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速度：V =第平均速度：V =爷速率
v t ）角速度：
加速度：刁=紧或a = 格 平均加速度： 衣普
在自然坐标系中a = a T f + a n n 其中a T
=多（=r B ）,。

〃 =牛（=r2
冲量：I
Fdt （ =F A t ）
F dr （气体对外做功：A=f
4 .动能：mV2/2
5 .势能:A^= - AE P 不同相互作用力
势能形式不同且零点选择不同其形
F=
式不同，在默认势能零点的情况下：
mg （重力）
\ -kx （弹性力）
mgh
->
kx2/2
_G 虬F （万有引力）-_G 处
I
2
J
=E P
Qq 子（静电力）
4淀 o r 2
7.压强:p =已=-!—=打&
S NtS
基本概念（定义和相关公式）
位置矢量：F ,其在直角坐标系中：7 =宣+刃+灰;r =
+ ,2 +亍角位置：Q
角速度与速度的关系:V=r W
力:尹=m & （或E =务）力矩：应。

=尸x 户（大小：M=rFcos0方向：右手螺旋 法则）
动量：p = mV ,角动量：L = fxmV （大小：L=rmvcos0方向：右手螺旋法则）
PdV ）
机械能：E=E K +E P
6 ,热量：Q =州CRT 其中：摩尔热容量C 与过程有关，等容热容量Cv 与等压热容量
Cp 之间的关系为:C p = C v +R
8 .分子平均平动能：布=—kT ；理想气体内能：E — M 仃+尸+ 2s ）RT
2 #2
9 .麦克斯韦速率分布函数：f （v ）二* （意义：在V 附近单位速度间隔内的分子数所
NdV
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占比率）
10 . 平均速率：厂=j
方均根速率：;最可几速率：v/? =
11 . 炳：S=KlnQ （Q为热力学几率，即：一种宏观态包含的微观态数）
12 . 电场强度:E" /qo（对点电荷:百二q，户）
4花 o r 1
「8 —
13 . 电势:U . = \ E • dF （对点电荷〃 = q）;电势能：Wa=qU a（A=-
丸4衣（）厂
△W）
14 . 电容：C=Q/U ;电容器储能：W=CU2/2 ;电场能量密度u）e=£oE2/2
15 . 磁感应强度：大小,B=F max/qv（T）;方向,小磁针指向（S-N *
定律和定理
1 .矢量叠加原理：任意一矢量•可看成其独立的分量&的和。

即：A=ZA.（把式中•换
成八 V、a、尸、E、力就分别成了位置、速度、加速度、力、电场强度和磁感应强度的叠加原理）。

2 ,牛顿定律：F =前（或F =务）；牛顿第三定律:FT ；万有引力定律：
F=-G^-r r -
3・动量定理:I = △* T动量守恒：△万=0条件£户外=0
4 .角动量定理：M = / t角动量守恒：△£二（）条件Z心外=0
5 .动能原理：A = \E k（比较势能定义式：A保=—NE p）
6 .功能原理：A外+A非保内机械能守恒：炕”条件A外+A非保内=0
克劳修斯表述：不可能把热量从低温物体传到高温物体而不产生其它影
响。

开尔文表述：不可能从单一热源吸取热量，使之完全变为有用的功而不产 生其它影响。

实质：在孤立系统内部发生的过程，总是由热力学概率小的宏观状 态向热力学概率大的状态进行。

亦即在孤立系统内部所发生的 过程总是沿着无序性增大的方向进行。

7 .理想气体状态方程：PV = —RT 或 P=nkT （ n=N/V , k=R/N 0）
A
8 .能量均分原理：在平衡态下，物质分子的每个自由度都具有相同的平均动能，其大小
都为kT/2o 9.热力学第一定
律：AE=Q+A
10 .热力学第二定律： 孤立系统：AS 〉。

（炳增加原理） 11 .
库仑定律：
F = k 丝 r ~
（k=1/4TT8o ）
12 . 高斯定理：毋
后.d§ - JI —（静电场
是有源场）一无穷大平板：E=（J /2£O 13 . 环路定理：= 0
（静电场无旋，因此是保守场）
14 .
毕奥—沙伐尔定律・.= %点3
4溟2
直长载流导线：疗=（cos eI - cos e 、）
4刀尸 无限长载流导线:M 虹
2"
载流圆圈：疗=妃，圆弧：疗=至_故_
2R 2R 2勿
电磁学
1 .定义： ①丘和W :
\ £ = F /qo 单位：N/C =V/m
1 B=F max /qv ;方向，小磁针指向（S-N ）;单位：特斯拉（T ） =104 高斯（G ）
③电通量：久=|| £ * 自感：L=W/I
单位：亨利(H )
F=q(E + Vxfi )洛仑兹公式 %1 电势:u = E • dr
电势差:U =[亘0 电动势：£ = [ R •打(K =「*静电)
-dS 磁通量：少〃 =百• dS 磁通链：4)B =N(P B 单位：韦伯
(Wb )
%1 电偶极矩：£—厂一答
P =q I "
- 一
・q / +q S ------- m
磁 矩 ：
m =\S =\Sn
%1 电容：C=q/U 单位：法拉(F)
*互感:M=W2i/li=Wi2/l2 单位:亨利(H )
2 .实验定律 %1
库仑定律：P = Qq 户②毕
奥一沙伐尔定律：d B = "WE ③安培定律： o r 2 ° 4/rr 2
dF =\dl x E
④电磁感应定律：£感=-丝土「动生电动势., £ = [+(V X dt ] 人
i 感生电动势：£ = r E ( - di ( Ei 为感生电场)
%1 电流：I =才； %1
* 能流
S = -^-ExB
3. *定理（麦克斯韦方程组） 电场的高斯定理：毋£ E
磁场的高斯定理：§疗."$ = （）
弃知-6/5=0
（E 静是有源场）
B ^dS = 0 （ B 稳是无源场）
安培环路定理:
B 柜’di =,〃（」（稳恒磁场有旋）
后感・di 。

£o 区（变化的电场产生感生磁 dt
2 电磁场能量密度：3=专
电磁场能流密度：SwV
•⑤欧姆定律：U=IR （ E=pj ）其中p 为电导率
=o （ B 感是无源场）
电场的环路定理：优.打=-虹仁仰孙•打=（）（静电场无旋） J dt \ 7 ”
I 抨感新=-学（感生电场有旋；变化的磁场产生 感生电场）
4 .常用公式
%1 无限长载流导线•• B = £ 螺线管：B=n Mol
2/rr %1 带电粒子在匀强磁场中：半径R =竺土周期『=她
qB
qB
磁矩在匀强磁场中：受力F=0 ;受力矩材=mxB
%1 电容器储能：Wc= f CU2 *电场能量密度：U ）e =f £0 oE2+士 B2
•电感储能：W L =* 口2
*磁场能量密度：C0B =5^B2
%1
*电磁波：C= 1
=3.0x108m/s 在
介质
中V=C/n ,频率f =v= i
2丸 J/J
1.定义和概念
简谐波方程：X 处t 时刻相位
振幅, ------- A '
^=Acos （
（nt+（p-2nxi^A ）r
^
动
位
x 处落
0 f 0
后0点的 处才点
振动方程：EAcos （oot+（p ）
波形方程：&二Acos （2ux/入+们
相位
bk
相位①—决定振动状态的量
振幅A 振动量最大值
决定于初态
x o=Acos (
p
初相
（P
x =0处t =0时相位
(Xo,Vo )
Vo= -Au )sin (
p
圆频率
CX ）
决定于波源如：
周期T ——振动一次的时间
单摆
波动学
频率v —每秒振动的次数
波速v ——波的相位传播速度或能量传播速度。

决定于介质平：绳V=7f77 光速 V=C/n
I
波的干涉：同振动方向、同频率、相位差恒定的波的叠加。

光程：L=n x （即光走过的几何路程与介质的折射率的乘积。

相位突变：波从波疏媒质进入波密媒质时有相位TT 的突变（折合光程为入/2 \ 拍：频率相近的两个振动的合成振动。

驻波：两列完全相同仅方向相反的波的合成波。

多普勒效应：因波源与观察者相对运动产生的频率改变的现象。

衍射：光偏离直线传播的现象。

自然光：一般光源发出的光
偏振光（亦称线偏振光或称平面偏振光）：只有一个方向振动成份的光。

部分偏振光：各振动方向概率不等的光。

可看成相互垂直两振幅不同的光的合成。

其中：△（（）二（pi.（p2■号（r2-ri ）当馈二｛合1 + 1乎编《藉纹）
J" k X 极大（明纹）
当（pi-（p2=0时，光程差6= （r2-n ） = I （2k+l）入/2板小（暗纹）
②惠更斯原理：波面子波的包络面为新波前。

（用
来判断波的传播方向）
%1菲涅尔原理：波面子波相干叠加确定其后任一
点的振动。

%1*马吕斯定律:l2=hCOS20
%1*布儒斯特定律：
当入射光以Ip入射角入射时则反射光为垂直入射面振动的
完全偏振光。

Ip称布儒斯特角，其满足：
tg ip = n2/ni
3 .公式
振动能量：Ek=mV2/2二Ek（小E= Ek+Ep=kA2/2
E p=kx2/2= （t）
*波动能量：co = }pco2A2 \=a）V =-^pct）2A2V
*驻波：
波节间距d =A/2
基波波长Ao=2L
基频:v o=V/Ao=V/2L ;
谐频:v= n vo
*多普勒效应：
机械波'•二•+f（ V R——观察者速度；V s——波源速度）-V - V 5
对光波＞=反其中Vr指光源与观察者相对速度。

Nc + V,
杨氏双缝■£dsin0= k A （明纹）
9=sin0= y/D
条纹间距Ay=D/Ad
9
单缝衍射（夫琅禾费衍射）：
a sin0= k A （暗纹）
Q-sinQ-y / f
瑞利判据:
9mjn=1/R =1.22A/D （最小分辨角）光栅：
dsin0= k A（明纹即主极大满足条件）
tg0= y/f
d=1/n=L/N （光栅常数）
薄膜干涉：（垂直入射）
6反=2 n 2 t +员£= 中
A/2极增反：6反=（2k+1）入/2
增透：6^=kA。