第1章 半导体器件习题及答案

5、N 型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。（
）
6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。（ ）
7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。（
）
8、施主杂质成为离子后是正离子。（
）
9、受主杂质成为离子后是负离子。（
）
10、PN 结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ）
11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ）
12、 由 于 PN 结 交 界 面 两 边 存 在 电 位 差 ， 所 以 ， 当 把 PN 结 两 端 短 路 时 就 有 电 流 流 过 。 （）
13、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（
）
14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向
压 Vo 为______。(设二极管的导通压降 0) A.5.6V B.-4.3V C.-5V D.6V
图 1.15
图 1.16
图 1.17
图 1.18
17、二极管电路如上图 1.17 所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可管的导通压降为 0.7V) A.0V B.-0.7V C.-1.7V D.1V 18、二极管电路如上图 1.18 所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电
第 1 章 半导体器件
一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错)
1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ）
2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。（ ） 3、在 N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为 P 型半导体。（ ） 4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ ）
时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。
A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变
8、二极管正向电压从 0.7V 增大 15%时，流过的电流增大_______。（A1．15% B1．大于
15% C1．小于 15%）当流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压 ______。（A2．增大 B2．减小；C2．基本不变）
9、温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线________。（A1．上移 B1．下移 C1．不变） 说明此时反向电流________。（A2．减小 B2．增大 C2．不变）.
10、在下图 1.10 所示电路中，当电源 V=5V 时，测得 I=1mA。若把电源电压调整到 V=10V，则
电流的大小将是[ ] I=2mA B.I<2mA
到 40℃时，则 I 的大小将是
。 A. I=2mA B. I<2mA C. I>2mA
13、图 1.13 中，二极管的正向压降可以忽略，反向饱和电流 0.1 mA, 反向击穿电压为 5V,击
穿后电压基本不随电流而变化，这时电路中的电流 I 等于 [ ]
A. 0.1 mA
B. 2.5 mA C. 5mA
18、有人测得当 UBE=0.6V，IB=10μA。考虑到当 UBE=0V 时 IB=0 因此推算得到
rbe
U BE I B
0.6 0 10 0
60(k)
（）
二、选择题
(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论)
. 1、在绝对零度（0K）时，本征半导体中_________ 载流子。
击穿特性。（
）
15、通常的 BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（ ）
16、 有 人 测 得 某 晶 体 管 的 UBE=0.7V， IB=20μA， 因 此 推 算 出 rbe=UBE/IB=0.7V/20μA=35kΩ。 （）
17、 有 人 测 得 晶 体 管 在 UBE=0.6V， IB=5μA， 因 此 认 为 在 此 工 作 点 上 的 rbe 大 约 为 26mV/IB=5.2kΩ。（ ）
压 Vo 为______。(设二极管的导通压降为 0.7V) A.-8.3V B.8V C.9V D.-9.3V 19、电路如下图 1.19 所示。试估算 A 点的电位为_________。（设二极管的正向压降为 0.7V。）
A. 6.7V
B. 6V C. 5.7V
D. 6.7V
20、已知如下图 1.20 所示电路中 VA＝0V，VB＝5V，分析二极管的工作状态后，可确定 Vo 的值为_____。（设二极管的正向压降为 0.7V。） A.5V B.-4V C.4.3V D.0.7V
5、P 型半导体中的多子是_________。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子
6、 在 杂 质 半 导 体 中 ， 多 数 载 流 子 的 浓 度 主 要 取 决 于 有
，而少数载流子的浓度则与
很大关系。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 C. 晶体缺陷
7、当 PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。当 PN 结外加反向电压
C.I>2mA D.不能确定
图 1.10
图 1.11
图 1.13
11、图 1.11 所示电路中电源 V=5V 不变。当温度为 20OC 时测得二极管的电压 UD=0.7V。当温
度上生到为 40OC 时,则 UD 的大小将是[ ]
A.仍等于 0.7V
B.大于 0.7V
C. 小于 0.7V
D.不能确定
12、设图 1.11 电路中保持 V=5V 不变，当温度为 20℃时测得二极管的电流 I=2mA。当温度上升
D. 15 mA
14、二极管的主要特性是 [ ]
A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性
15、在下图 1.15 所示电路中，D1～D3 为理想二极管，A、B、C 白炽灯泡功率都相同，其中最 亮
2
的灯是_________。 A. b
B. c
C. a
16、二极管电路如下图 1.16 所示， 判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电
A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数
2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。
A. 负离子 B. 空穴
C. 正离子 D. 电子-空穴对
1
3、半导体中的载流子为_________。 A.电子 B.空穴 C.正离子 D.电子和空穴
4、N 型半导体中的多子是_________。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子