双极器件应用-株洲中车时代电气

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高压 SiC MOSFET 研究现状与展望

高压 SiC MOSFET 研究现状与展望

0 摘要碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为宽禁带半导体单极型功率器件,具有频率高、耐压高、效率高等优势,在高压应用领域需求广泛,具有巨大的研究价值。

回顾了高压 SiC MOSFET 器件的发展历程和前沿技术进展,总结了进一步提高器件品质因数的元胞优化结构,介绍了针对高压器件的几种终端结构及其发展现状,对高压 SiC MOSFET 器件存在的瓶颈和挑战进行了讨论。

1 引言电力电子变换已经逐步进入高压、特高压领域,高压功率器件是制约变换器体积、功耗和效率的决定性因素。

特高压交直流输电、新能源并网、电动汽车等领域都对高电压等级功率器件有着更高的要求和需求。

目前,硅(Si)材料器件发展成熟、使用广泛、性能可靠,然而其较小的禁带宽度、击穿电场和热导率等特性大大制约了其在高功率、高电压和高频率下的应用。

SiC 作为宽禁带半导体之一,在人们的探索和研究中逐渐走进了功率器件的舞台,并凭借其比 Si 材料更高的禁带宽度、击穿场强和热导率等优良特性,打破了 Si 材料的极限,在高电压等级和大功率电能变换应用中体现出了较低的功率损耗、更高的开关频率等优越性能,具有极大的潜力。

在诸多开关器件中,高压 SiC MOSFET 器件是一种具有输入阻抗高、工作频率高、无拖尾电流等特点的单极型功率器件,相较于其他单 / 双极型开关器件具有以下优越性:其开关损耗低,易于提高功率模块整体效率;开关频率高,降低了电容电感体积,利于电力电子变换器的整体小型化;工作环境温度理论上可达 600 ℃,远超 Si 基器件,利于在高温环境下的应用。

加入三代半交流群,加VX:tuoke08。

随着 SiC 晶圆制造技术和栅氧工艺的日益成熟,已有不少国内外厂家正在或已经实现了 1.2 kV 等级器件的商品化。

目前,高压 SiC MOSFET 的单管击穿电压已经达到 15 kV。

高压 SiC MOSFET 的结构和技术存在着几个重要瓶颈:1)器件漂移区的导通电阻随电压等级相应增加,其他结构(沟道、JFET 区等)的存在进一步提高了总导通电阻;2)电压等级要求高,而终端保护技术的保护效率和终端面积之间存在矛盾;3)存在器件可靠性问题,工艺技术和结构设计严重影响器件的长期工作。

中车时代电气碳化硅器件项目通过科技成果鉴定

中车时代电气碳化硅器件项目通过科技成果鉴定

中车时代电气碳化硅器件项目通过科技成果鉴定
佚名
【期刊名称】《半导体信息》
【年(卷),期】2017(000)005
【摘要】日前,由中国科学院微电子研究所和株洲中车时代电气股份有限公司共同完成的"高性能SiC SBD、MOSFET电力电子器件产品研制与应用验证"项目科技成果鉴定会在北京顺利召开。

本次鉴定会由中国电子学会组织,西安电子科技大学的郝跃院士担任鉴定会主任.
【总页数】2页(P13-14)
【正文语种】中文
【中图分类】TN304.24
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1.陕建机SDR280旋挖钻机上市——CM2000铣刨机、SSD40A沥青碎石同步封层车项目科技成果鉴定会同期召开 [J],
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3.清华大学和中车时代电气成功研制4500 V/5000 A IGCT-Plus器件 [J],
4.中车时代电气的制胜之道——专访株洲中车时代电气股份有限公司总经理助理湖南中车时代通信信号有限公司总经理方光华 [J], 曹卓娜;邓杰
5.“不锈钢油管工艺技术在压铸中的研究与应用”项目通过科技成果鉴定 [J],
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高压大电流(4500V600A)IGBT芯片研制

高压大电流(4500V600A)IGBT芯片研制

2021年2月电工技术学报Vol.36 No. 4 第36卷第4期TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Feb. 2021DOI: 10.19595/ki.1000-6753.tces.191758高压大电流(4 500V/600A)IGBT芯片研制刘国友1,2黄建伟1,3覃荣震1,3朱春林1,3(1. 新型功率半导体器件国家重点实验室株洲 4120012. 株洲中车时代电气股份有限公司株洲 4120013. 株洲中车时代半导体有限公司株洲 412001)摘要提高绝缘栅双极晶体管(IGBT)单芯片电流容量,对减小封装器件芯片并联数、简化封装结构、改善芯片均流至关重要。

该文基于高压、大电流、高可靠性IGBT应用需求,通过高压IGBT芯片坚强元胞设计及其协同控制技术实现了元胞之间的开关同步,通过光刻拼版技术解决大尺寸芯片的工艺制造,通过单芯片压接封装验证了大尺寸芯片设计及其性能,探索出一条大尺寸IGBT芯片设计、制造与验证的技术路径。

研究开发了全球第一片42mm×42mm大尺寸高压IGBT芯片,攻克了高压IGBT芯片内部大规模元胞集成及其均流控制的技术难题,首次实现了4 500V/600A单芯片功率容量,具备优良的动静态特性和更宽的安全工作区,并可以显著提高IGBT封装功率密度与可靠性。

关键词:大尺寸IGBT芯片电流容量均流压接中图分类号:TN433Development of Large Size IGBT Chip withHigh Power Capacity of 4 500V/600ALiu Guoyou1,2 Huang Jianwei1,3 Qin Rongzhen1,3 Zhu Chunlin1,3(1. State key Laboratory of Advanced Power Semiconductor Devices Zhuzhou 412001 China2. Zhuzhou CRRC Times Electric Co. Ltd Zhuzhou 412001 China3. Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co. Ltd Zhuzhou 412001 China)Abstract Increasing IGBT single-chip current capacity is essential for reducing the parallel number of packaged chips, simplifying the package architecture and improving the chip current sharing capability. According to the application requirements of high voltage, high current and high reliability for IGBT chips, this paper realized cell switching synchronization through robust cell design and its coordinated control, and solved the process manufacturing of large size chips through special photolithography technology. The single-chip press packaging was used to verify the design and performance of large size chips. A technical path for the design, manufacturing and verification of large size IGBT chips was explored. The world’s first 42mm×42mm large-size high-voltage IGBT chip with the power capacity of 4 500V/600A was developed. It has excellent dynamic and static characteristics,a wider safe operation area (SOA), and can significantly improve the packaging power density andreliability.Keywords:Large size IGBT chip, current capacity, current sharing, press pack收稿日期 2019-12-13 改稿日期 2020-02-20第36卷第4期刘国友等高压大电流(4 500V/600A)IGBT芯片研制 8110引言绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)作为能量处理与控制的“CPU”,耐受电压高、电流容量大、驱动功率小、开关速度快、使用方便灵活,已成为电力电子装置的主流开关器件[1-2]。

中车时代电气的制胜之道——专访株洲中车时代电气股份有限公司总

中车时代电气的制胜之道——专访株洲中车时代电气股份有限公司总

封面文章COVER ARTICLE中车时代电气的制胜之道—专访株洲中车时代电气股份有限公司总经理助理湖南中车时代通信信号有限公司总经理方光华◎本刊记者曹卓娜特约通讯员邓杰年,株洲中车时代电气股份有限公司在香港联合交易所成功上市。

之后几乎每年的复合增长率都超过 20%;初上市时,公司营业规模只有10个亿 左右,现在已近150个亿,短短十年,翻了 15 倍。

10年,15倍。

时势,人为。

时势:过去十年是我国轨道交通行业大发 展的十年,这是难得的历史机遇。

人为:方光华有句话让《世界轨道交通》杂志记者印象深刻:“我们崇尚‘成事’的文 化,只要能把一件事情办成,可以突破很多固 有的条条框框,不必太拘泥于形式。

这里的人 比较玩命,为了把事情干成,除了原则上的,什么事都可以商量。

”方光华,株洲中车时代电气股份有限公司 (简称“中车时代电气”)总经理助理兼湖南 中车时代通信信号有限公司总经理(简称“中车时代通号”)。

立足“自主创新”扩大“技术版圍”1959年,中车时代电气的母公司一一中车 株洲电力机车研究所有限公司(简称“中车株 洲所”)成立。

“创立之初的主攻方向是轨道 交通的牵引系统,所以,牵引系统是中车时代 电气起家的最核4、的产业。

”方光华说。

从“追赶”到“引领”熟悉我国铁路发展史的人都知道,一百 多年前,随着西方列强的入侵,铁路被带入我 国。

随后,各个国家的势力争相在我国修建铁 路,致使我国铁路呈现“五花八门”的局面,标准不统一、制式也不相通。

加之自主技术的 落后,所以很长一段时间我国铁路发展缓慢,速度低。

这其中,影响的关键就是牵引系统。

为摆脱这一掣肘,1959年中车株洲所成立,开 始着手研究轨道交通牵引动力系统。

“我们一直坚持自主创新。

最开始的时候也引进法国、苏联的技术,但是经过消化、吸收、再创新,经过多年的攻关积累,如今,牵引系统已经成为我们自主创新的一个标杆。

”方光华表示。

他自信满满,“现在,我国铁路牵引系统技术水平已位居全球前列,即使跟西门子、阿尔斯通等世界顶级企业相比,也毫不逊色,甚至在某些方面还强过他们。

基于Fluent的散热器热仿真设计与试验验证

基于Fluent的散热器热仿真设计与试验验证

基于Fluent的散热器热仿真设计与试验验证
马雅青;闫家益;余军
【期刊名称】《机械工程师》
【年(卷),期】2022()2
【摘要】采用Fluent软件对用于绝缘栅双极型晶体管芯片(IGBT)的散热器进行流体热仿真分析及试验验证。

为了在设计阶段能够准确评估散热器性能,采用计算流
体力学原理,搭建数值模型。

研究了散热器在额定冷却液流速下入口与出口的压力
损失,通过对比发现与试验结果较为吻合,从而验证了数值模型的可靠性。

在此基础上,加入模块模型,输入芯片损耗,得出了每个IGBT模块的节点温度、散热器表面最
高温度,仿真结果显示均在设计范围之内,进而验证了散热器在热设计方面的可靠性。

【总页数】4页(P102-104)
【作者】马雅青;闫家益;余军
【作者单位】株洲中车时代电气伯明翰研发中心;株洲中车时代半导体有限公司【正文语种】中文
【中图分类】TK124
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热仿真计算的试验验证3.基于Fluent的自然风冷管束散热器的仿真分析4.基于ICEPAK仿真的散热器结构热设计研究5.基于Fluent流场模拟的立式好氧堆肥反
应器设计及试验验证
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顺为科技集团功率半导体模块项目落户湖南株洲

顺为科技集团功率半导体模块项目落户湖南株洲

顺为科技集团功率半导体模块项目落户湖南株洲
佚名
【期刊名称】《中国集成电路》
【年(卷),期】2024(33)1
【摘要】在株洲市石峰区举行顺为科技集团IGBT/SiC功率半导体模块项目签约仪式。

株洲市政协副主席、民革株洲市委主委、市行政审批局局长程轶辉,株洲中车时代半导体有限公司党总支书记、副总经理张龙燕出席并在现场见证,石峰区委副书记、区长石慧彬出席仪式并发表讲话,顺为科技集团董事长肖磊作项目介绍,区委常委、副区长刘宇主持签约仪式,区领导敬华兵、石峰区相关部门及顺为科技集团相关人员等参加签约仪式。

【总页数】1页(P69-69)
【正文语种】中文
【中图分类】F42
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1.飞兆半导体下一代单芯片功率模块系列满足2013ErPLot6待机功率法规要求
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3.飞兆半导体下一代单芯片功率模块系列满足2013 ErP Lot 6待机功率法规要求
4.第3代半导体SiC功率模块研发及产业化项目开工
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中车时代电气 走创新路,构大格局

中车时代电气 走创新路,构大格局

中车时代电气走创新路,构大格局
钟成
【期刊名称】《城市轨道交通》
【年(卷),期】2016(000)003
【摘要】<正>株洲中车时代电气股份有限公司是中国中车旗下股份制企业,其前身及母公司——中车株洲电力机车研究所有限公司创立于1959年。

2006年,时代电气在香港联交所上市。

2014年,营业收入首次跨越百亿元。

作为国际及国家标准制订者之一,牵引电气设备与系统领域城轨相关已经发布的国家标准共计44项、国际标准共计76项,行业标准2项,正在制修订的国家标准21项。

其中,时代电气主导制修订的国家标准
【总页数】2页(P48-,50)
【作者】钟成
【作者单位】
【正文语种】中文
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1.中车时代电气列车智能运维平台FORESEE品牌发布 [J], 黄铖;
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5.中车时代电气的制胜之道——专访株洲中车时代电气股份有限公司总经理助理湖南中车时代通信信号有限公司总经理方光华 [J], 曹卓娜;邓杰
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电子设备在铁路机车车辆中的应用

电子设备在铁路机车车辆中的应用

电子设备在铁路机车车辆中的应用发布时间:2022-10-24T06:54:33.298Z 来源:《科学与技术》2022年第6月第12期作者:杨建国[导读] 伴随着科技发展水平的提高杨建国株洲中车时代电气股份有限公司,湖南株洲 412001摘要:伴随着科技发展水平的提高,铁路机车车辆的安全性和稳定性得到了很好的发展,特别是电子元器件在铁路机车中的大量应用,现代科技把人类的日常生活提高了一个维度,把机车的硬件、软件进行了整体的优化。

电子设备的可代替性和可控制性成为了制造铁路机车的复杂系统的不二之选,凭借着强大的可靠性和惊人的可控制功能,目的有两个,一个是用电子器件代替传统的机电器件,二是用具有运算能力的器件,帮助铁路机车实现复杂的控制功能。

提高铁路机车的安全性和稳定性,经济可靠。

变流器可以智慧的匹配电功率,减少了能量损耗,这意味着牵引技术大幅提高。

关键词:电子设备;高速铁路;技术1 电子设备的可靠性和和稳定性1.1 集成电路电子设备的可靠性是很高的,元器件不受外界环境影响,这就意味着整套机车系统的故障率会降低,故障率等于每小时工作产生的故障数,就拿晶体管来说,它的故障率为5×10的负八次方次每时,换算下来,大约四千年才出现一次故障,单独的电子元器件故障率非常低,而继电器和电位器因为有机械部件,可靠性就会大大降低,与单个工作电路可靠性相比,采用集成电路可靠性会非常高,集成电路的数字化程度高,原本的大规模的,大量的连线和元器件集成在了一小块硅板上,可靠性增加,还节省了空间,随着集成电路的不断发展,集成电路将会变得更智能更小巧,因此,集成电路的应用可以使铁路机车大大提高稳定性,还能降低故障率。

1.2 冗余技术任何一个部件都有固定的故障率和平均无故障工作时间,负载、壁垒层温度、还有工作方法都或多或少的影响着一个元器件的可靠性,系统的故障不能按照一个器件的故障率乘以器件个数求出来,可以利用冗余技术,这种技术也可以称它为储备技术,这是一种并联模型,就是通过增加后备设备,当现用的设备出现故障,立即启用备用设备,这样就能提高机车工作的可靠性,因为机车系统运行本来就很安全,后备设备就可以得到很好的保护,因此,冗余技术实用价值很高,应用十分普遍。

压接型IGBT均流设计

压接型IGBT均流设计
常规直流面临换相失败带来的电网安全运行 问 题 、 接 入 弱 交 流 系 统 带 来 的 过 电 压 问 题 [6]。 采 用自关断器件的柔性直流输电技术,通过模块化 多电平变流器(modular multilevel convertor,MMC) 级联,代替开关器件的直接串联,在很大程度上 降低了器件串联时的一致性要求,另外 MMC 结 构 可 通 过 冗 余 结 构 设 计 降 低 系 统 故 障 发 生 概 率 [7]。
随着柔性直流输电技术的发展,输电容量不 断提高,接近基于晶闸管换流的常规直流输电水 平 [8]。 传 统 焊 接 型 绝 缘 栅 双 极 晶 体 管 ( IGBT) 模 块[9] 在电流和功率容量等方面已难以满足应用需 要,并且其散热方式、失效模式等方面的问题给 电网应用带来诸多不便[10-11]。压接型 IGBT 通过多 芯片并联实现了大电流容量,并且具有双面散
1 多芯片压接结构及压力均衡设计
压接型 IGBT 结构的设计理念源自晶闸管、 GTO 及 IGCT(集成门极换流晶闸管)等传统双 极型电力电子器件。采用陶瓷管壳密封封装,将 其中的单芯片更换成多个 IGBT 或快恢复二极管 ( FRD) 芯 片 , 通 过 双 面 外 加 机 械 压 力 分 别 连 接 到上下两个电极。IGBT 芯片门极通过弹簧针与印 制 电 路 板 ( PCB) 连 接 并 汇 流 到 模 块 外 部 。 芯 片 与电极之间布置钼片作为热–机械应力缓冲层, 这是因为芯片(硅)与电极材料(铜)的热膨胀 系 数 ( CTE) 差 别 较 大 , 当 模 块 温 度 发 生 变 化 时,如芯片功率损耗或环境温度变化,将产生较 大的热–机械应力作用在芯片之上,逐渐引起失 效。通过在芯片和铜电极之间加入 CTE 在二者之 间的过渡金属层,可以减小作用在芯片上的热–机 械应力。除 CTE 的要求,该金属层还需要具有良 好的导电和导热特性。金属钼的特性参数如 CTE(5×10–6/mK),热导率(138 W/mK)和电阻 率(5.2 Ωm)等方面非常适合作为芯片与铜电极 之间的应力缓冲层。压接型 IGBT 器件具有无引 线、无焊接、失效短路模式及双面散热的独特结 构,芯片及其两面相连的钼片组成压接型 IGBT 模块的基本子单元。压接型 IGBT 的结构如图 1 所示。

株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部

株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部

株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部
佚名
【期刊名称】《电力电子》
【年(卷),期】2012(000)002
【摘要】公司介绍公司从1964年起开始大功率半导体器件的研发、制造,是我国最早研发大功率半导体器件技术的单位之一。

当前,公司大功率半导体器件技术水平已经跻身国际先进行列,市场占有率和影响力在国内处于领先地位。

【总页数】3页(P62-64)
【正文语种】中文
【中图分类】TN322.8
【相关文献】
1.让员工把安全成为习惯——记南车时代电气电力电子事业部Ⅱ线管芯一班 [J], 钟金玉
2.南车奋发振“芯”中国——访株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部总经理吴煜东先生 [J],
3.技术内核驱动南车驶上发展快车道——访南车时代电气电力电子事业部总经理吴煜东先生 [J],
4.竞合之道强大中国逆变产业——访株洲南车时代电气股份有限公司新产业事业部总经理任其昌 [J],
5.中国的南车时代-株洲南车时代电气股份有限公司向美国超导公司订购了100套风机核心电力部件 [J],
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高压IGBT芯片高温测试温度的阈值电压标定

高压IGBT芯片高温测试温度的阈值电压标定

高压IGBT芯片高温测试温度的阈值电压标定涂启志;凌浪波【摘要】IGBT(Insulate Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)已得到广泛应用.为提高封装阶段的成品率,需对芯片的高温漏电特性进行测试.通过对芯片测试参数的分析,提出了可通过对Vgth(阈值电压)的测试、比对,实现对芯片在高温测试条件下实际测试温度的校正.【期刊名称】《电子与封装》【年(卷),期】2017(017)010【总页数】4页(P13-16)【关键词】IGBT;阈值电压;高温;漏电流【作者】涂启志;凌浪波【作者单位】无锡广播电视大学,江苏无锡214011;株洲中车时代电气有限公司,湖南株洲412000【正文语种】中文【中图分类】TN407IGBT(Insulate Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)目前已经在各种电力电子变换装置中得到了广泛的应用,成为中、大功率电力电子装置的主导器件,不仅广泛应用于电力系统,而且也广泛应用于一般工业、交通运输、通信系统、计算机系统和新能源系统。

IGBT器件的纵向剖面结构如图1所示。

从剖面结构来看,它可视为功率场效应晶体管(MOSFET)和双极型晶体管(BJT)结构的复合器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管。

因此,可以将其看作是MOS输入的达林顿管。

其简化等效电路图如图2所示。

由于其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,所以IGBT具有输入阻抗高、开关速度快、驱动功率小、饱和压降低、控制电路简单和承受电流大等特性。

由于其广泛应用于电力系统中,使得IGBT器件经常需要工作在高温环境中,因此,器件在高温环境下的高压漏电流将直接影响到系统的稳定性和可靠性。

同时,大功率IGBT模块通常由多个IGBT芯片并联封装而成。

因此倘若个别IGBT 芯片在模块进行高温测试时出现漏电失效的问题,则会造成整只模块的报废,使得该模块中其余正常芯片被报废,连同相应的封装、测试成本损耗,从而形成极大的损失。

上海先进试制6500V机车用IGBT芯片通过中车产品鉴定

上海先进试制6500V机车用IGBT芯片通过中车产品鉴定

上海先进试制6500V机车用IGBT芯片通过中车产品鉴定佚名
【期刊名称】《集成电路应用》
【年(卷),期】2015(0)11
【摘要】由中国电器工业协会电力电子分会组织的"中国中车完全自主知识产权6500V大功率IGBT芯片与模块产品鉴定暨发布会"在西安召开,经专家组评议一致认为:由上海北车永电电子科技有限公司与上海先进半导体制造股份有限公司联合开发的国内首个具有完全知识产权的6500V高铁机车用IGBT芯片通过高铁系统上车试验,实现产品化应用,
【总页数】1页(P44-44)
【关键词】IGBT;产品鉴定;完全知识产权;电器工业协会;分会组织;自主知识产权;联合开发;研发制造;中国芯;世界先进水平
【正文语种】中文
【中图分类】TN322.8
【相关文献】
1.长征机床集团高端重型新产品——填补国家空白/我国首例现场测泵技术——通过鉴定/汉江工具试制出具有国际先进水平新型刀具 [J],
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3.6500V超高压、大电流IGBT芯片的工艺研究 [J], 周卫平;刘建华;张栋
4.做更安全的事情、做更优秀的我们——株洲中车时代电气股份有限公司半导体事
业部IGBT芯片制造班 [J],
5.中车株洲IGBT芯片实现高铁核心器件国产化 [J],
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双极器件应用指南
I
株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部


1 器件选型 ............................................................................ 1 2 器件的串联 .......................................................................... 2 3 器件的并联 .......................................................................... 3 4 器件的触发要求 ...................................................................... 4 5 器件的保护 .......................................................................... 4 6 散热器选型 .......................................................................... 5 7 压装力与压装力矩 .................................................................... 7 8 器件检测方法 ........................................................................ 9
Id C Ud L
L
主电路接线方式
Ud
Ud
M
-
桥臂电压有效值 U
2 √2cos θ
π
Ud
2 √2cos θ
π
Ud
√6 U π d 株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部
共 10 页 第 1 页
注:其中,Ud为逆变桥直流输入电压值,Id为直流输入电流值,cos θ为功率因素。 1.2 三相交流调压电路 对于软启动电路 KP 器件选型。 1) 器件正反向峰值电压 VDRM 、VRRM : 2) 考虑安全余量,器件正反向峰值电压VDRM 、VRRM一般选取器件实际承受峰值电压VM 的2~3倍,即 3) 器件通态平均电流IT(AV):假定某低压电机软启动,进线电压为U=380V,电机功率为P=220KW。由于 P = √3UI cos θ, 则电机额定电流有效值I = P⁄√3U cos θ, 若取功率因素cos θ = 0.8, 则I = 420A每 相由两只器件反并联,则流过每只器件的有效值为ITRMS = 210A换算为平均值,每只器件实际流 过电流平均值 IAV = ITRMS × VDRM = (2~3)VM = (2~3) × √2U线
选择 RC 参数时,应满足以下关系式: dic ⁄dt + diL ⁄dt < diVT⁄dt 式中: dic ⁄dt——RC 放电产生的di⁄dt,单位A⁄μs; diL ⁄dt——晶闸管回路的di⁄dt,单位A⁄μs; diVT⁄dt——器件的di⁄dt耐量,单位A⁄μs。 根据经验公式 C = K H ∙ IT × 10−3 μF Uc = (1.2~1.5)U
1 + cos α 2 × Ud0
0.45U2
0.9U2 1 + cos α × Ud0 2
1.17U2 cos α × Ud0
2.3 α × Ud0
表 2 常见电流型逆变电路
常见电流型逆变 电路
单向逆变并联谐振
单向逆变串联谐振
三相桥式逆变电路
Id C
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除了并联均压电阻, 一般还采用并联RC吸收回路来吸收开通和恢复过程中的瞬态过电压, RC回路如下 图所示:
R1 D1 C1
R2 D2 C2
图 2 RC 回路
式中:K H ——修正系数,取 0.2~0.4; IT ——器件额定工作电流,单位 A; U——器件额定工作电压,单位 V。 电容值一般选取 0.22~1μF,电容耐压值取器件工作电压的 1.2~1.5 倍;电阻值一般选取几十欧,电 阻功率取其消耗功率PR 的 2 倍: PR = 0.5f ∙ C ∙ U 2 × 10−6 (W) 式中:f——频率,单位:Hz; C——电容值,单位:μF; ——U——器件额定工作电压,单位:V。
式中,∑ U为串联器件电压之和;Um 为串联器件中最大电压值;n为串联器件数。 器件串联均压分为静态均压和动态均压两种情况。 1)静态均压(正向及反向阻断阶段):在串联器件上并联阻值相等的电阻,称为均压电阻Rj,Rj远小 于器件漏电阻。
图 1 器件静态均压与动态均压
通常均压电阻的选择为: U πID 其中 U 为器件额定电压有效值;πID 可近似看作漏电流峰值。 均压电阻的功率选择为: Rj ≤ (0.1~0.25) PRj ≥ K( UD 2 1 ) Rj n 其中UD为作用在原件上的峰值电压;N为串联的元件数;K为系数,直流为1,单向交流为0.25,三相 为0.45。 2)动态均压(在开通阶段与反向恢复阶段): 共 10 页 第 2 页
II
株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部
1 器件选型 1.1 整流电路与电流型逆变电路 表1和表2为常用的整流电路和电流型逆变电路接线方式以及其电压电流参数,应用中许多的电路均由 这些基本电路变换组合而成。
表 1 常见整流电路
常见整流电路
单向半波
单向桥式
三相半波
三相全控桥
双Y带平衡电抗 器
T
U2
T
U2 Ud
U2 T Ud
主电路接线方式
Ud
Ud
Ud
整流臂正反向峰值电压 整流臂正向电流平均值 空载直流输出电压平均 值Ud0 电阻或电感负载直流输 出电压平均值Ud
√2U2 Id
√2U2
1 I 2 d
√6U2
1 I 3 d
√6U2
1 I 3 d
√6U2
1 I 6 d
注:其中,U2 为主回路变压器二次相电压有效值,Ud 为直流输出电压值,Id 为直流输出电流值,Ud0 为空载直流输出电压值。
2 √2 = 190A π 由于器件时短时间工作,考虑到启动过程电流过载倍数4~5倍,可以选取通态平均电流1000A或更大电 流的器件。 2 器件的串联 串联电路中,器件的漏电流差异会引起器件电压分配不均。通常用均压系数来表示串联器件电压的分 配均匀程度。其定义为: KU = � U�(n × Um )
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