模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模拟电子技术基础(西安邮电大学)智慧树知到课后章节答案2023年下西安邮电大学
模拟电子技术基础（西安邮电大学）智慧树知到课后章节答案2023年下西安邮电大学西安邮电大学第一章测试1.Which of the following is not a commonly used semiconductor material'?（）答案:lead2.The characteristic of an ideal diode are those of a switch that can conductcurrent（） .答案:in one direction only3.When a diode is doped with either a pentavalent or a trivalent impurity itsresistance will （） .答案:decrease4.The piecewise linear model, equivalent circuit of the diode consists of （）.答案:a battery, a small resistor, and the ideal diode5.When a p-n junction is reverse-biased, its junction resistance is （）.答案:high第二章测试1.What is the value of the voltage dropped across forward-biased silicondiodes that are connected in parallel with each other? （）.答案:0.7 V2.The resistor voltage and resistor current in this circuit are （）.答案:11 V, 11 mA3.Which of the following circuits is used to eliminate a portion of a signal?（）.答案:Clipper4.The circuit shown here is a （）.答案:parallel clipper5.The Zener diode must be operated such that （）.答案:All of these第三章测试1.In the active region, the base-emitter junction （）.答案:is forward-biased while the base-collector junction is reversed-biased2. A BJT has measured dc current values of = 0.1 mA and = 8.0 mA. WhenIB is varied by 100 μA, IC changes by 10 mA. What is the value of the βac forthis device?（）.答案:1003.When a BJT is operating in the active region, the voltage drop from the baseto the emitter is approximately equal to the （）。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
模拟电子技术课后习题答案第一章半导体二极管及其电路分析答案
1习题答案1-1 如何使用万用表判断普通二极管阳极、阴极及二极管的质量？ 解：指针万用表处于电阻档，用万用表测量二极管的正、反两次电阻，两次测量中电阻小的那次，黑表笔接的是二极管阳极，红表笔接的是二极管阴极。
两次电阻值相差越大，说明二极管单相导电性越好，两次电阻值均为无穷大，说明二极管内部断路，两次电阻值均为0，说明二极管内部短路。
若两次阻值相差不大，说明管子性能差，为劣质管。
若正向电阻为几千欧，则为硅管，若正向电阻为几百欧，则为锗管。
1-2 如图1-23所示电路，假设二极管是理想二极管，判断图中二极管是导通还是截止？并求出A 、B 两端电压U AB 。
解：a 导通 U AB =－3Vb 截止 U AB =0c VD 1导通 VD 2截止 U AB =01-3如图1-24所示电路，二极管导通压降为0.7V ，计算电路中各电流。
解： a mA 9.617.07.07.091=---=ImA 1.217.07.07.03=++=Im A 8.4312=-=I I Ib mA 77.231237.02-≈-+=IA图1-23 习题1-2图BBAacABbI 3 aI 3 图1-24 习题1-3图Ωb2mA 23.1337.03≈+=I m A 54.1321-=+=I I I1-4如图1-25所示电路，二极管为理想二极管，根据表1-1输入值，判断二极管状态，确定输出u o 值。
解：如表1-1。
表1-1 习题1-4表1-5如图1-26所示电路，二极管为理想二极管，u i =10sin ωt ，试画出u o 的波形。
若二极管正向导通压降为0.7V ，波形又如何变化？解： abo 图1-26 习题1-5图uu o acu o u ＋ －bu A 图1-25 习题1-4图－5Vu Bu ou i u o 0.7 u i u o u i u o u i u o3c 1-6 如图1-27所示电路，分析二极管导通还是截止？三个灯是否都发光？解：VD 1截止，VD 2导通； L 1、L 3发光，L 2不发光。
模拟电子技术基础智慧树知到课后章节答案2023年下青岛理工大学
模拟电子技术基础智慧树知到课后章节答案2023年下青岛理工大学青岛理工大学第一章测试1.P型半导体中的多数载流子是（）。
A:自由电子 B:空穴 C:正离子 D:负离子答案:空穴2.场效应管是通过改变栅源电压控制漏极电流的半导体器件（）。
A:输入电流控制输出电流B:输入电压控制输出电流C:输入电流控制输出电压 D:输入电压控制输出电压答案:输入电压控制输出电流3.在放大电路中，若测得某双极型三极管三个电极的电位分别为6V，1.2V，1V，则该管为（）。
A:NPN锗管 B:PNP硅管C:NPN硅管 D:PNP锗管答案:NPN锗管4.测得某工作在放大区域的三极管,当I b=30uA时,I c=2.4mA; 当I b=40uA时，I c=3mA;则该管的电流放大系数β=( )。
A:100 B:75C:80 D:60答案:605.稳压二极管稳压时，其工作在( ) 。
A:反向击穿区 B:正向导通区 C:放大区 D:反向截止区答案:反向击穿区第二章测试1.晶体管的控制方式为（）。
A:输入电流控制输出电流 B:输入电压控制输出电流 C:输入电压控制输出电压D:输入电流控制输出电压答案:输入电流控制输出电流2.在共射、共集、共基三种放大电路中，（）。
A:都有电压放大作用 B:都有电流放大作用 C:只有共射电路有功率放大作用 D:都有功率放大作用答案:都有功率放大作用3.共发射极放大电路中,输出电压u o与输入电压u i之间的关系是（）。
A:两者同相，输出电压近似等于输入电压 B: 两者反相, 输出电压大于输入电压 C:两者反相，且大小相等 D:两者相位差90，且大小相等答案: 两者反相, 输出电压大于输入电压4.晶体管工作在放大状态的条件是（）。
A:发射结反偏、集电结正偏 B:发射结正偏、集电结正偏 C:发射结反偏、集电结反偏 D:发射结正偏、集电结反偏答案:发射结正偏、集电结反偏5.放大电路“放大”的本质是（）。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。
电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。
模拟电子技术基础-第一章课后习题详解
习题1.1选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100（4）当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将。
A.增大B.不变C.减小解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A1.2 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。
1.3 电路如图P1.3所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3解图P1.3解：u i和u o的波形如解图P1.3所示。
1.4 电路如图P1.4所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
图P1.4解图P1.4解：波形如解图P1.4所示。
1.5 电路如图P1.5（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.5解：u O的波形如解图P1.5所示。
解图P1.51.6 电路如图P1.6所示，二极管导通电压U D＝0.7V，常温下U T≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；u i为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流有效值解：二极管的直流电流I D＝（V－U D）/R＝2.6mA其动态电阻r D≈U T/I D＝10Ω故动态电流有效值I d＝U i/r D≈1mA 图P1.61.7现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。
模拟电子技术基础第一章答案
1.3电路如图所示，已知i 5sin (V)u t ω=，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出u i 与u o 的波形，并标出幅值。
解：当i 3.7u ≥V 时，D 1导通，将u o 钳位在3.7V ；当i 3.7u <V 时，D 2导通，将u o 钳位在-3.7V ； 当i 3.7 3.7V u -<<V 时，D 1、D 2均截止，u o = u i 。
1.4电路如图所示，二极管导通电压U D =0.7V ，常温下U T ≈26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？ 解：二极管中的直流电流为D D ()/ 2.6I V U R mV =-=其动态电阻r D ≈U T /I D =10Ω。
故动态电流有效值为I D =U i /r D ≈1mA 。
1.6已知稳压管的稳定电压U Z =6V ，最小稳定电流I Zmin =5mA ，最大稳定电流I Zmax =25mA 。
(1)分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；(2)若U I =35V 时负载开路，则会出现什么现象？为什么？解：（1）稳压管正常工作时所允许的输入电压的范围为Imin Z L Zmin Z(/)(6/0.55)1623V U U R I R U =++=+⨯+=Imax Z L Zmax Z(/)(6/0.525)1643V U U R I R U =++=+⨯+=故23V<U i <43V 。
因此，U I 为10V 和15V 时稳压管未工作在稳压状态下。
所以I LO 10V I L | 3.33VU R U U R R ===+I LO 15V I L|5VU R U U R R ===+U I 为35V 时稳压管工作在稳压状态下，所以I O 35V Z |6V U U U ===（2）当负载开路时，稳压管的电流等于限流电阻中的电流，即Z D I Z Zmax ()/29I U U R mA I =-=>稳压管将因功耗过大而损坏。
大学电路与模拟电子技术基础(第2版) 习题解答-第1章习题解答
20XX年复习资料大学复习资料专业：班级：科目老师：日期：第1章直流电路习题解答1.1 在图1.1所示电路中，（1）选d 为参考点，求a V 、b V 和c V ；（2）选c 为参考点，求a V 、b V 和d V 。
图1.1 习题1.1电路图解 （1） 当选d 为参考点时， V 3ad a ==u VV 112cd bc bd b =-=+==u u u V ；V 1cd c -==u V （2） 当选c 为参考点时， 4V 13dc ad a =+=+=u u VV 2bc b ==u V ；V 1dc d ==u V1.2 求图1.2中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.2 习题1.2电路图解 W 5.45.131=⨯=P （吸收）； W 5.15.032=⨯=P （吸收） W 15353-=⨯-=P （产生）；W 5154=⨯=P （吸收）； W 4225=⨯=P （吸收）元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。
1.3 求图1.3中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.3 习题1.3电路图解 A 2=I ；V 13335=+-=I I U电流源功率：W 2621-=⋅-=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。
电压源功率：W 632-=⋅-=I P （产生），即电压源产生功率W 6。
1.4 求图1.4电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.4 习题1.4电路图解 A 1231=-=IA 1322-=-=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.5 试求图1.5所示电路的ab U 。
图1.5 习题1.5电路图解 V 8.13966518ab -=⨯+++⨯-=U 1.6求图1.6所示电路的a 点电位和b 点电位。
图1.6 习题1.6电路图解 V 4126b =⨯-=VV 13b a =+-=V V1.7 求图1.7中的I 及S U 。
模拟电子技术第一章习题与答案
模拟电⼦技术第⼀章习题与答案第⼀章习题与答案1.什么是PN结的偏置？PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点？答：⼆极管（PN结）阳极接电源正极，阴极接电源负极，这种情况称⼆极管正向偏置，简称正偏，此时⼆极管处于导通状态，流过⼆极管电流称作正向电流。
⼆极管阳极接电源负极，阴极接正极，⼆极管处于反向偏置，简称反偏，此时⼆极管处于截⽌状态，流过⼆极管电流称为反向饱和电流。
把⼆极管正向偏置导通、反向偏置截⽌的这种特性称之为单向导电性。
2.锗⼆极管与硅⼆极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少？答：锗管死区电压约为0.1V，硅管死区电压约为0.5V。
硅⼆极管的正向压降约0.6～0.8 V；锗⼆极管约0.2～0.3V。
硅管的反向电流⽐锗管⼩，硅管约为1uA，锗管可达⼏百uA。
3.为什么⼆极管可以当作⼀个开关来使⽤？答：⼆极管在正向电压作⽤下电阻很⼩，处于导通状态，相当于⼀只接通的开关；在反向电压作⽤下，电阻很⼤，处于截⽌状态，如同⼀只断开的开关。
4.普通⼆极管与稳压管有何异同？普通⼆极管有稳压性能吗？答：普通⼆极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作⽤下，导通电阻很⼩；⽽在反向电压作⽤下导通电阻极⼤或⽆穷⼤。
稳压⼆极管的稳压原理：稳压⼆极管的特点就是加反向电压击穿后，其两端的电压基本保持不变。
⽽普通⼆极管反向击穿后就损坏了。
这样，当把稳压管接⼊电路以后，若由于电源电压发⽣波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。
因此，普通⼆极管在未击穿的条件下具有稳压性能。
5.选⽤⼆极管时主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？答：正向电流IF：在额定功率下，允许通过⼆极管的电流值。
正向电压降VF：⼆极管通过额定正向电流时，在两极间所产⽣的电压降。
最⼤整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续⼯作的情况下，允许的最⼤半波电流的平均值。
反向击穿电压VB：⼆极管反向电流急剧增⼤到出现击穿现象时的反向电压值。
模拟电子技术第一章习题答案
模拟电子技术第一章习题答案一、填空题1.增大、增大、下2.浓度差异、电场3.五、三4.自由电子、空穴、空穴、自由电子5. N、自由电子、空穴6.本征半导体、杂质半导体7.高于8.正偏、反偏、单向导电性9.电击穿、热击穿10.高、低、单向导电11.限流电阻12.点接触、面接触13.减小、增大14.大、小15.反向击穿16.正向电流、反向电流17.电、光、正向18.光、电、反向19.反向击穿区、反向击穿区20.阻碍、促进二、单项选择题1.C2.D3.D4.C5.B6.A7.B8.B9.A10.C三、判定题1.错误2.错误3.错误4.正确5.错误四、运算分析题1.对〔a〕图，u I > 4V时稳压管稳压，u O1 = u I– 4V；u I≤4V时稳压管截止，u O1 = 0。
对〔b〕图，u I > 4V时稳压管稳压，u O2 = 4V；u I≤4V时稳压管截止，u O2 = u I。
波形图如下：2. 〔1〕开关S 闭合时发光二极管才能发光。
〔2〕R 的取值范畴Ω=-=-=26715)15(max min mAV I U V R D D DD Ω=-=-=8005)15(min max mA V I U V R D D DD 运算的最后结果：Ω≤≤Ω800267R3. 稳压管的最大稳固电流为mA VmW U P I Z ZM ZM 256150=== 稳压管正常工作时要求ZM DZ Z I I I ≤≤min ，因此mA RV mA 25)612(5≤-≤ 求得Ω≤≤Ωk R k 2.124.0。
运算的最后结果：Ω≤≤Ωk R k 2.124.04. 〔1〕当开关S 闭合时，Z DZ U V V U <≈+⨯=8.5725230，因此稳压管截止。
电压表读数U V =8.57V ，而 mA k V I I A A 4.29)25(3021=Ω+==〔2〕当开关S 断开时，I A2 = 0，稳压管能工作于稳压区，故得电压表读数U V =12V ，A 1读数为mA k V I A 3.65)1230(1=Ω-= 运算的最后结果：〔1〕U V = 8.57V ，I A1 = I A2 = 4.29mA〔2〕U V = 12V ，I A1 = 3.6mA ，I A2 = 0mA5. 〔a 〕第一假定稳压管断开，求得U PN = -8V ，绝对值大于U Z 值，因此能够工作于反向击穿区。
《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电子技术基础》典型习题解答第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析
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1半导体二极管自我检测题一.选择和填空1.纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体，掺入杂质后称杂质半导体。
若掺入五价杂质，其多数载流子是电子。
2 .在本征半导体中，空穴浓度_C_电子浓度；在N型半导体中，空穴浓度_B_电子浓度；在P型半导体中，空穴浓度_A_电子浓度。
（A .大于，B .小于，C .等于）3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_C_ ,而少数载流子的浓度与_A_关系十分密切。
（A .温度，B .掺杂工艺，C.杂质浓度）4. 当PN结外加正向电压时，扩散电流A漂移电流，耗尽层E ;当PN结外加反向电压时，扩散电流_B_漂移电流，耗尽层 D 。
（A .大于，B .小于，C .等于，D .变宽，E.变窄，F不变）5 .二极管实际就是一个PN结，PN结具有单向导电性，即处于正向偏置时，处于导通状态；反向偏置时，处于截止状态。
6.普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B_，反向电流一般_C_;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为A，反向电流一般D。
（A . 0.1 〜0.3V，B. 0.6 〜0.8V，C .小于1 口A，D .大于1 口A ）7•已知某二极管在温度为25 C时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为T1时的伏安特性如图中虚线所示。
在25 C时，该二极管的死区电压为0.5伏，反向击穿电压为160 伏，反向电流为10-6安培。
温度T i小于25 C。
（大于、小于、等于）图选择题7v8 • PN结的特性方程是i l s（e VT1）。
普通二极管工作在特性曲线的正向区；稳压管工作在特性曲线的反向击穿区。
二.判断题（正确的在括号画V,错误的画X）1 • N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。
（X ）2 .在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。
（V ）3 . P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（X ）4 . PN结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。
模拟电子技术基础习题及答案
模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2016.9.15目录第1 章习题及答案 (1)第2 章习题及答案 (14)第3 章习题及答案 (36)第4 章习题及答案 (45)第5 章习题及答案 (55)第6 章习题及答案 (70)第7 章习题及答案 (86)第8 章习题及答案 (104)第9 章习题及答案 (117)第10 章习题及答案 (133)模拟电子技术试卷1 (146)模拟电子技术试卷2 (152)模拟电子技术试卷3 (158)第 1 章习题及答案1.1 选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N 型半导体，加入元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C写出图P1.2.1 所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V （2）二极管截止U O2=2V （3）二极管导通U O3=2V 写出图P1.2.2 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V （2）二极管导通U O2=-1.3V （3）二极管截止U O3=-2V 电路如P1.3.1 图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V电路如图P1.3.2 所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解：当u i>0V 时，D 导通，u o =u i；当u i≤0V 时，D 截止，u o=0V。
模拟电子技术习题及解答
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知)5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =- 采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I =解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
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1半导体二极管
自我检测题
一．选择和填空
1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。
若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。
2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N 型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。
（A ．大于，B ．小于，C ．等于）
3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。
（A ．温度，B ．掺杂工艺，C ．杂质浓度）
4. 当PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN 结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。
（A ．大于，B ．小于，C ．等于，D ．变宽，E ．变窄，F 不变 ）
5．二极管实际就是一个PN 结，PN 结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于 导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。
6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。
（A ．0.1～0.3V ，B ．0.6～0.8V ，C ．小于A μ1，D ．大于A μ1）
7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T 1
时的伏安特性如图中虚线所示。
在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电
压为 160 伏，反向电流为 10-6
安培。
温度T 1 小于 25℃。
（大于、小于、等于）
图选择题7
8．PN 结的特性方程是)1(-=T
V v S e
I i 。
普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳压
管工作在特性曲线的 反向击穿区 。
二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）
1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。
（ × ） 2．在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N 型半导体。
（ √ ） 3．P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ） 4．PN 结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（ √ ） 5．由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时就有电流流过。
（ × ） 6．PN 结方程既描写了PN 结的正向特性和反向特性，又描写了PN 结的反向击穿特性。
（ × ）
7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在正向导通状态（×）。
习题
1.1图题1.1各电路中，)V (t ωSin 5i =v ，忽略D 的导通压降和死区电压，画出各电路相应的输出电压波形。
v v ( a )
( b )
v ( c )
D
图题1.1
解：
（a ）图中，v i >0时，二极管截止，v o =0；v i <0时，二极管导通，v o = v i 。
5
（b ）图中，二极管导通，v o = v i +10。
（c ）图中，二极管截止，v o =0。
1.2求图题1.2所示电路中流过二极管的电流I D 和A 点对地电压V A 。
设二极管的正向导通电压为0.7V 。
( a )
D ( b )
R D
R R Ω
图题1.2
解：（a ）V V A 3.57.06-=+-=
mA R V R V I A
A D 3.10102
1≈-+-=
（b ）
3217
.0)6(10R V R V R V A A A -+
--=- 得V V A 96.4≈
mA R V I A D 42.17
.03
=-=
1.33电路如图题1.3所示，已知D 1为锗二极管，其死区电压V th ＝0.2V ，正向导通压降为0.3V ；D 2为硅二极管，其死区电压为V th ＝
0.5V ，正向导通压降为0.7V 。
求流过D 1、D 2的电流I 1和I 2。
2
图题1.3
解：由于D 1的死区电压小于D 2的死区电压，应该D 1先导通。
设D 1通、D 2截止，此时
mA 46.1A 100
10103
.0153
1≈+⨯-=
I D 2两端电压＝I 1×100＋0.3＝0.45V
小于D 2的开启电压，所以D 2截止，因此
I 2＝0
1.4设二极管的正向导通压降可以忽略不计，反向饱和电流为10μA ，反向击穿电压为 30V ，并假设一旦击穿反向电压保持30V 不变，不随反向击穿电流而变化。
求图题1.4中各电路的电流I 。
I
I
图题1.4
解：
（a ）图中，两个二极管导通，mA I 2
10=
=
（b ）图中，由于D 2反向截止，所以电流为反向饱和电流10μA 。
（c ）图中，D 2反向击穿，保持击穿电压30V ，所以mA I 2)3040(=-= （d ）图中，D 1导通，mA I 840==
1.5试确定图题1.5（a ）和图（b ）中的二极管是否导通，并计算电压V 1和V 2的值（设二极管正向导通电压为 0.7V ）
( a )V 1
V 2
2D
( b )
V 1V 2
2D
图题1.5
解：
（a ）图中，D 导通，R R I 33.113)7.012(=-=
V R R
R I V 53.7233
.1122==
⋅= V 1＝0.7+V 2=8.23V
（b ）D 截止，I =0，V 1＝12V ， V 2＝0V
1.6忽略图题1.6中二极管的死区电压，试判断图中二极管是否导通。
20V
10V
图题1.6
解：先将D 断开，计算A 、B 点对地电压 （a ）V V A 10)4
11
2032310(=+++= V V B 83
23
20
=+= B A V V >，所以D 1导通 （b ） V V A 8)414
1532210
(-=+-
+= V V B 63
22
15
-=+-= B A V V <，所以D 2截止
1.7设图题1.7中二极管的导通压降为 0.7V ，判断图中各二极管是否导通，并求出V o
的值。
( a )( b )
6V
图题1.7
解：
先假设所有二极管都截止，看哪个二极管的正偏电压高，先导通。
（a ）图中，V V D 6)6(01=--=
V V D 9)6(32=--=
所以， D 2先导通，导通后 V O ＝3-0.7=2.3V ，V V D 3.23.201-=-= D 1截止。
（b ）图中，V V D 1)6(51=---= V V V V D D D 6432=++
所以，D 2~D 4先导通，则V V D 9.2)1.2(51-=---=，D 1截止，
V O ＝－1.4V
1.8设图题1.8中二极管的导通压降为0.7V ，求二极管上流过的电流I D 的值。
图题1.8
解：将二极管以外的电路进行戴维宁等效
Ω=+=k R eq 62.1]332[3
V V eq 69.33
23
)32(3)32(332)
332(33326=++⨯+++
+++⨯
=
所以 mA R V I eq
eq D 85.17.0≈-=
1.9已知图题1.9电路中稳压管D Z1和D Z2的稳定电压分别为5V 和9V ，求电压V O 的值。
图题1.9
解：（a ）图中D Z1 、D Z2均工作于稳压状态， V V O 459=-=
（b ）D Z1工作于稳压状态，D Z2工作于反向截止区，所以D Z2支路的电流近似为零， V V O 5≈
1.10已知图题1.10所示电路中，)V ( sin 9i t v ω=，稳压管D Z1、D Z2的稳定电压分别为5V 、3V ，正向导通压降均为0.7V 。
试画出v O 的波形。
6
3k Ω
3k D
I D R V
v
图题1.10
解：i v 正半周时，D Z1承受正向压降，D Z2承受反向压降，在V DZ2=3V 之前，D Z2反向截止，i D =0，v O =
v i ；i v 上升到V DZ2=3V 之后，D Z2击穿，v O =3.7V ；
i v 负半周时，D Z2承受正向压降，D Z1承受反向压降，在V DZ1=5V 之前，D Z1反向截止，i D =0，v O =v
i ；i v 反向电压达到V DZ1=5V 之后，D Z1击穿，v O =－5.7V ；。