物理学专业《电子技术》试卷A

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《光电子技术》期末考试试卷(A卷)

西南科技大学2009—2010学年第1学期《光电子技术》期末考试试卷（A卷）课程代码 1 6 3 1 4 0 3 6 0 命题单位理学院：应用物理教研室学院： ___ 班级: 姓名：学号： ___________一、选择题（20分，2分/题）1、光电子技术在当今信息时代的应用主要有（abcd ）A.信息通信B.宇宙探测C.军事国防D.灾害救援2、激光器的构成一般由（a ）组成A.激励能源、谐振腔和工作物质B.固体激光器、液体激光器和气体激光器C.半导体材料、金属半导体材料和PN结材料D. 电子、载流子和光子3、光波在大气中传播时，引起的能量衰减与（abcd ）有关A.分子及气溶胶的吸收和散射B.空气折射率不均匀C.光波与气体分子相互作用D.空气中分子组成和含量4、2009年10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖，提到光纤以SiO2为材料的主要是由于（ a ）A.传输损耗低B.可实现任何光传输C.不出现瑞利散射D.空间相干性好5、激光调制器主要有（abc ）A.电光调制器B.声光调制器C.磁光调制器D.压光调制器6、电光晶体的非线性电光效应主要与（ac ）有关A.外加电场B.激光波长C.晶体性质D.晶体折射率变化量7、激光调制按其调制的性质有（cd ）A.连续调制B.脉冲调制C.相位调制D.光强调制8、光电探测器有（abc ）A.光电导探测器B.光伏探测器C.光磁电探测器D.热电探测元件9、CCD 摄像器件的信息是靠（ b ）存储A.载流子B.电荷C.电子D.声子10、LCD显示器，可以分为（abcd ）A. TN型B. STN型C. TFT型D. DSTN型西南科技大学2009—2010学年第1学期《光电子技术》期末考试试卷（A）二、判断题（20分，2分/题，对用“√”、错用“×”标记）11、世界上第一台激光器是固体激光器。

( T )12、在辐射度学中，辐射能量Q是基本的能量单位，用J(焦耳)来度量。

理工大学物理工程学院电子科学与技术专业量子力学期末考试试卷及答案

、如果原子本身处于激发态，在没有外界光照时，也可能跃迁到某些较低能级而放出光来，（B）自发和受激吸收（C）光的吸收是可观测量，应为实数，表示力学量的算符必须是ˆx p μω+ˆx p μω-1=- （2）,a a a +⎡⎤⎣⎦,a a a a +++⎤=⎦（3）ˆH 、2题各15分，第3、,要求有具体计算步骤）的矩阵为： ⎤⎥理工大学教务处试题标准答案及评分标准用纸| 课程名称—量子力学—— （ A 卷） | 一、选择题（每题3分，共15分）装 1.B 2.C 3. A 4.D 5.B | 二、填空题 (每空2分，共20分）1. 单值的，平方可积的2. 线性算符，厄米算符3. 平均值几率分布4. 4 200ψ，211ψ，210ψ，211ψ-5. 平均场积三、证明题（共15分）证明：（1）[][]ˆˆˆˆ,,21111ˆˆˆˆˆˆˆˆ,,,,2222ˆˆˆˆ,,122a a x p x p i i i x x x p p x p pi i x p p x μωμωμωμωμωμωμωμωμωμω+⎡⎤⎫⎛⎫⎡⎤=-+⎥⎪ ⎪⎣⎦⎪ ⎪⎥⎭⎝⎭⎦⎡⎤⎡⎤⎡⎤⎤=+--⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎥⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎦⎣⎦⎣⎦⎣⎦=-=- 其中利益[]ˆˆ,xp i = （6分）（2）[],,,a a a aa a a a a a +++⎡⎤⎡⎤=+=-⎣⎦⎣⎦ ,,,a a a a a a a a a a +++++++⎡⎤⎡⎤⎡⎤=+=⎣⎦⎣⎦⎣⎦ （4分）（3）可以求得：()ˆxa a +=+ ()ˆpa a +=-系统Hamilton 为()()()()22222ˆ1111ˆˆ2222211121222p H x a a a a a a aa a a a a μωωμωωω++++++⎡⎤=+=--++⎢⎥⎣⎦⎛⎫=+=+=+ ⎪⎝⎭（5分）四计算题（第1、2题各15分，第3、4题各10分，要求有具体计算步骤）1、解:(1)一维无限深势阱的本征态波函数是()n n xx aπψ=（2分）利用三角函数积化和、差，将()x ψ改写 ()2cos x xx a a ππψ=21cosx x a a ππ⎡⎤=+⎢⎥⎣⎦ 22sin 2sin cos x x x a a aπππ⎤=+⎥⎦3sin sin x x a a ππ⎤=+⎥⎦ 3x x a a ππ⎤=⎥⎦()()13x x ψψ=+⎤⎦ （4分）()x ψ是非本征态，它可以有二种本征态，部分处在()1xx aπψ=出现几率为12，能量为22122E ma π=部分处在()33x x a πψ=，出现几率为12，能量为223292E ma π= （2分） (2)处于这种状态下粒子的能量平均值22132115222E E E ma π=+= （3分）（3）粒子随时间变化的波函数为 ()222292223,sin 2n i i iE tt t ma ma nnx x x t C ee e a a ππππψψ---⎫⎛⎫==+⎪ ⎪⎪⎪⎭⎭∑ （4分） 2、解：（1）在z σ表象中，0110x σ⎛⎫=⎪⎝⎭ 00y i i σ-⎛⎫= ⎪⎝⎭ 1001z σ⎛⎫= ⎪-⎝⎭（3分）cos sin sin cos i x x y y z z i e n n n n eϕϕθθσσσσθθ-⎛⎫=++= ⎪-⎝⎭，其本征方程为cos sin cos sin 0sin cos sin cos i i i i a a a e e b b b ee ϕϕϕϕθθθλθλθθθθλ--⎛⎫⎛⎫-⎛⎫⎛⎫⎛⎫=⇒= ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪---⎝⎭⎝⎭⎝⎭⎝⎭⎝⎭ 有非零解的条件为cos sin 01sin cos i i e eϕϕθλθλθθλ--=⇒=±-- （4分）当1λ=时，对应的本征态为()()1cos /2sin /2i e ϕθψθ-⎛⎫=⎪⎝⎭ 当1λ=-时，对应的本征态为()()2sin /2cos /2i e ϕθψθ-⎛⎫= ⎪-⎝⎭ （2分）（2）在ˆz s本征态1/2χ下，n σ的可能测值为1± 故n σ的可能测值为1+的几率为()()()()22211/21cos /2,sin /2cos /20i e ϕψχθθθ⎛⎫== ⎪⎝⎭（3分）故n σ的可能测值为1-的几率为()()()()22221/21sin /2,cos /2sin /20i e ϕψχθθθ-⎛⎫=-= ⎪⎝⎭（3分）3、解：微扰算符的的矩阵是'''111213'''212223'''31323300'000H H H b H H H H a H H H ba **⎡⎤⎡⎤⎢⎥⎢⎥==⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦ （1）根据无简并微扰论，一级能量修正量是： kk H从（1）中看出，对角位置的矩阵元全是零，因此一级修正量0)0(3)0(2)0(1===E E E （2分）又二级能量公式是： 2'(2)(0)(0)nkkn k nn kH E E E ≠=-∑（2分）所需的矩阵元'nk H 已经直接由式（1）表示出，毋需再加计算，因而有：2222'''12131(2)1(0)(0)(0)(0)(0)(0)(0)(0)1121313n nnH H H b E EEEEE E E E ==+=----∑（2分） 2222'''21232(2)2(0)(0)(0)(0)(0)(0)(0)(0)2312123n nnH H H a E E E E E E E E E ==+=----∑（2分） 22222'''32313(2)3(0)(0)(0)(0)(0)(0)(0)(0)(0)(0)332313132n nnH H Hb a E EEEEE E E E E E ==+=+-----∑（2分） 4．解：（1）利用21ˆˆ2q H P A q c φμ⎛⎫=-+ ⎪⎝⎭可得系统的哈密顿量为 222222211ˆˆˆˆˆ221ˆˆˆ2x x y y zz x y z q q q q H P A q P A P A P A q y c c c c q P By P P q yc φεμμεμ⎡⎤⎛⎫⎛⎫⎛⎫⎛⎫=-+=-+-+--⎢⎥ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭⎝⎭⎝⎭⎢⎥⎣⎦⎡⎤⎛⎫=+++-⎢⎥ ⎪⎝⎭⎢⎥⎣⎦（4分）（2）证明：2222221ˆˆˆˆˆˆ,,2111ˆˆˆˆˆˆˆ,,,,0222x x y z x x x y x z x x q H P P By P P q y P c q P By P P P P P q y P c εμεμμμ⎡⎤⎡⎤⎛⎫⎡⎤=+++-⎢⎥⎢⎥ ⎪⎣⎦⎝⎭⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦⎡⎤⎛⎫⎡⎤⎡⎤⎡⎤=+++-=⎢⎥ ⎪⎣⎦⎣⎦⎣⎦⎝⎭⎢⎥⎣⎦2222221ˆˆˆˆˆˆ,,2111ˆˆˆˆˆˆˆ,,,,0222z x y z z x z y z z z z q H P P By P P q y P c q P By P P P P P q y P c εμεμμμ⎡⎤⎡⎤⎛⎫⎡⎤=+++-⎢⎥⎢⎥ ⎪⎣⎦⎝⎭⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦⎡⎤⎛⎫⎡⎤⎡⎤⎡⎤=+++-=⎢⎥ ⎪⎣⎦⎣⎦⎣⎦⎝⎭⎢⎥⎣⎦ˆx P 的本征函数为()/x x ip x P x e ψπ=，本征值为x p -∞<<∞ ˆz P 的本征函数为()/z zip z P x e ψπ=，本征值为z p -∞<<∞ （4分）（3）选守恒量完全集为()ˆˆˆ,,x zH P P （2分）。

2009级微电子工艺学试卷A卷参考答案

华中科技大学2011—2012学年第二学期电子科学与技术专业《微电子工艺学》试卷A(开卷)一、判断下列说法的正误,正确的在后面括号中划“√”,错误的在后面括号中划“×”(本大题共10小题,每小题1分,共10分)1、单晶生长实际上就是液固两相的转化,实现条件就是在两相界面附近存在浓度梯度。

( × )2、如果光刻胶的CMTF 小于实际光刻图形的MTF,则光刻图形上的最小尺寸线条可能被分辨。

反之,不能被分辨。

(√ )3、热氧化过程中,硅内靠近Si-SiO 2 界面的杂质将在界面两边的硅与二氧化硅中形成再分布。

对于k <1、二氧化硅中的慢扩散杂质,再分布之后靠近界面处二氧化硅中的杂质浓度比硅中高,硅表面附近浓度下降。

( √ )4、研究表明,杂质在半导体晶体中的扩散虽然比较复杂,但可以归纳为几种典型的形式,如填隙式与替位式扩散,其中替位式扩散的速度较快。

( × )5、离子注入掺杂时,降低离子能量就是形成浅结的重要方法。

但在低能情况下,沟道效应很明显,可能使结深增加一倍,且离子束稳定性降低。

( √ )6、氮化硅(Si 3N 4)薄膜介电常数约 6~9,不能作为层间绝缘层,否则将造成较大寄生电容,降低电路速度。

但它对杂质扩散有极强掩蔽能力,可以作为器件最终钝化层与机械保护层以及硅选择性氧化的掩模。

( √ )7、自掺杂效应就是气相外延过程中的无意识掺杂效应,采取适当措施可以完全避免,例如降低由衬底蒸发的杂质量以及避免使蒸发出的杂质重新进入外延层。

( × )8、溅射仅就是离子对物体表面轰击时可能发生的四种物理过程之一,其中每种物理过程发生的几率取决于入射离子的剂量。

( × )9、等离子体刻蚀与溅射刻蚀并无明显界限,化学反应与物理作用都可能发生,具体刻蚀模式取决于系统压力、温度、气流、功率及相关可控参数。

( √ )10、MOS 器件之间就是自隔离的(self-isolated),可大大提高集成度。

东南大学半导体物理考研复习系列试题(A卷)

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(luobin 考研复习卷)
产生率 2.(15分) 如果稳定光照射在一块均匀掺杂的 n 型半导体中均匀产生非平衡载流子， 14 3 1 2 为 Gop 3 10 cm s ，且无外场作用，空穴迁移率 p 430cm / V s ， p 5us ，半导体的长度远远大于空穴的扩散长度，如图所示。假设样品左侧存在表面复合，表面复合率为 U s 7.5 10 cm s ，比例系数(表面复合速度)为 s 。
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位于导带底下方 0.026eV 处，半导体的状态为 __________ （填“简并” ， “弱简并” 或“非简并” ），判断的依据为 __________ 。 8. 强电场效应会使半导体器件的载流子速度达到饱和，还可能使载流子成为热载流子，影响器件性能。半导体器件的热载流子由于具备高能量，常常会导致载流子 __________ ；热载流子可与晶格发生碰撞电离，利用这一原理可以制备 __________ 器件。 9. 早期锗硅等半导体材料常利用测其电阻率的办法来估计纯度，室温下较纯 Ge 样品的电子迁移率 n 3900cm2 / V s ，锗原子密度 4.42 1022 cm3 ，若测得室温下电阻率为 10 cm ，则利用此方法测得 n 型锗的掺杂浓度为 __________ ，这种测量方法来估计纯度的局限性是 __________ 。 10. 金属的费米能级位于导带之上， n 型半导体与金属接触形成整流接触，那么半导体与金属的功函数哪个大？ __________ 。由于半导体与金属之间存在整体载流子水平差异，所以会产生载流子（电子）的扩散，形成内建电场；内建电场几乎全部建立在半导体一侧的原因是 __________ 。具有整流接触的金-半接触称为肖特基接触，肖特基结相比普通 pn 结，在高频高速器件具有更重要的作用，其原因在于肖特基接触不存在电荷存储现象。肖特基接触不存在电荷存储现象的原因是 __________ 。制造 pn 结可选用的技术主要有合金、扩散、外延生长、 __________ 等，用掺杂制作 pn 结克服了金-半接触的一大缺点： __________ 。 11. 下图是 p 型半导体的能带图。三图中哪些图表明半导体存在电流？ __________ 。图

《好题》初中物理九年级全册第十五章《电流与电路》测试卷(含答案解析)(1)

一、选择题1．医用外科口罩的中间层为多孔结构的熔喷布，熔喷布能过滤比自身小很多的颗粒物；在生产过程中通过处理，熔喷布得到大量电子，有吸引轻小物体的作用。

但放在自来水龙头下冲洗晾干后，熔喷布对细微颗粒物的过滤效果严重下降。

下列有关熔喷布说法正确的是（）A．熔喷布得到大量电子而带正电B．熔喷布只吸引带负电的轻小物体C．熔喷布能带有大量电荷，所以熔喷布的材料为绝缘体D．冲洗晾干后的医用外科口罩仍有过滤作用2．家庭厨房安装的抽油烟机里有照明灯和换气扇，它们既能单独工作，又能同时工作，如图所示的电路中，符合上述要求的是（）A． B．C．D．3．汽车安全带提示器由压力传感器和开关设计而成。

当人坐座椅开关1S闭合，若未系安全带（2S断开），则语音提示：“请系好安全带”，系上安全带后，2S闭合，提示器不工作。

图中R是保护电路的电阻，则下列电路正确的是（）A．B．C．D．4．如图所示，电动独轮车是新一代化步工具，它体形小巧、携带方便，而且依靠电力驱动，低碳环保，越来越受到年轻人的喜爱。

某品牌独轮车工作原理：当电源开关S1闭合时指示灯亮起，人站在独轮车上开关S2自动闭合，电动机才能启动，开始运动。

下列电路设计符合上述要求的是（）A．B．C．D．5．下列是通过对一些直接感知的现象进行合理的推测而得出的无法直接感知的事实，其中合理的是（）A．现象：街边的路灯同时亮、灭推测：路灯一定是串联的B．现象：工业园区上空迷漫着大量粉尘推测：分子在永不停息地运动C．现象：轻质小球a、b靠近时相互吸引推测：a、b两球一定带异种电荷D．现象：某电路中两灯泡两端的电压相等推测：灯泡可能串联，也可能并联6．进入某档案馆的保密室有下列要求：甲、乙、丙3位资料员必须同时用各自的钥匙（开关S1、S2、S3表示3位资料员各自的钥匙）使灯亮才能进入保密室。

图所示的电路设计符合要求的是（）A．B．C．D．7．如图所示的是一种按钮开关的结构截面图，图中C是按钮，D是外壳，A、B各有接线柱与电路相连接，通常情况下，属于绝缘体的是（）A．C、D是绝缘体B．B、D是绝缘体C．A、C是绝缘体D．A、B是绝缘体8．图甲的电路中，闭合开关S，若两电流表的指针均指在图乙的位置，则通过灯L1和L2的电流大小分别是（）A．1.8A 0.36A B．1.44A 0.36AC．0.36A 1.8A D．0.36A 1.44A9．如图所示，下列说法正确的是（）①只闭合S1时，R1、R2串联②只闭合S3时，R1、R2串联③只闭合S2、S3时，电源短路④只闭合S1、S2时，R1、R2并联A．只有②④正确B．只有①②正确C．只有②③④正确D．只有①②③正确10．如图所示，两个相同的验电器A和B，A与丝绸摩擦过的玻璃棒接触带电，再用C棒去同时接触两验电器的金属球，发现A的金属箔片张角变小，B的金属箔片张角变大。

2009级微电子工艺学试卷(A卷)参考答案

华中科技大学2011—2012学年第二学期电子科学与技术专业《微电子工艺学》试卷A(开卷)一、判断下列说法的正误，正确的在后面括号中划“√”，错误的在后面括号中划“×”(本大题共10小题，每小题1分，共10分)1、单晶生长实际上是液固两相的转化，实现条件是在两相界面附近存在浓度梯度。

( × )2、如果光刻胶的CMTF 小于实际光刻图形的MTF ，则光刻图形上的最小尺寸线条可能被分辨。

反之，不能被分辨。

(√ )3、热氧化过程中，硅内靠近Si-SiO 2 界面的杂质将在界面两边的硅和二氧化硅中形成再分布。

对于k <1、二氧化硅中的慢扩散杂质，再分布之后靠近界面处二氧化硅中的杂质浓度比硅中高，硅表面附近浓度下降。

( √ )4、研究表明，杂质在半导体晶体中的扩散虽然比较复杂，但可以归纳为几种典型的形式，如填隙式和替位式扩散，其中替位式扩散的速度较快。

( × )5、离子注入掺杂时，降低离子能量是形成浅结的重要方法。

但在低能情况下，沟道效应很明显，可能使结深增加一倍，且离子束稳定性降低。

( √ )6、氮化硅(Si 3N 4)薄膜介电常数约 6~9，不能作为层间绝缘层，否则将造成较大寄生电容，降低电路速度。

但它对杂质扩散有极强掩蔽能力，可以作为器件最终钝化层和机械保护层以及硅选择性氧化的掩模。

( √ )7、自掺杂效应是气相外延过程中的无意识掺杂效应，采取适当措施可以完全避免，例如降低由衬底蒸发的杂质量以及避免使蒸发出的杂质重新进入外延层。

( × )8、溅射仅是离子对物体表面轰击时可能发生的四种物理过程之一，其中每种物理过程发生的几率取决于入射离子的剂量。

( × )9、等离子体刻蚀与溅射刻蚀并无明显界限，化学反应和物理作用都可能发生，具体刻蚀模式取决于系统压力、温度、气流、功率及相关可控参数。

( √ )10、MOS 器件之间是自隔离的(self-isolated)，可大大提高集成度。

《电工基础》试题库及答案

《电工基础》试题库说明：『1』本试题库使用专业：机电系大专专业『2』课程考核要求与知识点第一章电路的基本概念和基本定律1、识记：基本概念基本定律2、理解：（1）电位、电功率、电能的概念。

（2）电压、电流及它们的参考方向。

（3）电阻元件电压与电流关系，欧姆定律。

（4）电压源和电流源的电压与电流关系（5）基尔霍夫电流定律和电压定律。

3、运用：（1）参考方向的应用；（2）应用KCL、KVL求未知电流和电压第二章电路的分析方法1、识记：（1）电阻并、串联特性；（2）电阻星、三角连接的等效互换公式（3）两种电源模型的等效互换条件；(4) 戴维宁定理的条件和内容2、理解：（1）等效变换的概念。

（2）两种电源模型的等效互换条件；（3）戴维宁定理的条件和内容（4）叠加定理的条件和内容3、运用：（1）电阻串联、并联、混联的连接方式和等效电阻、电压、电流、功率的计算，电路中各点电位的计算。

（2）支路电流法、网孔法、节点法求解电路的方法（3）应用戴维宁定理确定负载获得最大功率的条件（4）运用叠加定理分析含有两个直流电源的电路。

第三章正弦交流电路1、识记：（1）正弦量的频率、角频率、周期的关系；（2）正弦量有效值、最大值、平均值的关系；（3）正弦量的相量表示法；（4）各种元件的复阻抗；（5）R、L、C元件电压与电流关系，感抗、容抗，平均功率（有功功率）、无功功率。

2、理解：（1）正弦交流电路量的特点；（2）R、L、C元件在正弦交流电路中电压和电流的各种关系；（3）串、并联谐振；3、运用：（1）RL、RC串、并联电路的分析（2）RLC串、并联电路的分析（3）有功功率、无功功率、视在功率、功率因数的计算第四章三相正弦交流电路1、识记：（1）对称三相正弦量（2）星形、三角形两种联结方式下线电压、相电压的关系，线电流、相电流、中性线电流的关系（3）对称三相电路的功率2、理解：（1）对称三相电路的分析方法（2）不对称三相电路的分析方法及中线的作用3、运用：（1）对称三相电路的分析计算（2）不对称三相电路的分析计算第五章磁路与变压器1、识记：（1）磁路的基本概念和定律；（2）变压器的特性参数2、理解：（1）铁磁性物质的磁化性能与磁化曲线和磁路的欧姆定律（2）交流铁心线圈电路磁通与外加电压的关系（3）变压器的结构和工作原理（4）特殊变压器的使用第六章供电与安全用电1、识记：安全用电和节约用电常识2、理解：发电、输电及工企供电配电第七章电工测量1、识记：（1）电工仪表与测量的基本常识；（2）万用表的使用方法2、理解：万用表的的结构3、运用：电压、电流的测量；电阻的测量；电功率的测量；电能的测量『3』考试命题内容具体分配情况（1）试题对不同能力层次要求的比例为：识记约占15%，理解约占45%，运用占40%；（2）试卷中不同难易度试题的比例为：较易占20%，中等占70%，较难占10%；（3）期末试题从本试题库中抽取。

【光电子技术基础考试题】光电子技术第二版答案

【光电子技术基础考试题】光电子技术第二版答案光电子技术，大家知道是什么技术？有哪些基础知识大家是知道的？一、选择题1.光通量的单位是（ B ）.A.坎德拉B.流明C.熙提D.勒克斯2. 辐射通量φe的单位是（ B ）A 焦耳 (J)B 瓦特 (W) C每球面度 (W/Sr) D坎德拉(cd)3.发光强度的单位是（ A ）.A.坎德拉B.流明C.熙提D.勒克斯4.光照度的单位是（ D ）.A.坎德拉B.流明C.熙提D.勒克斯5.激光器的构成一般由（ A ）组成A.激励能源、谐振腔和工作物质B.固体激光器、液体激光器和气体激光器C.半导体材料、金属半导体材料和PN结材料D. 电子、载流子和光子6. 硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。

适当偏置是（D）A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置7.20xx年10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖，提到光纤以SiO2为材料的主要是由于（ A ）A.传输损耗低B.可实现任何光传输C.不出现瑞利散射D.空间相干性好8.下列哪个不属于激光调制器的是（ D ）A.电光调制器B.声光调制器C.磁光调制器D.压光调制器9.电光晶体的非线性电光效应主要与（ C ）有关A.内加电场B.激光波长C.晶体性质D.晶体折射率变化量10.激光调制按其调制的性质有（ C ）A.连续调制B.脉冲调制C.相位调制D.光伏调制11.不属于光电探测器的是（ D ）A.光电导探测器B.光伏探测器C.光磁电探测器D.热电探测元件D 摄像器件的信息是靠（ B ）存储A.载流子B.电荷C.电子D.声子13.LCD显示器，可以分为（ ABCD ）A. TN型B. STN型C. TFT型D. DSTN型14.掺杂型探测器是由（ D ）之间的电子-空穴对符合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。

A.禁带B.分子C.粒子D.能带15.激光具有的优点为相干性好、亮度高及（ B ）A色性好 B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱16.红外辐射的波长为（ D ）.A 100-280nmB 380-440 nmC 640-770 nmD 770-1000 nm17.可见光的波长范围为（ C ）.A 200—300nmB 300—380nmC 380—780nmD 780—1500nm18.一只白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面1.5m的高处，用照度计测得正下方地面的照度为30lx，该灯的光通量为（ A ）.A .848lxB .212lxC .424lxD .106lx19.下列不属于气体放电光源的是（ D ）.A .汞灯B .氙灯C .铊灯D .卤钨灯20.ＬＣＤ是（Ａ）A.液晶显示器B.光电二极管C.电荷耦合器件D.硅基液晶显示器21.25mm的视像管，靶面的有效高度约为10mm，若可分辨的最多电视行数为400，则相当于（ A ）线对/mm.A.16B.25C.20D.1822. 光电转换定律中的光电流与 ( B ) .A 温度成正比 B光功率成正比 C暗电流成正比 D光子的能量成正比23. 发生拉曼—纳斯衍射必须满足的条件是( A )A 超声波频率低，光波平行声波面入射，声光作用长度短B 超声波频率高，光波平行声波面入射，声光作用长度短C 超声波频率低，光波平行声波面入射，声光作用长度长D 超声波频率低，光束与声波面间以一定角度入射，声光作用长度短24.光束调制中，下面不属于外调制的是 ( C )A 声光调制B 电光波导调制C 半导体光源调制D 电光强度调制25.激光具有的优点为相干性好、亮度高及 ( B )A 多色性好 B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱26.能发生光电导效应的半导体是 ( C )A本征型和激子型 B本征型和晶格型 C本征型和杂质型 D本征型和自由载流子型27.电荷耦合器件分 ( A )A 线阵CCD和面阵CCDB 线阵CCD和点阵CCDC 面阵CCD和体阵CCD D 体阵CCD和点阵CCD28.电荷耦合器件的工作过程主要是信号的产生、存储、传输和( C )A 计算B 显示C 检测D 输出29.光电探测器的性能参数不包括（D）A光谱特性 B光照特性 C光电特性 D P-I特性30.光敏电阻与其他半导体电器件相比不具有的特点是（B）A.光谱响应范围广B.阈值电流低C.工作电流大D.灵敏度高31.关于LD与LED下列叙述正确的是（C）A. LD和LED都有阈值电流 B .LD调制频率远低于LED C. LD发光基于自发辐射D .LED可发出相干光32.光敏电阻的光电特性由光电转换因子描述，在强辐射作用下（A ）A. ?=0.5B.? =1C. ?=1.5D. ?=233.硅光二极管主要适用于[D]A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见光及红外光谱区34.硅光二极管主要适用于[D]A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见光及红外光谱区35.光视效能K为最大值时的波长是（A ）A．555nm B.666nm C．777nm D.888nm36. 对于P型半导体来说，以下说法正确的是（D）A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶37. 下列光电器件, 哪种器件正常工作时需加100-200V的高反压（C）A Si光电二极管B PIN光电二极管C 雪崩光电二极管D 光电三极管38. 对于光敏电阻，下列说法不正确的是：（D）A 弱光照下，光电流与照度之间具有良好的线性关系B 光敏面作成蛇形，有利于提高灵敏度C 光敏电阻具有前历效应D 光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移动39. 在直接探测系统中, (B)A 探测器能响应光波的波动性质, 输出的电信号间接表征光波的振幅、频率和相位B 探测器只响应入射其上的平均光功率C 具有空间滤波能力D 具有光谱滤波能力40. 对于激光二极管（LD）和发光二极管（LED）来说，下列说法正确的是（D）A LD只能连续发光B LED的单色性比LD要好C LD内部可没有谐振腔D LED辐射光的波长决定于材料的禁带宽41. 对于N型半导体来说，以下说法正确的是（A）A 费米能级靠近导带底B 空穴为多子C 电子为少子D 费米能级靠近靠近于价带顶42. 依据光电器件伏安特性, 下列哪些器件不能视为恒流源: （D）A 光电二极管B 光电三极管C 光电倍增管D 光电池43. 硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。

电子版九年级物理试卷

电子版九年级物理试卷专业课原理概述部分一、选择题（每题1分，共5分）1. 下列哪种现象属于光的反射？A. 小孔成像B. 平面镜成像C. 彩虹D. 日食E. 月食2. 下列哪种现象属于光的折射？A. 小孔成像B. 平面镜成像C. 彩虹D. 日食E. 月食3. 下列哪种现象属于光的色散？A. 小孔成像B. 平面镜成像C. 彩虹D. 日食E. 月食4. 下列哪种现象属于光的直线传播？A. 小孔成像B. 平面镜成像C. 彩虹D. 日食E. 月食5. 下列哪种现象属于光的衍射？A. 小孔成像B. 平面镜成像C. 彩虹D. 日食E. 月食二、判断题（每题1分，共5分）1. 光的反射是指光从一种介质进入另一种介质时，发生方向改变的现象。

（）2. 光的折射是指光在传播过程中，遇到障碍物或介质界面时，发生方向改变的现象。

（）3. 光的色散是指光在传播过程中，由于不同波长的光速度不同，导致光发生折射时，不同颜色的光折射角不同，从而分离出不同颜色的现象。

（）4. 光的直线传播是指光在均匀介质中，沿直线传播的现象。

（）5. 光的衍射是指光在传播过程中，遇到障碍物或小孔时，发生弯曲现象。

（）三、填空题（每题1分，共5分）1. 光的反射现象中，反射光线、入射光线和法线在同一平面内，反射光线和入射光线分居法线的______侧。

2. 光的折射现象中，折射光线、入射光线和法线在同一平面内，折射光线和入射光线分居法线的______侧。

3. 光的色散现象中，不同波长的光在折射时，折射角不同，导致光被分离成不同颜色的现象，称为光的______。

4. 光的直线传播现象中，光在同一均匀介质中沿______传播。

5. 光的衍射现象中，光在传播过程中，遇到障碍物或小孔时，发生______现象。

四、简答题（每题2分，共10分）1. 简述光的反射现象。

2. 简述光的折射现象。

3. 简述光的色散现象。

4. 简述光的直线传播现象。

5. 简述光的衍射现象。

浙江大学大学物理答案

浙江大学大学物理答案【篇一：11-12-2大学物理乙期末试题b】《大学物理乙（上）》课程期末考试试卷 (b)开课分院：基础部，考试形式：闭卷，允许带非存储计算器入场考试日期：2012年月日，考试所需时间： 120 分钟考生姓名学号考生所在分院：专业班级： .一、填空题（每空2分，共50分）：1、一个0.1kg的质点做简谐振动，运动方程为x(t)?0.2cos3t m，则该质点的最大加速度amax，质点受到的合力随时间变化的方程f(t。

2、一质点作简谐振动，振幅为a，初始时具有振动能量2.4j。

当质点运动到a/2处时，质点的总能量为 j，其中动能为j。

3、在宁静的池水边，你用手指以2hz的频率轻叩池面，在池面上荡起水波，波速为2m/s，则这些波的波长为 m。

4、两列波在空间相遇时能够产生干涉现象的三个条件为：，振动方向相同，初相位差恒定。

5、如图所示，在均匀介质中，相干波源a和b相距3m，它们所发出的简谐波在ab连线上的振幅均为0.4m，波长均为2m，且a为波峰时b恰好为波谷，那么ab连线中点的振幅为 m，在ba延长线上，a点外侧任一点的振幅为m。

6、已知空气中的声速340m/s，一辆汽车以40m/s的速度驶近一静止的观察者，汽车喇叭的固有频率为555hz，则观察者听到喇叭的音调会更________（填“高”或“低”），其频率为____________ hz。

（请保留三位有效数字）．．．．．．7、已知800k时某气体分子的方均根速率为500m/s，当该气体降温至200k时，其方均根速率为__________m/s。

8、体积为2?10?3m3的理想气体，气体分子总数为5.4?1022个，其温度为362k，则气体的压强为_________________pa。

9、麦克斯韦速率分布曲线下的面积恒等于_________。

10、一定量氢气在500k的温度下，分子的平均平动动能为______________________j，分子的平均转动动能为________________________j。

《光电子技术》本科期末考试试卷(A卷)

西南科技大学 2013-2014-2 学期光电子技术》本科期末考试试卷（ A 卷）、单选题（每题 2 分，共 20分） 1、光电子技术主要研究（）。

A. 光与物质中的电子相互作用及其能量相互转换的一门技术B. 光电子材料制备的一门技术C. 光信息转换成电信息的一门技术D. 介绍光电器件的原理、结构和性能参数的一门科学David J. Wineland ）。

大卫·维因兰德是利用光或光子来捕捉、控制以及测量带电原子或者离子，而沙吉 ·哈A. 光子或粒子B. 电子C.载流子D.声子5、光纤是一种能够传输光频电磁波的介质波导，其结构上由（）组成。

A. 纤芯、包层和护套B.单模和多模C. 塑料、晶体和硅D. 阶跃和梯度光纤 6、直接调制是把要传递的信息转变为（）信号注入半导体光源，从而获得调制光信号。

A. 电流B. 电压C. 光脉冲D.正弦波7、以下基于光电导效应制成的光电器件是（）。

A. 光敏电阻 B.光电管 C.雪崩光敏二极管 D. 光电池8、光电成像转换过程需要研究（）。

A. 能量、成像、噪声和传递 B. 产生、存储、转移和检测 C. 调制、探测、成像和显示D. 共轭、放大、分辨和聚焦9、微光光电成像系统的工作条件就是环境照度低于（） lx 。

A. 0.1B. 0.01C. 0.001D. 0.000110、PDP 单元虽是脉冲放电，但在一个周期内它发光（）次，维持电压脉冲宽度通常 5~10μs ，2、波长为 0.78 μm 的光子能量为（A.3.2eVB.1.59eVC.1.24eV3、光波在大气中传播时，气体分子及气溶胶的（A. 折射和反射B. 吸收和散射）。

D.2.4eV）会引起光束能量的衰减。

C. 弯曲和漂移D. 湍流和闪烁哈罗彻（ Serge Haroche ）与美国科学家大卫 ·温罗彻通过发射原子穿过阱，控制并测量捕获的（）。

幅度 90V~100V ，工作频率范围 30KHz~50KHz ，因此光脉冲重复频率在数万次以上，人眼不会感到闪烁。

《光电子技术》本科期末考试试卷B卷

《光电子技术》本科期末考试试卷B卷《光电子技术》本科期末考试试卷（B卷）一、单选题（共20分，2分/题）1、光电子技术发展的首要标志是（）的出现。

A.液晶电视B.光纤通讯C.摄像机D.激光器2、以下是对四种激光器的描述，其中不正确的是（）。

A.固体激光器主要采用光泵浦，工作物质中的激活粒子吸收光能，形成粒子数反转，产生激光B.气体激光器从真空紫外到远红外，既可以连续方式工作，也可以脉冲方式工作C.半导体激光器利用电子在能带间跃迁发光，使光振荡和反馈，产生光的辐射放大，从而输出激光D.光纤激光器采用光纤做增益介质，具有很小的表面积与体积比3、激光在大气中传播时，分子散射系数与光波长的（）。

A.平方成正比B.平方成反比C.四次成正比D.四次方成反比4、将2010年诺贝尔物理学奖授予荷兰籍物理学家海姆和拥有英国与俄罗斯双重国籍的物理学家诺沃肖洛夫，以表彰他们在石墨烯材料方面的卓越研究。

其中石墨烯可以用于制造（）。

A.光纤面板D存贮器C.电光晶体D. 光子传感器5、要实现脉冲编码调制，必须进行三个过程，就是（）。

A.编码→抽样→量化B. 编码→量化→抽样C. 抽样→编码→量化D. 抽样→量化→编码6、下列有关量子效率的描述，其中正确说法的是（）。

A.量子效率就是探测器吸收的光子数与激发的电子数之比B.量子效率只是探测器的宏观量的描述。

C.量子效率与灵敏度成反比而正比于波长D.如果探测器吸收一个光子而产生一个电子，其量子效率为100%7、光敏电阻适用于 ( ) 。

A.光的测量元件B.发光元件C.加热元件D.光电导开关元件8、CCD是以（）作为信号。

A.电流B.电压C. 光子D.电荷9、CRT中的电子枪主要功能是（）。

A.电信号转换成光信号B.光信号转换成电信号C.光信号先转换成电信号，再转换成光图像D.电子束的发射、调制、加速、聚集10、关于液晶的分类，下列说法正确的是( )。

A.向列相液晶中分子分层排列，逐层叠合，相邻两层间分子长轴逐层有微小的转角B.向列相液晶分子呈棒状，并分层排列，液晶材料富于流动性，黏度较小C.胆甾相液晶分子呈棒状，分子长轴互相平行，不分层，液晶材料富于流动性，黏度较小D.胆甾相液晶中分子分层排列，逐层叠合；相邻两层间分子长轴逐层有微小的转角二、判断题（共20分，2分/题）11、世界上第一台激光器是氦氖激光器。

复旦大学《真空技术》2023-2024学年第一学期期末试卷

三、填空题（每题 2 分，共 20 分）
21. 真空技术的主要应用领域包括_____________________。 22. 真空泵的工作原理是_____________________。 23. 在真空系统中，泄露检测的常用方法是
_____________________。 24. 真空技术在材料科学中的应用是_____________________。 25. 真空系统的主要组成部分是_____________________。 26. 真空技术在电子工业中的应用是_____________________。 27. 在真空系统中，泄露的主要原因是
_____________________。 28. 真空技术在医疗卫生中的应用是_____________________。 29. 真空系统的主要特点是_____________________。 30. 真空技术的发展趋势是__________每题 10 分，共 40 分） 31. 请简述真空技术的基本概念及其在科学计算中的重要性。 32. 试述真空泵的工作原理及其在真空系统中的应用。 33. 请简述真空技术在材料科学中的应用及其优缺点。 34. 试述真空系统的主要组成部分及其在真空技术中的应用。
考试说明： 1. 答题前请务必将姓名、学号及班级填写在答题纸上。 2. 本考试卷共 100 分，考试时间为 120 分钟。 3. 请使用黑色钢笔或签字笔答题，答案不得涂改或改写。
6. 真空技术在电子工业中的应用是： A. 电子器件制造 B. 电子器件测试 C. 电子器件封装 D. 以上都是
7. 在真空系统中，泄露的主要原因是： A. 材料不良 B. 结构不良
C. 制造不良 D. 以上都是
8. 真空技术在医疗卫生中的应用是： A. 医疗器械制造 B. 医疗器械灭菌 C. 医疗废弃物处理 D. 以上都是

《电工与电子技术基础》第一章直流电路

14
1—2 电路的基本物理量
1．电流的方向和大小其中，电流大小和方向都不随
时间而变化的电流，称为稳恒直流电（见图a）；电流大小随时间而呈周期性变化，但方向不变的电流，称为脉动直流电（见图b）。若电流的大小和方向都随时间而变化，则称其为交变电流，简称交流，用符号AC表示（见图c）。
15
直流和交流 a）稳恒直流电 b）脉动直流电c）交流电
1—2 电路的基本物理量
2．电流的测量（1）对交流电流、直流电流
应分别使用交流电流表（或万用表交流电流挡）、直流电流表（或万用表直流电流挡）测量。常用直流电流表如图所示。
常用直流电流表 a)指针式直流电流表 b) 数字式直流电流表
16
1—2 电路的基本物理量
5
1-一例最简单的电路图 2-汽车单线制电路
1—1 电路的基本概念
二、电路图
1．电路原理图电路原理图简称原理图，它主
要反映电路中各元器件之间的连接关系，并不考虑各元器件的实际大小和相互之间的位置关系。例如，上图1和图2所示电路的原理图如图所示。
6
上图1和图2所示电路的原理图
1—1 电路的基本概念
2．电流的测量（2）电流表或万用表必须串
接到被测量的电路中。测量电路如图所示。
17
直流电流测量电路
1—2 电路的基本物理量
二、电压、电位和电动势
1．电压电路中有电流流动是电场力做功的结果。电场力将单位正电荷从a
点移到b点所做的功，称为a、b两点间的电压，用Uab表示。电压的单位为伏特，简称伏（V）。
应分别采用交流电压表（或万用表交流电压挡）、直流电压表（或万用表直流电压挡）测量。常用直流电压表如图所示。

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可编辑
V ，如果输入10100000时，D / A 转换器的输出电压是 V 。

二、化简(共20分)
1、用公式化简下列逻辑函数
1)
2)
2、用卡诺图法化简下列逻辑函数。

1)
2)
∑
∑+=d m D C B A F )13,11,10,6,3,2()12,9,8,5,4,1,0(),,,(∑
=m D C B A F )12,11,10,8,4,3,2,1,0(),,,(B
A B A B A B A F +++=)(A C B C A B A F +⋅++⋅=
学试卷院（系、部）专业班级姓名学号
………………………….密………………………………………封………………..…………………..线……………………………………..
三、（16分）用3/8线译码器(74LS138)和适当门电路设计一个半加器/半减器电路，使之既能实现一位加法运算又能实现1位减法运算。

当控制变量M=0时，电路实现加法运算；当M=1时电路实
现减法运算。

A 、B 分别为被加（减）数、加（减）数，S 为相加（减）的结果，C 为进（借）位。

（要求给出具体的设计过程）
得分
四、（12分）用74LS161构成十进制计数器。

要求用两种方法实现，并画出状态图。

74LS161的功能表如下所示。

五、（8分）应用74LS151实现逻辑函数。

得分
得分
AC BC AB F ++=
可编辑
六、(18分) 分析图示波形，用JK 触发器设计在控制变量X 作用下能实现图示波形功能的同步时序逻辑电路。

X
CP
Q 0
Q 1
可编辑
七、(10分) 用CMOS 非门构成的多谐振荡器如下图。

图中非门的工作电压V V DD 7.0 ，阈值电压V th =0.5V DD ，R=10K Ω，C=0.1μF 。

（1）画出a 、b 、c 各点的波形；（2）计算电路的输出信号周期。

（提示：COMS 非门的输入端有保护二极管）
.。