可控硅过压保护方式

交流一下可控硅关断过电压保护方式

关于可控硅关断过电压保护

常见的有以下二种：

1、每只可控硅分别并联RC方式；

2、反向阻断式阻容保护，即整流桥+RC.(同时还可以对交流侧和直流侧保护)。和大家交流一下，一般以上二种方式哪种更好些呢？

大家所接触的励磁功率柜都用哪种方式？

在可控硅分别并联合适RC方式效果最好，但参数计算复杂，且器件

的保护不好搞，万一器件损坏（短路），会影响整个整流柜；

反向阻断式阻容保护，即整流桥+RC.(同时还可以对交流侧和直流侧

保护)，效果差一些，电阻功耗大，但可以设立保险，安全性能好。

不知道各厂家都侧向于哪种方式？

感觉第一种方式，如果再配上交流侧和直流侧的阻容和压敏电阻保

护，各保护元件比较分散；而反向阻断式则比较集中，从机柜走线来

看，后者是不是更方便一些。

我们的是第一种保护方式,我们每年的大修都量这两个元件的参数,

"反向阻断式阻容保护"是个什么保护？能传个图我学习一下么？谢

谢

我们厂采用的是UNITROL F系列调节器是第二种阻容回路

另：论坛里讨论UNITROL 5000的贴子非常多至今未见过F系列的

相关内容，是不是采用F系列的电厂本身就不多？

其实现代电机励磁的过电压保护问题，已经不仅仅是对可控硅元件的

保护问题，它还牵扯到整个励磁回路，乃至转子磁极、电机的轴电压轴电流和轴承轴瓦的运行安全，随着电机规格的做大、参数的提高，励磁谐波过电压对电机运行的潜在危害也越发暴露出来，如磁极铁芯的电腐蚀、较高的轴电压、轴电流对轴承油膜的破坏并导致烧瓦事故等等，其根源就是我们上面的分析，其问题就是我们的过电压保护方式和参数配置不合理或不够全面完整，保护的范围太窄或不够有效，期望励磁人能跳出励磁的圈子来看待这个问题，即要保证励磁自己不出事，也不要对发电机或其它设备造成干扰或损害。