康华光《电子技术基础-模拟部分》(第5版)配套题库【课后习题-模拟集成电路】【圣才出品】
康光华电子技术基础(模拟部分)第五版习题选解
1.2.1解：正弦波电压表达式为)sin()(θω+=t V t v m ，由于0=θ，于是得 （1）))(102sin(5)(4V t t v π⨯= （2）))(100sin(2220)(V t t v π= （3）))(2000sin(05.0)(V t t v π= （4）))(1000sin(125.0)(V t t v = 1.2.2解：（1）方波信号在电阻上的耗散功率RV dt TRV dt R t v T P S TS T S 2)(1220202===⎰⎰（2）可知直流分量、基波分量、三次谐波分量分别为2S V 、πS V 2、π32S V，所以他们在电阻上的耗散功率为直流分量：R V R V P S S O 4/222=⎪⎭⎫⎝⎛=基波分量：R V R V P S S22212/212ππ=⎪⎭⎫ ⎝⎛∙=三次谐波分量：R V R V P S S222392/2132ππ=⎪⎭⎫ ⎝⎛∙= （3）三个分量占电阻上总耗散功率的百分比： 前三者之和为：RV R V R V R V P P P P S S S S 2222223103~0475.09224≈++==++=ππ所占百分比：%95%1002//475.0%100)/(223~0=⨯≈⨯R V RV P P S S S 1.4.1解：由图可知，i vo LO Lo i s i i s v A R R R v R R R v v ∙+=+=),(，所以（1）O L S i R R R R 10,10==时，i i s i i s v R R R v v 1011)(=+=， i i vo L O L o v v A R R R v 101110⨯=∙+=，则源电压增益为26.810/1111/100≈==i i s o vs v v v v A 。
同理可得 （2）5.225===iis o vs v v v v A （3）0826.01111/10≈==i i s o vs v v v v A （4）826.010/1111/10≈==i i s o vs v v v v A 1.5.1解：电压增益 200005.01===VV v v A i o v dB A v 46200lg 20lg 20≈=电流增益 1001052000/16=⨯Ω==-AV i i A i o i dB A i 40100lg 20lg 20≈=功率增益 ()200001051052000/1632=⨯⨯⨯Ω==--AV V P P A i o p dB A p 4320000lg 10lg 10≈= 1.5.2解：设负载开路时输出电压为'o v ，负载电阻Ω=k R L 1时输出电压为o v ，根据题意 ()''8.0%201o o o v v v =-= 而 ()L O L oo R R R v v +=//'则 ()()Ω=Ω⨯⨯-=-=25010118.0/11/3'L oo O R v v R1.5.3解：设'o v 为负载电阻断开时的输出电压，即V v o 1.1'=；负载电阻Ω=k R L 1时，输出电压V v o 1=。
电子技术基础-模拟部分(第五版)康华光-课后答案
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电子技术基础模拟部分
第五版
主编 康华光
高等教育出版社
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湖南人文科技学院
田汉平
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康华光《电子技术基础-模拟部分》(第5版)配套模拟试题及详解(一)【圣才出品】
康华光《电子技术基础-模拟部分》（第5版）配套模拟试题及详解（一）一、选择题（15×2，共,30分）1．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（）。
A ．19kΩB ．2kΩC ．4kΩD ．3kΩ【答案】C【解析】输出电压为原输出电压的34，所以分压电阻值为原电阻值的34，即1231244k k k Ω=Ω+Ω2．图1电路工作于放大状态，为了使静态工作点I CQ 增大，应该（）。
A ．减小电阻R 和电容CB ．换成β大的管子C ．增大电阻R E 的阻值D ．减小R B1阻值图1【答案】D【解析】电路是一个典型的利用直流电流串联负反馈稳定静态工作点的三极管分压式偏置电路。
由于i C≈i E，则由上述公式可以看出在题目给出的4个选项中，只有D项能满足题目的要求。
3．和TTL电路相比CMOS电路最突出的优势在（）。
A．可靠性高B．抗干扰能力强C．速度快D．功耗低【答案】D【解析】TTL电路以速度见长，CMOS以功耗低而著名。
4．单端输出的差分放大器，能够抑制零点漂移，原因是（）。
A．电路参数的对称性B．采用了正负两个直流电源供电C．射级电阻R EE（或恒流源动态电阻）的差模负反馈作用D．射级电阻R EE（或恒流源动态电阻）的共模负反馈作用【答案】A【解析】在差分电路中，无论是温度变化，还是电源电压的波动都会引起两管集电极电流以及相应的集电极电压相同的变化，其效果相当于在两个输入端加入了共模信号，由于电路的对称性和恒流源偏置，在理想情况下，可以使输出电压不变，从而抑制零点漂移。
5．由理想运放构成如图2所示电路，试判断电阻R f反馈的类型属于（）。
图2A．串联电压负反馈B．串联电流负反馈C．并联电压负反馈D．并联电流负反馈【答案】A【解析】利用瞬时极性法。
输入为正，输出也为正，反馈电压也为正，使运放的输入减小，所以为负反馈。
康光华《电子技术基础-模拟部分》(第5版)笔记和课后习题(模拟集成电路)【圣才出品】
在电路中，当电源电压VCC 和 VEE 发生变化时， IREF 以及 VBE 也将发生变化，由于
Re的值一般为数千欧，使 IC2 的变化远小于 IREF 的变化，因此，电源电压波动对工作电流
IC2 的影响不大。同时，T0对T1有温度补偿作用，所以 IC1 的温度稳定性也较好。
- VEE
图6-2 微电流源
IIB (IBN IBP ) / 2
输入偏置电流的大小，在电路外接电阻确定之后，主要取决于运放差分输入级BJT的
性能，当它的β值太小时，将引起偏置电流增加。
3．输入失调电流
当输入电压为零时，流入放大器两个输入端的静态基极电流之差称为输入失调电流
IIO：
4．温度漂移
由于温度变化引起的输出电压产生的漂移，通常把温度升高一度输出漂移折合到输入
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第 6 章 模拟集成电路
6.1 复习笔记
一、集成电路中的直流偏置技术
所谓电流源是指电流恒定的电源。电流源电路直流电阻小，交流电阻大，具有温度补
偿作用。它除了可为电路提供稳定的直流偏置外，还可以作为放大电路的有源负载以获得
W4 W1
/ /
L4 L1
I REF
电流源的基准电流为
I REF I D0 Kn0 (VGS 0 VT 0 )2
（3）JFET 电流源
图 6-4 MOSFET 多路电流源
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台
如图 6-5（a）所示，如将 N 沟道结型场效应管的栅极直接与源极相连，则可得到简
射极耦合差分式放大电路对共模信号有相当强的抑制能力，但它的差模输入阻抗很低。 （2）带有源负载的射极耦合差分式放大电路
康华光《电子技术基础-模拟部分》(第5版)配套题库【章节题库-模拟集成电路】【圣才出品】
由于电路的镜像关系，可得
所以
IC3
R2 R3
I R1
1.13mA
IE2
I E1
1 2
IC3
0.57mA
即
IC 2 IC1 IE 2 IE1 0.57mA
由差分电路知
UCEQ1 VCC IC1RC UBE1 (12 0.57 10 0.7)V 7V
UCEQ2 VCC U BE2 (12 0.7)V 12.7V 。
2．差分放大器是一种直接耦合放大器，它（ ）。 A．只能放大直流信号 B．只能放大交流信号 C．不能放大交流信号 D．可以抑制共模信号 【答案】Ｄ 【解析】差分放大电路又两个电路结构、参数均相同的单管放大电路组合，具有稳定的 电流偏置和很强的抑制共模信号的能力。
3．集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ ）。 A．可获得很大的放大倍数
差模输入电阻为
Rid 2(Rb1 rbe1) 10K
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输出电阻为
Rod Rc 10K 。
（4）共模电压放大倍数为
Auc1
U o1 U ic
Rb1
(Rc rbe1
/ /RL ) 2(1 )
Rw 2
二、选择题 1．单端输出的差分放大器，能够抑制零点漂移，原因是（ ）。 A．电路参数的对称性 B．采用了正负两个直流电源供电 C．射级电阻 REE（或恒流源动态电阻）的差模负反馈作用 D．射级电阻 REE（或恒流源动态电阻）的共模负反馈作用 【答案】A 【解析】在差分电路中，无论是温度变化，还是电源电压的波动都会引起两管集电极电 流以及相应的集电极电压相同的变化，其效果相当于在两个输入端加入了共模信号（两个输 入电压大小相等，极性相同），变化相互抵消，由于电路的对称性和恒流源偏置，在理想情 况下，可以使输出电压不变，从而起到抑制零点漂移的作用。将两个电路结构、参数均相同 的单管放大电路组合在一起，就构成了差分放大电路的基本形式。差分式放大电路具有稳定 的电流偏置和很强的抑制共模信号的能力。
康华光《电子技术基础-模拟部分》(第5版)配套模拟试题及详解(二)【圣才出品】
12．在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ ），则说明引入的反馈是负反馈。 A．输入电阻增大 B．输出量增大 C．净输入量增大 D．净输入量减小 【答案】D 【解析】根据反馈的效果可以区分反馈的极性，使放大电路净输入量减小的反馈称为负 反馈，反之为正反馈。
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A．ICEO＝ICEO2
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B．ICEO＝ICEO1＋ICEO2
C．ICEO＝ICEO1
D．I析】T1 的射级为 T2 的基极，若 T1 穿透电流为 ICEO1，则 T2 的射极电流应达到（1＋ β2）ICEO1，所以复合管穿透电流为 ICEO2 ＋（1＋β2）ICEO1
4．在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常 工作在（ ）。
A．开环或正反馈状态 B．深度负反馈状态 C．放大状态 D．线性工作状态 【答案】A
5．功率放大电路中，最大输出功率是指输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，
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负载上可获得的最大（ ）。 A．交流功率 B．直流功率 C．平均功率 D．交、直流功率之和。 【答案】A 6．LC 正弦波振荡电路如图 2 所示（ ）。 A．该电路满足振荡条件能产生正弦波振荡 B．该电路由于无选频网络，不能产生正弦波振荡 C．该电路由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 D．该电路由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡
13．LC 正弦波振荡电路如图 3 所示，该电路（ ）。 A．由于无选频网络不能产生正弦波振荡 B．由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 C．满足振荡条件能产生正弦波振荡
《电子技术基础》康华光第五版模电课后问答题答案
第二章运算放大器2.1 集成电路运算放大器2.1.1答；通常由输入级，中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能。
中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo 很大，直线几乎成垂直直线。
非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。
理想情况下输出电压+Vom=V+,-Vom=V-。
2.1.3答：集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。
2.2 理想运算放大器2.2.1答：将集成运放的参数理想化的条件是：1.输入电阻很高，接近无穷大。
2.输出电阻很小，接近零。
3.运放的开环电压增益很大。
2.2.2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。
2.3 基本线性运放电路2.3.1答:1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp，使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。
2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间，同相端接地。
由虚短的概念可知，Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。
虚短和虚地概念的不同：虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零。
2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值，Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo 变小了，电压增益Av=Vo/Vi变小了。
由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。
康华光《电子技术基础-模拟部分》（第5版）笔记和课后习题（含考研真题）..
目 录第1章 绪 论1.1 复习笔记1.2 课后习题详解1.3 名校考研真题详解第2章 运算放大器2.1 复习笔记2.2 课后习题详解2.3 名校考研真题详解第3章 二极管及其基本电路3.1 复习笔记3.2 课后习题详解3.3 名校考研真题详解第4章 双极结型三极管及放大电路基础4.1 复习笔记4.2 课后习题详解4.3 名校考研真题详解第5章 场效应管放大电路5.1 复习笔记5.2 课后习题详解5.3 名校考研真题详解第6章 模拟集成电路6.1 复习笔记6.2 课后习题详解6.3 名校考研真题详解第7章 反馈放大电路7.1 复习笔记7.2 课后习题详解7.3 名校考研真题详解第8章 功率放大电路8.1 复习笔记8.2 课后习题详解8.3 名校考研真题详解第9章 信号处理与信号产生电路9.1 复习笔记9.2 课后习题详解9.3 名校考研真题详解第10章 直流稳压电源10.1 复习笔记10.2 课后习题详解10.3 名校考研真题详解第11章 电子电路的计算机辅助分析与设计第1章 绪 论1.1 复习笔记一、电子系统与信号电子系统指若干相互连接、相互作用的基本电路组成的具有特定功能的电路整体。
信号是信息的载体，按照时间和幅值的连续性及离散性可把信号分成4类：①时间连续、数值连续信号，即模拟信号；②时间离散、数值连续信号；③时间连续、数值离散信号；④时间离散、数值离散信号，即数字信号。
二、信号的频谱任意满足狄利克雷条件的周期函数都可展开成傅里叶级数(含有直流分量、基波、高次谐波)，从这种周期函数中可以取出所需要的频率信号，过滤掉不需要的频率信号，也可以过滤掉某些频率信号，保留其它频率信号。
幅度频谱：各频率分量的振幅随频率变化的分布。
相位频谱：各频率分量的相位随频率变化的分布。
三、放大电路模型信号放大电路是最基本的模拟信号处理电路，所谓放大作用，其放大的对象是变化量，本质是实现信号的能量控制。
放大电路有以下4种类型：1．电压放大电路电路的电压增益为考虑信号源内阻的电压增益为2．电流放大电路电路的电流增益为考虑信号源内阻的电压增益为3．互阻放大电路电路的互阻增益为4．互导放大电路电路的互导增益为四、放大电路的主要性能指标1输入电阻：输入电压与输入电流的比值，即对输入为电压信号的放大电路，R i越大越好；对输入为电流信号的放大电路，R i越小越好。
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第4章双极结型三极管及放大电路基础4.1BJT 4.1.1测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的对地电位分别为V A ＝－9V ，V B ＝－6V ，V C ＝－6.2V ，试分析A 、B 、C 中哪个是基极b 、发射极e 、集电极c ，并说明此BJT 是NPN 管还是PNP 管。
解：因为，所以电极A 为集电极c ，又集电极电压最小，因此，该BJT 为PNP管。
PNP中，由可知，电极B 为发射极e ，电极C 为基极b 。
4.1.2某放大电路中BJT 三个电极A 、B 、C 的电流如图4-1所示，用万用表直流电流挡测得I A ＝－2mA ，I B ＝－0.04mA ，I C ＝＋2.04mA ，试分析A 、B 、C 中哪个是基极b 、发射极e 、集电极c ，并说明此管是NPN 还是PNP 管，它的_β＝?图4-1解：因为A B C I I I +=，且B I 最小，所以A 为集电极c ，B 为基极b ，C 为发射极e 。
又根据电流方向，发射极流出管子且为正值，因此，该BJT 为NPN 管。
其中，250004c b I mA I .mAβ-===。
4.1.3某BJT 的极限参数I CM ＝100mA ，P CM ＝150mW ，V （BR ）CEO ＝30V ，若它的工作电压V CE ＝10V ，则工作电流I C 不得超过多大?若工作电流，I C ＝1mA ，则工作电压的极限值应为多少?解：（1）由1501001510CM C CM C CE P mW I I mA,I mA V V ≤=≤==且，得15C I mA ≤。
因此，工作电流I C 不得超过15mA 。
（2）由()150301501CM CE CE BR CEO CP mW V V V ,V V I mA≤=≤==且，得30CE V V ≤。
因此，工作电压的极限值为30V 。
4.2基本共射极放大电路4.2.1试分析图4-2所示各电路对正弦交流信号有无放大作用，并简述理由（设各电容的容抗可忽略）。
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图 2-2
解：（1）放大器 A2： vO2
vp2
vn2
R1 RW
vO
放大器 A1： vi1 vn1 vn1 vn2
R
Rf
vn1
vp1
Rf R Rf
vi 2
由式①②③得：
vO
10
Rw R1
vi 2
vi1
。
① ② ③
（ 2 ） 当 Rw 的 滑 动 端 在 最 上 端 时 ， 若 Vi1=1O mV ， Vi2=20 mV ， 则
图 2-6
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解：（1）图 2-6（a）为反相放大器；图 2-6（b）为同相放大器；图 2-6（c）为同相简 单电压比较器；图 2-6（d）为同相型迟滞比较器。
（2）传输特性如图 2-7 所示 （3）传输特性和电路的输出波形如图 2-7 所示。
故 由 A3 组成的第二级差分电路，在 A3 输入端也形成虚短和虚断，因而有
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故
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所以并联差动放大器电路的电压增益为
5．在图 2-5 所示的放大电路中，已知 Rl=R2=R5=R7=R8=10 kΩ，R6=R9=R10=20 kΩ。 （1）试问 R3 和 R4 分别应选用多大的电阻； （2）列出 uO1、uO2 和 uO 的表达式； （3）设 ui1=0.3 V，ui2=0.1 V，则输出电压 uO=?[中科院 2004 研]
二、分析计算题 1．已知 A 为理想运放，推导出图 2-1 所示电路的放大电路的增益。[北京大学 2000 研]
图 2-1 解：电路为反相输入高阻抗比例运算电路。 由理想运算放大器 u+＝u-＝0 可得，P 点的节点电流方程为
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第7章反馈放大电路7.1反馈的基本概念7.1.1在图7-1所示的各电路中，哪些元件组成了级间反馈通路?它们所引入的反馈是正反馈还是负反馈?是直流反馈还是交流反馈（设各电路中电容的容抗对交流信号均可忽略）?图7-1解：图（a）中由电阻2R引入负反馈，交、直流反馈均有；图（b）中由1e R引入负反馈，交、直流反馈均有，由1f R、2f R引入直流反馈；图（c）中由f R、2e R引入负反馈，交、直流反馈均有；图（d）中由1R、2R引入负反馈，交、直流反馈均有；图（e）中由3R、2A引入负反馈，交、直流反馈均有；图（f）中由6R引入负反馈，交、直流反馈均有。
7.1.2试判断图7-1所示各电路中级间交流反馈的组态。
解：将放大电路交流通路输出短路，若反馈不起作用，则该电路为电压反馈，否则为电流反馈；若反馈信号与输入信号在输入回路以电压相加减的形式出现，则该电路为串联反馈，在输入节点以电流相加减的形式出现，则该电路为并联反馈。
图（a）中由电阻2R引入电压并联负反馈；图（b）中由1e R引入电流串联负反馈；图（c）中由f R、2e R引入电流并联负反馈；图（d）中由1R、R2引入电压串联负反馈；图（e）中由3R、A2引入电压并联负反馈；图（f）中由6R引入电流串联负反馈。
7.1.3在图7-2所示的两电路中，从反馈的效果来考虑，对信号源内阻R s的大小有何要求?图7-2解：图（a）引入串联负反馈，故从反馈的效果考虑，信号源内阻Rs越小越好；图（b）引入并联负反馈，故从反馈的效果考虑，信号源内阻Rs越大越好。
7.2负反馈放大电路的四种组态7.2.1电路如图7-3所示。
（1）分别说明由R f1、R f2引入的两路反馈的类型及各自的主要作用；（2）指出这两路反馈在影响该放大电路性能方面可能出现的矛盾是什么?（3）为了消除上述可能出现的矛盾，有人提出将R f2断开，此办法是否可行?为什么?你认为怎样才能消除这个矛盾?图7-3解：（1）1f R在第一、三级间引入交、直流负反馈，直流负反馈能稳定前三级的静态工作点，其中交流反馈为电流串联负反馈，可稳定第三级的输出电流，同时提高T1的输入电阻；R在第一、四级间引入交、直流负反馈，其中直流负反馈为T1提供偏置，且稳定各2f级的静态工作点，而其交流反馈为电压并联负反馈，可稳定该电路的输出电压，同时降低了T1的输入电阻。
电子技术基础(模拟部分)第五版_第6章_康华光
(3)用电流源做有源负载，可获得增益高、 动态范围大的特性。
(4)用电流源给电容充电，以获得线性电压输出。
(5)电流源还可单独制成稳流电源使用。
(6)在模拟集成电路中，常用的电流源电路有： 镜象电流源、精密电流源、 微电流源、多路电流源等。
IC=0 IC 0 VCC=0 VBB
T
VBB
6.2 差分式放大电路
6.2.0 概述
直接耦合放大电路 零点漂移
差分式放大电路中的一般概念
6.2.1 射级耦合差分式放大电路
电路组成及工作原理 主要指标计算 抑制零点漂移原理 几种方式指标比较
6.2.2 FET差分式放大电路 6.2.3 差分式放大电路的传输特性
集成电路的优点
• 有体积小、功耗小、功能强、可靠 性好的优点，故得到发展。
• 最早源于航天技术的启示和应用。
6.1 模拟集成电路中的 直流偏置技术
BJT电流源
FET电流源
电 流 源 概 述
(1)电流源电路是一个电流负反馈电路， 并利用PN结的温度特性，对电流源电路进行温度补偿， 以减小温度对电流的影响。
4. 多路电流源
R
VCC
组成
IREF
T0
IC T ∑IB T1
IC1
IC2
IC3
公式推导
IC=IREF - ∑ IB/β
T2
Re2 Re3
T3
Re
Re1
当β较大时 IC=IREF 由于各管的β， VBE相同，则 IERE≈IREFRE=IE1RE1=IE2RE2=IE3RE3 所以 IC1≈IE1=IREFRE/RE1 IC2≈IE2=IREFRE/RE2 IC3≈IE3=IREFRE/RE3
康华光《电子技术基础-模拟部分》(第5版)配套题库【课后习题-二极管及其基本电路】【圣才出品】
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图 3-5
解：（1）二极管恒导通，在恒压降模型情形下，有 vo 2VD 1.4 V 。
则电路中的电流为
（2）小信号模型等效电路如图 3-6 所示，小信号模型中， 阻为
。 ，二极管的微变电
。 由图 3-6 可知， 故
即有 VB＞VA，所以 D 截止。 图（c），根据分压公式，有
即有 VB＜VA，所以 D 正偏导通。
3.4.7 二极管电路如图 3-10（a）所示，设输入电压 vI（t）波形如图 3-10（b）所示， 在 0＜t＜5 ms 的时间间隔内，试绘出 vo（t）的波形，设二极管是理想的。
图 3-10
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第 3 章 二极管及其基本电路
3.2 PN 结的形成及特性
3.2.1 在室温（300 K）情况下，若二极管的反向饱和电流为 1 nA，问它的正向电流为
因此，输出电压 vo 的变化范围为 1.394 V～1.406 V。
图 3-6
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3.4.4 在图 3-5 的基础上，输出端外接一负载 RL＝1 kΩ时，问输出电压的变化范围是多
少?
解：外接负载后，二极管中的直流电流为： ID
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解 ： 当 输 入 电 压 v（I t） 6 V 时 ， 二 极 管 截 止 ， 输 出 电 压 vO 6 V ； 当 输 入 电 压
康光华电子技术基础(模拟部分)第五版习题选解资料
1.2.1解：正弦波电压表达式为)sin()(θω+=t V t v m ，由于0=θ，于是得 （1）))(102sin(5)(4V t t v π⨯= （2）))(100sin(2220)(V t t v π= （3）))(2000sin(05.0)(V t t v π= （4）))(1000sin(125.0)(V t t v = 1.2.2解：（1）方波信号在电阻上的耗散功率RV dt TRV dt R t v T P S TS T S 2)(1220202===⎰⎰（2）可知直流分量、基波分量、三次谐波分量分别为2S V 、πS V 2、π32S V，所以他们在电阻上的耗散功率为直流分量：R V R V P S S O 4/222=⎪⎭⎫⎝⎛=基波分量：R V R V P S S22212/212ππ=⎪⎭⎫ ⎝⎛•=三次谐波分量：R V R V P S S222392/2132ππ=⎪⎭⎫ ⎝⎛•= （3）三个分量占电阻上总耗散功率的百分比： 前三者之和为：RV R V R V R V P P P P S S S S 2222223103~0475.09224≈++==++=ππ所占百分比：%95%1002//475.0%100)/(223~0=⨯≈⨯R V RV P P S S S 1.4.1解：由图可知，i vo LO Lo i s i i s v A R R R v R R R v v •+=+=),(，所以（1）O L S i R R R R 10,10==时，i i s i i s v R R R v v 1011)(=+=， i i vo L O L o v v A R R R v 101110⨯=•+=，则源电压增益为26.810/1111/100≈==i i s o vs v v v v A 。
同理可得 （2）5.225===iis o vs v v v v A （3）0826.01111/10≈==i i s o vs v v v v A （4）826.010/1111/10≈==i i s o vs v v v v A 1.5.1解：电压增益 200005.01===VV v v A i o v dB A v 46200lg 20lg 20≈=电流增益 1001052000/16=⨯Ω==-AV i i A i o i dB A i 40100lg 20lg 20≈=功率增益 ()200001051052000/1632=⨯⨯⨯Ω==--AV V P P A i o p dB A p 4320000lg 10lg 10≈= 1.5.2解：设负载开路时输出电压为'o v ，负载电阻Ω=k R L 1时输出电压为o v ，根据题意 ()''8.0%201o o o v v v =-= 而 ()L O L oo R R R v v +=//'则 ()()Ω=Ω⨯⨯-=-=25010118.0/11/3'L oo O R v v R1.5.3解：设'o v 为负载电阻断开时的输出电压，即V v o 1.1'=；负载电阻Ω=k R L 1时，输出电压V v o 1=。
康华光《电子技术基础-模拟部分》(第5版)配套题库【章节题库-双极结型三极管及放大电路基础】【圣才出
fH
1 可知，要使 2 RC
fH 提高，则应使电容减小。
2．因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） 【答案】× 【解析】N 型半导体的多子是自由电子，电子漂移能力强，由于原子结构中还有原子核 带正电，在没有外界电流的参与下是不带电的，不能说 N 型半导体带负电。
三、选择题 1．下列电路，已知稳压管 D2 的稳定电压值 V2=4V，如图 4-2 所示，试判断该三极管处 于（ ）。 A．饱和区 B．放大区 C．截止区 D．已损坏
4.7 50
12A ，一般而言，三极管的β值在
50
到 200
之间，于是
有 IC＜2.4mA，从而有集电极反偏，假设成立，三极管处于放大区。
2．图 4-3 电路工作于放大状态，为了使静态工作点 ICQ 增大，应该（ ）。 A．减小电阻 R 和电容 C B．换成β大的管子 C．增大电阻 RE 的阻值 D．减小 RB1 阻值
4．对于图 4-4 所示的复合管，假设 ICEO1 和 ICEO2 分别表示 T1、T2 单管工作时的穿透电流， 则复合管的穿透电流 ICEO 为（ ）。
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图 4-4 A．ICEO=ICEO2 B．ICEO=ICEO1+ICEO2 C．ICEO=ICEO1 D．ICEO=ICEO2 +（1+β2）ICEO1 【答案】D 【解析】T1 的射级为 T2 的基极，若 T1 穿透电流为 ICEO1，则 T2 的射极电流应达到（1+β2） ICEO1，所以复合管穿透电流为 ICEO2 +（1+β2）ICEO1
3．在阻容耦合共射放大电路中，影响低频响应的主要因素是（ 的主要因素 。
康光华第5版答案电子技术基础(模拟部分)
第二章2.4.1电路如图题2.4.1所示。
（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压mA A VR v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=⨯=Ω⨯⨯-=-=-V V V V D O 4.17.022=⨯== （2）求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示，温度 T ＝300 K 。
Ω≈==02.36.826mA mV I V r D T d当r d1=r d2=r d 时，则mVV r R r V v d d DDO 6)02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω⨯⨯±=+∆=∆O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即1.406V ～1.394V 。
2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO 。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，V AO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有VV k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω=VV k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。
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故输出电压为 。
（3）单端输出时，差模电压增益为
则输出电压为 。
单端输出共模电压增益为
共模抑制比为：
。
（4）电路的差模输入电阻为
共模输入电阻为
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图 6-5
解：T1 的等效电路模型如图 6-6 所示。
电压增益：
由
，可得
所以
。
图 6-6 6.1.5 电流源电路如图 6-7 所示，VDD＝＋5 V，－Vss＝－5 V，T1～T5 为特性相同的 NMOS 管，VT＝2 V，Kn2＝Kn3＝Kn4＝Kn5＝0.25 mA／V2，Kn1＝0.10 mA／V2，λ＝0，求 IREF 和 I 值。
1
200
26mA
0.5mA
10.7k
双端输出时的电压增益为：
则单端输出时的差模电压增益为：
共模电压增益为
共模抑制比为：
。
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6.2.2 电路如图 6-9 所示，Rel＝Re2＝100 Ω，BJT 的β＝100，VBE＝0.6 V，电流源动态输 出电阻 rO＝100 kΩ。（1）当 vi1＝0.01 V、vi2＝－0.01 V 时，求输出电压 vO＝vo1－vo2 的值；（2） 当 c1、c2 间接入负载电阻 RL＝5.6 kΩ时，求 的值；（3）单端输出且 RL＝∞时，vo2＝?求 Avd2、Avc2 和 KCMR2 的值；（4）求电路的差模输入电阻 Rid、共模输入电阻 Ric 和不接 RL 时，单 端输出的输出电阻 Ro2。
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图 6-7 解：由图 6-7 可知，流过 T1 和 T2 管的电流为同一电流，故有
代入已知数据得： 解得： 对 T1、T2 管回路，由 KVL 得： 所以
，即
可得： 所以，参考电流为 又因为 T3、T4、T5 管与 T2 管特性对称，且 VGS3＝VGS4＝VGS5＝VGS2，所以有
图 6-1
解：T1、T2 组成镜像电流源电路，对 T3 进行偏置，由于 1，因此电流 Io 为
（1）若用 T1、T2 电流源电路对射极输出器进行偏置，则 输入电阻为： 输出电阻为：
（2）若采用电阻 Re3 对射极输出器偏置，则
输入电阻为： 输出电阻为：
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图 6-4 解：由电路图 6-4 可知， （1）对 P 沟道增强型绝缘栅场效应管
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代入已知数据得：
解得：
P 沟道增强型场效应管形成导电沟道
由图可知
，且
所以
，取
I3 I D3 1 mA
（2）对 N 沟道增强型场效应管
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第 6 章 模拟集成电路
6.1 模拟集成电路的直流偏置技术
6.1.1 电路如图 6-1 所示，用镜像电流源（T1、T2）对射极跟随器进行偏置。设β>>1， 求电流 IO 的值。若 rO（rce）＝100 kΩ，试比较该电路与分立元件电路的优点。设 Vcc＝VEE＝ 10 V，VBE＝0.6 V。
，
列出回路方程
可得：
①
由 KVL 列方程
② 将式①代入式②，得
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所以电流源的输出电阻为 。
图 6-3 6.1.3 电路如图 6-4 所示，NMOS 管的参数为：VT＝1 V，Kn＝50 μA／V2，λn＝0。PMOS 管的参数为：VT＝－1 V，KP＝25 μA／V2，λ＝0，设全部管子均运行于饱和区，试求 R、I3 和 I4 的值。各管的 W／L 值见图示。
。 6.2 差分式放大电路
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6.2.1 在图 6-8 所示的射极耦合差分式放大电路中，＋Vcc ＝＋10 V，－VEE ＝－10 V， IO ＝1 mA， ro ＝25 kΩ（电路中未画出）， Rc1 Rc2 ＝10 kΩ，BJT 的β＝200，VBE ＝0.7 V；
可见，该电路与分立元件电路相比，电路的输入电阻大，输出电阻小，具有稳定电流的 作用。
6.1.2 电路如图 6-2 所示，设 T1、T2 的特性完全相同，且 rce>>Re2， 电流源的输出电阻。
，求
图 6-2
解：微变等效电路如图 6-3 所示。假设在输出端加一电压源 ，产生电流
代入已知数据得：
N 沟道增强型场效应管形成导电沟道
由图可知
，且
所以
，故取
电阻 R 两端电压为： 故电阻 R 的阻值为：
I4 I D4 2mA
。
6.1.4 图 6-5 是由 PMOSFET T2、T3 组成镜像电流源作为有源负载，NMOSFET T1 构成共 源放大电路。当 rds1＝rds2＝2 MΩ，VT1＝1 V，导电系数 K＝100 μA／V2，IREF＝100μA，求 Av。
图 6-9
解：（1）因电路对称，故
I E1
IE2
1 2
Io
1mA
三极管的 BE 结电阻
rbe
rbb '
1
2
1mA
2.8k
当 vi1 0.01V 时，双端输出电压增益为
则输出电压为 。
（2）若 c1，c2 间接入负载电阻，则双端输出电压增益为
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（1）当 vi1 vi2 ＝0 时，求 IC、VCE1和VCE2；；（2）当 时的 Avd 和单端输出的 Avdl、Avc1 和 KCMRl 的值。
时，求双端输出
图 6-8
解：（1）当 vi1 vi2 0 时，静态分析
（2）三极管的 BE 结电阻
rbe
rbb‘
1
26mA IEQ( mA
)
200