模拟电子技术仿真作业202002
川大2020《模拟电子技术》第二次答案
首页 - 我的作业列表 - 《模拟电子技术》第二次答案欢迎你，张治国(DH119136037)你的得分： 100.0完成日期：2020年06月08日 09点58分说明：每道小题选项旁的标识是标准答案。
一、单项选择题。
本大题共10个小题，每小题 5.0 分，共50.0分。
在每小题给出的选项中，只有一项是符合题目要求的。
1.BJT的两个PN结均正偏或均反偏时，所对应的状态是（）A.截止或放大B.截止或饱和C.饱和或截止D.已损坏2.3AX22型三极管的极限参数为：V(BR)CEO=18V，I CM=100mA，P CM=125mW，试判断下列各静态工作点参数属正常工作范围内的是（）。
A.I CQ=34mA，V CEQ=4VB.I CQ=10mA，V CEQ=10VC.I CQ=110mA，V CEQ=1VD.I CQ=5mA，V CEQ=20V3.表征场效应管放大能力的重要参数是()。
A.夹断电压VpB.开启电压VTC.低频互（跨）导gmD.饱和漏电流IDSS4.设乙类功率放大电路电源电压为±16V，负载电阻RL =16Ω，VCES=0V，则对每个功率管的要求为（）A.PCM ≥8W VBR（CEO）≥16VB.PCM ≥1.6W VBR（CEO）≥16VC.PCM ≥8W VBR（CEO）≥32VD.PCM ≥1.6W VBR（CEO）≥32V5.差分式放大电路由双端输入变为单端输入时，其空载差模电压增益（）A.增加一倍B.不变C.减少一半D.减少一倍6.某传感器产生的是电压信号（几乎不提供电流），经过放大后希望输出电压与信号成正比，放大电路应是（）电路。
A.电流串联负反馈B.电压串联负反馈C.电流并联负反馈D.电压并联负反馈7.A.R b增大B.R C增大C.V减小CCD.νi增大8.A.1VB.-1VC. 1.2VD.-1.2V9.桥式RC正弦波振荡器中的RC串并联网络的作用为（）。
模拟电子技术考试模拟题(含参考答案)
模拟电子技术考试模拟题（含参考答案）一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。
（）A、错B、对 :正确答案：A2.正常工作在反向击穿区的特殊二极管是（）。
A、变容二极管B、稳压二极管C、光电二极管D、发光二极管正确答案：B3.二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。
A、错误B、正确 ;正确答案：A4.(填空题)基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近____。
A、截止区;B、饱和区;C、死区D、非线性区：正确答案：B5.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。
( )A、正确 ;B、错误正确答案：A6.电压放大电路首先需要考虑的技术指标是( )。
A、管子的工作效率B、不失真问题C、放大电路的电压增益正确答案：B7.理想集成运放的输出电阻为（）。
A、0；B、∞；C、不定。
正确答案：A8.对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是：A、I=βIbB、Ic=βIbC、Ie=βIb正确答案：B9.PNP型三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于 ( )。
A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏正确答案：B10.晶体三极管超过（）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流ICM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率PCM；D、管子的电流放大倍数。
正确答案：C11.集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（）。
A、虚断和虚短。
B、正反馈与负反馈；C、线性与非线性；正确答案：C12.国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是（）。
A、双列直插式。
B、扁平式；C、圆壳式；正确答案：A13.分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是（）。
A、虚断。
B、虚地；C、虚短；正确答案：C14.共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真。
华工教育2020年《模拟电子技术》随堂练习参考答案
《模拟电子技术》随堂练习参考答案1.(单选题) N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。
A.带负电B.带正电C.不带电答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：2.(单选题) 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。
A.变窄B.变宽C.不变答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：3.(单选题) 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。
A.增大B.不变C.减小答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：4.(单选题) 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sintV时，输出电压最大值为10V 的电路是( )。
答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：5.(单选题) 电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
A.最大值为40V，最小值为0VB.最大值为40V，最小值为+10VC.最大值为10V，最小值为－40VD.最大值为10V，最小值为0V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：6.(单选题)稳压管的动态电阻rZ是指( )。
A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：7.(单选题) 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。
A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：8.(单选题) 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A问题解析：1.(单选题) 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。
模拟电子技术基础考试模拟题含答案
模拟电子技术基础考试模拟题含答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 下列关于半导体材料的说法中，正确的是（）A. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间B. 半导体材料的导电性随温度升高而降低C. 半导体材料的导电性随光照强度增大而增大D. 半导体材料的导电性随磁场强度增大而增大答案：A2. 晶体二极管的主要参数有（）A. 正向电流和反向电流B. 正向电压和反向电压C. 正向电阻和反向电阻D. 正向电容和反向电容答案：A3. 晶体二极管在正向偏置下的主要特性是（）A. 导电性随电压升高而降低B. 导电性随电压升高而升高C. 导电性随温度升高而降低D. 导电性随温度升高而升高答案：B4. 晶体三极管的主要参数有（）A. 饱和电压和截止电压B. 集电极电流和基极电流C. 集电极电压和基极电压D. 集电极电阻和基极电阻答案：B5. 晶体三极管在放大状态下的主要特性是（）A. 集电极电流随基极电流增大而减小B. 集电极电流随基极电流增大而增大C. 集电极电压随基极电压增大而减小D. 集电极电压随基极电压增大而增大答案：B6. 场效应管的主要参数有（）A. 栅极电压和漏极电压B. 栅极电流和漏极电流C. 栅极电阻和漏极电阻D. 栅极电容和漏极电容答案：B7. 场效应管在放大状态下的主要特性是（）A. 漏极电流随栅极电压增大而减小B. 漏极电流随栅极电压增大而增大C. 漏极电压随栅极电压增大而减小D. 漏极电压随栅极电压增大而增大答案：B8. 下列关于放大电路的说法中，正确的是（）A. 放大电路的输入信号幅度越大，输出信号幅度也越大B. 放大电路的输入信号频率越高，输出信号频率也越高C. 放大电路的输入信号相位不变，输出信号相位也不变D. 放大电路的输入信号幅度越大，输出信号幅度也越大，但相位可能改变答案：D9. 下列关于反馈放大电路的说法中，正确的是（）A. 反馈放大电路的输入信号和输出信号相位相反B. 反馈放大电路的输入信号和输出信号相位相同C. 反馈放大电路可以提高放大电路的稳定性D. 反馈放大电路可以降低放大电路的稳定性答案：C10. 下列关于运算放大器的说法中，正确的是（）A. 运算放大器的开环增益很大B. 运算放大器的输入阻抗很高C. 运算放大器的输出阻抗很低D. 运算放大器的输入阻抗很低答案：ABC二、填空题（每题2分，共20分）1. 晶体二极管的主要参数有_______、_______、_______。
模电仿真作业（原题）
模电仿真作业（原题）Project 1Common Emitter Amplifier(designed for two lab periods)Objective: This project will show how theh-parameters for a BJT can be measured and usedin an equivalent circuit model for the BJT. A CEsmall signal amplifier will be biased anddesigned to specifications along with both lowand high frequency response and adjustment.Series-series feedback will also be used tocontrol the bandwidth and input impedance of theCE amplifier.Components: 2N2222 BJTIntroduction:In order for circuits involving transistors to be analyzed, the terminal behavior of the transistor must be characterized by a model. Two of the models often used for a BJT are the hybrid-π and the h-parameter models. The complete hybrid-πcircuit model for the BJT is shown in Figure 1-1. This model includes the internal capacitances and output resistance of the BJT. Inclusion of the internal transistor capacitances makes the hybrid-π model valid throughout the entire frequency range of the transistor. Typical data sheet values of Cπ and Cµ are 13 pF and 8 pF respectively. These values are so small that Cπ and Cµ may be considered open circuits for midband frequencies. The resistance r x typically has a value in the tens of ohms and can be considered a short circuit while rµand r o are usually extremely large in value and can be considered open circuits. The h-parameter small signal model for the BJT is characterized by the four h-parameters and is shown in Figure 1-2. Unlike the hybrid-π model, the h-parameter model does not ordinarily include frequency related effects and components and is therefore generally valid only at midband frequencies and below . However the h-parameter model is very useful sincethe h-parameters can be easily measured for a BJT. The value of h re is usually on the orderof 10-4 and can be considered a short circuit. The value of h oe is usually on the order of 10-5S making 1/h oe effectively an open circuit for most circuit configurations and biases. Making the same assumptions, the hybrid-π and h-parameter models are equivalent at midband frequencies.For a transistor to operate as an amplifier, it must have a stable bias in the active region. To bias a transistor, a constant DC current must be established in the collector and emitter. This current should be as insensitive as possible to variations in temperature and β (or h fe). The voltage across the base-emitter junction decreases about 2 mV for each 1 °C rise in temperature, therefore it is important to stabilize V BE to ensure that the transistor does not overheat. The circuit shown in Figure 1-3 is the biasing scheme most often used for discrete transistor circuits. For this circuit, the base is supplied with a fraction of the supply voltage V CC through the voltage divider R B1, R B2. For ease of circuit analysis, the Thevenin equivalent circuit shown in Figure 1-4 can replace the voltage divider network. To ensure that the emitter current is insensitive to variations in β and V BE, V BB should be much greater than V BE and R BB should be much less than βR E. R BB is usually 20-30% of the product βR E. The voltage across R E is also usually 2-3 volts for good β stabilization. This same biasing scheme can be used for all three of the BJT amplifier configurations (CB, CC, CE).The BJT CE amplifier is shown in Figure 1-5. The signal source and resistive load are capacitively coupled to the amplifier. The coupling capacitors C1 and C2, emitter bypass capacitor C E, and internal transistor capacitances shape the frequency response of the amplifier. A typical amplifier frequency response curve is shown in Figure 1-6. The low half power corner frequency F L is controlled by the input and output coupling capacitors and the emitter bypass capacitor. The high half power corner frequency F H is controlled by the internal transistor capacitances and any separate load capacitor. The bandwidth is the difference between the high and low corner frequencies (F H- F L). As the signal frequency drops below midband, theimpedance of the coupling capacitors C1 and C2 and emitter bypass capacitor C E increases. The coupling capacitors drop more signal voltage and the emitter bypass capacitor begins to open up and causes increasedseries-series feedback resulting in a reduction of the gain. One method of relating C1, C2, and C E to the low cutoff frequency is the short circuit time constant method. The time constant method is advantageous because it provides an approximate value for the cutoff frequencies without exactly finding all the poles and zeros of a circuit. The time constant method also helps show which capacitors are dominant in determining the corner frequencies. The short circuit time constant method relates F L and circuit capacitors by:where F L is the low half power frequency, n c is the number of coupling and bypass capacitors in the circuit, and C i is the value, in Farads, of the ith capacitor. R is is the resistance facing the ith capacitor with the ith capacitor removed and all other coupling and bypass capacitors replaced by short circuits and the input signal reduced to zero. This resistance calculation is repeated for each coupling and bypass capacitor in the circuit.The internal capacitances of a transistor have values in the picofarad (pF) range that begin to decrease the gain of the amplifier for frequencies above midband. A method of relating the internal transistor capacitances C and C m to the high cutoff frequency is the open circuit time constant method. This method relates F H and the internal transistor capacitances by:where F H is the high half power frequency, n c is the number of internal transistor capacitors in the circuit, and C i is the value, in Farads, of the ith capacitor. R io is the resistance facingthe ith capacitor with the ith capacitor removed and all internal transistor capacitors replaced by open circuits and the input signal reduced to zero. This resistance calculation is repeated for each internal transistor capacitor in the circuit.When the emitter resistor of the CE amplifier is left unbypassed, the input current signal flows through the unbypassed emitter resistor as does the output signal current. This unbypassed emitter resistor in the CE amplifier produces series-series feedback. The feedback resistor is R E. Feedback is used in amplifiers to control input and output impedances, extend bandwidth, enhance signal-to-noise ratio, and reduce parameter sensitivity. These feedback performance improvements are all at the expense of gain in the amplifier.Figure 1 - 1: Hybrid- BJT ModelFigure 1 - 2: h Parameter BJT ModelFigure 1 - 3: BJT Typical Biasing CircuitFigure 1 - 4: Thevenin Equivalent Biasing CircuitFigure 1 - 5: Common Emitter AmplifierDesign:Design a common emitter amplifier with R E [R E1 + R E2]completely bypassed with the following specifications:1. use a 2N2222 BJT and a 12 volt DC supply2. midband gain V O/V S 503. low cutoff frequency F L between 100 Hz and 200 Hz4. input impedance as seen by the source ≥ 1 kΩ5. V O symmetric swing ≥2.0 volts peak (4 V p-p)6. load resistor R L = 1.5 kΩ7. source resistance R S = 50 Ω (this is in addition to the function generator'sinternal resistance)Lab Procedure: (steps 1 and 2 may be omitted if done prior to this lab period and the same BJT is used)1. From the digital curve tracer, find the value of βDC and βAC at the designed Q-point of the CE amplifier. Remember βDC=I C/I B and βAC= ?I C/?I B. How do the two β values compare?2. Determine the values of h oe and h ie from the digital curve tracer. The slope of the transistor I C-V CE curves in the active region is h oe. Find h ie by looking at the base-emitter junction as a diode on the curve tracer. The tangent slope of the I B-V BE curve at the I BQ point is 1/h ie.3. Construct the CE amplifier of Figure 1-5. Remember R S is installed in addition to the internal 50 Ω resistance of the function generator. Note that (R E1+ R E2) should equal the designed value for R E and R E1≈ R E2. Verify that the specifications have been met by measuring the Q-point, midband voltage gain, and peak symmetric output voltage swing. Note any distortion in the output signal.4. Observe the loading affect by replacing R L first by 150 Ω and then by 15 kΩ. Note anychanges in the output signal and comment on the loading affect.5. Use computer control to record and plot the frequency response. Find the corner frequencies and bandwidth to verify that the specifications have been met.6. Measure the input impedance seen by the source [look at the current through R S and the node voltage on the transistor side of R S] and the output impedance seen by the load resistor [look at the open circuit voltage and the current through and voltageacross R L = 1.5 k ]. Verify that the input impedance specification has been met.7. Now adjust the bypass capacitor C E so that R E1 is not bypassed (which is a series-series feedback configuration). Measure the Q-point and midband voltage gain. Note any distortion in the output signal.8. Repeat steps 4 - 6.9. Remove the bypass capacitor C E completely. Measure the Q-point and midband voltage gain. Note any distortion in the output signal.10. Repeat steps 4 - 6.Questions:1. Compare the measurements in Lab Procedures 3-10 to the theoretical predictions such as those obtained using Multisim. Note how increasing the feedback affects the gain, bandwidth, and input and output impedances.2. Can you think of a way to vary the amount of feedback (gain) using a potentiometer of a value equal to R E without affecting the Q point?3. How can F H be reduced using external components?4. Why is the value of F H measured in the lab generally different from (lower than) the value of F H determined usingMultisim or manual calculations?。
2022福建省模考大赛电子技术模拟考试卷
2022福建省模考大赛电子技术模拟考试卷一、填空〔共20空，每空1 分，共20 分，所有答案均填写在答题纸上〕1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。
2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在区时，关系式才成立。
3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。
4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种根本接法中，共根本放大电路既能放大电流又能放大电压。
5、在绘制放大电路的交流通路时，视为短路，视为短路，但假设有内阻那么应保存其内阻。
6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。
7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。
8、放大电路的直流通路用于研究。
9、理想运放的两个输入端虚短是指。
10、为判断放大电路中引入的反应是电压反应还是电流反应，通常令输出电压为零，看反应是否依然存在。
假设输出电压置零后反应仍然存在那么为。
11、仅存在于放大电路的直流通路中的反应称为。
12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四局部组成。
13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相〞和“反相〞是指运放的和的相位关系。
14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比，而场效应管的可变电阻区那么可以和三极管的相类比。
二、单项选择题〔共10题，每题2 分，共20分；将正确选项的标号填在答题纸上〕1、稳压二极管的反向电流小于时，稳压二极管。
A：稳压效果变差B：仍能较好稳压，但稳定电压变大C：反向截止D：仍能较好稳压，但稳定电压变小2、如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，那么此管的工作状态为。
A：饱和状态B：截止状态C：放大状态D：不能确定3、两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。
关于这两只三极管，正确的说法是。
图1(a) 图1(b) 图2A：〔b〕图中电流为5.1mA的电极为发射极。
《模拟电子技术基础》模拟试卷3参考答案
《模拟电子技术基础》模拟试卷3参考答案1、工作在线性区的理想运放器，两个输入端的输入电流均为零称为虚 断 。
两个输入端的电位相等称为虚 短 ,若反相输入情况下同相端接地，反相端又称为虚 地 。
即使理想运放器在非线性工作区，虚 断 结论也是成立的。
2、稳定静态工作点应加 直流负 反馈;稳定放大倍数应加 交流负 反馈;稳定输出电压应加 交流电压负 反馈;稳定输出电流应加交流电流负反馈。
3、正弦波振荡电路发生自激振荡的相位平衡条件是),2,1,0(2arg =±=+=n n F A B A πϕϕ；振幅平衡条件是1=F A ,起振条件是1=F A。
防止负反馈放大电路发生自激振荡的幅值条件是1<F A 。
4、集成运放实质上是一个具有高放大倍数的多级直接耦合放大电路，内部通常包含四个基本组成部分，即输入级 、中间级、输出级和偏置电路。
５、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同,正反馈使放大倍数增大；负反馈使放大倍数减少,但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是稳定静态工作点 ,不影响放大电路的动态性能，所以一般不再区分它们的组态。
6、直流电源的组成电源变压器 、整流电路、滤波器和稳压电路 。
其中利用二极管的单向导电性可以组成整流电路，共有三种基本整流电路，分别为单相半波整流电路、单相全波整流电路 和 单相桥式整流电路。
二、按要求选其中正确的一项填入括号（20分，每小题4分）1、若要提高某放大器的输入电阻且使输出电压稳定,可以加入下列负反馈:(Ｂ)Ａ、电流串联Ｂ、电压串联C、电流并联Ｄ、电压并联2、若要降低某放大器的输入电阻和输出电阻，可加入下列负反馈：（D）Ａ、电流串联B、电压串联C、电流并联D、电压并联3、差分放大器是一种直接耦合放大器,它（D）A、只能放大直流信号B、只能放大交流信号C、不能放大交流信号D、可以抑制共模信号4、在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变(C)A、发射极电阻B、集电极电阻C、基极电阻Ｄ、三极管的值５、分压式偏置电路稳定静态工作点的原理是利用了(C）A、交流电流负反馈B、交流电压负反馈C、直流电流负反馈D、直流电压负反馈三、电路分析(20分)得分评卷人１、判断图3.1.1,图3.１.2电路的反馈极性与组态（10分)图3．1.1 图3.1．２（瞬时极性标图1上） (瞬时极性标图２上）电流并联负反馈电压串联负反馈2、判断电路工作状况（10分）（1)图3．2.1电路如下图示,请回答问题:图3.２．1图１电路无(填有或无)放大作用。
模拟电子技术-线上考试模拟题1-答案(1)
模拟电子技术模拟题1一、单选题1. 二极管单向导电性是指（ D ）。
A.正偏导通，反偏导通B.正偏截止，反偏导通C.正偏截止，反偏截止D.正偏导通，反偏截止2. 模拟信号是指（ B ）。
A.在时间和数值上均离散变化的信号B.在时间和数值上均连续变化的信号C.只要在时间上离散变化的就是模拟信号D.只要在时间上连续变化的就是模拟信号3. 图示电路中电源V =5V 不变，当温度为20O C 时测得二极管的电压U D =0.7V ，当温度上升到为40O C 时，则U D 的大小将是（ C ）。
A.仍等于0.7VB.大于0.7VC.小于0.7VD.不能确定4. 稳压管稳压时工作在（ C ）。
A.正偏导通状态B.反偏截止状态C.反向击穿状态D.只要反向偏置都可以5. 在OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为1W ，则电路中功放管的最大管耗约为（ C ）。
A.1WB.0.5WC.0.2WD.0.8 W 6. 差模输入信号是差分放大电路两个输入端信号的（ B ）。
A.和B.差C.比值D.平均值7. 集成运放输入端u N 被称为（ B ）。
A.同相输入端B.反相输入端C.差模输入端D.输出端8. 差分放大电路由双端输出变为单端输出，则差模电压增益（ B ）。
A.增加一倍B.约为双端输入时的1/2C.不变D.不确定 9. 甲乙类功放电路的效率理论最大值为（ B ）。
A.25%B.78.5%C.50%D.90% 10. 直流负反馈是指（ C ）。
A.存在于RC 耦合电路中的负反馈B.放大直流信号时才有的负反馈C.直流通路中存在的负反馈D.只存在于直接耦合放大电路中的负反馈二、填空题1. N 型半导体的多子是 自由电子 ，P 型半导体的多子是 空穴 。
2. 稳定输出电流，增大输入电阻应引入反馈的组态为 电流串联负 反馈。
3. 差分放大电路对称性愈好，对零漂抑制越 强 。
4. 晶体管的三个工作区分别是 饱和 区、 放大 区、 截止 区。
电子技术及实训模拟练习题(附参考答案)
电子技术及实训模拟练习题（附参考答案）一、单选题（共51题，每题1分，共51分）1.多级放大电路最后一级的作用是（）A、提高输出电阻B、提高输入电阻；C、提高放大倍数；D、提高共模抑制比；正确答案：A2.正、反向电阻为零，说明二极管（）。
A、短路；B、断开；C、正常；D、需结合实际电路判断正确答案：A3.直流稳压电源中实现实质性改变的电路是（）A、变压器降压；B、整流电路；C、稳压电路；D、滤波电路正确答案：B4.温度对三极管参数有很大的影响，温度上升，则(____)。
A、不能确定B、放大倍数β下降；C、不影响放大倍数；D、放大倍数β增大；正确答案：D5.在单相全波整流电路中，整流二极管承受的最大反向电压等于变压器二次电压U2（有效值）的(____)倍。
A、1.414；B、2C、2.828；D、1；正确答案：C6.NPN管共射放大电路输出电压波形正半波顶部失真，电路产生的失真是(____)。
A、输入电流产生的失真B、输入电压产生的失真；C、截止失真；D、饱和失真；正确答案：C7.差模输入信号是(____)。
A、大小相反、极性相反；B、大小相等、极性相同；C、大小相反、极性相同D、大小相等、极性相反；正确答案：D8.在微分运算放大器中，采用的反馈方式是(____)负反馈。
A、并联电压；B、串联电流；C、并联电流D、串联电压；正确答案：A9.NPN型三极管的三个脚分别为1、2、3。
用试验法测得三极管1端对地电压5V，2端对地电压5.7V, 3端对地电压为15V，则发射极(____)。
A、为2端；B、无法判断C、为3端；D、为1端；正确答案：D10.点接触型的二极管反向击穿电压大概是（ )A、不确定B、几千伏；C、几伏；D、几十伏；正确答案：D11.数字信号与模拟信号，下面正确的是：(____)。
A、直流信号即为数字信号；B、交流信号即为模拟信号；C、数字信号随时间突变；D、交流信号随时间不变正确答案：C12.单相半波整流电路，若电源变压器次级电压有效值U2=100V，则输出电压平均值UO是(____)。
(2020年7月整理)模拟电子试题及答案.doc
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截至），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增大），发射结压降（减小）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共集）、（共射）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电压）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数A F=（A/1+AF），对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=（1/F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW F=（ 1+AF ）BW，其中BW=（ Fl-Fh ），（ 1+AF ）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于或近似等于 1 ），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载波信号）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（ kuxuy ），电路符号是（）。
模拟电子技术基础部分模拟考试题(含答案)
模拟电子技术基础部分模拟考试题（含答案）一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管( )A、集电极电压UCE上升B、集电极电压UCE下降C、基极电流不变D、以上答案均不正确正确答案：B2、对于放大电路，所谓开环是指( )。
A、无信号源B、无负载C、无反馈通路D、无电源正确答案：C3、反向比例运算放大器实质上是 ( )A、深度电压串联负反馈B、电流负反馈C、电压负反馈放大器D、深度电压并联负反馈正确答案：D4、在放大电路中,如果希望输出电压受负载影响较小，同时对信号源的影响也要小，则附引入负反锁的类型是( )A、电流并联B、电流申联C、电压申联D、电压并联正确答案：B5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的 ( )。
A、0.5倍B、0.1倍C、0.7倍D、0.9倍正确答案：C6、有电流放大、无电压放大的电路是 ( )放大电路.A、共集电极B、基本共射C、共基极D、分压式偏置正确答案：A7、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 ( )。
A、共基放大电路B、差动放大电路C、共射放大电路D、共集放大电路正确答案：C8、用文字符号法表示电阻器的阻值时,中间的“R"表示( )。
A、103ΩB、109ΩC、ΩD、106Ω正确答案：C9、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A10、电阻器上标有“2R7”的含义是 ( )A、27B、27KC、2.7D、2.7K正确答案：C11、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门坎电压时，则晶体二极管相当 ( )A、大电阻B、断开的开关C、接通的开关D、以上答案均不正确正确答案：C12、识别发光二极管极性时，可以从外形来判断，以下正确的是( )。
A、引脚短的为正极B、无法判断C、引脚长的为正极D、没有正负正确答案：C13、直流稳压电源中滤波电路的作用是( )A、稳压B、将交流变为直流C、将高频变为低频D、将交、直流混合量中的交流成分滤掉正确答案：D14、在单相半波整流电路中，所用整流二极管的数量是( )。
模拟电子技术试卷五套含答案
模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性就是___________ 。
2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱与区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。
3.当输入信号频率为fL与fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者就是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。
4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。
5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。
6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9、3 V,则这只三极管就是( )。
A.NPN 型硅管B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图１所示,该管为( )。
A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。
A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。
B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。
C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。
D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。
4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这就是因为它的( )。
A.输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。
A.减小C,减小RiB.减小C,增大RiC.增大C,减小RiD.增大C,增大 Ri6.如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为( )。
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仿真作业题及要求2020.2-2020.6
一、仿真作业要求
仿真作业共3次，分别于第4、7、14周周一网上提交。
仿真作业请用Multisim软件仿真。
提交作业时请将仿真实验报告和仿真电路文件一起提交。
仿真实验报告应包括但不限于：题目、理论分析及计算结果、仿真方法、仿真结果（包括电路截图、波形截图、参数设置、测量数据列表、结果分析等）、仿真中遇到的问题及解决方法、收获和体会等。
二、参考资料
请从网络学堂下载：
（1）Multisim14正版软件、《Multisim安装说明》，已安装11及以上版本的同学不用安装了。
（2）《Multisim14教学版使用手册》
（3）《Multisim14电子电路仿真方法和样例》：做仿真作业前请参考
（4）《Pspice及Multisim器件模型参数说明》
三、第一次仿真作业题：共3题，请于第4周周一网上提交仿真电路和报告
实验目的：掌握基本元件电路的分析方法。
（1）熟悉仿真软件环境；
（2）掌握仿真软件的基本测量手段（用万用表的交流和直流档测量电压和电流量、用示波器测量和观察信号、用IV分析仪测量半导体器件的特性曲线）；
（3）熟悉仿真软件的基本分析方法（直流扫描分析方法）。
1. 仿真题1-1（5分）：用IV分析仪(IV Analyzer)测量二极管的伏安特性和晶体管的输出特性。
要求如下：
(1) 二极管可选用小功率二极管，如1N3064。
上网查阅1N3064手册(datasheet)，了解其参数。
用IV分析仪测量二极管的伏安特性，观察电流随电压变化情况。
改变电压(voltage range)和电流(current range)坐标显示范围，移动位于最左侧的测量标记线，测量正向电压为0.7V左右时的电流I D以及反向击穿电压U BR，与手册上对应值比较。
(2) 晶体管可选用小功率晶体管，如2N2222A。
上网查阅2N2222A手册(datasheet)，了解其参数。
用IV分析仪测量晶体管的输出特性。
调整仿真参数（simulate parameter）I B步长，改变电压和电流坐标显示范围，移动位于最左侧的测量标记线，点击不同I B对应的特性曲线，测量U CE=2且I B=10µA、U CE=2且I B=50µA、U CE=6V且I B=10µA、U CE=6V且50µA时的β，观察β随U CE和I C 的变化情况；测量并估算Early电压值V A。
注意事项：选择仿真元件时，可选择厂商，最好选择datasheet中标明的厂商，以便使得比较的参数基本一致。
2N2222A选择Zetex厂商的。
2. 仿真题1-2（5分）：教材习题1.16。
电容C可用100uF，二极管可选用小功率二极管，如1N3064、1N4001、1N4446等。
提示：利用参数扫描parameter sweep分析方法可得到电路参数与输出直流信号之间的变化关系。
例如，将扫描参数设置为电阻阻值，输出设置为二极管的直流电压，可直接得到电阻变化时二极管两端直流电压的变化曲线。
但是交流信号不能用该方法仿真。
3. 选做：仿真题1-3：现有晶体管、稳压管、电阻、直流电源+12V，已知晶体管的β=200，稳压管的U Z=5V，I ZM=20mA。
请设计一个电路，当输入电压u I为0到1V时，输出电压约为高电平+5V，当u I大于2V时输出电压约为低电平0V 。
晶体管、稳压管、电阻可用虚拟元件。
四、第二次仿真作业题：共3题，请于第7周周一网上提交仿真电路和报告
实验目的：
（1）理解晶体管和场效应管放大电路以及集成运放的基本组成原则；
（2）理解放大电路性能参数的调试和测试方法、静态工作点对动态参数的影响；
（3）理解放大电路产生失真的原因和消除方法；
（4）熟悉仿真软件的基本分析和测量方法。
1、仿真题2-1（4分）：利用晶体管2N2222A（请选择Zetex厂商的，模型参
数中的BF即β，RB即r bb’）或者MOS管2N7000（请选择Zetex厂商的）设计一个单电源供电的单管放大电路，电源电压为V CC = +15V。
具体要求如下：
（1）设计并调整电路参数，使电路具有合适的静态工作点。
（2）调整电路参数，改善某一性能指标（如增大A u、或增大R i、或减小R o）。
要求先进行理论分析，然后再实验验证。
（3）调整电路参数或输入信号大小，使输出波形产生失真，分析是何种失真，可采取哪些措施消除并进行实验验证。
（通常，当失真度较大时，
能够观察到波形顶部或底部变平或者曲率变小，而当失真度较小时，
则需要借助失真度仪（Distortion Analyzer）来测量。
）
2、仿真题2-2（6分）：利用晶体管或者MOS管设计一个集成运放。
晶体管可
选用2N2222A和2N3702，电源电压可选+/-15V。
MOS管可选用2N7000和BST100，电源电压可选+/-5V。
具体要求如下：
（1）要求为三级放大电路，第一级采用差分放大电路，采用电流源作为集成运放的偏置电路和有源负载，电流源可以用电流源元件代替，即可
用教材第155页图3.4.1(b)中的那种电流源元件，电路设计也可以参
考图3.4.1(b)。
要求所用电流源元件不能超过三个。
（2）设计并调整电路参数，使电路具有合适的静态工作点，测量静态工作点。
（测量每级放大电路的每个放大管的I BQ、I CQ、U CEQ或I DQ、U DSQ、
U DSQ，其它管子的也可以测）
（3）测量动态参数A u、f bw、U IO、SR。
（4）在上述电路中将某一个电流源不用电流源元件代替，而用管子和电阻搭接电路，调整电路参数，使电路具有合适的静态工作点，并能够正
常放大输入信号。
提示：先初步设计和估算，再搭建电路，然后根据仿真结果边分析计算边调试。
先分级调试，看每一级是否能正常工作，再一级一级连接起来看是否正常工作。
由于运放电压放大倍数大、带宽窄，因此输入信号幅值和频率都要小，例如幅值小于100uV、频率小于1000Hz。
3、选做：仿真题2-3：以下题目任选一题完成：
（1）仿真研究教材或习题中的电路，或者自己设计一个电路，从而使自己对该电路有更深入的理解。
（2）设计一个电路将幅值为10mV左右、频率为20Hz至20kHz、内阻为1kΩ的语音信号放大50倍，作用在负载扬声器(32Ω，用电阻代替)上。
要求采用晶体管或场效应管、电阻、电容、二极管等元件设计，电路尽可能简单，负载上静态功耗约为零。
五、第三次仿真作业题：共3题，请于第14周周一网上提交仿真电路和报
告
实验目的：
（1）熟悉负反馈放大电路的应用；
（2）理解运算电路的设计方法；
（3）理解VCVS二阶滤波电路的特性和稳定工作条件；
（4）理解信号发生及转换电路的应用及分析。
1、仿真题3-1（6分）：设计一个求解一阶微分方程u i=a*u o+b*d u o/d t的电路，其中a、b为常数，可自己设置。
要求简述电路工作原理，并实际测量多个求解结果进行验证。
2、仿真题3-2（4分）：
利用运放设计一个中心频率为1kHz的VCVS二阶带通滤波器，并完成以下任务：
（1）测量滤波器的幅频和相频特性，观察不同Q值对幅频特性的影响；（2）测量输入信号为1kHz方波时滤波器的输出信号波形；
（3）分析滤波器稳定工作的条件，并观察不稳定工作的现象（当电路满足不稳定工作条件时，在输入端加入频率为1kHz、幅值为1mV的正弦激励信号，观察电路的不稳定现象）。
3、选做：仿真题3-3：以下题目任选一题完成：
（1）教材习题7.29。
（2）利用运放和模拟乘法器设计一个正弦波有效值测量电路。