Co：CdS半导体纳米晶的合成、晶体结构及光学性质

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Ｌｕｎ —ｌ，Ｉｉｈ．ＹｇｌＹａｉＸＥＲｕ —ｓｉＵＰ
（ｏｅｅｏｔｉｌＳｉｃｎｎｉｅｒｇＳｃｕｎＵｉｅｓｙＳｃｕｎＣｅｇｕ６０６，ｈｎ）ＣＨｇｆｅａｓｃｎｅａｄＥｇｅｎ，ｉａｎｖｒｔ，ｉａｈｎｄ１０５ＣｉａＭａｒｅｎｉｈｉｈ
・
５６・
广州化工
２１年３０１９卷第ｌ期ｌ
Ｃ：ｄｏＣＳ半导体纳米晶的合成、晶体结构及光学性质水
李园利，谢瑞士，余萍
６０６）１０５
（四川大学材料科学与工程学院，四川成都
摘要：利用水相合成技术，以巯基乙酸（Ａ）ＭＡ为稳定剂，合成了Ｃ：ｄ半导体纳米晶。ＸＤ结果表明，ｏＣＳＲ得到的掺杂纳米晶
关键词：ｄ；ＣＳ掺杂；半导体纳米晶；水相合成技术；光学性质
Ｓｎｈｓｓ，ＣｒｓａｒｃｕｅａｄＯｐｔａｏｒｉｓｏｙｔｅｉｙｔｌＳｔｕｔｒｎｉｌＰｒｐｅｔｅｆＣｏ：ＳｃＣｄ
ＳｅｉｏｄｕｔｒＮａｅｙｔｌｍｃｎｃｏｎｏｒｓａｓ
半导体纳米晶，也称半导体量子点，特别是Ｉ—Ｖ族半导体ＩＩ纳米晶，细胞成像、化、介质、物传感、物标记及光电在催磁生生子器件等方面具有极为广阔的应用前景 ” 。近年来，单纯在的半导体量子点内部引入过渡金属离子杂质，Ｍ “ 、ｕ如ｎＣ “等，
ｓｒｅｎＵＶ —ｖｓａｓｒｔｎｓｃｒｅｖｄｉｉｂｏｐｉｐｅｔａ．ｗｈｉｈｉｄｃｔｄｔｏｎｓｗｅｅｉｌｎｅｎｔｈｏｔＣｄａｔｅｓｃｅｓｕｌ．ｏｃｎｉａｅｈｅｄｐａｔｒｍｐａｔｄｉｏｔｅｈｓＳｌｔｃｕｃｓｆｌｉｙＴｈｕｎｅｃｎｅｑｅｃｉｐａｅｅｈｏｉｇｃｎｅｒｔｏｆＣｏｉｎｓｔｏｈｇｅｌｍｉｓｅｃｕｎｈｎｇａｐｅｒｄｗｈｎｔｅｄｐｎｏｃｎｔａｉｎｏｏｓｗａｏｉｈ．Ｔｈｎｅｌｉｇｐｙｉａｅｕｄｒｙｎｈｓｃｌｍｅｈｎｓｒｉｃｓｅ．ｃａｉｍｓｗｅｅｄｓｕｓｄＫｅｒ：ＣｄｙｗｏｄｓＳ；ｄｐｎｏｉｇ；ｓｍｉｏｄｃｏａｏｒｓａｓ；ａｕｏｓｓｎｈｓｓｔｃｎｑｅ；ｏｔａｒｐｒｉｓｅｃｎｕｔｒｎｎｃｙｔｌｑｅｕｙｔｅｉｅｈｉｕｐｉｌｐｏｅｅｃｔ
ａｉＭＡ）ａａｐｎｇｎ．ＸＤｒｓｌｅｏｓａｄｔｅｒｓｌｎａｏｒｓｌｗｒｗｌｒｔｎｄｉｔｅｚｃ— ｃｄ（ＡｓｃｐｉａｅｔＲｅｕｔｄｍｎｔｔｈｅｕｉｇｎｎｃｙｔｓｅｅｅｉｅｎｈｉｇｓｒｅｔａｅｌａｎ
Ａｂｔａｔｓｒｃ：Ｃｏ：ＳｓｍｉｏｄｕｔｒｎｎｏｒｓａｓｗｅｅｓｎｈｅｉｅｉｑｅｕｙｔｓｓｔｃｎｑｅｕｉｇｍｅｃｐｔａｅｉＣｄｅｃｎｃｏａｃｙｔｌｒｙｔｓｚｄｖａａｕｏｓｓｎｈｅｉｅｈｉｕｓｎｒａｏｅｔｃ
１实
验
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１１试剂与样品表征．
实验试剂：ｄＯ８３２９％）Ｃ（ＨＣＯ）４２ＣＳ４・／ＨＯ（９，０Ｃ３Ｏ２・ＨＯ，
为闪锌矿结构，平均粒径约为３９ｎＦ’ Ｒ结果表明，Ａ成功包覆在Ｃ：ｄ．ｍ；１一ＩＭＡｏＣＳ纳米晶的表面；Ｖ—ｖ吸收谱表明，０ｕｉｓＣ离子成功掺入ＣＳ晶格中；Ｌ结果表明，杂离子浓度过大会导致ＣＳ发光淬灭；讨论了相关机理。ｄＰ掺ｄ并
ｂｅｄｔｃｕｅ，ａｄｍｅｎｐｒｉｌｉｅｗａｂｕ９ｎ．ＭＡＡｓｌｇｎｓｓｃｅｓｕｌａｐｄｏｈｕｆｃｆＣｏ：ｌｎｅｓｒｔｒｎａａｔｅｓｚｓａｏｔ３．ｍｃａｉａｄｗａｕｃｓｆｌｃｐｅｎｔｅｓｒａｅｏｙ
为获得具有特殊光、、性质的量子点开辟了一条新的道电磁路刈。ＣＳ是一种性能优良的Ｉ—Ｖ族半导体材料，温下其禁ｄＩＩ室带宽度为２４Ｖ６，可见光范围内具有高的折射和透射系．２ｅ【在Ｊ
ＣＳｓｍｃｎｕｔａｏｒｓｌａｄｃｎｒｅｙＦｄｅｉｄｃｏｎｎｃｔｓｎｏｆｍｄｂＴ—ＩｐｃｕｏｒｙａｉＲｓｅｔｍ．ＴｅｔｎｉｏｆｏＡ（）Ｔ（）ｗｓｏ— ｒｈａｓｉｏ２Ｆ１ＰａｂｒｔｎＣ