一维有序排列量子点的低温输运性质

一维有序排列量子点的低温输运性质

利用分子束外延(MBE在刻有一维沟道的p型Si(100)图案衬底上,制备出一维有序排列的量子点。在此基础上，通过在样品表面蒸镀铝电极，寻找合适退火条件使电极与样品形成欧姆接触,进而通过综合物性测量系统(PPMS的四探针法研究了低温下样品的电阻，磁阻性质。实验表明当温度低于22 K左右,沿一维沟道的纵向电阻明显低于沿垂直沟道的横向电阻。通过分析发现，这是由于低温下样品中同时存在两个导电层，硼掺杂的S层和量子点层，而后者只对纵向电导有贡献。通过导电层的电阻与温度的函数关系分析，证明低温下两个导电层中载流子的输运均遵从二维体系的Mott变程跳跃(VRH)机制。在VRH机制下,样品电阻随磁场呈现出先增大后减小的现象，并且电阻最大值随温度降低而增大，对应的磁场也更靠近低场区。这种现象可以认为是由于两个导电层具有不同的磁阻效应引起的，即在磁场中6层的波函数收缩导致的正磁阻效应与量子点层中由于Zeeman效应引起的能级移动效应导致的负磁阻效应。

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團

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