电容与介质损耗角正切的测量(中)
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1、电阻比例臂电容电桥
电阻比例臂电容电桥即为西林电桥
高压西林电桥(工作在工频、高压) 低压西林电桥(工作在音频、低压)
高压西林电桥
(1)西林电桥平衡条件
Zx
电桥平衡条件: ZxZ4=Z3Z0 代入电学参数,利用复数相等的条件,得到: 1-ω2C4CxR4Rx=0, 进而 tgδx=1/(ωCxRx)= ωC4R4 Cx=C0R4/(R3(1+tg2δx)) 如果tgδx<0.1, 则Cx≈C0R4/R3 高压西林电桥原理图 Z0
西林电桥的灵敏度取决于电源电压U,提高电源电压,可增加 △iA,从而提高电桥灵敏度。 电桥灵敏度受限于指示器的灵敏度,即指示器的最小分辨能力 ,因此通常采用带放大器的高灵敏度振动式检流计指示。其电 流灵敏度可达10mm/μA,电压灵敏度可达0.1mm/ μV。 通常选择样品的电容≥50pF,因为Cx大, △iA大。 标准电容C0可以适当大些,但太大的话,会适得其反。
(3)西林电桥的误差来源
1.电桥指示器的灵敏度限制将引起测量误差。电桥不平衡 性所引起的△iA没有达到平衡指示器所能检测的范围。 2.杂散电容与杂散漏电导的存在,会引起Zx的测量误差。
3.外界电磁场的影响。外界电磁场的影响主要是高压电源 变压器和高压电极在周围空间所引起的电场,会在桥臂Zx 上引起附加电流而造成测量误差。为了消除电场干扰引起 的测量误差,常采用屏蔽法、移相法和倒相法。
类似地,可以得到
西林电桥的替代法测量原理
优点与适用条件: 利用替代法可以消除接试样与不接试样两次测量 中的不变参数的杂散电容影响,从而提高了测量 的准确度 但是,当试样的电容大于标准可变电容器的电容 值,不能采用替代法测量。 替代法适用于电压不太高的场合,一方面把高压 标准电容器作成标准可变的比较困难;另一方面 高压操作也不安全。
(误差来源3)倒相法
第二次测量
第一次测量
利用电源电压正反相下进行两次测量, 然后确定出被测试样的Cx和tgδx。
倒相法电流矢量
(误差来源4)元件参数误差对 测量结果的影响
±Hale Waihona Puke .3%±0.1%±0.5%
±0.05%
(4)提高西林电桥准确度的途径
对地电容的消除方法
残余电感和零位电容的消除方法
西林电桥提供了高压下测量的可能性
因为其调节元件R3和C4处于低压桥臂上。
为保证绝对安全,在C、D接点安装放电隙,这样 即使试验中某些意外因素发生,如试样发生击穿 或表面放电时,放电隙可作安全指示,可使C、D 接地,保证安全操作。
(2)影响西林电桥灵敏度的因素
电流回路示意图
(2)影响西林电桥灵敏度的因素
对地电容的影响
漏导电阻的影响很小,可忽略,考虑对 地电容的影响
杂散电容与杂散漏电导的分布
漏导电阻的影响
考虑漏导电阻时,只需要将对地漏导 电阻的影响加入R3和R4中。
杂散电容与杂散漏电导的分布
可从仪器结构和材料选取上采取一些 措施,可使C、D对地漏导电阻远大于 R3、R4。
对地电容的消除方法
对地电容影响的减弱或消除最有效的办法是采用 屏蔽、保护和接地技术。 屏蔽主要是电屏蔽。 目前可采用两种方式:一是单个元件分别屏蔽, 如桥臂元件、变压器和指示器;二是整个电桥的 屏蔽。
屏蔽的基本思想
基本思想:把元件用金属屏围起来,将屏施以一固定电位 ,或者连接在一固定电位的物体或节点(如接地点)上。 屏蔽看起来消除了: 1.外界电场的影响和元件之间的耦合 2.元件之间的耦合 3.元件对地电容
Z3
Z4
(1)西林电桥平衡条件
tgδx=1/(ωCxRx)= ωC4R4 Cx=C0R4/R3
由电桥平衡所得到的Cx、tgδx计算公式可知,电桥平衡是通过调节R3 、C4来实现的。 两者之间的关系,指出了正确调节电桥平衡的简捷方法: 被测电容或介质材料试样损耗很小,接入电桥后,电容失衡是主要的 ,先调R3平衡电容Cx,当平衡到一定程度时调节C4才起作用,然后调 C4来平衡tgδx 。 tgδx平衡到一定程度,电容尚未完全平衡又突出,再 调R3 ,然后调C4 ,依次反复直到整个电桥平衡。
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第二章 电容与介质损耗角正切的测量
低频下 高频下
极低频下 超高频下
相对介电系数和介质损耗角正切的测量
电容器高频参数及频率特性的测量
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低频下相对介电系数和介质损耗角正切的测量
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(一)低频下相对介电系数和介质损耗角正切的测量
1、电阻比例臂电容电桥 2、电感比例臂电桥-变压器电桥 3、自动平衡电桥 4、工业上常用电容和损耗测量仪
(1)西林电桥平衡条件
损耗角正切的直接法测量: 电桥平衡时,tgδx=1/(ωCxRx)= ωC4R4 。角频率和R4均为已知的, C4刻度可按照tgδx进行刻度,可直接读数。
例如:工频条件下, C4 单位采用微法表示,损耗角正切可表示为
西林电桥的替代法测量原理
低通
替代法测量原理图
西林电桥的替代法测量原理
4.桥臂元件参数的误差以及参数漂移也会造成测量误差。 例如R3电阻箱的基本误差为±0.1%。此外,桥臂中的电 阻还存在电感,电容还存在漏导电阻,可变电容器存在零 位电容等均引起误差。
零位电容:电容器置于零的位置时,电容值并不等于零。
(误差来源2)杂散电容与杂散漏电导的影响
接线和元件对地电容 杂散因素
杂散阻抗与电 源并联,不影 响电桥平衡
元件间存在着杂散电容和杂散电导 与桥臂元件并联, 直接影响测量的正确度, 造成测量误差
这些杂散因素可以等效 地看成电桥四个节点上 都并联一RC接地阻抗。
B点接地不存在 杂散因素
杂散电容与杂散漏电导的分布
(误差来源3)屏蔽法
屏蔽法就是用金属屏将干扰源与被测样品隔离,是测量回 路不受干扰电场的影响,从而提高测量准确度。屏蔽可以 减弱干扰电场的影响,但不能完全消除,而且当屏靠近被 测样品时将改变样品的电场分布,带来新的误差。 外界磁场可以在R3、R4与指示器所构成的闭合回路中产 生感应电流,从而在指示器中产生感应电势。采用磁屏蔽 不能消除此影响,只能在一定程度上减弱。通常采用改变 检流计中通过的电流方向,进行两次测量,减弱外加磁场 的影响。根据两次测量值可求出: