1.1.2发光二极管的特性测试解析

超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。
二极管按结构分三大类：
(1) 点接触型二极管
金属触丝 正极引线
PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。
负极引线 N型 锗
外壳
(2) 面接触型二极管
正极引线 P型 硅 铝合金小球 N型 硅
PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。 用于集成电路制造工艺中。 PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。
I（mA）
+
uD －
U（V）
O iD
（a）
（b）
（a）U-I特性 （b）等效电路
读一读——二极管的等效电路模型
2．恒压降模型
I（ mA ）
+ U（ V） O （a） UD iD
uD
－
UD
（b） （a）U-I特性 （b）等效电路
读一读——二极管的等效电路模型 3．折线模型
rD U D U on 0.7V 0.5V 200 ID 1mA
美国半导体二极管型号命名方法 例如：
1N4148，其中1表示二极管，N表示美国电子工业 协会（EIA）注册标志，4148表示EIA登记顺序号。
读一读——知识小结
普通二极管的单向导电性 普通二极管的伏安特性 特殊二极管的基本特性
常见仪器仪表的使用
二极管的检测与判别
做一做——例题讲解 1. 试判断下图所示电路中二极管是否导通,并求A、O两端的 电压，设二极管为理想二极管。
19KΩ + 6V D 1KΩ A 6V 3V （b） 19KΩ D 1KΩ +A uAO O
uAO -O
（a）
做一做——例题讲解 2.试判断下图所示电路中二极管是否导通,并求A、O两端的电 压，设二极管的正向压降为0V
做一做——例题讲解
3.试画出下图所示电路中输出电压波形，设二极管的正向压降 为0.7V。
读一读——二极管的命名规则
中国半导体二极管型号命名方法
例如：
读一读——二极管的命名规则
美国半导体二极管型号命名方法
字母
数字 英文 字母 数字 英文 字母
表示器件分 档
非军品此项 没有标志
美国电子工业协 会登记顺序号
美国电子工业 协会注册标志
表示二极管 表示二极管 用途的类型
读一读——二极管的命名规则
+ uD － rD
iD
Uon
（a）
（b） （a）U-I特性 （b）等效电路
读一读——二极管的等效电路模型 3．折线模型
U D U on 0.7V 0.5V rD 200 ID 1mA
U D 0.7V RD 700 I D 1mA
读一读——二极管的等效电路模型 4．小信号模型
I I sat (e
U / UT
1)
稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管
＋+ UZ
反偏电压≥UZ
i
稳定 电压 UZ
－
DZ
反向击穿
正向同 二极管
限流电阻
I z min
u
当稳压二极管工作在 反向击穿状态下,工作 电流IZ在Izmax和Izmin 之间变化时,其两端电 压近似为常数
△I
I z ma x
测试程序： ④ 保持步骤③，继续增大U，观察 发光二极管发光强度随U增大而变化的 情况，并记录： 。 ⑤ 将发光二极管反接，并观察此时 的发光二极管有无发光，并记录 。 结论 发光二极管正常工作时处于正偏状态 并非所有二极管导通压降都是0.7V
读一读——二极管的等效电路模型 1．理想模型
I(mA) 30 20 10 0 0.2 Q1 I Q Q2α U α 0.4 0.6 U(V) 0.8
+
ΔU
ΔI
rd
U rd I UT rd I
（b）
rd rs
26( mV) rd I
Cj
（c） （a）U-I特性 （b）低频等效电路 （c）低频等效电路
（a）
读一读——二极管的等效电路模型 5．指数模型
1.1.2 发光二极管的特性测试
看一看——实物展示
看一看——实物展示
白色贴片发光二极管
看一看——发光二极管图形符号
＋
－
英文单词：
light-emitting diode
做一做
项目1-1-4：发光二极管的特性测试 任务要求：按测试程序要求完成测试内容，并撰写测试报告。 测试设备：模拟电路综合测试台1台，0～30V直流稳压电源1台， 数字万用表1块，mA表1只，A表1只。 测试电路：如图所示，其中二极管为发光二极管，R为1k。
做一做——发光二极管特性测试
测试程序： ① 直接用万用表测量发光二极管的 正反向电阻值，并记录： R正= R反= 。 ② 按图接好电路，并串入电流表。 ③ 接入电源电压U，并使U由0V逐 渐增大，直至发光二极管开始发光，并 记录此时发光二极管正向压降UVD和正向 电流I： UVD= ；I = 。
做一做——发光二极管特性测试
+
R
1KΩ
+
D
ui
uo
5V
-
ui 10sin t V
2AP9
用数字代表同类器件的不同规格。
代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。 代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge， C为N 型Si， D为P型Si。 2代表二极管，3代表三极管。
半导体二极管的型号
国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：
2AP9
用数字代表同类器件的不同规格。
代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。 代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge， C为N 型Si， D为P型Si。 2代表二极管，3代表三极管。
△U
i
稳压二极管的主要 参数 (1) 稳定电压UZ ——
u 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。
I z min UZ
(2) 动态电阻rZ ——
rZ =U /I
△U
△I
rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。
(3) 最小稳定工作 电流IZmin——
I z ma x
保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。 (4) 最大稳定工作电流IZmax——
正极引线
S iO 2
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
底座 负极引线
(3) 平面型二极管
N型 硅
P型 硅
负极引线
读一读——二极管的命名规则
中国半导体二极管型号命名方法
2
英文 字母 英文 字母 数字 英文 字母
表示产品的 规格、档次
表示同一类 型产品序号 表示二极管 的类别 表示二极管 材料、极性
表示二极管
半导体二极管的型号
国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：