半导体物理重点与考法总结
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天津大学 微电子 邓见保 10/31/2009
半导体物理重点与考法总结
第一章 半导体中的电子状态 【本章及第二章以概念题为主，所占分值较少。 】 主要概念： 金刚石结构 电子共有化运动 有效质量的及意义 空穴概念（或特点）及意义 用能带结构解释导体、半导体、绝缘体的导电特性（09 考） 硅、锗、砷化镓的能级异同点 另：课后题 1、2 做一做
第七章 金属盒半导体的接触 可考计算题——给定判断金属和半导体接触类型（涉及简单功函数计算、也
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可能综合载流子浓度求功函数） 。要求四种接触判据和能带图掌握。 肖特基势垒二极管与 pn 结二极管异同，及其应用 欧姆接触概念
第八章 半导体表百度文库与 MIS 结构 【本章重点 MOS 管 C-V 特性，过程定性论述+图 8-9、8-10、8-14】 另： 强反型条件推导（重要） 、P255 页推导（次要） C-V 特性影响因素了解 其他复杂推导带过即可
第九章 半导体异质结构 【画图题与概念题为主】 图 9-2、9-14 什么是低/高势垒尖峰 9.2.2 1 异质结高注入比结论
超注入概念 P301 3 高迁移率特性（该段前两句话）
应变异质结和超晶格概念
第十章 半导体的光学性质和光电与发光现象 【本章出题有违大纲，除 10.1 可带过外，其他建议全看——概念、推导、论述， 都是重点】 另：诸如光电探测器类概念课本没有，所给资料中有单独一张总结了这些概念， 很重要，仔细看看。 第十一章 第十二章 第十三章 半导体的热电性质 半导体磁和压阻效应 非晶态半导体
【以上三章按大纲复习掌握概念即可，不用全看。另外，霍尔效应一些基本公式
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天津大学 微电子 邓见保 10/31/2009
和原理图稍加注意；十三章注意多晶硅的用途——集成电路中 MOS 管栅、电阻】
▲ 注：1 以上为个人研究经验，供参考； 2 所总结为重点内容和通常考法，未提到一些基本概念，在我总结笔记 和资料中均有体现，也可自己总结。 3 现在第二轮应该开始通过做题（各种题重点依次：真题、本课题、课 后经典题和所赠复习资料的一份题） 来巩固提高知识点掌握程度， 研究出题规律。 本轮复习过后应该达到： 课本基本公式的运用能力和重点推导题能力有较熟练较 轻松的水平； 论述题有论述关键点思路，具体文字可第三轮总结归纳阶段集中背 诵；重点能带图透彻理解并准确描绘出。 4 奋斗拼搏需持久，祝：金榜题名！
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第四章 半导体的导电性 【本章除基本公式用于推导和计算题外，解释图为主】 基本公式 三种散射了解与温度的关系（定性） 热载流子和体内负微分电导概念 图 4-13、4-15、4-16 的解释 ★
第五章 非平衡载流子 【本章重点连续性方程，基本每年一道应用题】 准费米能级、陷阱效应概念 爱因斯坦关系推导建议看看 复合理论掌握概念及基本公式
p （利用此课后题 12 有简单巧妙解法） U
注意 5.2 非平衡载流子浓度随时间衰减时连续性方程特例 海恩斯-肖克莱实验测迁移率原理 第六章 pn 结 【本章论述题为主，重点 pn 结电流电压特性。另外泊松方程求解电场电势也比 较重要】 一个证明题：P186：EF=常数 6.2.1 要求：过程论述清晰+能带图理解 6.2.2 理想 pn 结条件 注意公式 6-25 为连续性方程特例 图 6-15 理解 影响理想 pn 结因素文字性了解 势垒电容、扩散电容、微分电容概念、三种击穿机制概念 P202-P204 推导过程建议掌握，势垒宽度基本公式记住 概念：隧道二极管
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第二章 半导体中杂质和缺陷能级 【如第一章掌握基本概念】 另：注意两个问题 什么是理想半导体 杂质的补偿作用
第三章 半导体中载流子的统计分布 【本章以计算题为主，多综合第四章知识考查，涉及分值较大。基本载流子浓度 有关公式要求熟练掌握；书中简单推导（涉及载流子浓度、迁移率、电导率、电 阻率等推导复习时引起重视， 对于复杂高级函数的那些推导掌握文字性的结论即 可——全书如此）要求能较熟练的重复及简单变通能力。另一方面，对于各种物 理过程也要有宏观上物理意义的把握，能叙述。 】 P76 最后一段关于各种材料期间工作极限温度 3.4.2 前三个区建议推导一遍 3.5 掌握掺杂施主和受主载流子计算公式 简并半导体、禁带变窄效应概念
半导体物理重点与考法总结
第一章 半导体中的电子状态 【本章及第二章以概念题为主，所占分值较少。 】 主要概念： 金刚石结构 电子共有化运动 有效质量的及意义 空穴概念（或特点）及意义 用能带结构解释导体、半导体、绝缘体的导电特性（09 考） 硅、锗、砷化镓的能级异同点 另：课后题 1、2 做一做
第七章 金属盒半导体的接触 可考计算题——给定判断金属和半导体接触类型（涉及简单功函数计算、也
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可能综合载流子浓度求功函数） 。要求四种接触判据和能带图掌握。 肖特基势垒二极管与 pn 结二极管异同，及其应用 欧姆接触概念
第八章 半导体表百度文库与 MIS 结构 【本章重点 MOS 管 C-V 特性，过程定性论述+图 8-9、8-10、8-14】 另： 强反型条件推导（重要） 、P255 页推导（次要） C-V 特性影响因素了解 其他复杂推导带过即可
第九章 半导体异质结构 【画图题与概念题为主】 图 9-2、9-14 什么是低/高势垒尖峰 9.2.2 1 异质结高注入比结论
超注入概念 P301 3 高迁移率特性（该段前两句话）
应变异质结和超晶格概念
第十章 半导体的光学性质和光电与发光现象 【本章出题有违大纲，除 10.1 可带过外，其他建议全看——概念、推导、论述， 都是重点】 另：诸如光电探测器类概念课本没有，所给资料中有单独一张总结了这些概念， 很重要，仔细看看。 第十一章 第十二章 第十三章 半导体的热电性质 半导体磁和压阻效应 非晶态半导体
【以上三章按大纲复习掌握概念即可，不用全看。另外，霍尔效应一些基本公式
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和原理图稍加注意；十三章注意多晶硅的用途——集成电路中 MOS 管栅、电阻】
▲ 注：1 以上为个人研究经验，供参考； 2 所总结为重点内容和通常考法，未提到一些基本概念，在我总结笔记 和资料中均有体现，也可自己总结。 3 现在第二轮应该开始通过做题（各种题重点依次：真题、本课题、课 后经典题和所赠复习资料的一份题） 来巩固提高知识点掌握程度， 研究出题规律。 本轮复习过后应该达到： 课本基本公式的运用能力和重点推导题能力有较熟练较 轻松的水平； 论述题有论述关键点思路，具体文字可第三轮总结归纳阶段集中背 诵；重点能带图透彻理解并准确描绘出。 4 奋斗拼搏需持久，祝：金榜题名！
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第四章 半导体的导电性 【本章除基本公式用于推导和计算题外，解释图为主】 基本公式 三种散射了解与温度的关系（定性） 热载流子和体内负微分电导概念 图 4-13、4-15、4-16 的解释 ★
第五章 非平衡载流子 【本章重点连续性方程，基本每年一道应用题】 准费米能级、陷阱效应概念 爱因斯坦关系推导建议看看 复合理论掌握概念及基本公式
p （利用此课后题 12 有简单巧妙解法） U
注意 5.2 非平衡载流子浓度随时间衰减时连续性方程特例 海恩斯-肖克莱实验测迁移率原理 第六章 pn 结 【本章论述题为主，重点 pn 结电流电压特性。另外泊松方程求解电场电势也比 较重要】 一个证明题：P186：EF=常数 6.2.1 要求：过程论述清晰+能带图理解 6.2.2 理想 pn 结条件 注意公式 6-25 为连续性方程特例 图 6-15 理解 影响理想 pn 结因素文字性了解 势垒电容、扩散电容、微分电容概念、三种击穿机制概念 P202-P204 推导过程建议掌握，势垒宽度基本公式记住 概念：隧道二极管
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第二章 半导体中杂质和缺陷能级 【如第一章掌握基本概念】 另：注意两个问题 什么是理想半导体 杂质的补偿作用
第三章 半导体中载流子的统计分布 【本章以计算题为主，多综合第四章知识考查，涉及分值较大。基本载流子浓度 有关公式要求熟练掌握；书中简单推导（涉及载流子浓度、迁移率、电导率、电 阻率等推导复习时引起重视， 对于复杂高级函数的那些推导掌握文字性的结论即 可——全书如此）要求能较熟练的重复及简单变通能力。另一方面，对于各种物 理过程也要有宏观上物理意义的把握，能叙述。 】 P76 最后一段关于各种材料期间工作极限温度 3.4.2 前三个区建议推导一遍 3.5 掌握掺杂施主和受主载流子计算公式 简并半导体、禁带变窄效应概念