金属氧化物半导体纳米气敏材料研究进展

合集下载
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

由金属氧化物半导体材料做成的气敏传感器可用于多个 领域 ,包括农业 、工 业、医药 、汽车 、矿 山、气体排放 \ 泄 漏 、火灾 等 ,并且 其社会 需求紧 迫 。这类 材料 的气敏 性机 理 是基于 待测气体 的吸 附和紧 随着 的表 面氧化还 原反 应所 引起 的电阻变化 。比表面积相对大 些的材料 更能凸显它的 表 面特性 ,所 以气 敏材料 的尺寸 一般要 做到纳米 级别 。作
丙酮气 体 。此 外 ,研 究者们还 发现具有特 定结 构的多元 复 合金属氧化物有着 良好 的气敏性能 。B d d 等人用溶胶凝 oa e
胶法制备的钙钛矿结构 的L c M 。N 0多元复合金属氧 a o n i 。
化物,在对l O p 的Hs O p m ,气体 的响应 时间仅为5 。 s
对 金属氧化 物半 导体纳米材 料进行 贵金属 或金属氧化
物 的掺 杂是 开发和研 究新型气 敏材料 的重要方 法 ;扩展气
敏材料 体系 ,寻找 多元 金属氧 化物半 导体气敏材 料也是 当 前研 究的热点。 2 材料 的形貌和尺寸
为金属氧 化物半 导体纳米 气敏材 料在影 响其气 敏性能 方面
ZHANG e z n Xu .ho g
( si t f h sc n lcr ncE gn eigC o g igNo ma ies yC o g ig4 0 4 ) I tu e yis dEe to i n ier , h n qn r l v ri , h n qn 0 0 7 n t oP a n Un t
主 要包括 :材料元 素的组成 、材 料的形貌 与尺寸 、材料 的 制备方法等 因素 。 l 材料元素的组成 作 为研 究历 史 较长 的 气敏 材 料如 :S O、Z O 0、 n , n 、W
同种 材料 由于不 同的形貌和 尺寸而 表现 出迥 异的气敏
性 能 。 同样 是C O 杂 S O 料 ,尺 寸 为 1 c 的 厚膜 在 u掺 n, 材 2m 2 0 2 l Op 的 s 0 *对 O p m ( 气体灵 敏度为7 5 0;而2 n 的空心 . ×1 5m 球在3 * 对l pm 2 体的灵 敏度 就达 到5 6 。 5( O p 的HS 2 气 . 1 。 X 0
Ab ta tAst ema sv e d y t o it. n m ea xd e c n u t rg ss n i ae il b c m et er s a c sr c : h sien e sb hes ceyna o. tl ie s mio d c o a e sngm tras e o h e e r h o h tp tThs p p r rve d t e g s s n i vt fn n . ea xd e c n u t rg s snst e ma e il ih wa o s o . i a e e iwe h a e st i o a o m t lo ie s mio d c o a e ii traswh c s i y : v i r v d b h lme t h a eil o p sto , r hoo ya d sz o to,n rp r t n meh s mp o e yt eee n si t em tra m o i n mo p lg n iec n r la d p e a a i tod . n c i o Ke o d : ieSe c nd t rG a e iiem ae il;r g e s yw r s0xd mio uco ; ss nst trasP o r s v
因为随着材 料粒径 的减小 ,表面 原子数增 多,也就产
生含有 大量不饱 和键 、表面悬挂 键和氧 空位 的特 殊表面 结 构而造 成很 高的表面 能。这样 的金属氧 化物纳 米材料更容 易吸 附气 体并 与之进行 反应 。因此研 究者倾 向于制备 比表 面积大 的纳米材 料如 :零维 的纳 米颗粒 、一维 纳米管 、纳 米 线 、纳 米带 、纳米棒 等,来提 高材料单 位体积对 气体 的 吸附量 ,进 而提 高材料对 气体 的灵敏度 、响应 时间等气敏 指标 。 Le e 等 人 用 水 热 法 制 备 的 w 心 纳 米 微 球 对 O空 lp N 灵 敏度 比w 。 心 纳 米微 球 提 高 了2 2 ,达 到 pm 0的 0实 .倍
F 是单种 金属氧化物 。K m 人用静 电纺织 的方法 e 等 0 i 等
制 备 了S 0纳 米 纤 维 , 晶粒 大 小 为 5 1n , 能 够 响 应 n ~ 5m 10 p 的N 。 a k 5p b O。P r 等人用 M C D O V 的方 法制 备 了Z O n 纳米 棒
张 学忠
( 庆 师 范 大 学 物 理 与 电子 工 程 学 院 ,重 庆 4 0 4 ) 重 0 0 7

要 : 由于社 会需 求 紧迫 ,金 属氧化物 半导体 纳米 气敏 材料 成为 当今研 究的热点 。本文综述 了从 材料 元素 的组成 、形
貌 及尺寸 的控 制 以及制 备方 法等方 面来提 高金属 氧化物半 导体 纳米材料 气敏性 能的研 究进展 。 关键 词: 氧化物半导体 ;气敏材 料 ;进展
D I I .9 9 js .6 1 6 9 .0 .20 5 O : 5 6 / .s 1 7 — 5 62 5 .0 O in 1 1
Th s a c r Ir s fNa o m ea i eSe io d t rG a e stv a e i l e Re e r h P og e so n . t l Ox d m c n uc o sS n i e M tras i
相关文档
最新文档