关于存储器

存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。

先明确一个概念：MCP堆栈多芯片封装，Multiple Chip Packet,是一种封装技术，存储器用的就是这种技术。构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元，它可存储一个二进制代码；一个存储元一般称为1Bit；由若干个存储元组成一个存储单元；由8个存储元组成的存储单元可以存储8个二进制代码一般称为1Byte（字节）；由许多存储单元组成一个存储器。一个存储器包含许多存储单元，每个存储单元可存放一个字节。每个存储单元的位置都有一个编号，即地址，一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。假设一个存储器的地址码由20位二进制数（即5位十六进制数）组成，则可表示220，即1MBIT个存储单元地址。若每个存储单元存放一个字节，则该存储器的存储容量为1MByte。

手机业内（包括飞图公司）在描述存储器容量的时候，提到的如512M+256M，是指512MBit+256MBit，如果要换算成Byte，则是64MByte+32MByte；

按存储器的读写功能分

只读存储器(ROM)：存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器。

只读存储器（Read-Only Memory）就是一块单独的内部存储器，用来存储和保存永久数据的。ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。即使是断电，ROM也能够保留数据。所以，它也属于非易失性存储器

往ROM中注入数据需要另外的编译器，PC上面是没有这个功能的。一般在ROM出厂前注入信息，没有特殊情况一般不会更改内容，也就是说通常是一辈子都是同样的内容。

在PC中容易误解的一点就是经常有人把ROM和HardDisk(硬盘)搞混淆，HardDisk是属于外部存储器，

随机读写存储器(RAM)：既能读出又能写入的半导体存储器。

Random-Access Memory：

存储器是存储程序以及数据的地方，比如当我们在使用WPS处理文稿时，当你在键盘上敲入字符时，它就被存入存储器中，当你选择存盘时，存储器中的数据才会被存入硬（磁）盘。

RAM就是既可以从中读取数据，也可以写入数据。当机器电源关闭时，存于其中的数据就会丢失。所以，它也属于易失性存储器

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM 必须隔一段时间刷新（refresh）一次。如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。

DRAM的具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。

DRAM 利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。

SDRAM（Synchronous DRAM）: 同步动态随机存储器。目前的168线64bit带宽内存基本上都采用SDRAM 芯片，工作电压3.3V电压，存取速度高达7.5ns，而EDO内存最快为15ns。并将RAM与CPU以相同时钟频率控制，使RAM与CPU外频同步，取消等待时间。所以其传输速率比EDO DRAM更快。SRAM是英文Static RAM的缩写，叫静态随机存储器，它是一种具有静态存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM 却需要很大的体积；

DRAM和SRAM的优缺点

SRAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；DRAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给与补充，所以DRAM需要设置刷新电路。但DRAM比SRAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。

SRAM的优点是，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。

缺点是，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。

PSRAM：（Pseudo Static Random Access Memory）伪静态随机存储器

PSRAM具有一个单晶体管的DRAM储存格，与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-load resistor SRAM 储存格式大不相同，但它具有类似SRAM的稳定接口，内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power 6T SRAM优异的长处，例如体积更为轻巧，售价更具竞争力。目前在整体SRAM 市场中，有90%的制造商都在生产PSRAM组件。在过去两年，市场上重要的SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。

PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。

PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量没有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突发模式，并不是很慢，Hynix，Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等厂家都有供应，价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点，比SRAM便宜很多。

总之，之所以叫PSRAM为伪SRAM是因为它表现出来的主要性能，比如：不需要刷新电路、接口等与SRAM一样，但内部构架又是与DRAM一样的。

PSRAM主要应用于手机，电子词典，掌上电脑，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM 相比,PSRAM体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。

东芝(Toshiba)、NEC Electronics和富士通(Fujitsu)三家公司日前共同提出PSRAM第四版的标准接口规范，也称之为CSOMORAM Rev. 4 (COmmon Specifications for MObile RAM)是用于移动RAM的通用规范。三家公司将各自生产与销售自家产品。上述三家公司在1998年9月首次提出通用规范，将堆栈多芯片封装(MCP)通用接口规范共享给包括闪存和SRAM在内的移动设备。随后，他们在2002、2003和2004年分别对其进行了修订，增加了页面模式和突发模式等规格。

NOR（Non-OR或非门）是现在市场上主要的非易失闪存技术。NOR一般只用来存储少量的代码；NOR 主要应用在代码存储介质中。NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高，它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在（NOR型）flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分