PSpice模型制作
模型制作
![模型制作](https://img.taocdn.com/s3/m/33359f3d10661ed9ad51f322.png)
PSPICE建立自己的库的方法(可用)
在使用PSPICE进行仿真时,经常会出现没有仿真的模型,以下我将以三极管8050的创建为例进行说明:
1、在网上找到8050的模型,也就是8050.cir文件。
2、打开modle edite软件,new library,比如本例中,在
D:\Cadence\SPB_16.3\tools\pspice\library\mylib目录下,建立一个my_bipolar.lib的库,(一个库中可以包括很多的模型),然后在model---new一个新的模型,如果要用描点法或者是模板参数方式进行建模的,就直接按照datasheet进行,如果是要进行model text 编写,则view ---edit model。
编写好模型后就保存。
3、如果在tool---options里面选择了Always Create Part When Saving Model,那么在保存模型时就同时进行生成Part,也就是生成了.OLB和.LIB的文件。
4、放置元器件,在capturre里,点击Place Part,在libraries里点击Add library,把刚才自己做的库加进去。
此时就可以放置自己做的元件模型。
5、要想把自己做的模型进行仿真,就需要把模型进行配置。
(这个是关键一步,一起仿真时都是出现找不到库的错误)
在仿真设置时,选择好要仿真的操作,比如直流仿真或瞬态仿真,点击configuration files,选择library,在filename后面的browse查找到自己建立的库,点击add as global,这个时候就可以进行仿真了。
PSpice Model Editor建模
![PSpice Model Editor建模](https://img.taocdn.com/s3/m/013baac608a1284ac85043e8.png)
PSpice Model Editor建模(一)(一)描点法建模PSpice 提供Model Editor 建立元件的Model,从元件供应商那边拿到该元件的Datashee t,通过描点的方式就可以简单的建立元件的仿真模型,来做电路的模拟仿真。
PSpice 提供约十多种的元件模型模板(Diode、Bipolar Transistor、Magnetic Core、IGBT、JFET、MOSFET、Operational Amplifier、Voltage Regulator、Voltage Comparator、Voltage Reference、Darlington Transistor)来建立元件的模型。
下面以一个二极管的建模为例来进行说明。
(1)从开始菜单中打开PSpice Model Editor,具体路径/PSpice Accessories/Model Edi tor。
选择Model/New来建立新的元器件模型,具体设置如下图,设置完毕,点击OK,进入模型特性参数设置窗口:(2)设置元器件模型特性数据如设置正向电流值,输入的点数越多,曲线就越精确。
下面会出现用数值分析法,帮你计算出符合描点设定的参数值。
(3)创建元件库选择执行File/Export to capture library,设置完毕后点击OK。
然后使用File>>Model Im port Wizard,为该模型选择合适的外形。
(4)配置新的元器件和模型库在Capture工程中将.lib文件加入仿真设定栏中Setting simulation/configuration files/Libr ary>>Browse>>Add to design(5)应用于电路图PSpice Model Editor建模(二)管理提醒: 本帖被admin 设置为精华(2010-09-20)(二)从IC厂家网站上下载Spice模型建模几乎所有的大型IC厂家都会在自己的网站上提供自家IC的Spice模型,供使用者下载做设计参考。
PSpice模型创建与应用实例
![PSpice模型创建与应用实例](https://img.taocdn.com/s3/m/e10cb8b5680203d8cf2f2422.png)
PSpice模型创建与应用实例主要内容:一、概述二、导入模型文件三、创建模型符号四、应用模型进行仿真时间拟制人修订版本备注2012/3/19 Ma.chong Wang.peng V16.5一、概述PSpice为用户提供了模型转换与编辑工具:Model Editor,用户自己下载的模型参数文件可以通过Model Editor转换成PSpice的模型文件,并且可以建立相应的模型符号。
本文以intersil公司的ISL28114元件模型为例介绍如何将下载的Spice模型文件导入到PSpice模型库中,并对模型进行模拟仿真。
一个完整的模型创建与应用实例包括以下几步:1、导入模型文件2、建立模型符号3、应用模型进行仿真二、模型文件的导入选择“程序\Cadence\Release 16.5\PSpice Accessories\Model Editor”如图1:图1选择PSpice A/D,如图2:图2点击“OK”,弹出原理图工具选择对话框,选择“Capture”,即采用Capture绘制原理图,如图3:图3这样即启动了PSpice Model Editor窗口。
选择“File->Open”打开下载的Spice模型参数文件(ISL28114.mod),如图4:图4选择“File->Save As”,将.mod文件改为.lib文件,如图5:图5点击“保存”。
在Model Editor窗口中,选择“File->Export to Capture part library”,如图6:图6点击“OK”,弹出日志文件,里面列出警告或错误信息,如图7:图7点击“OK”。
二、创建模型符号在Model Editor窗口中,选择“File->Model Import Wizard[Capture]”,如图8:图8点击“下一步”,如图9:图9 选择“Replace Symbol”,建立国标符号,如图10:图10 点击“下一步”,设置引脚信息,如图11:图11 点击“Save Symbol”,如图12:图12 点击“OK”。
怎么建PSpice模型
![怎么建PSpice模型](https://img.taocdn.com/s3/m/5d4c9d7301f69e314332944b.png)
如何建立PSPICE 和原理图SYMBOL 的连接作者:feilong日期:2010-5-26随着设计的复杂度越来越高,用PSPICE 对电路进行仿真的需求就越来越多,随之产生如何将PSPICE 模型和原理图SYMBOL 链接起来就成了关键的一步,本文将就这一问题和大家作一个探讨。
下面分2 种情况进行讨论:3 I/ U+ S" k: Y% J8 e+ B5 U9 y(一) 无PSPICE 模型,无SYMBOL,用PSPICE 产生SYMBOL 并建立连接关系。
EDA3(二) 已有PSPICE 和SYMBOL 如何建立连接首先大家知道PSPICE 的模型库后缀名为lib, Symbol 的后缀名为Olb.针对第一种情况:ED1.从网上下载PSPICE 模型保存,以ON SEMICONDUCTOR 的MJD44H1.LIB 为例2.启动PSpice Model Editor 模型编辑器,打开MJD44H1.LIB4.File\Export to Capture Part Library /4.点OK,系统自动生成元件外型(Symbol)库。
5.启动Capture CIS,File/Open/Library,打开MJD44H1.olb,查看Symbol,如需修改,自行编辑元件外型并保存。
6.用记事本打开..C:\Cadence\SPB_15.7\tools\pspice\library\nom.lib,加入.lib"MJD44H1.LIB",注册MJD44H1.LIB;(有了第6.步,就不会出现ERROR -- Model ...... used by...... is undefined)建立元器件模型成功。
在这步中,我在用Cadence 16.3版本时出现修改nom.lib后PSPICE 仿真出现以下错误:ERROR -- Unable to find library file MJD44H11.libIndex has 26578 entries from 152 file(s).ERROR -- Unable to make index for library fileC:\Cadence\SPB_16.3\tools\pspice\library\nom.lib原因:MJD44H11.lib未放在指定目录,即没和nom.lib一起放Cadence\SPB_15.7\tools\pspice\library目录下。
基于PSPice的元器件建模方法研究
![基于PSPice的元器件建模方法研究](https://img.taocdn.com/s3/m/01cc5c14bc64783e0912a21614791711cc7979fa.png)
基于PSPice的元器件建模方法研究2.马鞍山学院实验工程中心,安徽马鞍山 234100摘要:随着智能制造2025的推进,本文提出一种基于Cadence软件下PSPice工具建立半导体器件模型方法的研究。
主要从三个方面建立器件的行为模型,包括:子电路建模、ABM建模、Model Editor工具(曲线拟合)建模的研究,通过对不同建模方法的比较,获得比较有效建模思路;最终通过借助Cadence软件的工具箱,对线性拟合和子电路的组合进行MOSFET的联合建模,采用Cadence软件的orcad模块,根据厂家提供的datasheet数据表建立MOSFET模型。
本文对建模方法的研究,有助于人们了解不同的的建模方法,可以为建模提供新的思路,有助于建立更加完善的模型。
关键字:器件建模;子电路建模ABM曲线拟合;联合建模[基金项目] 022年安徽省六卓越一拔尖项目“自动化专业卓越工程师”(2022zybj089);2022年马鞍山学院教学研究项目“智能制造背景下《电力电子技术》课程改革”(202201)。
[作者简介]王迪迪,男,汉族,安徽亳州人,硕士,助教,研究方向:半导体器件建模和电力电子与新能源发电。
引言随着半导体材料的不断发展,由其制成的新型电力电子器件也到飞速发展[1]。
一方面新器件的研制离不开器件的建模与仿真,另一方面新型研制的半导体器件,厂家一般只提供数据表,除非支付高昂的软件版权,否则并不提供免费的仿真软件,因此新型半导体器件的建模成为亟待解决的问题。
经过一段时间的文献调研、学习、资料整理及总结归纳,本文基于Cadence/PSPice软件工具以SiC MOSFET器件为例进行建模方法的研究。
传统的器件模型是根据材料的物理特性而建立的,而行为模型只关心器件的端口特性,从而建立的器件模型[2]。
通过对不同文献的阅读与资料的整理,摒弃了命令语句建模方法,以MOSFET 器件建模为例,重点研究了三种器件建模的方法即:通过capture平台搭建子电路建模,利用Model Editor工具建模,使用ABM库建模[1,3]。
Pspice仿真常用变压器模型
![Pspice仿真常用变压器模型](https://img.taocdn.com/s3/m/4b99d292caaedd3382c4d315.png)
Pspice仿真——常常使用变压器模子之青柳念文创作时间:0412 2176次阅读【网友评论0条我要评论】收藏因为电感元件的参数比较单一,而且在仿真中,主要是仿真元件的电子特性.所以,这里就不谈电感,而主要讨论一下变压器和耦合电感的问题.很多朋友在使用pspice仿真的时候,只会使用元件库中的几个抱负化的耦合电感和变压器模子,却不会用那种带磁芯参数的耦合电感和变压器.下面让我们画一张原理图,把常常使用的抱负化的和非抱负话的耦合电感及变压器包含出来,停止一个仿真比较,这样才干掌握模子的特点,从而在实际工作中运用.在这张原理图中,我们一共放置了5个耦合电感和变压器模子.其中左边的2个是抱负化的,右边三个是非抱负化,摹拟的是带着实际的磁芯的磁性元件,磁芯的规格是3C90材质的ER28L.有需要先简单说一下耦合电感这个模子,让一些刚入门的朋友便于自己动手测验测验.在图中的K1、K2、K3就是以耦合电感为核心构造的几个变压器.我们构造这种变压器的时候,需要放置一个耦合电感模子K_Linear或K_Break或一个带磁芯的耦合电感模子例如K3所用的ER28L_3C90这个模子.然后需要根据实际的需要放置一个电感模子作为绕组,有几个绕组就放几个电感模子,但对于一个耦合电感模子,绕组不克不及超出6个.下面说说这几个模子的设置.左边两个抱负化模子:K1:耦合电感模子为K_Linear,绕组为L1和L2,必须双击K_Linear模子在其参数L1中输入L1,在参数L2中输入L2,才干实现两个绕组的耦合.耦合系数设定为1,说明是完全耦合.电感L1和L2的电感量,就代表绕组的电感量.我们设定L1为250uH,L2为1000uH.这就意味这初级与次级的匝比为1:2.因为电感量之比是匝比的平方.TX1:采取抱负变压器模子XFRM_LINEAR,这个模子只有两个绕组,双击模子后设定耦合系数为1,两个绕组的电感量也分别设定为250uH和1000uH.右边的非抱负化模子:K2:采取的耦合电感模子为KBreak,同样还需要放置两个电感,这里是L3和L4,双击KBreak的模子,设定耦合系数为1,参数L1为L3,参数L2为L4,把参数Implementation设置为ER28L_3C90.这里要注意了,电感L3和L4的参数分别为10和20.这个数字代表什么意思呢?是电感量吗?不是,千万注意,这里的意思是匝数!凡是采取了带磁芯的模子,就不再用电感量来作为参数了,而是使用匝数.TX2:采取的非抱负变压器模子XFRM_NONLINEAR,同样这个模子只有两个绕组.双击模子后,设定耦合系数为1,参数Implementation设置为ER28L_3C90,参数L1_TURNS和L2_TRUNS分别设置为10和20.很显然,这里也是匝数.K3:直接采取ER28L_3C90磁芯的耦合电感模子,绕组为L5和L6.双击耦合电感模子,设置耦合系数为1,参数L1为L5,参数L2为L6.把L5和L6的参数改成10和20.为什么我这里要把采取ER28L_3C90磁芯的模子的匝比设定为10:20呢,因为这个磁芯的电感系数为250nH/N2,这样刚好使初次级之间的电感量之比为250uH:1000uH,和抱负模子的参数一致,方便仿真后成果的比较.现在我们在每一个变压器的初级串一个0.001欧的电阻,次级接上10欧的负载.并放置一个峰值1V,频率10KHz的正弦波电压源给变压器初级提供输入信号,并双击这个信号源,设置初始相位为90度,如图毗连好电路,放置0电位的地.然后点击菜单pspice项,选择new simulation profile建立一个新的仿真.然后选择时域仿真,见下图:设定仿真时间从0秒开端到1ms,最大步长100ns,跳过初始化偏压点计算.然后点击菜单pspice,选择Run,仿真便可以开端了.待仿真完成后,如最开端的图放置电压探头.我们已经知道这些变压器的变比是1:2,那末实际的电压输出是不是这样呢?看看吧:从图中可以看到,输入电压峰值为1V的正弦波,输出为峰值为2V的正弦波.再如下图放置电流探头:然后点击仿真器的菜单plot,选择Add plot to window,再放置一个如上图中的看输入电压信号的电压探头,可以同时看到输入电压与输出电流的波形:从波形上可以看出,每一个变压器的输出电流波形几乎是完全一致的.那末有朋友要说了,这么看来,抱负变压器和非抱负变压器模子的表示好像是一样的,没有什么区别呀?下面我们来继续探讨.抱负变压器和非抱负变压器的一个重要的区别就是,抱负变压器不会饱和,而非抱负变压器会饱和.怎么样才干让变压器饱和呢?假如给变压器的初级施加一个直流电压信号,时间长了,励磁电流越来越大,变压器就会饱和.我们来看看是不是这样的.把输入的交流信号源换成一个0.5V的直流信号源:然后点击工具栏上的这个,再次开端时域扫描(没有改参数,和上次一样).然后在如图中所示,R1、R5处放置电流探头.在仿真器界面下选择菜单的plot>Add plot to window,再如图在R3、R7、R9处放置电流探头,看看变压器原边电流在长时间施加直流电流会如何变更吧:从图中可以看到,抱负变压器的初级电流线性上升.而非抱负变压器的初级电流在大约0.76ms的地方开端急剧上升.是不是变压器在这个地方饱和了呢?我们来计算一下.先看一下磁芯和材质的参数:根据这些已知参数,依照电磁感应定律:说明从时间零点开端到0.76毫秒处的磁感应强度增量为467mT.而根据上表中,3C90材质的饱和点约为470mT,说明采取了ER28L_3C90磁芯的几个非抱负变压器在这个地方的确开端进入饱和状态了!而抱负变压器的初级电流只是线性上升,不会进入饱和!懂得了这些模子的特性,你便可以依照实际的需要选择合适的模子停止仿真.不管是抱负化的耦合电感模子,还是非抱负的模子,K系列的模子可以支持有6个绕组的耦合电感或变压器.通常足够我们使用了.。
手把手告诉你建新的pspice模型
![手把手告诉你建新的pspice模型](https://img.taocdn.com/s3/m/74f0e4c184254b35effd340b.png)
手把手教你创立pspice模型有些时候我们会用到pspice里面没有的模型,我们就需要自己建立新模型。
在网上也有很多建立新模型的资料,但是我照着搞,总会有或多或少的问题,后来尝试了很久,终于建立成功了,我分享一下我的经验。
我是实干主义者,很多理论的东西不清楚,但还是希望我写的东西能帮到大家。
1.建立模型的.lib文件。
这个步骤我所知道的的有两种方法。
1.1第一种方法:可以直接在一些官网上下载.lib文件,这样就可以直接进行第二步。
1.2第二种方法:自己编辑。
自己编辑又有两种方法。
(首先具备的条件是你知道你要编辑的模型的pspice参数,一般可以从一些公司的网站上获得,比如我想获得GENESIC公司的sic BJT模型,我就进入GENESIC官网可以下载到它的模型参数。
)1.2.1 自己编辑的第一种方法,通过Model Editor编辑。
开始->所有程序->Candence ->release 16.3/16.5 ->pspice accessories ->model editor就可以打开以下窗口。
接着 File ->New就可以打开以下窗口。
接着点Model ->New就可以打开以下窗口。
接着可以选择Use Devices Characteristics Curves或者Use Templates,From model下拉条可以选择要创建什么器件,我以BJT 为例。
Use Devices Curves(我不是采用这个,所以不展示了,有兴趣的可以自己试验)Use Templates直接在Simulation Parameters栏里按照自己下载的模型参数修改Values即可。
修改完之后再修改smoke参数,如下图窗口:完了之后点File>save as选择存放地点,这里一定要注意,存放的地方为安装目录的candence>SPB_16.5(我的是这个版本,16.3是一样的)>tools>pspice>library自己可以新建一个英文名字的文件夹(不能含中文),然后保存在里面就生成了一个XXX.lib文件。
Pspice Model 自建元件模型
![Pspice Model 自建元件模型](https://img.taocdn.com/s3/m/889c10df50e2524de5187e8d.png)
形如 X^@REFDES %1 %2 %3 @MODEL ,的字符串,其中%1%2%3为新建的管脚,后保存即可;
2. 可参考步骤二网页下载的.olb文件图编辑元件外形,若复制过来的,一定要主要part properties中的设置。
五.调用仿真
需要软件重启之后才能进行调用仿真。
注意:Capture原理图中,要想实现仿真,元件必须从orcad\capture\library \pspice 中选择,自建的元件必
须在其中nom.lib中注册才能调用,因为其他的库中没有仿真模型。
在Capture中 选择元器件,Add library以便更新nom.lib,从中选择自建的元器件模型。
一.获得.LIB文件( 三种途径)
1.由网页下载pspice model,保存为.MOD文件;
启动PSpice Model Editor模型编辑器,File/New建立一个新的.lib文件, model/Import..导入.MOD文件;
File/Save AS,另存为\Orcad\Capture\Library\PSpice\****.lib文件;
件输出即可得到.olb文件。
过程信息:PSpice Schematics to Capture translator
0 Error messages, 0 Warning messages;OK即可
三. 编辑元件外型
1.启动Capture CIS,File/Open/Library, 步骤二的. olb文件,编辑元件外型,放置PIN管脚;
如何建立pspice新模型
![如何建立pspice新模型](https://img.taocdn.com/s3/m/ef06eb25647d27284b73519d.png)
如何建立pspice新模型有些时候我们会用到pspice里面没有的模型,我们就需要自己建立新模型。
在网上也有很多建立新模型的资料,但是我照着搞,总会有或多或少的问题,后来尝试了很久,终于建立成功了,我分享一下我的经验。
我是实干主义者,很多理论的东西不清楚,但还是希望我写的东西能帮到大家。
1.建立模型的.lib文件。
这个步骤我所知道的的有两种方法。
1.1第一种方法:可以直接在一些官网上下载.lib文件,这样就可以直接进行第二步。
1.2第二种方法:自己编辑。
自己编辑又有两种方法。
(首先具备的条件是你知道你要编辑的模型的pspice参数,一般可以从一些公司的网站上获得,比如我想获得GENESIC公司的sic BJT模型,我就进入GENESIC官网可以下载到它的模型参数。
)1.2.1 自己编辑的第一种方法,通过Model Editor编辑。
开始->所有程序->Candence ->release 16.3/16.5 ->pspice accessories ->model editor就可以打开以下窗口。
接着 File ->New就可以打开以下窗口。
接着点Model ->New就可以打开以下窗口。
接着可以选择Use Devices Characteristics Curves或者Use Templates,From model下拉条可以选择要创建什么器件,我以BJT 为例。
Use Devices Curves(我不是采用这个,所以不展示了,有兴趣的可以自己试验)Use Templates直接在Simulation Parameters栏里按照自己下载的模型参数修改Values即可。
修改完之后再修改smoke参数,如下图窗口:完了之后点File>save as选择存放地点,这里一定要注意,存放的地方为安装目录的candence>SPB_16.5(我的是这个版本,16.3是一样的)>tools>pspice>library自己可以新建一个英文名字的文件夹(不能含中文),然后保存在里面就生成了一个XXX.lib文件。
Pspice 仿真模型库建立
![Pspice 仿真模型库建立](https://img.taocdn.com/s3/m/54a2947f01f69e31433294b1.png)
PSPICE仿真模型库建立1、建立OLB库在Capture中File->New->Library在library1.olb上右键Save成你需要的文件名称,比如lm6132.olb在lm6132.olb上右键选择New Part,如下图输入器件名称进入器件Symbol绘制界面,绘制完Symbol后,保存并关闭编辑窗口。
2、建立OLB库和LIB库的对应关系在File界面中,选中文件夹Library中需要添加仿真模型的元件右键,选择Assiociate Pspice Model,弹出对话框选择LIB文件所在的路径。
在Matching Models中会出现可以使用的仿真器件,本例中,因为LIB文件中只有一个器件,所以只显示了一行。
选择该器件,点击下一步,是仿真库中的端点编号和Symbol pin的对应表,可能会出现不是很清楚LIB文件中端点编号的含义,可以使用文本编辑器打开LIB文件,如下图:可以看出每一个端点的含义。
回到Define Pin Mapping的窗口在Symbol Pin的列中,每一行都有一个下拉菜单,下来菜单中是Symbol中Pin的Name,如上图,选择好对应关系以后,点击窗口下方的完成。
弹出对话框,告诉你attached successfully。
3、仿真环境设置在File界面中,选择仿真的DSN设计文件然后选择Pspice菜单中的New Simulation Profile,如果已经New过,选择Edit Simulation Profile。
弹出如下对话框:选择适当的仿真参数。
这里重点要说明的是和LIB仿真库有关的设置。
选择Configuration Files标签,在左边的Category栏中点击Library,如下图:选择对应LIB文件所在的路径,然后点击Add to Design,或者Global,这是库的作用范围的选择。
之前已经存在的nom.lib文件为Global,这个库是Pspice仿真必须库,其中已经包含了各种通常的库文件。
PSpice模型制作
![PSpice模型制作](https://img.taocdn.com/s3/m/dfda2056524de518964b7db1.png)
PSpice 模型创建PSpice 模型是对电路元器件的数学描述,是进行电路仿真分析的前提条件,它的精度和速度直接影响电路分析结果的精确度和仿真速度。
因此,在进行 PSpice 仿真之前,需要有相应元器件的适当 PSpice 模型,如合适的直流模型、交流小信号模型、瞬态分析模型、噪声模型、温度模型等等。
在电路设计的过程中,如果直接调用软件自带模型库中的元件模型参数,不一定能够满足各种不同的实际设计需要,这时就需要修改元件模型参数。
此外,对于新创建的元件,则需要用户自己设置适当的 PSpice 模型参数。
一、PSpice 模型参数的修改PSpice 模型修改比较简单:可以直接选择元件,然后右击选择 Edit PSpice model,即可打开PSpice模型编辑器,编辑所需修改的参数,存盘即可。
其中: Models List 栏用以显示模型名称; Simulation Parameters 栏用以修改设置模型参数; Model Text 栏用以显示模型描述语言,当然这里只能读取,不可以在此进行编辑。
二、PSpice模型的创建为了满足具体设计需要,设计者往往需要创建自己的元件库,要进行 PSpice 仿真,就必须对新建元件进行模型设置,新建模型,有两种主要方式:1、 Model Editor 模型编辑(1)执行 Cadence/Release PSpice Accessories/Model Editor 命令,进入模型编辑器界面,执行 File/New 命令,如下图:(2)点击符号,弹出新建模型的 New Model 对话框,如下图:在该对话框中选择设置,Model Name填写模型名称;选择 Use Device Characteristic Curves 表示用硬件的典型曲线来描述模型;选择 Use Templates 表示用软件自带样本进行参数的修改设置; From Model 用以选择模型类型。
使用PSpice Model Editor建模
![使用PSpice Model Editor建模](https://img.taocdn.com/s3/m/6a327926af45b307e8719764.png)
PSpice Model Editor使用介绍在PSpice使用过程中经常会遇到想要仿真的元器件没有PSpice 模型的问题,为了方便用户更好地使用PSpice软件,本教程将着重介绍如何利用Model Editor来解决这个问题。
◆上海库源电气科技有限公司◆PSpice技术支持中心: ◆技术支持热线:4006-535-525◆Mail: support@◆Web:2012-2-15使用PSpice Model Editor建模当我们在使用PSpice仿真电路时,往往会发现元器件库中的零件已经不够我们使用,常会使我们感到困扰。
其实我们可以利用PSpice的Model Editor轻松快速创建可仿真的元器件模型,再也不必为找不到元器件而苦恼。
常用的方法有下面几种,接下来我们会一一介绍。
利用已有的元器件做修改,生成新的元器件模型我们以压控开关为例进行说明。
将下图中左边常用的亚控开关改为右边的形状,并对其建立PSpice模型。
操作步骤如下:(1)打开原有PSpice库中的analog.olb元件库,找到元件S,将其复制并粘贴到用户自己创建的元件库中,如下图所示:(2)编辑复制过来的S器件,编辑好的器件如下图所示:(3)编辑其属性,选择Options Part Properties,弹出如下窗口:(4)在PSpice Template中输入其属性,输入内容为:S^@REFDES %IN %OUT @ctrl_node1 @ctrl_node2 @model。
@<字串>:以<字串>的內容取代,如果属性中没有此<字串>或<字串>內容没有设定则认为错误;%:该符号后面接元件引脚名称^:此符号用于层次式电路图;基本上所有元件的PSpice Template 属性在其代表该元件的英文简写字符后均要加入此符号(5)将ctrl_node1 和ctrl_node2引脚加入属性中,如下图所示:(6)在Implementation 属性中输入Sbreak,如下图所示:(7) 点击保存,则完成此元器件的创建和编辑。
PSpice模型制作
![PSpice模型制作](https://img.taocdn.com/s3/m/5bee6ff9910ef12d2af9e771.png)
PSpice模型创建PSpice模型是对电路元器件的数学描述,是进行电路仿真分析的前提条件,它的精度和速度直接影响电路分析结果的精确度和仿真速度。
因此,在进行PSpice仿真之前,需要有相应元器件的适当PSpice模型,如合适的直流模型、交流小信号模型、瞬态分析模型、噪声模型、温度模型等等。
在电路设计的过程中,如果直接调用软件自带模型库中的元件模型参数,不一定能够满足各种不同的实际设计需要,这时就需要修改元件模型参数。
此外,对于新创建的元件,则需要用户自己设置适当的PSpice模型参数。
一、PSpice模型参数的修改PSpice模型修改比较简单:可以直接选择元件,然后右击选择Edit PSpice model,即可打开PSpice模型编辑器,编辑所需修改的参数,存盘即可。
其中:Models List栏用以显示模型名称;Simulation Parameters栏用以修改设置模型参数;Model Text栏用以显示模型描述语言,当然这里只能读取,不可以在此进行编辑。
二、PSpice模型的创建为了满足具体设计需要,设计者往往需要创建自己的元件库,要进行PSpice 仿真,就必须对新建元件进行模型设置,新建模型,有两种主要方式:1、Model Editor模型编辑(1)执行Cadence/Release 16.3/PSpice Accessories/Model Editor命令,进入模型编辑器界面,执行File/New命令,如下图:(2)点击符号,弹出新建模型的New Model对话框,如下图:在该对话框中选择设置,Model Name填写模型名称;选择Use Device Characteristic Curves表示用硬件的典型曲线来描述模型;选择Use Templates 表示用软件自带样本进行参数的修改设置;From Model用以选择模型类型。
选择Use Device Characteristic Curves,再确定模型,点击OK即可进入模型编辑器窗口,其中可以设置元件的所有相关仿真参数设定,编辑器会以曲线形式将参数设定后的模型特性实时显示出来。
PSpice添加SPICE模型
![PSpice添加SPICE模型](https://img.taocdn.com/s3/m/e34d8a59e518964bcf847cc1.png)
微波开关利用PIN管在直流正、反偏压下呈现近似导通或断开的阻抗特性,实现了控制微波信号通道转换作用。
PIN二极管的直流伏安特性和PN结二极管是一样的,但是在微波频段却有根本的差别。
由于PIN二极管I层的总电荷主要由偏置电流产生,而不是由微波电流瞬时值产生的,所以其对微波信号只呈现一个线性电阻。
此阻值由直流偏置决定,正偏时阻值小,接近于短路,反偏时阻值大,接近于开路。
因此PIN二极管对微波信号不产生非线性整流作用,这是和一般二极管的根本区别,所以它很适合于做微波控制器件。
二三极管开关二极管、肖特基三极管、瞬变二极管、PIN结二极管、大/中/小功率三极管、高频管、带阴三极管、复合管、整流二极管、快恢复二极管、稳压二极管、整流桥、射频管、场效应管、达林顿管......品牌:PHILIPS、NEC、MOTOROLA、ROHM、TOSHIBA、ST、Panasonic、KEC、INFINEON在用PSpice进行仿真时,很多时候会遇到需要仿真的器件在PSpice自带的仿真库无法找到。
这时需要到该器件对应的官网上去下载对应的SPICE模型,而不同的公司提供的SPICE模型又都不尽相同,比如TI公司提供MOD文件或TXT文本,而ADI公司提供的是CIR格式的文件。
如何将这些不同类型的SPICE仿真模型转换成Simulation可用的lib文件呢?下面介绍了一个方法,只需简单几步即可实现将不同类型的SPICE Model(*.mod/*.txt/*.cir等文本文件)转换成*.lib、*.olb文件。
1、打开Model Editor(in PSpice Accessories)2、File -> Open,打开*.mod或*.txt或*.cir文件3、File -> Save as,另存为*.lib,即可得到Simulation用到的lib文件4、File -> Export to Capture Part Library,得到*.olb文件,添加Capture库中,即可在原理图输入中使用该器件5、最后一步,运行仿真时不要忘记将该lib文件添加到仿真库,Simulation Setting -> Configuration file -> library,add the *.lib file。
怎么建pspice模型
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怎样使用Maxim的Spice宏模型Arpit Mehta, 应用工程师摘要:本应用笔记解释怎样使用Maxim的Spice模型。
所介绍的步骤中包括了从文本文件建立模型符号。
在整个操作过程中,采用MAX4230运算放大器作为例子。
引言一旦设计完成了一款新的IC,设计人员必须对电路进行仿真,测试其基本功能。
可以采用最常用的仿真程序PSpice®来生成用于仿真的Spice模型。
随着图形用户界面的出现,现在可以使用模型符号来画出原理图,对电路进行仿真。
Spice模型最初是文本格式,各种模型符号包含在库中。
然而,当没有可用符号时,用户必须建立一个符号来使用模型。
本应用笔记解释怎样使用Maxim的Spice模型,从模型文本文件中建立符号。
作为一个例子,本应用笔记采用了MAX4230运算放大器Spice模型。
在OrCAD® CIS 9.2 Lite Edition上运行仿真。
获得模型在公司网站上几乎可以找到所有Maxim元件的Spice模型。
图1所示为运算放大器和比较器的模型。
图1. Maxim网站提供Spice模型。
任意标准文本编辑器都可以打开宏模型文件,并保存为.LIB扩展文件。
在这个例子中,将采用库文件MAX4230.LIB来进行仿真,建立符号。
从模型中建立一个符号按照下面的步骤从模型中建立一个符号:1. 打开Pspice模型编辑器。
2. 选择“File”,然后是“Create Capture Parts”。
将弹出图2所示的窗口。
图2. 从Create Parts窗口开始建立Spice模型符号。
3. 找到MAX4230库(即,MAX4230.LIB)的位置,并选中它。
窗口中的第二行自动显示带有MAX4230.olb扩展的输出文件,位置和其.LIB文件相同。
4. 点击“OK”,确定建立了符号,没有错误。
应该能够在所选的目标位置看到MAX4230.olb文件。
使用符号5. 打开Capture程序。
PSpice子电路模型的创建
![PSpice子电路模型的创建](https://img.taocdn.com/s3/m/2f765bc0d5bbfd0a795673b1.png)
第34卷第3期2004年6月微电子学M icroelectron ics V o l 134,№3Jun 12004收稿日期:2003203219; 定稿日期:2003205208文章编号:100423365(2004)0320291204PSp ice 子电路模型的创建李 军,贾新章(西安电子科技大学 微电子所,陕西西安 710071)摘 要: 对于常用的电路单元以及集成电路新产品,建立一个子电路模型,并作为一个器件添加到PSp ice 模型库中,就可以使电路系统设计人员非常方便地使用这些产品。
文章在介绍P sp ice 模型库中子电路描述语句的基础上,针对两种不同类型的子电路,介绍了建立子电路模型的方法,并指出了调用新建子电路模型时必须注意的问题。
关键词: PSp ice ;模拟;子电路;模型中图分类号: TN 711文献标识码: ACrea tion of a Sub -C ircu it M odel for PSp iceL I Jun ,J I A X in 2zhang(M icroelectron ics Institu te ,X id ian U n iversity ,X i ’an ,S haanx i 710071,P 1R 1Ch ina )Abstract : Sub 2circuit models fo r cells and new I C p roducts are very useful fo r electronic engineers in designingelectronic system s and circuits 1M ethods fo r creating tw o types of sub 2circuits based on the PSp ice model fo r m at are p resented 1Emphasis is m ade on som e key po ints in the p roper use of sub 2circuit models 1Key words : PSp ice ;Si m ulati on ;Sub 2circuit ;M odel EEACC : 11501 引 言PSp ice 是一个得到广泛应用的电路模拟软件[1,3],该软件中的模型库提供了目前通用的商品集成电路子电路模型,如运算放大器、电压比较器等。
Model Editor建立Pspice模型
![Model Editor建立Pspice模型](https://img.taocdn.com/s3/m/118683170b4e767f5acfcec8.png)
PSpice库中已有极多模型可用,没有必要自建模型,如果遇到库中没有的器件模型,可以到生产该器件上公司网站上下载,一般大型公司都会提供。
如果一定要自建模型,可以用PSpice 中的模型编辑软件实现(“Model Editor”),一般可以用已有的模型作一些修改实现。
可以上网找一些深层次的PSpice书看或是找一些极老版本的PSpice的书看,老版本的书中会较多得提到关于PSpice命令、语言等方面与模型有关的东西。
听过一个高手的培训,PSpice其实就是一个计算器。
只要器件模型对了,就能给出结果。
你调用的是PSpice的模型库中的元器件吗?如果是,基本不会出现因为模型原因而不能仿真的现象!资料你可以上网找,很多的。
先找本简单的看看就行了。
个人认为PSpiec在模拟电路仿真方面是最好的。
关于你出现的问题,是PSpice中常见的,与PSpice的算法有关。
解决的方法是在出现问题的结点处(即提示的node ***)与电路地之间加一个值很大的电阻,这样即不会影响仿真精度,问题也能解决。
值得一提的是在PSpice 的电路在必需有一个结点的名称为“0”,一般建议将“地”结点命名为“0”.这与PSpice的算法与电路网表的结构有关,不必深揪!PSpice 如何利用Model Editor 建立仿真用的模型PSpice 提供Model Editor 建立元件的Model,从元件供应商那边拿到该元件的Datasheet,透过描点的方式就可以简单的建立元件的仿真模型,来做电路的模仿真。
PSpice 提供约十多种的元件(Diode、Bipolar Transistor、Magnetic Core、IGBT、JFET、MOSFET、Operational Amplifier、Voltage Regulator、Voltage Comparator、Voltage Reference、DarlingtonTransistor)来建立元件的模型。
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PSpice模型创建PSpice模型是对电路元器件的数学描述,是进行电路仿真分析的前提条件,它的精度和速度直接影响电路分析结果的精确度和仿真速度。
因此,在进行PSpice仿真之前,需要有相应元器件的适当PSpice模型,如合适的直流模型、交流小信号模型、瞬态分析模型、噪声模型、温度模型等等。
在电路设计的过程中,如果直接调用软件自带模型库中的元件模型参数,不一定能够满足各种不同的实际设计需要,这时就需要修改元件模型参数。
此外,对于新创建的元件,则需要用户自己设置适当的PSpice模型参数。
一、PSpice模型参数的修改PSpice模型修改比较简单:可以直接选择元件,然后右击选择Edit PSpice model,即可打开PSpice模型编辑器,编辑所需修改的参数,存盘即可。
其中:Models List栏用以显示模型名称;Simulation Parameters栏用以修改设置模型参数;Model Text栏用以显示模型描述语言,当然这里只能读取,不可以在此进行编辑。
二、PSpice模型的创建为了满足具体设计需要,设计者往往需要创建自己的元件库,要进行PSpice仿真,就必须对新建元件进行模型设置,新建模型,有两种主要方式:1、Model Editor模型编辑(1)执行Cadence/Release 16.3/PSpice Accessories/Model Editor命令,进入模型编辑器界面,执行File/New命令,如下图:(2)点击符号,弹出新建模型的New Model对话框,如下图:在该对话框中选择设置,Model Name填写模型名称;选择Use Device Characteristic Curves表示用硬件的典型曲线来描述模型;选择Use Templates 表示用软件自带样本进行参数的修改设置;From Model用以选择模型类型。
选择Use Device Characteristic Curves,再确定模型,点击OK即可进入模型编辑器窗口,其中可以设置元件的所有相关仿真参数设定,编辑器会以曲线形式将参数设定后的模型特性实时显示出来。
‘其中Reverse Leakage栏,用以设置曲线特定点的对应X、Y值;曲线显示区可以实时显示电压、电流等模型典型特性曲线;Parameters栏用以编辑模型特定参数范围。
(3)完成模型参数设置后,保存,而后执行File/Model Import Wizard (Capture)弹出Model Import Wizard:Specify Library对话框,输入创建的模型库*.lib文件,输出模型*.olb文件,即为所创建的模型自动分配模型的Capture符号,便于原理图绘制仿真。
(4)回到Capture原理图中,调用刚刚创建的*.olb库文件,即可调用新建的元件PSpice模型,如下图:(5)此后若想对该元件进行参数修改,即可直接右击选择Edit PSpice Model命令,即可进入模型编辑器中进行参数调整。
2、模型文本编辑元器件模型参数还可以采用文本形式进行编辑设置,即直接将模型参数从键盘输入,新建文本文件,用下列描述语言输入元件模型参数:* 0627 D model.MODEL 0627 D+ IS=1.0000E-15+ RS=1.0000E-3+ CJO=1.0000E-12+ M=.3333+ VJ=.75+ ISR=100.00E-12+ BV=100+ IBV=100.00E-6+ TT=5.0000E-9模型参数描述文本设置完成后,保存为*.lib文件格式即可,然后再在Model Editor中可以可以将该文件分配到Capture元件库文件*.olb,就可以进行模型调用了。
三、PSpice宏模型的创建随着集成技术的发展,集成电路规模越来越大,集成度越来越高,芯片中的底层元件越来越多,分析软件受现实因素限制,进行晶体管级的大规模电路仿真分析是很不现实的,因此宏模型应运而生。
宏模型是指在一定精度范围内,电子系统的端口输入输出特性的简化等效模型,可以是一组等效电路、数学函数或一张数据表格,大大简化了原电路复杂度,加快了电路仿真分析计算的速度。
由于电路不同的等效模型,不同的宏模型由此产生:电路简化宏模型、电路特性宏模型、表格特性宏模型以及数学函数宏模型等,其中PSpice仿真支持行为级宏模型、数学宏模型和表格宏模型。
1、行为级宏模型创建行为级宏建模即电路模拟行为建模(ABM),经常采用的是字电路形式来描述,例如执行Edit PSpice Model即可对芯片编辑宏模型,以下为74AS168芯片的行为级宏模型,:*---------* 74AS168 Synchronous 4-bit Up/Down Decade Counters** The ALS/AS Data Book, 1986, TI* JSW 7/27/92 Remodeled using LOGICEXP, PINDLY, & CONSTRAINT devices*.SUBCKT 74AS168 CLK_I U/DBAR_I ENPBAR_I ENTBAR_I LOADBAR_I+ A_I B_I C_I D_I QA_O QB_O QC_O QD_O RCOBAR_O+ OPTIONAL: DPWR=$G_DPWR DGND=$G_DGND+ PARAMS: MNTYMXDLY=0 IO_LEVEL=0*UAS168LOG LOGICEXP(17,15) DPWR DGND+ CLK_I U/DBAR_I ENPBAR_I ENTBAR_I LOADBAR_I A_I B_I C_I D_I+ QA QB QC QD QABAR QBBAR QCBAR QDBAR+ CLK U/DBAR ENPBAR ENTBAR LOADBAR A B C D RCOBAR DA DB DC DD EN+ D0_GATE IO_AS00 IO_LEVEL={IO_LEVEL}+ LOGIC:+ CLK = { CLK_I }+ ENPBAR = { ENPBAR_I }+ ENTBAR = { ENTBAR_I }+ U/DBAR = { U/DBAR_I }+ LOADBAR = { LOADBAR_I }+ A = { A_I }+ B = { B_I }+ C = { C_I }+ D = { D_I }+ UD = { ~U/DBAR }+ LOAD = { ~LOADBAR }+ EN = { ~ENTBAR & ~ENPBAR & LOADBAR } + IA4 = { ~((QABAR & U/DBAR) | (QA & UD)) } + IB4 = { ~((QBBAR & U/DBAR) | (QB & UD)) } + IC4 = { ~((QCBAR & U/DBAR) | (QC & UD)) } + ID4 = { ~((QDBAR & U/DBAR) | (QD & UD)) } + IB5 = { ~(U/DBAR & ID4) }+ IC5 = { ~(QCBAR & UD & QDBAR) }+ IA1 = { A & LOAD }+ IA2 = { EN ^ ( LOADBAR & QA) }+ IB1 = { B & LOAD }+ IB2 = { ~(EN & IA4) & LOADBAR & QB }+ IB3 = { IA4 & EN & IC5 & IB5 & QBBAR }+ IC1 = { C & LOAD }+ IC2 = { ~(EN & IA4 & IB4) & LOADBAR & QC }+ IC3 = { ~(QC & LOADBAR) & EN & IA4 & IB4 & IC5 }+ ID1 = { D & LOAD }+ ID2 = { ~(EN & IA4) & LOADBAR & QD }+ ID3 = { ~(QD & LOADBAR) & EN & IA4 & IB4 & IC4 }+ DA = { IA1 | IA2 }+ DB = { IB1 | IB2 | IB3 }+ DC = { IC1 | IC2 | IC3 }+ DD = { ID1 | ID2 | ID3 }+ RCOBAR = { ~((U/DBAR & IA4 & ID4 & ~ENTBAR) | (~ENTBAR & UD &+ IA4 & IB4 & IC4 & ID4)) }*UDFF DFF(4) DPWR DGND $D_HI $D_HI CLK DA DB DC DD+ QA QB QC QD QABAR QBBAR QCBAR QDBAR D0_EFF IO_AS00*UAS168DLY PINDLY (5,0,10) DPWR DGND+ RCOBAR QA QB QC QD+ CLK ENPBAR ENTBAR U/DBAR LOADBAR A B C D EN+ RCOBAR_O QA_O QB_O QC_O QD_O+ IO_AS00+ MNTYMXDLY = {MNTYMXDLY} IO_LEVEL = {IO_LEVEL}+ BOOLEAN:+ CLOCK = { CHANGED_LH(CLK,0) }+ CNTENT = { CHANGED(ENTBAR,0) }+ PINDLY:+ RCOBAR_O = {+ CASE(+ CNTENT, DELAY(1.5NS,-1,9NS),+ CHANGED(U/DBAR,0) & TRN_LH, DELAY(2NS,-1,12NS), + CHANGED(U/DBAR,0) & TRN_HL, DELAY(2NS,-1,13NS), + CLOCK & TRN_HL, DELAY(2NS,-1,13NS),+ CLOCK & TRN_LH, DELAY(3NS,-1,16.5NS),+ DELAY(3NS,-1,16NS)+ )+ }+ QA_O QB_O QC_O QD_O = {+ CASE(+ CLOCK & TRN_LH, DELAY(1NS,-1,7NS),+ CLOCK & TRN_HL, DELAY(2NS,-1,13NS),+ DELAY(2NS,-1,13NS)+ )+ }+ FREQ:. + NODE = CLK+ MAXFREQ = 75MEG+ WIDTH:+ NODE = CLK+ MIN_LOW = 6.7NS+ MIN_HIGH = 6.7NS+ SETUP_HOLD:+ DATA(4) = A B C D+ CLOCK LH = CLK+ SETUPTIME = 8NS+ WHEN = { LOADBAR!='1 ^ CHANGED(LOADBAR,0) }+ SETUP_HOLD:+ DATA(2) = ENPBAR ENTBAR+ CLOCK LH = CLK+ SETUPTIME = 8NS+ WHEN = { CHANGED(EN,8NS) & (LOADBAR!='0 ^ CHANGED(LOADBAR,0)) }+ SETUP_HOLD:+ DATA(1) = U/DBAR+ CLOCK LH = CLK+ SETUPTIME = 8NS+ WHEN = { EN!='0 ^ CHANGED(EN,0) }+ SETUP_HOLD:+ DATA(1) = LOADBAR+ CLOCK LH = CLK+ SETUPTIME = 8NS*.ENDS*行为级宏模型即将子系统内电路以网表的形式描述出来,描述该子系统的内部行为模型子电路。