三星电容编码识别
sancon电容编码规则
对于电容器的编码规则，Sancon是一种常见的标识方法。
以下是Sancon电容器编码规则的基本原则：1. 三位数编码：Sancon电容器编码使用三位数字表示。
每个数字代表一个数值或指示符。
2. 前两位数字：前两位数字表示电容器的值。
这些数字是以标准单位皮法（pF）为基础。
例如，如果前两位数字是12，表示电容器的值为12皮法。
3. 第三位数字：第三位数字表示电容器的乘数。
它用来指示前两位数字要乘以的系数。
- 数字0表示乘以10^0，即不乘以任何系数。
- 数字1表示乘以10^1，即乘以10。
- 数字2表示乘以10^2，即乘以100。
- 以此类推。
4. 容差指示符：有时，第三位数字还可以用于指示电容器的容差。
- 如果第三位数字是R，表示电容器的容差为20%。
- 如果第三位数字是S，表示电容器的容差为10%。
例如，一个Sancon编码为103的电容器，意味着它的值为10 x 10^3皮法，即10,000 皮法或10微法（μF）。
需要注意的是，Sancon编码规则是一种常见的编码方式，但并非所有电容器都使用这种规则。
在实际应用中，还可能遇到其他不同的编码规则和制造商标识方法，因此在选择和使用电容器时，最好参考相关的数据表或规格说明书，以确保准确理解和使用它们。
除了基本的三位数编码外，Sancon编码规则还包括一些特殊的编码方式。
以下是其中一些例子：1. 编码包含字母D：如果Sancon编码中包含字母D，它表示这是一种电容器，具有双排排针结构。
2. 编码包含字母T：如果Sancon编码中包含字母T，它表示这是一种通过铁氧体制造的电容器，通常用于高频滤波器。
3. 编码包含字母E：如果Sancon编码中包含字母E，它表示这是一种增强型电容器，具有比标准型更高的容量和电压等级。
需要注意的是，这些特殊编码只是Sancon编码规则的一部分，而且不一定适用于所有的Sancon电容器。
在实际应用中，根据具体情况和要求选择适当的编码方式和电容器型号是很重要的。
三星车规电容命名方法
三星车规电容命名方法摘要：一、三星车规电容概述二、三星车规电容命名方法解析1.命名规则2.命名中的关键参数三、三星车规电容在我国市场的应用四、选购与使用三星车规电容的注意事项五、总结正文：【一、三星车规电容概述】三星车规电容，顾名思义，是应用于汽车电子领域的电容器产品。
这类电容器需承受高温、高压、振动等恶劣环境，因此对其性能要求极高。
三星车规电容凭借出色的稳定性、可靠性和安全性，在全球市场上享有盛誉。
【二、三星车规电容命名方法解析】【1.命名规则】三星车规电容的命名遵循一定规则，通常包括以下几个部分：品牌名称（如三星）、产品类型（如车规电容）、规格（如容量、电压等）以及系列编号。
例如：“三星SDI CXA 1000μF 25V”。
【2.命名中的关键参数】在三星车规电容的命名中，关键参数包括容量、电压、工作温度等。
这些参数决定了电容器的性能和适用场景。
如上文提到的“1000μF”表示容量为1000微法拉，“25V”表示额定电压为25伏特。
【三、三星车规电容在我国市场的应用】随着我国汽车产业的快速发展，对车规级电子元器件的需求日益增长。
三星车规电容凭借优良的性能，在我国市场得到了广泛应用，涵盖了新能源汽车、智能驾驶等领域。
【四、选购与使用三星车规电容的注意事项】1.选购时，务必确认电容器的规格、尺寸、工作温度等参数，以确保其满足实际应用需求。
2.使用过程中，注意遵循汽车电子系统的相关规范，避免因操作不当导致的故障或损坏。
3.储存时，应确保环境干燥、通风，避免高温、潮湿，以免影响电容器的性能。
【五、总结】三星车规电容凭借卓越的性能和可靠的品质，在汽车电子领域有着广泛的应用。
了解其命名方法、选购和使用注意事项，有助于确保电容器在实际应用中的稳定性和安全性。
在选购和使用过程中，密切关注电容器的关键参数，确保其满足汽车电子系统的需求。
三星电容料号说明
-3-
易容网（)提供
Multilayer Ceramic Capacitor
■ PREVIOUS PART NUMBERING
CL 10 C 101 J B N C ●1 ●2 ●3 ●4 ●5 ●6 ●7 ●8
●1 SAMSUNG Multilayer Ceramic Capacitor ●2 Type(Size) ●3 Capacitance Temperature Characteristics ●4 Nominal Capacitance ●5 Capacitance Tolerance ●6 Rated Voltage ●7 Thickness Option ●8 Packaging Type
Symbol F L O S
Packaging Embossed Tape, 13" Reel
Paper 13" Reel Paper 10" Reel Embossed Tape, 10" Reel
▶ STANDARD CAPACITANCE STEP
Series E- 3 E- 6 E-12
E-24
Applicable Capacitance & Range 0.5 ~ 3pF 0.5 ~ 10pF 6 ~ 10pF
E-24 Series for over 10pF
E-12 Series E-6 Series
●6 RATED VOLTAGE
Symbol Q P O A B C
Rated Voltage(Vdc) 6.3V 10V 16V 25V 50V 100V
B
± 0.1pF
C
± 0.25pF
C0G(NPO)
D
Samsung-NAND-FLASH命名规则
三星的pure nand flash〔就是不带其他模块只是nand flash存储芯片〕的命名规那么如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : Smart Media, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density〔注：实际单位应该是bit，而不是Byte〕12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. Organization00: NONE08: x816: x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)S : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) 【举例说明】K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8〔即I/O是8位〕，大小是2GB〔16Gb〕，TSOP1封装。
三星电容编码识别
三星电容编码识别你看盘子的料号如下对比：CL 03 B 104 K Q 8 N N N C1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111 系列编码：CL=积层陶瓷电容2 尺寸编码03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220)3 介质I类 II类C=C0G S=S2H L=S2LP=P2H T=T2HR=R2H U=U2JA=X5R F=Y5VB=X7R X=X6S4 容量电容容量用三位数表示，前面两位为有效数字，第三位为有效数字后"O"的位数如：104 = 1 00000 （单位pF）如果中间一位为R 则表示"."如：4R7 = 4.7pF5 电容的误差：B=±0.1pf F=±1pf±1% K=±10%C=±0.25pf G=±2% M=±20%D=±0.5pf? J=±5% Z=+80/-20%6 额定电压R=4V O =16V B =50V E = 250V I = 1000VQ=6.3V A =25V C=100V G = 500V J = 2000VP =10V L =35V D =200V H = 630V K= 3000V7 厚度：3=0.30毫米 A=0.65毫米 M=1.15毫米 I=2.00毫米 Q=1.25毫米5=0.50毫米 C=0.85毫米 F=1.25毫米 J=2.50毫米 V=2.50毫米8=0.80毫米 D=1.00毫米 H=1.60毫米 L=3.20毫米8 内电极A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡 100%N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100%L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%9 产品编码A =阵列(2-元素) L =LICCB =阵列(4-元素) N =常规P =自动 C=高频10 特殊编码11 包装编码B=散装 O=纸版箱料带,10英寸料盘 E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱 D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea) F=压花纸版箱,13英寸料盘C=纸版箱料带,7英寸料盘 L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea) S=压花纸版箱,10英寸料盘如有侵权请联系告知删除，感谢你们的配合！。
三星规格书(中文版)
ƚƚƚ
７．电容厚度编码：
3 = 0.30 עA = 0.65 עM = 1.15ע 5 = 0.50 עC = 0.85 עF = 1.25ע 8 = 0.80 עD = 1.00 עH = 1.60ע
I = 2.00ע J = 2.50ע L= 3.20ע
July 2006
MUTLAYER CERAMIC CAPACITORS
The specification and designs contained herein may be subject to change without notice.
QS 9000/ISO 9001
Registered by BSI to QS 9000 or ISO 9001 under BSI’s accreditation by UKAS for Certification. Registration NO : FM25309(2002. 2. 28)
6.Low ESL Capacitors
Packaging Specification
67
Reliability Test Condition
71
1.Appearance
2.Insulation Resistance
3.Withstanding Voltage
4.Capacitance
5.Q Factor / Tan Ҝ
Q = 1.25*ע V = 2.50*ע
８．电容内电极 ／ 端子 ／ 电镀编码：
Ａ＝常规产品 钯／银／镍屏蔽／锡 １００％ Ｎ＝常规产品 镍／铜／镍屏蔽／锡 １００％ Ｇ＝常规产品 铜／铜／镍屏蔽／锡 １００％ Ｌ＝低侧面产品 镍／铜／镍屏蔽／锡 １００％
电容参数识别方法
电容参数识别方法1、国外电容器耐压值通常用字母来表示基数，常见的代码和基数对应关系是：A：1.0；B：1.25；C：1.6；D：2.0；E：2.5；F：3.15；G4.0；H：5.0；J：6.3；K：8.0；Z：9.0；2、字母前面的数表示10的幂，比如2A，即为1.0*10^2=100V，2C为1.6*10^2=160V等等。
3、耐压值后方的字母表示电容容量，单位为pF。
例如823表示容量为82*10^3=82000Pf ，224表示22*10^4=220000pf=0.22uF；最后的字母表示精度，比如J表示容量允许偏差为±5％等等。
4、典型的电容标识示例：2A823J 即82000Pf±5％，耐压100V。
涤纶电容- 标注方法涤纶电容1、直标法：将电容器的主要参数（标称容量、额定电压、及允许偏差）直接标注在电容器上，如0.0047μf/275V，0.0047μf是容量，相当于4700Pf，275V应是耐压（不属优选数系列）。
2、文字符号法：采用数字或字母与数字混合的方法来标注电容器的主要参数。
3、数字标注法一般是用3位数字表示电容器的容量。
其中前两位为有效值数字，第三位为倍乘数（即表示有效值后有多少个0）。
如104，表示有效值是10，后面再加4个0，即100000Pf=0．1μf。
4、字母与数字混合标注法用2—4位数字表示有效值，用P、n、M、μ、G、m等字母表示有效数后面的量级。
进口电容器在标注数值时不用小数点，而是将整数部分写在字母之前，将小数部分写在字母后面。
如4P7表示4．7Pf，3m3表示3300μf等。
涤纶电容- 偏差标注电容器的容量的允许偏差标注字母及含义：字母含义F ±1％G ±2％J ±5％K ±10％M ±20％N ±30％如104K表示容量100000Pf=0．1μf，容量允许偏差为±10％。
三星帖片电容规格对照表教学文稿
三星帖片电容规格对照表三星帖片电容规格对照表规格试例:CL 10 A 105 K Q 8 N N N C1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111:系列编码CL=积层电容2:尺寸编码英寸 (毫米) 英寸 (毫米) 英寸 (毫米)0.3=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)0.5=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)3:电介质编码I类II类C=COG S=S2H L=S2L A=X5R F=Y5VP=P2H T=T2H B=X7R X=X6SR=R2H U=U2J4:电容编码以PF表示的电容,2个有效位加上零的数量.例如:106=10X106=10000000PF 对于<10PF,字母R表示小数点.例如;1R5=1.5PF 5:公差编码B=±0.1PF F=±1PF, ±1% K=±10%C=±0.25PF G=±2% M=±20%D=±0.5PF J=±5% Z=+80/-20%对于小于等于10PF的数值,F=±1PF对于大于10PF的数值,F=±1%.6:额定电压编码R=4V O=16V B=50V E=250V I=1000VQ=6.3V A=25V C=100V G=500V J=2000VP=10V L=35V D=200V H=630V K=3000V7:厚度编码3=0.30毫米 A=0.65毫米 M=1.15毫米 I=2.00毫米 Q=1.25毫米5=0.50毫米 C=0.85毫米 F=1.25毫米 J=2.50毫米 V=2.50毫米8=0.80毫米 D=1.00毫米 H=1.60毫米 L=3.20毫米8:内电极/端子/电镀编码A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡100%N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡100%G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡100%L=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡100%9:产品编码A=阵列(2-元素) L=L1CC B=阵列(4-元素) N=常规C=高频 P=自动10:特殊编码N=预留给未来用途11：包装编码B=散装 O=纸板箱料带,10英寸料盘 E=压花纸板箱,7英寸料盘P=散装箱D=纸板箱料带,13英寸料盘(10000CA) F=压花纸板。
三星电容命名规则
规格说明：CL=积层陶瓷电容03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220)电容容量用三位数表示，前面两位为有效数字，第三位为有效数字后"O"的位数如：105 = 10 00000 （单位pF）如果中间一位为R 则表示"."如：3R3 = 3.3pFA=常规产品 钯/银/镍屏蔽/锡 100% N=常规产品 镍/铜/镍屏蔽/锡100%G=常规产品 铜/铜/镍屏蔽/锡 100% L=低侧面产品 镍/铜/镍屏蔽/锡 100%A =阵列(2-元素) L =LICCB =阵列(4-元素) N =常规 P =自动 C=高频预留的用途第1页规格事例:I类符号EIA编码工作温度范围（℃）温度系数范围（ppm/℃）C C0G -55～+125 0±30P P2H -55～+125 -150±60R R2H -55～+125 -220±60S S2H -55～+125 -330±60T T2H -55～+125 -470±60U U2J -55～+125 -750±120L S2L -55～+125 -1000～+350II类符号EIA编码工作温度范围（℃）电容变化（?C%）A X5R -55～+85 ±15B X7R -55～+125 ±15X X6S -55～+105 ±22F Y5V -30～+85 -82～+22**系列TC电容步骤***第2页外型尺寸：特征.尺寸的大小从：从0402到2220；.PCB高可靠公差和高速自动芯片更换；.大电容范围；.大温度补偿和电压范围：从COG到Y5V和从6.3V到50V；.高可靠性性能；.高电阻端子金属；.表面贴装组件的带料和料盘尺寸表示图（值见下表）鈀 MLCC(MLCC=A鈀零件编码第12号).I类电容<10pF（I类。
主流品牌电容编码规则表
B
C:C0G A:X5R B:X7R F:Y5V Y:X7S 温度特性 3
104
R50:0.5pF 1R0:1.0pF 100:10pF 103:10nF 容值 4
三星：SAMSUNG K
5
B
6
8
2 3 5 8 9 A C E F I D 厚度 7
N
A 电极 8 N:Normal
N
产品码 9 N:
N
Z:+80-20%
J
P:2.5 A:4 J:6.3 L:10 E:16
耐压
1
M
M:通用 W:保留 V:高频
型号
2
K
K:电镀 S:内铜
电极
3
316
021:025012/008004 042:0402/01005 063:0603/0201 105:1005/0402 107:1608/0603 212:2012/0805 316:3216/1206 325:3225/1210 432:4532/1812
Z:+80-20%
D:200 V
G: 350 V H:630 V J:2 kV H:1 kV K:3 kV
H J
G S
L
M P S Q U V Y
0805
0100:0402 0201:0603 0402:1005 0603:1608 0805:2012 1206:3216 1210:3225 1808:4520 1812:4532 2220:5750 2225:5763 3035:7690 尺寸 LW 1
0402:01005 0603:0201 1005:0402 1608:0603 2012:0805 3216:1206 3225:1210 4532:1812 5750:2220 尺寸 LW 2
解读手机电池编码
解读手机电池编码辨别三星电池真伪现在销售手机的利润越来越薄，于是不法商家就把目光盯在了手机电池上。
通过偷换随机所配的原厂原装电池，换成仿冒电池以牟取暴利。
特别现在很多朋友喜欢抢鲜，从一些商家中购买国外的产品，这样难免就会遇到行货电池与水改机电池。
其实，只要你会识别电池上的标识，就能从电池生产日期、电芯信息等细微方面辨别出电池的真伪。
行水电池主要区别就在于行货电池标签为全中文印刷，而水改机为英文印刷。
人们过去认为水改机电池无容量标识，无生产日期的看法，其实是不正确的。
水改机电池 MODEL参数里，包含着电池型号、容量、颜色、销往地等信息。
通过对MODEL参数进行辨别，我们可以辨别出真伪手机电池。
MODEL参数为9位数，前三位是电池型号，BEX 、BST、BSL分别代表加厚电池、标准电池与超薄电池。
倒数第三位表示电池容量，例如，BST5SC，倒数第三位的“5”代表570mAh电池；BST0526WE，“6”代表650mAh电池；BST1097SE，倒数第三位的“7”代表容量为700mAh、720mAh或770mAh电池，1000mAh为A，1700mAh为H，以此类推。
倒数第二位，表示电池颜色。
三星原厂电池分别用白色（ White）、红色（red）、银灰色（silver gray）、橘红色（jacinth）、蓝灰色（kyanite）等英文的第一个字母代表颜色，即用“W”代表白色；用“R”代表红色；“S”代表银灰色；“J”代表橘红色；“K”代表蓝灰色等等。
倒数第一位表示销往地区。
其中，“ C”表示销往大陆、香港、新加坡等亚洲市场；“E”表示欧洲市场。
如MODEL为BEX1099SE的电池，表示加厚电池，900mAh，灰色，销往欧洲市场。
MODEL为BST0526WC的电池，标准电池，650mAh，白色，销往中国。
这里我们以一块三星I300的电池为例进行解读,编码为BST421ABE。
这是一块标准电池，1000mAh的，黑色，原来是销往欧洲地区。
电子元器件—电容识别
S43=1812;S47=2220;S48=2225;S49=1825;S54=3640. 3、Dielectric：N=C0G;W=X7R;X=X5R;Z=Z5U;Y=Y5V. 4:Capacitance:104=(10x104)PF=100NF. 5:Toierance:B=+/-0.1PF;C=+/-0.25PF;D=+/-0.5PF;F=+/-1%;G=+/-2% 5:Toierance:B=+/-0.1PF;C=+/-0.25PF;D=+/-0.5PF;F=+/-1%;G=+/-2%
三、AVX《电容（SMMDD））识识别别》》
0603 3 12
C 104 K A T 2 A
3
4
56789
注注释释：： 1.Size: 0201; 0402; 0603; 0805; 1206; 1210; 1812; 2220; 2225.
2、Voltage:4=4v;6=6.3v;Z=10v;Y=16v;3=25v;B=50v;C=100v;D=200v;
7.Thickness: 3=0.30; 5=0.50; 8=0.80; A=0.65; C=0.85; H=1.60; I=2.00; J=2.50 L=3.20
8.Electrode\Termination\plating: A=Pd\Ag\Sn 100%; B=Ni\Cu\Sn 100%; G=Cu\Cu\Sn 100%
U=13”Reel Plastic.None=Bulk. 注意事项：
注意电容标称参数：生产厂商、容量、公差、额定电压、材料尺寸。
三星电池真伪鉴别
三星电池真伪鉴别一、从SN码辨别真伪：三星电池的SN码，包含着电池的生产厂家、生产日期等信息。
三星电池SN为11位序号，由数字与字母组成，格式为123-ABCD-EF-GH，其中，第2位代表电芯。
用“A”表示三星视界生产，“O”表示SONY公司生产（其它的符号本人不确定，汗一个）第4至7位“ A”、“B”、“CD”分别代表生产年、月、日，用“S”代表2009年，“Z”代表2010年，”B”代表2011年。
用1~9分别代表1至9月份，用A、B、C分别代表10月、11月和12月第8位E表示出货的国家第9位F表示颜色，“S”表示银色最后两位表示电池容量。
例如，电池SN码是SO1S501AS/5-B，O表示是索尼生产的，S501表示生产日期是2009年5月1号，S表示银色，5-B表示1500毫安，真电池的SN码里的信息和电池上写的生产日期、生产厂家相同二、索尼生产的电池，“生产日期”等文字是空心字，是电池生产完后，用激光将生产日期印上去的，用手摸上去有凹凸感，而假电池的生产日期是在电池生产前直接将所有的信息直接印刷在贴纸上的，当然包含生产日期和SN码三星视界生产的电池，文字都是实心的，从印刷上不易区别，但是SN码里的信息和电池上写的生产日期、生产厂家相同。
三、按以上内容辨别后，如果没有问题就继续按下面的方法鉴别，如果SN码里的信息和电池上写的生产日期、生产厂家不相同，那就可以确定是假电池了，那就没必要再按以下的方法鉴别了。
1、电池装入手机后，应该无间隙、晃动，电池盖盖上后，电池盖的缝隙无增大；2、电池铜片位置很正、无歪斜，铜片旁边的印有“+”“-”符号的圆孔底面是光面，“+”“-”符号的表面是毛面；3、铜片端的塑胶部分是软的，用指甲按会留下痕迹，假电池是硬的，按不动（此项不一定）；4、待机时间，这个可以和其他人对比，就不多说了5、垃圾桶左边有个空心黑点6、防水贴四、查询手机出厂日期的方法：看手机背面标签，串号下面的s/n。
SAMSUNG三星贴装电容标称说明
CL 10A105KQ8NNN C层 层 03=020引C=C精用B=±0封引pF 耐=4V 引=0封引高高A=P量层Ag层Ni层脚n下引00包A=2 N= B=05=0402P=P2留C=±0封25pF 纸=排封3V 2=0封2高高N=Ni层Cu层Ni层脚n下引00包B=4 P= 引0=0排03耐=耐2留D=±0封5pF P=引0V 3=0封3高高用=Cu层Ni层脚n下引00包C= 纸 C=7作 2引=0星05脚=脚2留F=±V引pF,V引包精=引排V 4=0封4高高称=Ni层Cu层Ni层脚n下引00包称=称盘CC 0=引3作 3引=引20排T=T2留A=25V 5=0封5高高N= D=引3作 32=引2引0U=U2J 用=±2包称=35V 排=0封排高高P=特=7作 42=引星0星称=脚2称J=±5包B=50V A=0封排5高高F=引3作 43=引星引2A=X5耐K=±引0包C=引00V B=0封排排高高脚=引0作55=2220B=X7耐M=±20包D=200V 7=0封7高高F=Y5V Z=±星0层-20包特=250V 星=0封星高高X=X排脚用=500V N=0封星高高留=排30V C=0封星5高高盘=引000V 9=0封9高高J=2000V D=引封0高高K=3000V精=引封0高高特=引封引高高M=引封引5高高P=引封引5高高F=引封25高高纸=引封25高高脚=引封35高高用=引封4高高留=引封排高高T=引封排高高U=引封星高高盘=2封0高高J=2封5高高K=3封0高高称=3封2高高脚AM脚UN用脚AM脚UN用C称引0A下引05K纸星NNNC引 pF耐02 pF耐。
三星电容编码识别
三星电容编码识别你看盘子的料号如下对比：CL 03 B 104 K Q 8 N N N C1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111 系列编码：CL=积层陶瓷电容2 尺寸编码03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220)3 介质I类II类C=C0G S=S2H L=S2LP=P2H T=T2HR=R2H U=U2JA=X5R F=Y5VB=X7R X=X6S4 容量电容容量用三位数表示，前面两位为有效数字，第三位为有效数字后"O"的位数如：104 = 1 00000 （单位pF）如果中间一位为R 则表示"."如：4R7 = 4.7pF5 电容的误差：B=±0.1pf F=±1pf±1% K=±10%C=±0.25pf G=±2% M=±20%D=±0.5pf? J=±5% Z=+80/-20%6 额定电压R=4V O =16V B =50V E = 250V I = 1000VQ=6.3V A =25V C=100V G = 500V J = 2000VP =10V L =35V D =200V H = 630V K= 3000V7 厚度：3=0.30毫米A=0.65毫米M=1.15毫米I=2.00毫米Q=1.25毫米5=0.50毫米C=0.85毫米F=1.25毫米J=2.50毫米V=2.50毫米8=0.80毫米D=1.00毫米H=1.60毫米L=3.20毫米8 内电极A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡100%N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡100%G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡100%L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡100%9 产品编码A =阵列(2-元素) L =LICCB =阵列(4-元素) N =常规P =自动C=高频10 特殊编码11 包装编码B=散装O=纸版箱料带,10英寸料盘E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea) F=压花纸版箱,13英寸料盘C=纸版箱料带,7英寸料盘L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea) S=压花纸版箱,10英寸料盘。
电容的识读方法
电容的识读方法嘿，朋友们！今天咱来聊聊电容的识读方法，这可真是个有趣又实用的玩意儿呢！你看啊，电容就像是电路中的一个小仓库，能储存电能呢。
那怎么去认识它、了解它呢？先来说说电容的标识吧。
电容上一般都会有一些数字和字母，这可就是它的“身份证”啦！那些数字呢，就代表着它的容量大小。
比如说，104 这样的标识，嘿，别懵！其实就是 10 后面加上 4 个 0，也就是 100000pF 啦，是不是挺有意思的？这就好比你认识一个新朋友，知道了他的名字一样重要呢！还有啊，电容也有不同的类型呢。
就像人有不同的性格，有的电容小小的，很可爱；有的呢则大大的，很稳重。
电解电容就像是个大力士，能储存很多电能，但它有正负极哦，可不能接反了，不然它可要“发脾气”啦！瓷片电容呢，就像个小精灵，小巧灵活。
那怎么能快速地分辨出它们呢？这就需要我们多观察啦。
看看它们的形状、颜色、标识，就像我们通过外貌和特点来记住一个人一样。
你想想，要是你在街上看到一个穿着特别、发型独特的人，是不是一下子就能记住他呀？对电容也是一样的道理呀！再说说电容的单位吧。
就像我们用斤、公斤来衡量重量一样，电容也有自己的单位呢。
法拉是个很大的单位，一般我们见到的电容可没那么大容量，所以常用的还有微法、皮法。
这就好像我们说距离，有公里、米、厘米一样，各有各的用处呢。
哎呀呀，你说这电容是不是很神奇呀？它虽然小小的，可在电路里的作用可大啦！就像我们生活中的一颗小螺丝钉，看似不起眼，但少了它可不行呢！所以呀，朋友们，学会识读电容真的很重要哦！这样我们才能更好地理解电路，更好地玩转电子世界呀！不管是修个小电器，还是自己动手做个小玩意儿，都离不开对电容的了解呢。
让我们一起好好探索这个神奇的电容世界吧，相信你会发现很多有趣的东西哦！。
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三星电容编码识别
你看盘子的料号如下对比：
CL 03 B 104 K Q 8 N N N C
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
1 系列编码：
CL=积层陶瓷电容
2 尺寸编码
03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)
05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532)
10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)
14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220)
3 介质
I类II类
C=C0G S=S2H L=S2L
P=P2H T=T2H
R=R2H U=U2J
A=X5R F=Y5V
B=X7R X=X6S
4 容量
电容容量用三位数表示，前面两位为有效数字，第三位为有效数字后"O"的位数如：104 = 1 00000 （单位pF）
如果中间一位为R 则表示"."
如：4R7 = 4.7pF
5 电容的误差：
B=±0.1pf F=±1pf±1% K=±10%
C=±0.25pf G=±2% M=±20%
D=±0.5pf? J=±5% Z=+80/-20%
6 额定电压
R=4V O =16V B =50V E = 250V I = 1000V
Q=6.3V A =25V C=100V G = 500V J = 2000V
P =10V L =35V D =200V H = 630V K= 3000V
7 厚度：
3=0.30毫米A=0.65毫米M=1.15毫米I=2.00毫米Q=1.25毫米
5=0.50毫米C=0.85毫米F=1.25毫米J=2.50毫米V=2.50毫米
8=0.80毫米D=1.00毫米H=1.60毫米L=3.20毫米
8 内电极
A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡100%
N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡100%
G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡100%
L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡100%
9 产品编码
A =阵列(2-元素) L =LICC
B =阵列(4-元素) N =常规
P =自动C=高频
10 特殊编码
11 包装编码
B=散装O=纸版箱料带,10英寸料盘E=压花纸版箱,7英寸料盘
P=散装箱D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea) F=压花纸版箱,13英寸料盘C=纸版箱料带,7英寸料盘L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea) S=压花纸版箱,10英寸料盘。