最实用的数字万用表巧妙测量方法

你也许不知道的数字万用表用法

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一、区分火线和零线

数字万用表的交流电压挡ACV非常灵敏，能够感应到微弱的电压信号。可以利用这点来区分火线和零线。

方法1：使用交流电压20V挡（或者2V挡），取下黑表笔，只用红表笔，用表笔笔尖一次测量电源插座的两个孔，其中显示数值大的一次为火线，另一次是零线。

方法2：非接触测量。直接隔着导线绝缘层辨别火线。使用交流2V挡，用红表笔一次接触两根导线，读数较大的一次是火线。

二、寻找导线中短线位置

使用交流2V挡。把短芯的绝缘线一端接220V交流电，另一端悬空。从接火线那端开始，将红表笔沿着绝缘皮移动，显示出的电压是零点几伏，如果在某个位置突然降低到零点零几伏，说明此处短线。

三、检测外壳是否带电

使用交流200V挡，拔下黑表笔，只使用红表笔，接触外壳，如果此时数值为零，说明外壳不带电。如果显示数值在15V以上，说明存在漏电现象。

如果数值小于15V，可以把黑表笔接COM上，并把黑线在左手四指头上绕3匝以上，注意手不要碰笔头，然后用红笔测外壳，此时读数如果增加到15V以上，说明外壳带电。

四、测量静电

使用200MV DC挡，黑表笔悬空，用红表笔接触被测物表面，读数越大，说明静电电压越高，如果读数有负号，说明被测物带负电。

五、测量电池

使用直流200MA 挡。此挡的表内电阻为1欧姆，检测1.5V电池的时候，串联上一个36欧姆的限流电阻，然后测电池两端。根据公式：

输出电流I=E/(1+36)=1.5/37=41MA 左右

如果测量值比这个小很多，说明电池已经失效。

对于其他电池，参考下表的正常数值：

六、测量逻辑电平

使用直流2V挡，可以测量TTL,CMOS集成电路的逻辑电平。因为，TTL电路逻辑0通常为0.2V，不高于0.4V，逻辑1通常3.3V，不低于2.4V。CMOS集成电路，逻辑0接近电源电压负端，逻辑1接近电源正端，一般不超过18V。

测量时，如果读数显示1即溢出，表示为高电平，否则是逻辑低电平。

七、测量大于20UF的电容

方法很简单，就是利用两个电容串联后，总电容小于任何一个电容。这样，即使被测电容大于20UF，也可以借助公式来求解。

=C1串联C2=C1*C2/(C1+C2) 可以推导出C被测=C2*C串/（C2-C串）

这里C1是被测电容，C2是串联起来的辅助电容，C串就是表的读数。

这样就可以推导出被测电容的大小。注意：辅助电容应该尽量接近20UF，比较准确。

八、用电阻挡检测电容充放电

其实数字表也可以。数字表有一个采样速率，每秒会显示N次，这样大家也会观察到一个逐渐变化的数值。可以测量0.1UF到几千微法的电容。

选择合适的电阻档，红黑表笔分别接电容两端，此时数值会逐渐增大，知道溢出。这是因为，刚开始的充电电流很大，等效电阻就很小，当充电完成，没有电流，阻值就是接近无穷大了。

九、检测二极管

在这里，首先我要先纠正一个很多人的误解：二极管档位测量的是阻值。

这句话是错误的，事实上，二极管挡测量的是压降VF。还有数字表红笔是高电位，黑笔是低电位。

一般硅材料二极管正向压降0.5-0.7左右，反偏溢出。

锗材料二极管正向压降一般0.15到0.3左右。

提示，利用测量的正向压降读数，还可以估计正向电阻的值：

硅材料二极管：R约为900*读数VF

锗材料：R约为700*读数VF

十、用HFE档位，测量二极管极性

利用HFE挡，NPN插孔，此时C孔高电位，E孔低电位。将二极管插入C和E，如果读数溢出，说明此时C插的是二极管阳极。

十一、用二极管挡判别硅锗材料

使用二极管挡，保持二极管正向偏置。如果读数在0.500到0.700之间，是硅材料。如果在0.150到0.300之间，是锗材料。

原理：此档位，表内提供一个1毫安的电流源。

注意：一般不用电阻档位检测二极管，因为数字万用表的检测电流很小，PN结又是非线性的，小电流时候，PN结正偏电阻也是很大的，不具备参考意义。这也是指针表的优势。

十二、检测肖特基二极管

肖特基二极管：低功耗、大电流、超高速，恢复时间纳秒级别，正向导通压降0.4左右，电流可以达到。。。几千毫安培。。吓人。缺点是反向耐压比较低，100V左右。只有一种载流子参与导电。肖特基管子，有二、三、四脚的。

十三、检测整流桥

使用二极管挡。黑笔固定接一脚，红笔分别接另外三个。如果读数两次为0.5到0.7，一次为1.0到1.3，这一次的黑笔所接为整流桥的输出+极。其中两次显示为。5到。7的引脚是交流输入端。

十四、检测变容二极管

用二极管挡。变容二极管反向偏压越大，结电容越小。变容二极管玻璃封装，有黄红两个色环。极性检测方法和普通的一样。

十五、检测单向晶闸管

使用二极管挡。红笔接一个，黑笔分别接另两个。如果一次显示0。2到0.8，另一次是1.此时红笔接地是门极G，小读数那次黑笔是K。

十六、测量结型场效应管JFET

现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N 型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管,3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等

判断栅极：用二极管挡。红笔接某一脚，黑笔接另外两个。如果两次均显示0.7V左右，或者两次均显示溢出，说明红笔接地是栅极，并且属于N沟道。如果一次显示0.3-0.7，另一次为溢出，说明红笔接地不是栅极。

测跨导：用HFE挡。检测N沟道时候，D接电源正，S接电源负，检测P沟道时候相反，HFE 的C孔带正电，E孔带负电。G极暂时悬空，因为漏源间电阻一般为几百到几千欧姆，所以显示值为几十到200左右。然后吧G插入B孔，相当于给了G一个偏置电压，进入放大状态，ID变大，读数增加到某个值。增加的越大，说明跨导越大。

十七、检测光电耦合器

测输入端：输入端是一个发光二极管，1.3V左右的正偏电压就能够导通。使用二极管挡，测得压降为1V左右。说明正常。如果是0，说明断路。

测输出端：二极管挡。黑笔接C，红笔接E，显示溢出，交换表笔，也显示溢出。