半导体激光器 ppt课件

布
1
p(E)1expE( Ef )
(3.3)
kT
式中，k为波兹曼常数，T为热力学温度。Ef 称为费米能 级，用来描述半导体中各能级被电子占据的状态。
在费米能级，被电子占据和空穴占据的概率相同。
一般状态下，本征半导体的电子和空穴是成对出现的，用Ef 位于禁带中央来表示，见图3.2(a)。
在本征半导体中掺入施主杂质，称为N型半导体，见图3.2(b)。
如果N1>N2，即受激吸收大于受激辐射。当光通过这种物 质时，光强按指数衰减， 这种物质称为吸收物质。
如果N2>N1，即受激辐射大于受激吸收，当光通过这种物 质时，会产生放大作用，这种物质称为激活物质。
N2>N1的分布，和正常状态(N1>N2)的分布相反，所以称 为粒子(电子)数反转分布。
问题：如何得到粒子数反转分布的状态呢?
P区
能量
p
E
c
P区
p
E
v
内部电场
PN 结空 间电 荷区
扩散 漂移
N区
n
E
c
（a) P-N结内载流子运动；
势垒
E
f
N区
n
E
v
图 3.3 PN
(b) 零偏ห้องสมุดไป่ตู้时P-N结 的能带倾斜图
p
E
c
hf
p
Ef
p
Ev
n
E
c
n
hf
Ef
n
Ev
内部电场
外加电场
电子，
空穴
正向偏压下P-N结能带图
获得粒子数反转分布
增益区（作用区）的产生：
当系统处于热平衡状态时，
N2 exp(E2E1)
N1
kT
式中， k=1.381×10-23J/K，为波尔兹曼常数，T为热力学温 度。由于(E2-E1)>0，T>0，所以在这种状态下，总是N1>N2。 这是因为电子总是首先占据低能量的轨道。
受激吸收和受激辐射的速率分别比例于N1和N2，且比例系 数(吸收和辐射的概率)相等。
受激辐射是受激吸收的逆过程。电子在E1和E2两个能级之间 跃迁，吸收的光子能量或辐射的光子能量都要满足波尔条件， 即
E2-E1=hυ
式中，h=6.628×10-34J·s，为普朗克常数， υ为吸收或辐射的 光子频率。
产生受激辐射和产生受激吸收的物质是不同的。 设在单位 物质中，处于低能级E1和处于高能级E2(E2>E1)的原子数分别 为N1和N2。
1. 受激辐射和粒子数反转分布
2. 有源器件的物理基础是光和物质相互作用的 效应。
3. 在物质的原子中，存在许多能级，最低能 级E1称为基态，能量比基态大的能级Ei(i=2, 3, 4 …)称为激发态。(热力学平衡状态下，在较低 能级上比较高能级上存在较多的电子)
4. 电子在低能级E1的基态和高能级E2的激发态 之间的跃迁有三种基本方式：受激吸收（本征吸 收） 自发辐射 受激辐射
在本征半导体中，掺入受主杂质，称为P型半导体，见图 3.2(c)。
在P型和N型半导体组成的PN结界面上，由于存在多数载流 子(电子或空穴)的梯度，因而产生扩散运动，形成内部电场， 见 图3.3(a)。
内部电场产生与扩散相反方向的漂移运动，直到P区和N区的 Ef 相同，两种运动处于平衡状态为止，结果能带发生倾斜，见图 3.3(b)。
半导体激光器（Laser Diode 即LD）
6.3.1 半导体激光器工作原理和基本结构 一、半导体激光器的工作原理
受激辐射和粒子数反转分布 PN结的能带和电子分布 激光振荡和光学谐振腔 二、半导体激光器基本结构 6.3.2 半导体激光器的主要特性 一、发射波长和光谱特性 二、激光束的空间分布 三、转换效率和输出光功率特性 四、 频率特性 五、 6.3.3 分布反馈激光器 一、 工作原理 二、DFB激光器的优点
(2)受激辐射
在高能级E2的电子，受到入射光的作用，被迫跃迁到低能级 E1上与空穴复合，释放的能量产生光辐射，这种跃迁称为受激辐 射，见图6－15(b)。 (3)受激吸收
在正常状态下，电子处于低能级E1，在入射光作用下，它会 吸收光子的能量跃迁到高能级E2上，这种跃迁称为受激吸收。 电子跃迁后，在低能级留下相同数目的空穴，见图6－15(c)。
能量 Eg
导带
Ec Eg/2
Ef
Eg
Eg/2
Ev
价带
Ec
Ec
Ef Eg Ef
Ev
Ev
(a)
(b)
(c)
图 3.2
(a) 本征半导体； (b) N型半导体； (c) P型半导体
能量 Eg
导带
Ec Eg/2
Ef
Eg
Eg/2
Ev
价带
Ec
Ec
Ef Eg Ef
Ev
Ev
在热平衡状态下(a，) 能量为E的能级(b)被电子占据的概(c率) 为费米分
6.3.1 半导体激光器工作原理和基本结构
半导体激光器是向半导体PN结注入电流，实现粒子 数反转分布，产生受激辐射，再利用谐振腔的正反馈， 实现光放大而产生激光振荡的。
光受激辐射、发出激光必须具备三个要素：
1、激活介质经受激后能实现能级之间的跃迁；
2、能使激活介质产生粒子数反转的泵浦装置；
3、放置激活介质的谐振腔，提供光反馈并进行放大， 发出激光。
导带
导带
价带
价带
正常分布
反转分布
产生激光的必要条件二：粒子数反转分布
半导体激光器
• 注入载流子－半导体激光器 • 强光对激光物质进行照射－固体激光器 • 气体电离－气体激光器
2. PN
在半导体中，由于邻近原子的作用，电子所处的能态扩展成
能级连续分布的能带。能量低的能带称为价带，能量高的能带称
为导带，导带底的能量Ec 和价带顶的能量Ev 之间的能量差EcEv=Eg称为禁带宽度或带隙。电子不可能占据禁带。
受激辐射和自发辐射区别在于是否有外来光子的参与，且产生 的光的特点很不相同。
受激辐射光的频率、相位、偏振态和传播方向与入射光相同， 这种光称为相干光。
自发辐射光是由大量不同激发态的电子自发跃迁产生的，其 频率和方向分布在一定范围内，相位和偏振态是混乱的，这种 光称为非相干光。
受激辐射和受激吸收的区别与联系
E2
初态
E1
E2
hυ=E2-E1
E1
终态
(a) 自发辐射 光子的特点：非相干光
E2
hυ
E1
初态
E2
E1
终态
(b) 受激辐射 光子的特点：相干光
E2
hυ
E1
初态
E2
E1
终态
E2
E2
hυ
E1
终态
E1
初态
(b) 受激辐射
(c) 受激吸收
产生激光的必要条件一：受激辐射占主导地位
(1)自发辐射
在高能级E2的电子是不稳定的，即使没有外界的作用， 也会 自动地跃迁到低能级E1上与空穴复合，释放的能量转换为光子辐 射出去，这种跃迁称为自发辐射，见图6－15(a)。