晶体三极管输出特性曲线课件
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三极管 输出特性
晶体三极管输出特性曲线
三极管 输出特性
教学设计
1.复习回顾 2.新知引入 3.讲授新知 4.拓展新知
三极管 输出特性
输 入 特 性 曲 线
A 复习回顾
VBE与IB成非线性关系
N P
N
P N
P
当VBE大于三极管门坎电压时（硅管约0.5V,锗管约0.2V），三极管 开始导通。随后IB在较大的范围内变动时，VBE变化很小，近似一个常 数，此时VBE值称为发射结正向压降或导通电压值，硅管为0.7 V，锗管 约为0.3 V。
VBE N
三极管 输出特性
2．饱和区
饱和状态
❖ VCE=VCES ，VCES称为饱和压降，硅管约0.3V ，锗管约为0.1V ，三极管处于饱和状态。
❖ 电流特点： IC不随IB的增大而线性增大 。 ❖ 偏置条件：发射结正偏，集电结正偏。
VBC P
N VCE
以NPN管为例： VBE ＞ 0,VBC ＞ 0,VCE ＜ VBE
VBE N
三极管 输出特性
3．放大区
放大状态
❖ 电流特点：IC受IB控制而变化，ΔIC=βΔIB ，具有电流放大作用。
❖ 恒流特性：IB一定，IC不随VCE而变化，即IC 恒定。
❖ 偏置条件：发射结正偏，集电结反偏。
N VBC
以NPN管为例： VBE ＞ 0,VBC ＜0,VCE ＞ VBE
P VCE
B 三极管
输出特性
新知引入
❖ 在电路维修和故障分析 中，常常要根据测量的 电压，判定三极管是否 正常工作，判定是三极 管坏了还是电路其他元 件坏了。就很有必要掌 握三极管的三种工作状 态及特点。
C 三极管
输出特性
讲授新知
以共射电路为例：
RC IC
mA
IB
uA
VCE
GC
RP R
VV
GB
❖ 三极管的输出特性：IB为一定值，VCE和IC之间的相应数量关系， 可用三极管的输出特性曲线表示。
VBE
N
三极管 输出特性
总结：三极管工作状态由偏置情况决定
截止状态
偏置 发射结反偏或零偏
放大状态
发射结正偏
﹣ 饱V和C P状态
发射结正偏
条件
集电结反偏
VB≤VE
集电来自百度文库反偏
VC＞VB＞VE
﹣N 集电结正偏
VB VB＞VE，VB＞VEVCc
电位 电压 （NPN）
即：VBE≤0
即：VBE＞0，
VBC＜0，VBE＜VCE
4.3
4.4
4.4
4.4
4.4
输出特性曲线族图
三极管 输出特性
1．截止区
❖ IB=0，三极管处于截止状态。 ❖ 电流特点：IB=0，IC=ICEO≠0，ICEO
为穿透电流。 ❖ 偏置条件：发射结反偏或零偏，集电
结反偏。
ICEO
截止状态
VBC N
P
VCE
以NPN管为例：
VBE≤0,VBC ＜0,VCE＞VBE
三极管 输出特性
IB一定，VCE和IC对应的数据：
vCE/v 0
0.3
0.5
1
3
5
10
IC/mA
IB=0uA
0
0
0.1
0.1
0.15
0.2
0.3
IB=40 uA
0 0.43 0.52 0.53 0.53 0.53 0.53
IB=80 uA
0
2.1
2.3
2.4
2.4
2.4
2.4
IB=120 uA
0
4.1
﹣ ﹣ VBE
VE N
C 三极管
输出特性
拓展新知：
1．判别三极管的工作状态 ，NPN为硅管，PNP为锗管。
N 6V
N 5V
N 4.5V
1.3V P
截止
N 2V
0.7V P
放大 N 0V
4.8V
P
饱和
N 4V
-7V P -2V N
放大
-1.6V P
-12V P 0.3V N
截止
0V P
-0.1VP
-0.3V N
VBC＜0，VBE＜VCE
﹢ VB≥VEVC N
VC＜VB＜VE
﹢ ﹢ VB即：VBE＞0，
P VEBC＞0，VVEBE＞VCE
VB＜VE，VB＜VC
电位 电压 （PNP）
即：VBE≥0
﹢ P VBVC＞B 0,VBE＞VCE
即：VBE＜0，
VCEVBC＞0，VBE＞VCE
即：VBE＜0， VBC＜0, VBE＜VCE
三极管 输出特性
❖ 想一想：
1.在截止状态下，IB能控制IC吗？三极管CE间等效电阻是大 还是小？相当于C、E断开吗?
2.在饱和状态下，IB能控制IC吗？三极管的CE间等效电阻是 大还是小？相当于C、E怎么样?
3.在放大状态下，IB能控制IC吗？三极管的CE间等效电阻有 什么特点？
三极管 输出特性
D 说在最后
❖ 小结 ❖ 作业p36 9,10
饱和
0V P
三极管 输出特性
2. 工作人员在检修某放大电路时，
在无图纸又无管子型号标志的情况 下，他利用测电位的办法，在图中 测出“1”端对地为-6.2V，“2”端 对地为-6V，“3”端对地为-9V,从 而定出了管脚所属的电极和管子的 类型（PNP或NPN）,你能说出其中 的道理吗？
PNP锗管，“1”为B，“2”为E，“3”为C
晶体三极管输出特性曲线
三极管 输出特性
教学设计
1.复习回顾 2.新知引入 3.讲授新知 4.拓展新知
三极管 输出特性
输 入 特 性 曲 线
A 复习回顾
VBE与IB成非线性关系
N P
N
P N
P
当VBE大于三极管门坎电压时（硅管约0.5V,锗管约0.2V），三极管 开始导通。随后IB在较大的范围内变动时，VBE变化很小，近似一个常 数，此时VBE值称为发射结正向压降或导通电压值，硅管为0.7 V，锗管 约为0.3 V。
VBE N
三极管 输出特性
2．饱和区
饱和状态
❖ VCE=VCES ，VCES称为饱和压降，硅管约0.3V ，锗管约为0.1V ，三极管处于饱和状态。
❖ 电流特点： IC不随IB的增大而线性增大 。 ❖ 偏置条件：发射结正偏，集电结正偏。
VBC P
N VCE
以NPN管为例： VBE ＞ 0,VBC ＞ 0,VCE ＜ VBE
VBE N
三极管 输出特性
3．放大区
放大状态
❖ 电流特点：IC受IB控制而变化，ΔIC=βΔIB ，具有电流放大作用。
❖ 恒流特性：IB一定，IC不随VCE而变化，即IC 恒定。
❖ 偏置条件：发射结正偏，集电结反偏。
N VBC
以NPN管为例： VBE ＞ 0,VBC ＜0,VCE ＞ VBE
P VCE
B 三极管
输出特性
新知引入
❖ 在电路维修和故障分析 中，常常要根据测量的 电压，判定三极管是否 正常工作，判定是三极 管坏了还是电路其他元 件坏了。就很有必要掌 握三极管的三种工作状 态及特点。
C 三极管
输出特性
讲授新知
以共射电路为例：
RC IC
mA
IB
uA
VCE
GC
RP R
VV
GB
❖ 三极管的输出特性：IB为一定值，VCE和IC之间的相应数量关系， 可用三极管的输出特性曲线表示。
VBE
N
三极管 输出特性
总结：三极管工作状态由偏置情况决定
截止状态
偏置 发射结反偏或零偏
放大状态
发射结正偏
﹣ 饱V和C P状态
发射结正偏
条件
集电结反偏
VB≤VE
集电来自百度文库反偏
VC＞VB＞VE
﹣N 集电结正偏
VB VB＞VE，VB＞VEVCc
电位 电压 （NPN）
即：VBE≤0
即：VBE＞0，
VBC＜0，VBE＜VCE
4.3
4.4
4.4
4.4
4.4
输出特性曲线族图
三极管 输出特性
1．截止区
❖ IB=0，三极管处于截止状态。 ❖ 电流特点：IB=0，IC=ICEO≠0，ICEO
为穿透电流。 ❖ 偏置条件：发射结反偏或零偏，集电
结反偏。
ICEO
截止状态
VBC N
P
VCE
以NPN管为例：
VBE≤0,VBC ＜0,VCE＞VBE
三极管 输出特性
IB一定，VCE和IC对应的数据：
vCE/v 0
0.3
0.5
1
3
5
10
IC/mA
IB=0uA
0
0
0.1
0.1
0.15
0.2
0.3
IB=40 uA
0 0.43 0.52 0.53 0.53 0.53 0.53
IB=80 uA
0
2.1
2.3
2.4
2.4
2.4
2.4
IB=120 uA
0
4.1
﹣ ﹣ VBE
VE N
C 三极管
输出特性
拓展新知：
1．判别三极管的工作状态 ，NPN为硅管，PNP为锗管。
N 6V
N 5V
N 4.5V
1.3V P
截止
N 2V
0.7V P
放大 N 0V
4.8V
P
饱和
N 4V
-7V P -2V N
放大
-1.6V P
-12V P 0.3V N
截止
0V P
-0.1VP
-0.3V N
VBC＜0，VBE＜VCE
﹢ VB≥VEVC N
VC＜VB＜VE
﹢ ﹢ VB即：VBE＞0，
P VEBC＞0，VVEBE＞VCE
VB＜VE，VB＜VC
电位 电压 （PNP）
即：VBE≥0
﹢ P VBVC＞B 0,VBE＞VCE
即：VBE＜0，
VCEVBC＞0，VBE＞VCE
即：VBE＜0， VBC＜0, VBE＜VCE
三极管 输出特性
❖ 想一想：
1.在截止状态下，IB能控制IC吗？三极管CE间等效电阻是大 还是小？相当于C、E断开吗?
2.在饱和状态下，IB能控制IC吗？三极管的CE间等效电阻是 大还是小？相当于C、E怎么样?
3.在放大状态下，IB能控制IC吗？三极管的CE间等效电阻有 什么特点？
三极管 输出特性
D 说在最后
❖ 小结 ❖ 作业p36 9,10
饱和
0V P
三极管 输出特性
2. 工作人员在检修某放大电路时，
在无图纸又无管子型号标志的情况 下，他利用测电位的办法，在图中 测出“1”端对地为-6.2V，“2”端 对地为-6V，“3”端对地为-9V,从 而定出了管脚所属的电极和管子的 类型（PNP或NPN）,你能说出其中 的道理吗？
PNP锗管，“1”为B，“2”为E，“3”为C