耦合电容和旁路电容作用的探讨_左全生
元器件应用中的滤波、去耦、旁路电容的作用
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耦合电容和旁路电容
关于旁路电容和耦合电容
从电路来说,总是存在驱动的源和被驱动的负载.如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作.这就是耦合.
去藕电容就是起到一个电池的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰.
旁路电容实际也是去藕合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径.高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10u或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流的变化大小来确定.
旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源.这应该是他们的本质区别.
去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声.数字电路中典型的
去耦电容值是0.1μF.这个电容的分布电感的典型值是5μH.0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用.1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些.每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右.最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感.要使用钽电容或聚碳酸酯电容.去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz取0.01μF。
旁路电容和去耦电容
旁路电容和去耦电容一、引言旁路电容和去耦电容是电子电路中常见的两种电容器应用。
它们在不同的场景下起到了重要的作用。
本文将从定义、原理、应用以及选型等方面对旁路电容和去耦电容进行详细介绍。
二、旁路电容1. 定义旁路电容，又称旁路电容器，是指将电容器连接在电路中，以提供低阻抗路径来滤除高频噪声的装置。
其作用是将高频信号引到地，使其不进入到灵敏的电路中，从而保证电路的正常工作。
2. 原理旁路电容的原理是利用电容器的阻抗与频率成反比的特性。
在高频信号下，电容器的阻抗较小，相当于一个短路，因此高频信号会优先通过电容器，而不会进入到灵敏的电路中。
而在低频信号下，电容器的阻抗较大，相当于一个开路，所以低频信号可以绕过电容器，进入到灵敏的电路中。
3. 应用旁路电容广泛应用于各种电子设备中，特别是在功放电路、滤波电路和信号处理电路中。
它可以有效地滤除电源中的高频噪声，提高电路的抗干扰能力，保证信号的准确传输。
此外，旁路电容还可以用于电源线路的滤波，降低电源波动对设备的影响。
4. 选型旁路电容的选型需要考虑电容值、耐压、耐温度等因素。
一般来说，电容值越大，对高频信号的旁路作用越好；耐压越高，适用范围越广；耐温度越高，适应环境的能力越强。
因此，在选型时需要根据具体的应用场景来选择合适的旁路电容。
三、去耦电容1. 定义去耦电容，又称绕行电容，是指将电容器连接在电路中，以提供低阻抗路径来平衡电压的装置。
其作用是将电源中的纹波电压补偿掉，保证电路的稳定工作。
2. 原理去耦电容的原理是利用电容器的阻抗与频率成反比的特性。
在电源中存在纹波电压时，电容器的阻抗较小，相当于一个短路，因此纹波电压会优先通过电容器，而不会进入到电路中。
而在直流信号下，电容器的阻抗较大，相当于一个开路，所以直流信号可以绕过电容器，进入到电路中。
3. 应用去耦电容广泛应用于各种电子设备中，特别是在功放电路、放大器电路和稳压电路中。
它可以有效地补偿电源中的纹波电压，提高电路的稳定性，保证信号的可靠传输。
关于旁路电容和耦合电容
关于旁路电容和耦合电容（详细说明）2008-02-16 11:11从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。
如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。
这就是耦合。
去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。
旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。
高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u， 0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。
旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。
这应该是他们的本质区别。
（转）去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。
数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。
这个电容的分布电感的典型值是5μH。
0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。
1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。
每10 片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。
最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。
要使用钽电容或聚碳酸酯电容。
去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz 取0.1μF，100MHz取0.01μF。
分布电容是指由非形态电容形成的一种分布参数。
一般是指在印制板或其他形态的电路形式，在线与线之间、印制板的上下层之间形成的电容。
什么是旁路电容？什么是去耦电容？它们有什么区别和联系？
什么是旁路电容？什么是去耦电容？它们有什么区别和联系？一、旁路电容在电路中，如果希望将某一频率以上或全部交流成分的信号去掉，那么便可以使用滤波电容。
习惯上，通常将少部分只有滤波作用的电容器称为旁路电容器（Bypass Capacitors）或者傍路电容器。
例如，在晶体管的射极电阻或真空管的阴极电阻上并联的电容器，就被称为旁路电容（因为交流信号是经该电容器而进入接地端的）；又如在电源电路中，除了数千微法的平滑滤波或反交联电容之外，通常也用零点几微法的高频电容来将高频旁路（实际上，此高频旁路电容也可被视为高频滤波及反交联电容）。
旁路电容的应用电路如下图所示。
二、去耦电容在电子电路中，经常会看到在集成电路的电源引脚附近有一个电解电容器，这个电容器就是去耦合电容器，简称去耦电容（Decoupling Capacitors），又称退耦电容器。
去耦电容器通常有两个作用：一个是蓄能；一个是去除高频噪声。
去耦电容器主要是去除高频，如RF信号的干扰。
干扰的进入方式是通过电磁辐射。
为什么说去耦电容具有蓄能的作用呢？举个简单的例子，我们就能很容易地明白了：我们可以把总电源看作一个水库，我们大楼内的家家户户都需要供水，这时，水不是直接来自于水库，那样距离太远啦，等水过来，我们已经渴的不行了，实际上我们用的水来自于大楼附近的水塔。
集成电路在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高，而集成电路的电源引脚到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很高的情况下，阻抗也会很大（线路的电感影响非常大），这样会导致器件在需要电流的时候，不能及时供给，而去耦电容器可以弥补此不足，这也是为什么很多电路板在高频器件电源引脚处放置小电容的原因之一。
集成电路内部的开关在工作时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播，去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给集成电路，以减少开关噪声在电路板的传播并将噪声引导到地。
去耦电容器还可以防止电源携带的噪声对电路构成干扰，在设计电路时，去耦电容应放置在电源入口处，连线应尽可能短。
去耦电容和旁路电容
去耦电容和旁路电容
电容是一种用于储存电量的电子器件，耦合电容和旁路电容是在电路中常用的
电容。
作为电子电路中两个典型的电器件，耦合电容和旁路电容具有很多用途。
其中，耦合电容它通常用来耦合两个线性无关的信号源，并遮蔽其中一边的电源噪声对该信号的影响，从而使其更加清晰。
而旁路电容的功能就是避免非线性的元件，如场效应管或功放中间的非线性，电阻和共模抑制。
耦合电容和旁路电容在电子电路中发挥着重要的作用，但是，它们也会产生有
害的瞬变电流，在高频脉冲下，电容会发生瞬态热效应，电容温度会急剧上升，因而可能造成一些严重的损伤。
而且，由于脉冲电流受到耦合电容和旁路电容的影响，会使得元件受到一定的损伤，可能会影响电路的正常运行。
为了消除这些现象，抑制电路中的瞬变电位，改善信号质量，减少损耗，人们
发明了去耦电容和旁路电容这种替代型电容器件。
跟传统的耦合电容和旁路电容不同，去耦电容和旁路电容的结构和技术条件相同，尺寸相近，但它们不使用电容类元件，而是采用去耦电阻和旁路电阻，能有效地抑制瞬变电位，从而提高电源和信号之间的信号质量。
另外，这种替代型电容器件不仅能有效抑制瞬变电位，而且温度变化不明显，
可以有效解决由于耦合电容和旁路电容温度过高的问题，改善电子电路的整体性能。
综上所述，去耦电容和旁路电容是一种现代设备中用到的新型电容器件，它的
性能优于传统的电容器件的能力，能够有效地抑制瞬变电位，提高信号质量和电路性能，有助于电子电路的流畅运行，受到电子行业的追捧。
实例分析电容的四种重要作用：滤波、耦合、旁路、储能
实例分析电容的四种重要作用：滤波、耦合、旁路、储能
电容是什么，其实电容就是一种元器件，顾名思义，就是容纳电荷本领元器件，好比水库它能够容纳水，只不过电容容纳的是电荷而已，它和电阻一样是最常用的电子元件之一，主要作用有：滤波、耦合、旁路、储能等，下面介绍着几种作用。
1、滤波
滤波说白了其实就是充放电的过程，电容的作用通高频阻低频，电容滤波相当于缓冲了电压输入的电压，使输出下一级的电压波动范围不至于过大，就像水桶过滤一般，激流通过水桶时候先有其储存然后缓慢释放，如下图C2，整流过后的310V电压经过电容C2后电压波动范围减小，也就是我们经常说的纹波。
2、耦合
耦合的对象的输出信号，把干扰作为滤除目标，利用其充放电，使得放大后的信号不会因某个信号的瞬变而受到干扰，即避免相互间的耦合干扰。
3、旁路
旁路电容是输出信号均匀，降低信号波动，使其更平滑，经过前级的基础再一次降低，把交流分量再次剔除，净化输出信号，这个电容一般是0.1uF。
4、储能
基本上电容都具备储能作用，如果单是作为储能作用的话那就是超级电容了，也就是法拉第电容，这个电容容量很大，可以作为电池使用，这种电容在音响方面也比较多。
其实电容作用还有很多，在震荡以及涉及时间系数、抗干扰、阻容降压等。
去藕电容与旁路电容
去藕电容和旁路电容的作用有什么区别？旁路电容的主要功能是产生一个交流分路，从而消去进入易感区的那些不需要的能量。
旁路电容一般作为高频旁路器件来减小对电源模块的瞬态电流需求。
通常铝电解电容和钽电容比较适合作旁路电容，其电容值取决于PCB板上的瞬态电流需求，一般在10至470µF范围内。
若PCB板上有许多集成电路、高速开关电路和具有长引线的电源，则应选择大容量的电容。
去耦电容有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。
去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。
实际上，旁路电容和去耦电容都应该尽可能放在靠近电源输入处以帮助滤除高频噪声。
去耦电容的取值大约是旁路电容的1/100到1/1000。
为了得到更好的EMC特性，去耦电容还应尽可能地靠近每个集成块（IC），因为布线阻抗将减小去耦电容的效力。
陶瓷电容常被用来去耦，其值决定于最快信号的上升时间和下降时间。
例如，对一个 33MHz的时钟信号，可使用4.7nF到100nF的电容；对一个100MHz时钟信号，可使用10n F的电容。
选择去耦电容时，除了考虑电容值外，ESR值也会影响去耦能力。
为了去耦，应该选择ESR值低于1欧姆的电容。
两者的区别：从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。
如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。
这就是耦合。
去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。
旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。
高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。
耦合电容旁路电容极间电容
耦合电容旁路电容极间电容耦合电容、旁路电容、极间电容——这几个词一听就让人头大，搞不好就让人觉得是高大上的电子术语，根本看不懂。
不过，别急，让我们轻松聊聊这些电容的故事，听起来有点复杂，但其实也没那么难懂。
你想想，电容就像是小小的“储能桶”，它们能存储电能，还能在合适的时候放出来帮忙。
可它们在不同的场合，干的事情可不太一样。
所以，今天我们就来看看，耦合电容、旁路电容和极间电容这三种电容，究竟是怎么一回事。
首先得说说耦合电容。
你可能会想，耦合这两个字是不是有点亲密的意思？嘿嘿，不错，这个“耦合”确实有点像我们平时说的“牵手”或者“合作”。
在电路里，耦合电容的工作就像是一对好搭档，帮助两个电路之间建立联系。
比如说，音频放大器的输出和输入之间就可能通过耦合电容来连接。
它能把一个电路的信号传递到另一个电路，却不会让它们之间直接接触，好像你和朋友通过电话沟通，而不是面对面。
这个时候，耦合电容的任务就是把高频的信号通过，而把低频或者直流成分给“隔离”掉。
你看，耦合电容就是这么一位默默无闻的“信使”，负责传递信息，又不让你们俩直面接触。
是不是感觉很机智？再来说说旁路电容。
旁路这个词可能让你想到了“绕道而行”，对吧？嘿，其实没错，旁路电容就像是在电路中设置了一条“捷径”。
有时候电路中的某些电流不太好，可能会有些杂音、波动，影响整体表现，这时候旁路电容就会出来，给这些不必要的信号提供一条“逃生路线”。
它就像是电路中的守护神，帮忙把电流中的噪声“绕过去”。
就好比你走在热闹的街头，旁边有人吵吵嚷嚷，你肯定会选择绕开他们走，避免被吵到，旁路电容也就是这么干的。
它安静地存在，在你看不见的地方默默地工作，保护着电路免受干扰。
然后是极间电容。
听起来是不是又有点不知所措？放心，这个其实更简单。
极间电容，顾名思义，指的是两个不同电极之间的电容。
这个电容可不是单纯的“储能”那么简单，它负责的可大有文章。
它的作用就是影响电场的分布，帮助电路中的电流流动更加顺畅。
去耦电容,旁路电容,滤波电容等
关于滤波电容、去耦电容、旁路电容作用及其原理2011-03-24 14:26从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。
如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。
这就是耦合。
去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。
旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。
高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。
去耦和旁路都可以看作滤波。
去耦电容相当于电池，避免由于电流的突变而使电压下降，相当于滤纹波。
具体容值可以根据电流的大小、期望的纹波大小、作用时间的大小来计算。
去耦电容一般都很大，对更高频率的噪声，基本无效。
旁路电容就是针对高频来的，也就是利用了电容的频率阻抗特性。
电容一般都可以看成一个RLC串联模型。
在某个频率，会发生谐振，此时电容的阻抗就等于其ESR。
如果看电容的频率阻抗曲线图，就会发现一般都是一个V形的曲线。
具体曲线与电容的介质有关，所以选择旁路电容还要考虑电容的介质，一个比较保险的方法就是多并几个电容。
去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。
数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。
这个电容的分布电感的典型值是5μH。
0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。
1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。
去耦电容和旁路电容的电路设计
去耦电容和旁路电容的电路设计题目嘛，今天咱们来聊聊那些电子设备里常见但是不起眼的小家伙们——去耦电容和旁路电容。
这俩小伙伴虽小，却功不可没，就像是电子世界里的小精灵一样，静静地为我们的电路保驾护航。
先说说去耦电容，它就像个灵活的接线员，负责过滤掉电路中的杂音和电压波动，让电子们安心工作，不被外界的“干扰”打扰。
就像你在聚会上，一旁的DJ突然放了个乱入的歌，你就得去耦一下，把那些不和谐的声音给消音掉，保持派对的好氛围。
而旁路电容呢，就像是路边的小摊贩，虽然看起来平凡无奇，却能帮你解决大问题。
它主要是为了去掉电源线上的高频噪声，让电子设备在电源方面享受“清静”，不被这些不速之客搞得焦头烂额。
就像你在一家饭店吃饭，忽然来了个烦人的苍蝇，服务员赶紧过来，放个小苹果醋，那苍蝇就自动“旁路”到了醋罐子里，餐桌上的氛围就又恢复安宁了。
这俩电容的设计和使用，其实挺有讲究的。
你得根据电路的需要，选对型号、安装位置，才能让它们发挥最大的功效。
就像是在家里安装净水器，你得考虑水质、水压，选对型号，才能让你的家庭饮水更放心。
去耦电容和旁路电容也有点像电子世界的“保险”，就像你开车要带安全带，虽然不常用，但一旦需要，就能救你一命。
所以，在设计电路的时候，别忘了这俩“保险”，它们能让你的电子设备更稳定、更可靠。
电子爱好者会在电路板上看到一堆这些小电容，心里可能会嘀咕：“这么多，到底有啥用？”其实啊，就像是做菜，有时候需要点细碎的调味料，虽然每一勺都不多，但能让菜肴的味道更丰富。
去耦电容和旁路电容虽然是电路中的“小角色”，却是功不可没的“配角”。
它们虽小，但在电子设备的稳定性和性能上，却扮演着不可或缺的角色。
就像是团队里的默默付出的成员，虽然不会出风头，却能让整个团队更加完美地运转。
所以，当你再次打开电子设备或者DIY自己的电路时，不妨留意一下那些小小的电容们。
它们或许不会出现在产品的说明书里，但它们的存在，却是保证电子设备正常运行的一把利器。
滤波电容、去耦电容、旁路电容作用
滤波电容、去耦电容、旁路电容作用滤波电容、去耦电容、旁路电容作用滤波电容用在电源整流电路中，用来滤除交流成分。
使输出的直流更平滑。
去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。
旁路电容用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。
1.关于去耦电容蓄能作用的理解1）去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射。
而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作用，这是第二位的。
你可以把总电源看作密云水库，我们大楼内的家家户户都需要供水，这时候，水不是直接来自于水库，那样距离太远了，等水过来，我们已经渴的不行了。
实际水是来自于大楼顶上的水塔,水塔其实是一个buffer的作用。
如果微观来看，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高，而器件VCC到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很高的情况下，阻抗Z＝i*wL+R，线路的电感影响也会非常大，会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。
而去耦电容可以弥补此不足。
这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一（在vcc引脚上通常并联一个去藕电容，这样交流分量就从这个电容接地。
）2）有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。
去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地2.旁路电容和去耦电容的区别去耦：去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF能量。
去耦电容还可以为器件供局部化的DC电压源，它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。
旁路：从元件或电缆中转移出不想要的共模RF能量。
这主要是通过产生AC旁路消除无意的能量进入敏感的部分，另外还可以提供基带滤波功能（带宽受限）。
我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。
耦合电容和旁路电容的作用
耦合电容和旁路电容的作用
嘿，你问耦合电容和旁路电容的作用呀？这俩家伙在
电路里可重要着呢。
咱先说耦合电容吧。
它就像个小信使，在电路里传递
信号。
比如说，一个电路的一部分产生了信号，要传给另
一部分，这时候耦合电容就上场啦。
它能让信号顺利地通过，同时又能阻止直流电流过去。
就像一个检查站，只让
特定的东西通过。
要是没有耦合电容，信号可能就传不过去，或者传得乱七八糟的。
它能让不同部分的电路协调工作，就像乐队里的指挥，让各个乐器配合得好好的。
再说说旁路电容。
这家伙就像个小保镖，保护电路不
受干扰。
有时候电路里会有一些杂波或者干扰信号，旁路
电容就能把这些坏家伙给引走，不让它们影响正常的电路
工作。
就像你在路上走，旁边有个垃圾桶很臭，旁路电容
就像个屏风，把臭味挡住，让你能安心走路。
它能让电路
更稳定，工作得更顺畅。
我给你讲个事儿吧。
我有个朋友，他自己组装收音机。
一开始他不知道耦合电容和旁路电容的作用，随便装了几
个电容上去。
结果收音机的声音很杂，根本听不清。
后来
他请教了别人，知道了这两个电容的重要性。
他重新安装了合适的耦合电容和旁路电容，嘿，这下收音机的声音可清晰了。
他可高兴了，说以后组装电路一定要注意这些小零件的作用。
所以啊，耦合电容和旁路电容在电路里可重要啦，一个负责传递信号，一个负责排除干扰。
有了它们，电路才能正常工作，发挥出最大的作用。
加油哦！。
旁路电容和耦合电容详解讲解
关于旁路电容和耦合电容精讲从电路来说,总是存在驱动的源和被驱动的负载.如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作.这就是耦合. 去藕电容就是起到一个电池的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰.旁路电容实际也是去藕合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径.高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10u或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流的变化大小来确定.旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源.这应该是他们的本质区别.去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声.数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF.这个电容的分布电感的典型值是5μH.0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用.1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些.每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右.最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感.要使用钽电容或聚碳酸酯电容.去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz 取0.01μF.分布电容是指由非形态电容形成的一种分布参数.一般是指在印制板或其他形态的电路形式,在线与线之间、印制板的上下层之间形成的电容.这种电容的容量很小,但可能对电路形成一定的影响.在对印制板进行设计时一定要充分考虑这种影响,尤其是在工作频率很高的时候.也成为寄生电容,制造时一定会产生,只是大小的问题.布高速PCB时,过孔可以减少板层电容,但会增加电感.分布电感是指在频率提高时,因导体自感而造成的阻抗增加.电容器选用及使用注意事项:1,一般在低频耦合或旁路,电气特性要求较低时,可选用纸介、涤纶电容器;在高频高压电路中,应选用云母电容器或瓷介电容器;在电源滤波和退耦电路中,可选用电解电容器.2,在振荡电路、延时电路、音调电路中,电容器容量应尽可能与计算值一致.在各种滤波及网(选频网络),电容器容量要求精确;在退耦电路、低频耦合电路中,对同两级精度的要求不太严格.3,电容器额定电压应高于实际工作电压,并要有足够的余地,一般选用耐压值为实际工作电压两倍以上的电容器.4,优先选用绝缘电阻高,损耗小的电容器,还要注意使用环境.我们知道,一般我们所用的电容最重要的一点就是滤波和旁路,我在设计中也正是这么使用的.对于高频杂波,一般我的经验是不要过大的电容,因为我个人认为,过大的电容虽然对于低频的杂波过滤效果也许比较好,但是对于高频的杂波,由于其谐振频率的下降,使得对于高频杂波的过滤效果不很理想.所以电容的选择不是容量越大越好.疑问点:1.以上都是我的经验,没有理论证实,希望哪位可以在理论在帮忙解释一下是否正确.或者推荐一个网页或者网站.2.是不是超过了谐振频率,其阻抗将大大增加,所以对高频的过滤信号,其作用就相对减小了呢?3.理想的滤波点是不是在谐振频率这点上???(没有搞懂中)4.以前只知道电容的旁路作用是隔直通交,现在具体于PCB设计中,电容的这一旁路作用具体体现在哪里?在用电容抑制电磁骚扰时,最容易忽视的问题就是电容引线对滤波效果的影响.电容器的容抗与频率成反比,正是利用这一特性,将电容并联在信号线与地线之间起到对高频噪声的旁路作用.然而,在实际工程中,很多人发现这种方法并不能起到预期滤除噪声的效果,面对顽固的电磁噪声束手无策.出现这种情况的一个原因是忽略了电容引线对旁路效果的影响. 实际电容器的电路模型是由等效电感(ESL)、电容和等效电阻(ESR)构成的串联网络. 理想电容的阻抗是随着频率的升高降低,而实际电容的阻抗是图1所示的网络的阻抗特性,在频率较低的时候,呈现电容特性,即阻抗随频率的增加而降低,在某一点发生谐振,在这点电容的阻抗等于等效串联电阻ESR.在谐振点以上,由于ESL的作用,电容阻抗随着频率的升高而增加,这是电容呈现电感的阻抗特性.在谐振点以上,由于电容的阻抗增加,因此对高频噪声的旁路作用减弱,甚至消失. 电容的谐振频率由ESL和C共同决定,电容值或电感值越大,则谐振频率越低,也就是电容的高频滤波效果越差.ESL 除了与电容器的种类有关外,电容的引线长度是一个十分重要的参数,引线越长,则电感越大,电容的谐振频率越低.因此在实际工程中,要使电容器的引线尽量短.根据LC电路串联谐振的原理,谐振点不仅与电感有关,还与电容值有关,电容越大,谐振点越低.许多人认为电容器的容值越大,滤波效果越好,这是一种误解.电容越大对低频干扰的旁路效果虽然好,但是由于电容在较低的频率发生了谐振,阻抗开始随频率的升高而增加,因此对高频噪声的旁路效果变差.表1是不同容量瓷片电容器的自谐振频率,电容的引线长度是 1.6mm(你使用的电容的引线有这么短吗?).表1电容值自谐振频率(MHz) 电容值自谐振频率(MHz)1m F 1.7 820 pF 38.50.1m F 4 680 pF 42.50.01m F 12.6 560 pF 453300pF 19.3 470 pF 491800 pF 25.5 390 pF 541100pF 33 330 pF 60 尽管从滤除高频噪声的角度看,电容的谐振是不希望的,但是电容的谐振并不是总是有害的.当要滤除的噪声频率确定时,可以通过调整电容的容量,使谐振点刚好落在骚扰频率上.从电路来说,总是存在驱动的源和被驱动的负载.如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作.这就是耦合.去藕电容就是起到一个电池的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰.旁路电容实际也是去藕合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径.高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般是0.1u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,是10u或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流的变化大小来确定.去耦和旁路都可以看作滤波.正如ppxp所说,去耦电容相当于电池,避免由于电流的突变而使电压下降,相当于滤纹波.具体容值可以根据电流的大小、期望的纹波大小、作用时间的大小来计算.去耦电容一般都很大,对更高频率的噪声,基本无效.旁路电容就是针对高频来的,也就是利用了电容的频率阻抗特性.电容一般都可以看成一个RLC串联模型.在某个频率,会发生谐振,此时电容的阻抗就等于其ESR.如果看电容的频率阻抗曲线图,就会发现一般都是一个V形的曲线.具体曲线与电容的介质有关,所以选择旁路电容还要考虑电容的介质,一个比较保险的方法就是多并几个电容.去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声.数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF.这个电容的分布电感的典型值是5μH.0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用.1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些.每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右.最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感.要使用钽电容或聚碳酸酯电容.去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz 取0.01μF.一般来说,容量为uf级的电容,象电解电容或钽电容,他的电感较大,谐振频率较小,对低频信号通过较好,而对高频信号,表现出较强的电感性,阻抗较大,同时,大电容还可以起到局部电荷池的作用,可以减少局部的干扰通过电源耦合出去;容量为0.001~0.1uf的电容,一般为陶瓷电容或云母电容,电感小,谐振频率高,对高频信号的阻抗较小,可以为高频干扰信号提供一条旁路,减少外界对该局部的耦合干扰,在电子电路中,去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用,电容所处的位置不同,称呼就不一样了.对于同一个电路来说,旁路(bypass)电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象,把前级携带的高频杂波滤除,而去耦(decoupling,也称退耦)电容是把输出信号的干扰作为滤除对象.在供电电源和地之间也经常连接去耦电容,它有三个方面的作用:一是作为本集成电路的蓄能电容;二是滤除该器件产生的高频噪声,切断其通过供电回路进行传播的通路;三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰.我来总结一下,旁路实际上就是给高频干扰提供一个到地的能量释放途径,不同的容值可以针对不同的频率干扰.所以一般旁路时常用一个大贴片加上一个小贴片并联使用.对于相同容量的电容的Q值我认为会影响旁路时高频干扰释放路径的阻抗,直接影响旁路的效果,对于旁路来说,希望在旁路作用时,电容的等效阻抗越小越好,这样更利于能量的排泄.数字电路输出信号电平转换过程中会产生很大的冲击电流,在供电线和电源内阻上产生较大的压降,使供电电压产生跳变,产生阻抗噪声(亦称开关噪声),形成干扰源.一、冲击电流的产生:(1)输出级控制正负逻辑输出的管子短时间同时导通,产生瞬态尖峰电流(2)受负载电容影响,输出逻辑由“0”转换至“1”时,由于对负载电容的充电而产生瞬态尖峰电流. 瞬态尖峰电流可达50ma,动作时间大约几ns至几十ns.二、降低冲击电流影响的措施:(1)降低供电电源内阻和供电线阻抗(2)匹配去耦电容三、何为去耦电容在ic(或电路)电源线端和地线端加接的电容称为去耦电容.四、去耦电容如何取值去耦电容取值一般为0.01~0.1uf,频率越高,去耦电容值越小.五、去耦电容的种类(1)独石 (2)玻璃釉 (3)瓷片 (4)钽六、去耦电容的放置去耦电容应放置于电源入口处,连线应尽可能短.旁路电容不是理论概念,而是一个经常使用的实用方法,在50 -- 60年代,这个词也就有它特有的含义,现在已不多用.电子管或者晶体管是需要偏置的,就是决定工作点的直流供电条件.例如电子管的栅极相对于阴极往往要求加有负压,为了在一个直流电源下工作,就在阴极对地串接一个电阻,利用板流形成阴极的对地正电位,而栅极直流接地,这种偏置技术叫做“自偏”,但是对(交流)信号而言,这同时又是一个负反馈,为了消除这个影响,就在这个电阻上并联一个足够大的点容,这就叫旁路电容.后来也有的资料把它引申使用于类似情况.去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声.数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF.这个电容的分布电感的典型值是5μH.0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于 10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用.1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些.每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右.最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感.要使用钽电容或聚碳酸酯电容.去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz取0.01μF.一般来说,容量为uf级的电容,象电解电容或钽电容,他的电感较大,谐振频率较小,对低频信号通过较好,而对高频信号,表现出较强的电感性,阻抗较大,同时,大电容还可以起到局部电荷池的作用,可以减少局部的干扰通过电源耦合出去;容量为0.001~0.1uf的电容,一般为陶瓷电容或云母电容,电感小,谐振频率高,对高频信号的阻抗较小,可以为高频干扰信号提供一条旁路,减少外界对该局部的耦合干扰旁路是把前级或电源携带的高频杂波或信号滤除;去藕是为保正输出端的稳定输出(主要是针对器件的工作)而设的“小水塘”,在其他大电流工作时保证电源的波动范围不会影响该电路的工作;补充一点就是所谓的藕合:是在前后级间传递信号而不互相影响各级静态工作点的元件有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播.去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件,以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地.在电子电路中,去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用,电容所处的位置不同,称呼就不一样了.很多电子产品中,电容器都是必不可少的电子元器件,它在电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等.由于电容器的类型和结构种类比较多,因此,使用者不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性,而且还必须了解在给定用途下各种元件的优缺点、机械或环境的限制条件等.本文介绍电容器的主要参数及应用,可供读者选择电容器种类时用.1、标称电容量(CR):电容器产品标出的电容量值.云母和陶瓷介质电容器的电容量较低(大约在5000pF以下);纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容量居中(大约在0005μF10μF);通常电解电容器的容量较大.这是一个粗略的分类法.2、类别温度范围:电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围,该范围取决于它相应类别的温度极限值,如上限类别温度、下限类别温度、额定温度(可以连续施加额定电压的最高环境温度)等.3、额定电压(UR):在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下,可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值.电容器应用在高压场合时,必须注意电晕的影响.电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的,它除了可以产生损坏设备的寄生信号外,还会导致电容器介质击穿.在交流或脉动条件下,电晕特别容易发生.对于所有的电容器,在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不的超过直流电压额定值.4、损耗角正切(tgδ):在规定频率的正弦电压下,电容器的损耗功率除以电容器的无功功率.这里需要解释一下,在实际应用中,电容器并不是一个纯电容,其内部还有等效电阻,它的简化等效电路如下图所示.图中C为电容器的实际电容量,Rs是电容器的串联等效电阻,Rp是介质的绝缘电阻,Ro是介质的吸收等效电阻.对于电子设备来说,要求Rs愈小愈好,也就是说要求损耗功率小,其与电容的功率的夹角δ要小.这个关系用下式来表达: tgδ=Rs/Xc=2πf×c×Rs 因此,在应用当中应注意选择这个参数,避免自身发热过大,以减少设备的失效性.5、电容器的温度特性:通常是以20℃基准温度的电容量与有关温度的电容量的百分比表示.补充:1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容).电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件.电容的特性主要是隔直流通交流.电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关.容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率,C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等.2、识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种.电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF).其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF数字表示法:一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数字是倍率.如:102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF3、电容容量误差表符号 F G J K L M允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%如:一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%.6使用寿命:电容器的使用寿命随温度的增加而减小.主要原因是温度加速化学反应而使介质随时间退化.7绝缘电阻:由于温升引起电子活动增加,因此温度升高将使绝缘电阻降低.电容器包括固定电容器和可变电容器两大类,其中固定电容器又可根据所使用的介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等;可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构.以下附表列出了常见电容器的字母符号.电容分类介绍名称:聚酯(涤纶)电容(CL)符号:电容量:40p--4u额定电压:63--630V主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路名称:聚苯乙烯电容(CB)符号:电容量:10p--1u额定电压:100V--30KV主要特点:稳定,低损耗,体积较大应用:对稳定性和损耗要求较高的电路名称:聚丙烯电容(CBB)符号:电容量:1000p--10u额定电压:63--2000V主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路名称:云母电容(CY)符号:电容量:10p--0.1u额定电压:100V--7kV主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路名称:高频瓷介电容(CC)符号:电容量:1--6800p额定电压:63--500V主要特点:高频损耗小,稳定性好应用:高频电路名称:低频瓷介电容(CT)符号:电容量:10p--4.7u额定电压:50V--100V主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差应用:要求不高的低频电路名称:玻璃釉电容(CI)符号:电容量:10p--0.1u额定电压:63--400V主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度) 应用:脉冲、耦合、旁路等电路名称:铝电解电容符号:电容量:0.47--10000u额定电压:6.3--450V主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等名称:钽电解电容(CA)铌电解电容(CN)符号:电容量:0.1--1000u额定电压:6.3--125V主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容应用:在要求高的电路中代替铝电解电容名称:空气介质可变电容器符号:可变电容量:100--1500p主要特点:损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用:电子仪器,广播电视设备等名称:薄膜介质可变电容器符号:可变电容量:15--550p主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大应用:通讯,广播接收机等名称:薄膜介质微调电容器符号:可变电容量:1--29p主要特点:损耗较大,体积小应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿名称:陶瓷介质微调电容器符号:可变电容量:0.3--22p主要特点:损耗较小,体积较小应用:精密调谐的高频振荡回路名称:独石电容最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了,我们做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了.独石电容的特点:电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定,耐高温耐湿性好等.应用范围:广泛应用于电子精密仪器.各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路.容量范围:0.5PF--1UF耐压:二倍额定电压.里面说独石又叫多层瓷介电容,分两种类型,1型性能挺好,但容量小,一般小于0.2U,另一种叫II型,容量大,但性能一般.就温漂而言:独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小. 就价格而言:钽,铌电容最贵,独石,CBB较便宜,瓷片最低,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵.云母电容Q值较高,也稍贵.。
耦合电容、滤波、旁路电容的作用
（在vcc引脚上通常并联一个去藕电容，这样交流分量就从这个电容接地。）
2）有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供
一 个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地
我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。
在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。
2.旁路电容和去耦电进入到配电网络中的RF能量。去耦电容还可以为器件 供局部化的DC电压源，它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。
旁路：从元件或电缆中转移出不想要的共模RF能量。这主要是通过产生AC旁路消除无意的能量进入敏感的部分，另外还可以提供基带滤波功能（带宽受限）。
如果微观来看，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高，
而器件VCC到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很高的情况下，
阻抗Z＝i*wL+R，线路的电感影响也会非常大，
会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。
而去耦电容可以弥补此不足。
而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作用，这是第二位的。
你可以把总电源看作密云水库，我们大楼内的家家户户都需要供水，
这时候，水不是直接来自于水库，那样距离太远了，
详解去耦电容与旁路电容
详解去耦电容与旁路电容从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。
如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。
这就是耦合。
去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。
旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提供一条低阻抗泄放途径。
高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u 等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。
旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。
这应该是他们的本质区别。
去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。
数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。
这个电容的分布电感的典型值是5μH。
0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。
1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。
每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。
最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。
要使用钽电容或聚碳酸酯电容。
去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。
分布电容是指由非形态电容形成的一种分布参数。
一般是指在印制板或其他形态的电路形式，在线与线之间、印制板的上下层之间形成的电容。
去耦电容、旁路电容作用
滤波电容、去耦电容、旁路电容作用滤波电容用在电源整流电路中，用来滤除交流成分。
使输出的直流更平滑。
去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。
旁路电容用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。
1.关于去耦电容蓄能作用的理解1）去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射。
而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作用，这是第二位的。
（在vcc引脚上通常并联一个去藕电容，这样交流分量就从这个电容接地。
）2）有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。
去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。
2.旁路电容和去耦电容的区别去耦：去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF能量。
去耦电容还可以为器件提供局部化的DC电压源，它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。
旁路：从元件或电缆中转移出不想要的共模RF能量。
这主要是通过产生AC旁路消除无意的能量进入敏感的部分，另外还可以提供基带滤波功能（带宽受限）。
我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。
在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。
对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。
3.在一个大的电容上还并联一个小电容的原因大电容由于容量大，所以体积一般也比较大，且通常使用多层卷绕的方式制作，这就导致了大电容的分布电感比较大（也叫等效串联电感，英文简称ESL）。
大家知道，电感对高频信号的阻抗是很大的，所以，大电容的高频性能不好。
旁路电容去耦电容滤波电容
旁路电容去耦电容滤波电容以旁路电容去耦电容滤波电容为标题，我们将详细探讨这三个概念，并分析它们在电路中的作用和应用。
一、旁路电容旁路电容是指将电容器连接在电路元件的两端，以提供低阻抗路径，使高频信号能够绕过被旁路的元件。
旁路电容常用于滤波电路中，用于消除噪声和干扰信号。
在滤波电路中，当信号通过电容器时，低频信号会被阻碍，而高频信号则能够通过。
这是因为电容器对于低频信号具有较高的阻抗，而对于高频信号则具有较低的阻抗。
因此，通过选择合适的电容值，我们可以将高频噪声和干扰信号旁路到地，从而实现滤波的效果。
二、去耦电容去耦电容是指将电容器连接在电路的两个节点之间，用于去除电路中的直流偏置，并提供低阻抗路径，使交流信号能够通过。
去耦电容常用于放大器、集成电路等电路中，用于提高信号的质量和稳定性。
在放大器电路中，当音频信号经过放大器放大后，输出信号存在直流偏置。
这会导致输出信号偏离原始信号，并降低信号的质量。
为了去除这种直流偏置，我们可以将去耦电容连接到放大器的输入和输出端，通过选择合适的电容值，实现去耦的效果。
去耦电容能够提供低阻抗路径，使交流信号能够通过，而直流信号则被阻隔。
三、滤波电容滤波电容是指将电容器连接在电路中，用于滤除电路中的杂散信号。
滤波电容常用于电源滤波电路中，用于平滑电源电压，提供稳定的直流电压。
在电源滤波电路中，电容器被连接在电源电压的输入端和地之间。
当输入电源的直流电压存在波动时，滤波电容可以通过充电和放电的过程，平滑电压波动，提供稳定的直流电压输出。
滤波电容对于低频信号具有较低的阻抗，而对于高频信号则具有较高的阻抗，从而实现对高频杂散信号的滤除。
旁路电容、去耦电容和滤波电容在电路中具有不同的作用和应用。
旁路电容用于滤除噪声和干扰信号；去耦电容用于去除直流偏置，并提供低阻抗路径；滤波电容用于平滑电源电压，提供稳定的直流电压输出。
合理选择和应用这些电容器，可以提高电路的性能和稳定性，有效改善信号质量。
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ω0 CERERrbe CCE 1 RE(R+rbe)+Rri=D(ω0 )
设 ω=ω1 时
R+rbe
+(1 +hfe)RE ω1 C1
=D(ω0 )
R+rbe +(1 +hfe)RE
ω0 C1
则
44
常州工学院学报
2008 年
ω1 ω0 ωE, fl f0 fE 因此 , 当 f>fE时 , D(ω)≈jωCERERrbe, D(ω) 的幅频特性以十倍频 20 dB的上升 。 当 f<fl时 , D(ω)≈R+rbe +jω(C11+hfe)RE, D(ω) 的幅频特性以十倍频 20 dB的上升 。 当 fl<f<fE时 , D(ω)≈C CE1 RE(R+rbe)+Rri, D(ω) 的幅频特性为一常数 。 因 为 20lg A2 =20lg N(ω) -20lg D(ω) , 所以 A2 的幅频特性渐近线波特图如图 3中的渐近线 4所示 , 为 渐近线 2 与渐近线 3之 差 。由于 f1 f0 fE, 所以转折频率 fE对下限频率 fl作用很大 , 而转折频率 f1 以及 f0 对下限频率 fl 作用很小 , 基本上可以不计 。
虑到一 般总有
1
rbe +hfe
RC +RL, 所 以 , 此 时 fl≈
fE。可见 CE对该电路下限频率的影响最大 。 尽
可能增大 CE, 能显著地降低该电路的下限频率 。
(c)即使 CE比 C1 、C2 大 100倍 , 因为三极管
的电流放大系数 hfe比较大 , CE 对该电路下限频
率的影响仍不可忽略 。
[参考文献 ]
[ 1] 华成英 , 童诗白 .模拟 电子技术 基础 [ M] .4 版 .北京 :高等教 育出版社 , 2006:220 -245.
[ 2] 傅丰林 .模拟电子线路基础 [ M] .西安 :西 安电子科 技大学出 版社 , 2001:56 -67.
[ 3] (美 )HambleyAR.电子技术基础 [ M] .李春 茂 .英文改编版 . 北京 :电子工业出版社 , 2005:271 -313.
图 2 低频等效电路
1 波特图分析
该电路的输出回路与输入回路通过 Ib相联
系 , 其中耦合 电容 C1 与旁 路电容 CE 对 Ib 有影
响 , 但 C2 对 Ib无影响 。 可以把电压放大倍数 Au
分解为 A1 、A2 两部分 。
A1
=UIbo
=-hfeIbRC
RC +RL +(jωC2 )-1
D(ω)的幅频特性渐近线波特图如图 3中的 渐近线 3所示 。
1 2πC1
rbe,
设电路
中没有
C1 时 (把
C1 短 路 ),
fE =fE2 = 21π+CEhrfebe。 当 C1 、 CE 共 同 作 用 时 ,
fE =fE1 +fE2 ≥max(fE1 , fE2 )。
一般总有
rbe 所以
R,
A StudyonCouplingandBypassCapacitors
ZUOQuan-sheng
(SchoolofElectronicInformation＆ ElectricEngineering, ChangzhouInstituteofTechnology, Changzhou213002)
文章编号 :1671 -0436(2008)04 -0042 -03
0 引言
文章针对耦合电容 C1 、C2 与旁路电容 CE对电路 下限频率 fl的影响进行探讨 。
图 1为分压式偏置电流负反馈放大电路 , 因
其静态工作点稳定性能好 , 在工程上被广泛应用 。
图 1 分压式偏置电流负反馈放大电路
图 2 是其低 频等效 电路 , 其中 R=R1 //R2 。 耦合电容 C1 、C2 与旁路电容 CE 对于电路下限频 率 fl的 影响 , 各 个文 献的说 法并 不 一致 。 文献 [ 1]认为 :旁路电容 CE与耦合电容 C1 、C2 对于电 路下限频率 fl的影响可以分别独立计算 , 用公式
于电路下限 频率 fl的 影响 是独 立的 , 但 旁路电 容 CE与耦合电容 C1 对于 电路下限频率 fl的影 响是相关的 。 因为 f1 f0 fE, 旁路电容 CE与耦 合电容 C1 对于电路下限频率 fl的影响基本上由 fE决定 。 整个电路的 下限频率 可以表 示为 fl≈
1.1 f2E +f22 。
Keywords:Bodeplot;breakfrequency;lowerhalf-powerfrequency;low-frequencyasymptote 责任编辑 :张秀兰
1
rbe +hfe
RE //
R 1 +hfe
2 D(ω)的幅 频 特性 渐 近 线波 特 图 的转折频率分析
设 ω=ω0时 , D(ω)取得最小值 。 D(ω)min =D(ω0 )=C CE 1 RE(R+rbe)+Rri
ω0 =
1
C1 rbeCERE //
R 1 +hfe
1 C1 rbeCE
第 21卷第 4期 2008年 8月
常 州 工学 院 学报
JournalofChangzhouInstituteofTechnology
Vol.21 No.4 Aug.2008
耦合电容和旁路电容作用的探讨
左全生
(常州工学院电子信息与电气工程学院 , 江苏 常州 213002)
摘要 :针对耦合电容和旁路电容在电路中的作用进行了分析和探讨 , 使用波特图法 , 可知电容耦合
1
rbe =2π +hfe
fE1 fE2
则
ω20 =R+rCbe1 C+E(R1E+Rrhbf ee)RE
一般总有 R rbe, 所以
ω20 ≈
R+(1 +hfe)RE C1 CERERrbe
=
1
C1 CE· RE //
R 1 +hfe
rbe
设 ω=ωE时 , 有
即 f0 =2ωπ0
fE1 fE2 ≤max(fE1 , fE2 )≤fE。
ωECERERrbe =CCE 1)
折频率为 f3 =2π(R1ECE)。
则
ωE
=RC1+Rrrbbee
+rbe
+(1 +hfe)RE CERErbe
一般总有 R rbe, (1 +hfe)RE
ωE≈
1 C1 rbe
+1C+Erhbf ee
fE≈2πC11 rbe +21π+CEhf rebe
rbe, 所以
显然 , ωE ω3 , ωE =2πfE, ω3 =2πf3 即 fE f3 。 设电路中没有 CE时 (把 CE 短路 ), fE =fE1 =
图 3 幅频特性渐近线波特图
当 f<f3 时 , N(ω)=R;当 f>f3 时 , N(ω)的幅 频特性以十倍频 20 dB的上升 。
A2 的分母 D(ω)=Rjω+Cr1i+C CE1 RE(R+rbe)+ Rri+jωCERERrbe
(a)fl =1.1 f2E +f22 =1.1 (fE1 +fE2 )2 +f22 。
而不是文献 [ 1]所说的 fl =1.1 f2E1 +f2E2 +f22 , 也不
是文献[ 3]中所说的 fl=fE1 +fE2 +f2 。
(b)当 C1 =C2 =CE时 , fE≈fE2 =21π+CEhf rebe, 考
Ib
RL
=
-hfe· RC / /RL
1 +jωC2 (R1C +RL)
A1 的幅频特性渐近线波特图如图 3 中的渐
近线 1所示 , 其转折频率为
收稿日期 :2008 06 11
第 4期
左全生 :耦合电容和旁路电容作用的探讨
43
f2 =2π(RC
1 +RL)C2
当 f>f2 时 , A1 =-hfe· RC / /RL;当 f<f2 时 ,
Abstract:ByBode-plottechniques, eachcouplingcapacitorinanRC-coupledamplifiercontributesa 20 dB-per-decadeingainatlow frequencies.Thebreakfrequencyforeachcapacitorisfbreak =1/ (2πRC), whereRisthetotalequivalentresistanceinserieswiththecapacitor.Identically, bypasscapacitors causethegainsofcommon-emitterorcommon-sourceamplifierstodeclineatlowfrequencies.Thebreak frequencyatwhichthegainbeginstofallisgivenbyfbreak=1/(2πRC), whereRistheresistance“seen” by thebypasscapacitor.Finally, thispaperestimatesthelowerhalf-powerfrequencybyfindingthebreakfrequencyforeachcouplingandbypasscapacitors.