中传播的速度是一个恒定值，即光速。
这个发现对于后来爱因斯坦提出的相对论起到了重要的启发作用。
在麦克斯韦速率方程中，磁导率μ和电容率ε是介质的物理特性参数。
对于真空来说，它们的数值分别为μ0和ε0，称为真空中的磁导率和电容率。
根据国际单位制的定义，它们的数值分别为μ0 = 4π × 10^-7 H/m和ε0 = 8.854 × 10^-12 F/m。
将这些数值代入麦克斯韦速率方程中，可以得到真空中电磁波的传播速度v0 = 1/√(μ0ε0) = 1/√(4π × 10^-7 × 8.854 × 10^-12) ≈ 2.998 × 10^8 m/s，即光速。
麦克斯韦速率方程的应用十分广泛。
在电磁波的传播过程中，介质的磁导率和电容率会影响电磁波的传播速度。
根据麦克斯韦速率方程，我们可以计算出电磁波在不同介质中的传播速度，并通过比较不同介质中的传播速度来研究介质的性质。
麦克斯韦速率方程还可以用于计算电磁波在介质中的反射和折射现象。
当电磁波从一种介质传播到另一种介质时，由于介质的磁导率和电容率的不同，电磁波的传播速度也会发生变化。
根据麦克斯韦速率方程，我们可以计算出电磁波的入射角和折射角之间的关系，从而研究电磁波在介质中的折射规律。
麦克斯韦速率方程的提出，不仅推动了电磁学的发展，也为后来的光学理论和电磁场的研究提供了基础。
它揭示了电磁波在介质中的传播速度与介质的物理特性有关，为我们理解电磁波的行为和性质提供了重要的线索。
混凝土导电性能标准
混凝土导电性能标准一、前言混凝土导电性能在建筑、电力、通信等领域中具有重要的应用价值。
为了保证混凝土导电性能的可靠性和稳定性，制定混凝土导电性能标准是必要的。
本文将从混凝土导电性能的定义、分类、测试方法、实验要求、标准参数等方面详细介绍混凝土导电性能标准。
二、混凝土导电性能的定义和分类混凝土导电性能是指混凝土在电场作用下导电的能力。
按照导电方式不同，混凝土导电性能可分为直流导电、交流导电和微波导电三种类型。
1. 直流导电直流导电是指混凝土在直流电场作用下的导电性能。
在直流电场中，混凝土的导电性能主要受到水泥浆体的电导率、骨料的导电性、气孔的形态和含量等因素的影响。
2. 交流导电交流导电是指混凝土在交流电场作用下的导电性能。
在交流电场中，混凝土的导电性能主要受到电场频率、电场强度、水泥浆体的电导率、骨料的导电性、气孔的形态和含量等因素的影响。
3. 微波导电微波导电是指混凝土在微波电场作用下的导电性能。
在微波电场中，混凝土的导电性能主要受到电场频率、电场强度、水泥浆体的电导率、骨料的导电性、气孔的形态和含量等因素的影响。
三、混凝土导电性能的测试方法混凝土导电性能的测试方法主要有四种：传统电法、微波法、声波法和红外线热成像法。
1. 传统电法传统电法是指通过电阻率或电导率来测试混凝土导电性能的方法。
该方法适用于直流电场和低频交流电场。
2. 微波法微波法是指通过测量混凝土在微波电场下的反射系数或透射系数来测试混凝土导电性能的方法。
该方法适用于微波频率范围内的导电性能测试。
3. 声波法声波法是指通过测量混凝土在声波场下的声阻抗来测试混凝土导电性能的方法。
该方法适用于中低频导电性能测试。
4. 红外线热成像法红外线热成像法是指通过测量混凝土在电场作用下的温度变化来测试混凝土导电性能的方法。
该方法适用于高频导电性能测试。
四、混凝土导电性能的实验要求混凝土导电性能的实验要求主要包括样品制备、实验条件、实验方法、实验数据处理等方面。
伦琴公式导数
伦琴公式导数伦琴公式是描述电磁波的传播速度与介质的电磁参数之间关系的一个重要公式。
它的导数在电磁学的研究中有着重要的应用。
本文将从伦琴公式导数的角度出发，探讨其在电磁学中的应用和意义。
我们来回顾一下伦琴公式。
伦琴公式是由麦克斯韦方程组推导得出的。
它描述了电磁波在介质中的传播速度与介质的电磁参数之间的关系。
具体而言，伦琴公式可以表示为：v = c / √(εμ)其中，v是电磁波在介质中的传播速度，c是真空中的光速，ε是介质的电容率，μ是介质的磁导率。
现在，我们来计算一下伦琴公式的导数。
为了方便起见，我们假设介质的电容率和磁导率都是常数。
在这种情况下，伦琴公式的导数可以表示为：dv/dε = -c / (2ε^(3/2)μ)dv/dμ = -c / (2√(ε)μ^2)根据伦琴公式的导数，我们可以得到一些有关电磁波传播速度与介质参数之间的重要结论。
我们来看dv/dε的导数。
它表示了电磁波传播速度对介质电容率的敏感程度。
由于导数的负号，我们可以得到一个重要结论：介质的电容率越大，电磁波在介质中的传播速度越慢。
这是因为电容率越大，介质中的电场越强，电磁波的传播受到的阻力也越大，因此传播速度会减小。
接下来，我们来看dv/dμ的导数。
它表示了电磁波传播速度对介质磁导率的敏感程度。
同样，由于导数的负号，我们可以得到一个结论：介质的磁导率越大，电磁波在介质中的传播速度越慢。
这是因为磁导率越大，介质中的磁场越强，电磁波的传播受到的阻力也越大，因此传播速度会减小。
伦琴公式导数的这些结论在电磁学的研究中有着重要的应用。
例如，在光纤通信中，光纤的折射率会影响光信号在光纤中的传播速度。
通过对伦琴公式导数的分析，我们可以预测不同折射率的光纤中光信号的传播速度，并根据这些预测来优化光纤通信系统的设计。
伦琴公式导数还可以用于其他电磁学领域的研究。
例如，在天线设计中，电磁波在不同介质中的传播速度会影响天线的性能。
通过对伦琴公式导数的分析，我们可以预测不同介质中电磁波的传播速度，并根据这些预测来优化天线的设计。
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介质光速和介质折射率、
磁导率、电容率（介电常数）的关系
/zhoujiajun198204@126/
摘要：介质里的光速和该介质的折射率、磁导率、电容率是有关系的，但是这种关系却不适用到所有的介质。
确切来说，介质里的光速和该介质的折射率的关系，有久恒的关系，适用于任何介质。
介质光速和该介质磁导率、电容率（介电常数）的关系，不适用于所用介质，在某些介质中适用或许是一种偶然，又或许介质的折射率、磁导率、电容率还有一些我们尚未知道的关系。
关键词：真空光速；介质光速；介质绝对折射率；入射角；折射角；光速传播计算公式；磁导率；电容率；相对磁导率；相对电容率。
介质绝对折射率n，是说光从真空射入介质发生折射时，入射角i与折射角r的正弦之比，亦为真空光速c0和介质光速c x之比：
n==
由麦克斯韦电磁方程组电磁波计算公式c=，可知介质里的光线传播速度只与该介质的磁导率μ、电容率ε有关。
任何一种介质的相对磁导率μr、相对电容率εr为：
μr=
εr=
μr：相对磁导率，εr：相对电容率，μx: 介质磁导率，εr：介质电容率，μ0：真空磁导率，ε0：真空电容率。
因此，就可推导出介质里光线传播计算公式，为：
c x=
根据介质绝对折射率的定义，可得：
n===
由此可见，介质的绝对折射率和该介质的相对磁导率μr、相对电容率εr有关。
用此关系式对介质进行检验，结果如下：
1、用空气检验
空气为顺磁性介质，其相对磁导率μr=1.0000004，相对电容率εr=1.000585，代入计算得
n空气===1.000293≈1.0003
和实际很相符。
2、用水检验
水为抗磁性介质，其相对磁导率μr=0.999991，相对电容率εr=81.5，代入计算得
n水===9.0277≠1.33
和实际相差很大。
从这两个例子可看出，光速和磁导率、电容率的关系适用于非磁性介质和顺磁性介质，对于抗磁性介质却不适用，差别很大。
对于铁磁性介质来说，会是什么结果呢，因为没有这方面的参考资料，没法判定。
介质的绝对折射率计算公式，是一个通式，能适用于任何介质。
为何用相对磁导率、相对电容率对此进行计算时，却得不出相等的结果呢，介质里的光线传播速度和该介质的磁导率、电容率是否还有我们尚未得知的关系，介质的非导电性、导电性、非磁性、顺磁性、抗磁性、铁磁性等性质对该介质的光线传播又有怎样的影响，这就有待人们去证实了。
参考文献：
1、《折射率》百度百科
2、《电介质的介电常数》 <重庆邮电大学>网站
3、《磁场中的磁介质》 <西北工业大学>网站
4、《附录B 常用物理数据》 <郧阳师范高等专科学校>网站
磁导率
磁导率
magnetic permeability
表征磁介质磁性的物理量。
常用符号μ表示，μ为介质的磁导率，或称绝对磁导率[1]。
μ等于磁介质中磁感应强度B与磁场强度H之比，即通常使用的是磁介质的相对磁导率μr ，其定义为磁导率μ与真空磁导率μ0之比，即
μ=B/H
相对磁导率μ与磁化率χ的关系是
磁导率μ，相对磁导率μr和磁化率xm都是描述磁介质磁性的物理量。
对于顺磁质μr＞1；对于抗磁质μr＜1，但两者的μr都与1相差无几。
在铁磁质中，B与H 的关系是非线性的磁滞回线，μr不是常量，与H有关，其数值远大于1。
例如，如果空气(非磁性材料)的磁导率是1，则铁氧体的磁导率为10，000，即当
比较时，以通过磁性材料的磁通密度是10,000倍。
在国际单位制（SI）中，相对磁导率μr是无量纲的纯数，磁导率μ的单位是亨利／米（H／m）。
电容率
电容率
permittivity
表征电介质极化性质的宏观物理量。
又称介电常数。
定义为电位移D和电场强度E之比，D＝εΕ，ε的单位为法拉／米(F／m)。
电介质的电容率ε与真空电容率ε0之比称为该电介质的相对电容率εr ，εr＝ε／ε0是无量纲的纯数，εr与电极化率χe的关系为εr＝1＋χe。
线性各向同性电介质的电容率是标量，比较简单；非线性电介质（如铁电体）的电容率表示式是很复杂的；各向异性电介质（如某些晶体）的电容率则要用张量表示（见电极化强度）。
电容率除取决于电介质本身的性质外，还与温度及电磁场变化的频率有关。
相对电容率εr 的数值等于同一电容器中充满均匀电介质时的电容C与真空时的电容C0之比，即εr＝C／C0。
电容率的名称即来源于此。
用较大εr 的电介质充填电容器，可以减小电容器的体积和重量。
电容率[1]又称介电常数（或相对介电常数），测定在一个电容两电极之间和周围全部只有绝缘油充满时的电容与同样电板的真空电容之比。
不同绝缘油具有不同电容率，电容率通常随温度和频率而发生变化，在实际使用中，要求电容器的电容率随温度和频率变化越小越好。
如果电容器的电容率变化较然而，失去安全感，应采取相应的措施。