2004年天津大学硕士研究生入学考试半导体物理学试题
2004年天津大学材料加工基础考研真题(回忆版)【圣才出品】
2004年天津大学材料加工基础考研真题（回忆版）一、说明下列名词的主要区别（每小题四分，共四十分）金属与非金属；冷加工与热加工；亚共析钢和过共析钢；重结晶退火和再结晶退火；固溶体与金属化合物；等温淬火与分级淬火；碳钢与白口铁；淬透性与淬硬性；一次渗碳体和二次渗碳体；莱氏体和低温莱氏体二、填空（每空一分，共二十分）1.液态金属结晶时，要通过形核及晶核长大两个过程完成，在过冷条件下，形核的推动力是（），阻力是（）。
2.按照Fe-Fe3C相图，一般碳钢的淬火加热温度，亚共析钢为（），过共析钢为（）；完全退火温度为（），球化退火温度为（）；正火温度为（）。
3.拉伸试验时通常测定（）、（）‘（）和（）四中性能指标。
4.面心立方结构的金属滑移时，其滑移面为（），滑移方向为（）。
5.在立方晶系中，一个晶面与x,y,z轴的截距分别为1/3,1/2,1，她的晶面指数应为（）。
6.常见金属的晶体结构有三种，α-Fe、Cr、和W具有（）结构；γ-Fe、Cu具有（）结构；Zn、Cr具有（）结构。
7.磷是钢中的有害杂质，它的存在导致钢产生（）。
8.当对金属进行变质处理时，变质剂的作用是（）9.螺型位错的柏氏矢量与位错线之间存在如下关系（）。
三、作图计算题（共25分）1.试画出立方体中的（225）晶面和【101】晶向（7分）2.在某温度时，碳在γ-Fe中的溶碳量为2%，求每100个单位晶胞中有多少个碳原子？（已知铁的相对原子质量为56，碳的相对原子质量为12）（10分）3.某退火钢的显微组织中球光体占78%，铁素体占22%，求此钢的含碳量并画出其室温下的平衡组织。
（8分）四、简答题（每小题八分，共二十四分）1.测量温度用的热电偶有哪些种类？测高温和低温个用那种热电偶？2.为什么绑扎物件一般用铁丝，而手工锉刀用T12.？3.为什么高速钢锻造后在空气中冷却就能得到马氏体组织？五、问答题（共四十一分）1.根据Fe-Fe3C 相图，说明不同含碳量区域的铁碳合金室温下的平衡组织（21）2.填写下表所列各种钢的含碳量、合金元素含量、满足使用要求的热处理工艺、使用状态下的组织及应用举例。
天津大学研究生院2004年招收硕士生入学试题
天津大学研究生院2004年招收硕士生入学试题考试科目：数据结构和程序设计题号：465数据结构部分数据结构答卷须知：算法设计题要求用以下表达工具：结构化框图，盒图（N-S图），结构化汉语，C语言或C++语言之一进行描述。
1.（5分）试述线性表逻辑结构的形式化定义。
2.（6分）（1）已知一棵二叉树的中序遍历的结果是EBCDAFHIGJ，后序遍历的结果是EDCBIHJGFA，试画出这棵二叉树。
（2）已知一棵二叉树的先序遍历的结果是ABECDFGHIJ，中序遍历的结果是EBCDAFHIGJ，试画出这棵二叉树。
3.（6分）试对右图所示的AOE玩个，确定关键路径。
4.（8分）（1）试述二叉排序树的定义。
（2）设有一个输入数据的序列是{46,25,78,62,12,37,70,29}，试从空树画起，逐个画出输入每个数据而生成的二叉排序树。
5.（8分）试给出下列表达式的前缀，中缀和后缀表示式6.（10分）（1）试给出图的定义。
（2）试给出右图的邻接矩阵、邻接表（包括：出边表和入边表）的存储表示。
7.（10分）设计算法：将新值x以结点的形式，插入到已知不带头结点的单链表L上。
要求插到第一个与给定值（k）相匹配的结点的直接前驱位置上。
若找不到与k相匹配的结点，则将x插入到链表的末尾。
其结点结构如图所示8.（10分）在已知二叉树（P）上，试使用递归算法求出结点上的数据值（data）与已知值（k）相等的节点个数（N）。
结点结构为：9.（12分）试对有m行n列的已经赋过值随机的二维数据（A）进行不降序排列，要求：1）声明所使用的排序方法。
2）用行主次序，即经排序后满足：并且要求空间的复杂度最小。
程序设计部分一、程序填空（每空1分，共10分）1 下面程序使用栈实现表达式的括号匹配，其中5个语句缺失。
请阅读此算法并把缺失的语句补上。
const int MaxLength=100; //最大的字符串长度void PrintMatchedPairs(char *expr){ //括号匹配Stack<int> s(MaxLength);int j, length =strlen(expr);//从表达式expr中搜索（和）for (ini i=1;__________;i++) {if(expr[i-1]==’(‘) s.Add(l);else if(____________)try{ s.Delete(j);cout<<j<<’’<<i<<endl; }catch(OutOfBounds){ cout<<”No match for right parenthesis”<<” at “<<i<<endl;}}//堆栈中所剩下的（都是未匹配的while(__________){___________________________cout<<”No match for left parenthesis at “<<j<<endl;}}void main(void){char expr[MaxLength];cout<<”Type an expression of length at most “<<MaxLength<<endl;cin.getline(expr,MaxLength);cout<<”The pairs of matching parentheses in”<<endl;_________________cout<<”are”<<endl;PrintMatcnedPairs(expr);}2 下面程序对栈进行了基本操作，其中5个语句缺失，请阅读此算法并把缺失的语句补上。
中国科学院2004年硕士研究生入学试题参考答案
中国科学院－中国科学技术大学2004年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题试题名称： 固体物理一 NaCl 和CsCl 是两种典型的离子晶体，但具有不同的晶体结构。
1 NaCl 是面心立方点阵，Na 和Cl 离子各组成一个面心立方格子沿立方轴方向移动二分之一交叉而成。
最近邻各6个异性离子，次近邻各12个同性离子。
CsCl 是简单立方点阵，Cs 和Cl 离子各组成一个简单立方格子，沿体对角线方向移动二分之一交叉而成。
最近邻为8个异性离子，次近邻为6个同性离子。
2 它们同属立方晶系，它们相同的特征对称元素是4个3次轴。
3 NaCl ：面心立方，倒易点阵为体心立方，第一布里渊区为截角八面体CsCl ：简单立方，倒易点阵为简单立方，第一布里渊区为简立方体。
4 ∑=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛--=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+=Nj n n ij ij R B R e N r b r e N U 202024242πεμπε 其中μ，B 是和晶体结构有关的常数，R 为离子间最短距离 1120040-⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=⇒=∂∂n e nB R R μπεσ5 它们的原胞都含有2个离子，因此各有6支色散关系，3支光学波，3支声学波。
离子晶体的长光学波t l ωω>。
对红外光不同频率有强烈的反射和吸收。
二 1 德拜模型采用弹性波近似。
q v s =ω（v s 为声速）成功地解释了极低温下晶格比热温度关系（T 3定律），极低温下只有长波声子被激发，所以符合弹性波近似条件。
因此在解释较高温度下的晶格比热温度关系不够严格。
2 A 满带电子不导电。
能带中每个电子对电流的贡献为()k v e -。
由于能带()k ε函数的对称性()()k k -=εε，及()()k v k v --=，处于k 态的电子和k -态的电子对电流的贡献恰好抵消。
外加电场时，由k 和h G k +（h G 为倒格矢矢量）等价，满带状况并不改变故满带电子不导电。
B 部分填充能带与满带不同，尽管在无外场时，由于k ，k -对称，总电流为零，但在外场作用下，电子分布沿k 轴一方偏移，电子产生的电流只部分相互抵消，从而产生电流。
半导体物理学(乙)B卷真题2007年
2007年硕士学位研究生入学统一考试试题半导体物理学(乙) B卷一、解释下列名词及概念1．半导体中深能级杂质 2．禁带宽度 3．热载流子4．空穴 5．半导体的迁移率 6．准费米能级 7．欧姆接触8．表面复合速度 9．本征吸收 10．p-n结势垒电容二、简答题1．简述多能谷散射；2．简述霍耳效应；3．简述禁带变窄效应；4．简述半导体的几何磁阻效应。
三、平面正六方晶格如图所示，其矢量为：式中a为六角形两个平行对边间的距离。
1．求倒格子基矢；2．证明倒格子原胞的面积等于正格子原胞面积的倒数；(不考虑(2π) 2因子) 3．画出此晶格的第一布里渊区。
四、晶格常数为a的一维晶格，其导带极小值附近能量为价带极大值附近能量为为电子的惯性质量，h=6.63×10-34，s为普朗克常数，，a=0.314nm，求1．禁带宽度；2．导带底电子有效质量；3．价带顶电子有效质量；4．价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
五、设在一个金属--二氧化硅--p型硅构成的MOS结构上加一电压，如图所示，p型硅接低电位，金属接高电位，使半导体表面层出现耗尽状态。
1．根据耗尽层近似，求耗尽层内电势v(x) 。
2．若p-si的表面势Vs =0.4V，外加电压为5V，受主杂质浓度NA=1016/cm3，求耗尽层厚度。
(硅的介电常数εr =11.9，真空介电常数ε=8.85×10-14F/cm，电子电量q=1.60×10-19C) 。
六、已知硅突变结两边杂质浓度为NA =1016cm-3，ND=1020cm-3，1．求势垒高度和势垒宽度(300K时) ；2．画出电场E(x) 及电势V(x) 图。
(硅中本征载流子浓度ni =1.5×1010cm-3，硅的介电常数εr=11.9，真空介电常数E 0=8.85×10-14F/cm，玻耳兹曼常数k=1.38×10-23/K，300K时kT=0.026eV) 2007年半导体物理学(乙) B卷参考答案1．深能级杂质：在半导体的禁带产生的施主能级距离导带底较远，产生的受主能级距离价带顶也较远。
天津大学招收2000年硕士学位研究生入学考试(电路)(高清优化修正版)
I R3 I + US 4U
b + U CS -
IC S
答案： PUS 22 . 5 W ； PI S 1 W 。 解法 1：用节点法。设参考点和两独立节点 a 和 b 如图，则有U b U CS 3I ，可列如下方 程组
1 1 1 15 ( )U a 3I 4U 2 4 3 3 4 U U a 3I 4 U a 15 I 4
uC z i uC (0 ) e
t 4
10 e V 。
t 4
由已知条件和互易定理得知，在零状态条件下 iC z s 2 A ，即电容中电流的零状态响应为
iC z s 2 e 4 A ，
其 u C 的零状态响应为
t
uC z s
最后得 u C 的全响应为
1 t 1 t 0 iC z s d t 0 2 e 4 d t 4(1 e 4 ) V 。 C 2
i L (0 ) i L (0 ) 2A ； uC (0 ) uC (0 ) 6 V 。
-6-
开关 S 闭合后的运算电路为
+ S
2V
- IL ( s )
s
2 +
.
+
UR 2( s ) 1 -
.
由节点法得
sV - 1 +2 s s -6 V - s
4
2s 2 2 4 2s 5 1 2s 2 s 2s U R 2 (s) 2 1 1 s 2 5s 1 5 1 2s 1 2s 2s 2s 2s 5 k1 k 2 ( s 1 5)(s 1) s 1 5 s 1
半导体物理学试题库完整(2020年8月整理).pdf
6． 在一定温度下.与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________.高于费米能级 2kT 能级处的占据概率为_________。（1/2.1/1+exp(2)）
A. exp(− ED − Ec ) B. exp(− Ec − ED ) C. exp(− Ec − EF ) D. exp(− EF − Ec )
k0T
k0T
k0T
k0T
13. 如在半导体中以长声学波为主要散射机构是.电子的迁移率 n 与温度的（ B ）。
A. 平方成正比 C. 平方成反比
B. 3 次方成反比 2
（ A ）。
A. 1/n0
B. 1/ △ n
C.
1/p0
D. 1/△p
6. 在 Si 材料中掺入 P.则引入的杂质能级（ B ） A. 在禁带中线处 B. 靠近导带底 C. 靠近价带顶 D. 以上都不是
7．公式 = q / m* 中的τ是半导体载流子的（ C ）。
A. 迁移时间 C. 平均自由时间
B. 寿命 D. 扩散时间
8. 对于一定的 n 型半导体材料.温度一定时.减少掺杂浓度.将导致（ D
A. Ec
B. Ev
C. Eg
D. EF
）靠近 Ei。
9. 在晶体硅中掺Leabharlann 元素（A. 锗B. 磷
B ）杂质后.能形成 N 型半导体。
C. 硼
D. 锡
.
.
2
学海无涯
10. 对大注入条件下.在一定的温度下.非平衡载流子的寿命与（ D ）。
(完整版)半导体器件物理试题库.docx
西安邮电大学微电子学系商世广半导体器件试题库常用单位：在室温（ T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为n i = 1.510×10/cm3电荷的电量 q= 1.6 ×10-19Cn2/V sp2/V s μ=1350 cmμ=500 cmε0×10-12F/m=8.854一、半导体物理基础部分（一）名词解释题杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。
非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。
迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。
晶向：晶面：（二）填空题1．根据半导体材料内部原子排列的有序程度，可将固体材料分为、多晶和三种。
2．根据杂质原子在半导体晶格中所处位置，可分为杂质和杂质两种。
3．点缺陷主要分为、和反肖特基缺陷。
4．线缺陷，也称位错，包括、两种。
5．根据能带理论，当半导体获得电子时，能带向弯曲，获得空穴时，能带向弯曲。
6．能向半导体基体提供电子的杂质称为杂质；能向半导体基体提供空穴的杂质称为杂质。
7．对于 N 型半导体，根据导带低E C和 E F的相对位置，半导体可分为、弱简并和三种。
8．载流子产生定向运动形成电流的两大动力是、。
9．在 Si-SiO 2系统中，存在、固定电荷、和辐射电离缺陷 4 种基本形式的电荷或能态。
10．对于N 型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向移动；对于P 型半导体，当温度升高时，费米能级向移动。
（三）简答题1．什么是有效质量，引入有效质量的意义何在？有效质量与惯性质量的区别是什么？2．说明元素半导体Si 、 Ge中主要掺杂杂质及其作用？3．说明费米分布函数和玻耳兹曼分布函数的实用范围？4．什么是杂质的补偿，补偿的意义是什么？（四）问答题1．说明为什么不同的半导体材料制成的半导体器件或集成电路其最高工作温度各不相同？要获得在较高温度下能够正常工作的半导体器件的主要途径是什么？（五）计算题1．金刚石结构晶胞的晶格常数为a，计算晶面（ 100）、（ 110）的面间距和原子面密度。
04半导体物理真题
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哈尔滨工业大学
二OO四年硕士研究生考试试题
考试科目：半导体物理_____________考试科目代码：[ ]
适用专业：微电子学与固体电子学___
考生注意：答案务必写在答题纸上，并标明题号。答在试题上无效。
题号
一二三四来自五总分分数
30
30
30
30
30
１５０分
一、解释下列名词或概念（30分）：
1．布里渊区6.高度补偿半导体
2.光生伏特效应7.状态密度
3.本征吸收8.消光系数
4.间接带隙式半导体9.表面复合率
5.准费密能级10.光电导增益
二、分别论述深能级和浅能级杂质对半导体的影响(30分)。
三、在一维情况下，以p型非均匀掺杂半导体为例，推出空穴的爱因斯坦关系式（30分）
四、画出理想p-n结和硅p-n结的电流电压曲线（15分），并根据曲线的差异简述硅p-n结电流电压曲线偏离理想p-n结主要因素（15分）
半导体物理学试题库完整(2020年8月整理).pdf
8． 通常把服从_________的电子系统称为非简并性系统.服从_________的电子系统称为简 并性系统。（玻尔兹曼分布.费米分布）
9. 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关.而对于不同的半 导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。（温度.禁带宽度）
3．什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特征？ 答：半导体中掺入受主杂质后.受主电离后将成为带负电的离子.并同时向价带提供空穴.
A. exp(− ED − Ec ) B. exp(− Ec − ED ) C. exp(− Ec − EF ) D. exp(− EF − Ec )
k0T
k0T
k0T
k0T
13. 如在半导体中以长声学波为主要散射机构是.电子的迁移率 n 与温度的（ B ）。
A. 平方成正比 C. 平方成反比
B. 3 次方成反比 2
B. 寿命 D. 扩散时间
8. 对于一定的 n 型半导体材料.温度一定时.减少掺杂浓度.将导致（ D
A. Ec
B. Ev
C. Eg
D. EF
）靠近 Ei。
9. 在晶体硅中掺入元素（
A. 锗
B. 磷
B ）杂质后.能形成 N 型半导体。
C. 硼
D. 锡
.
.
2
学海无涯
10. 对大注入条件下.在一定的温度下.非平衡载流子的寿命与（ D ）。
19. 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中.当温度升高时.电离杂质散射的概率和
2003年研究生入学考试试题半导体物理与器件
一． 简单回答：（20分） 1． 在原子间距为 a 的一维单原子晶格中，波矢 q=1/4(2π/a)，和 q=1/4(2π/a)+2π/a 的两种格波所描述的原子振动的情况有何 异同？ 2． 含施主浓度为 Nd=210cm,受主浓度为 Na=210×cm 的硅样品,温度 为 300K 和温度为 500K 时该样品的载流子浓度各是多少？
的晶格振动的独立波矢数都为 4 ○ 有 ；其中有 8 ○ 5 ○ 类横波，有
；晶格振动的总的格波数都是 7 类纵波，有 ○ 支声学波，
支光学波。
2、某一维半导体晶体价带顶附近的电子能量，在国际单位制中可 表示为 E（k）=E0-10 ，现将其中一波矢 k=10 cm 的电子移走，则此 电子留下的空穴能量为 速度为 4 ○ 、准动量为 1 、有效质量为 ○ 5 。 ○ 2 ○ 、波矢为 3 ○ 、
在有一个受主浓度为 Na 的 P 型半导体：
1．
在表面空间电荷区为积累层、耗尽层、反型层三种情况 下，分别画出能带图（必须画出费米能级和本征费米能 级） ：
2．
已知强反型层开始出现的条件是：表面触地少子浓度等 于体内的多子浓度。画出开始出现强反型层时的能带 图，证明开始出现强反型层时，表面势 Vs = 2 φ f 。这里
，试由
τ =τ p
n0 + n1 p + p1 +τ n 0 n0 + p0 n0 + p0 验证上述关系：并说明激活能
Ec − Ei kT
∆ E 的物理意义。 （式中 n1 = N c e
, p1 = N v e
Ei − Ec kT
）
四． （ 15 分）两种载流子同时起作用，半导体的霍尔系数为：
天津大学研究生院1994-2005年招收硕士生入学试题0901
天津大学研究生院1994年招收硕士生入学试题考试科目：结构力学（包含结构动力学） 题号：0901 一．计算图1所示珩架指定杆的轴力()12,N N (10分)二．结构仅在ACB 部分温度升高t 度，并且在D 处作用外力偶M 。
试求图示刚架A,B 两点间水平向的相对位移。
已知：各杆的EI 为常值，α为线膨胀系数，h 为截面高度。
（20分）三．用力法分析图3所示结构，绘M 图。
计算时轴力和剪力对位移的影响略去不计。
各杆的EI 值相同。
（20分）半圆弧积分表：2211sin sin 2,cos sin 22424x x xdx x xdx x =-=+⎰⎰ 四．试用位移法求解图4所示刚架并绘M 图。
计算时不考虑轴力变形时对位移的影响。
（20分）杆端力公式：21,08f fABBA ql M M =-=,53,88ff AB BA ql ql Q Q ==- 一．试用力矩分配法计算图5所示连续梁并绘M 图。
（10分）二．求图示结构的自振频率和主振型，并作出振型图。
已知：122,,m m EI m m ===常数，忽略阻尼影响。
（20分）天津大学研究生院1995年招收硕士生入学试题考试科目：结构力学 题号：0901 一．选择题：在正确答案处画“√”。
每题4分。
1． 图示平面体系的几何组成性质是：A. 几何不变且无多余联系的B. 几何不变且有多余联系的C. 几何可变的D. 瞬变的2． 图示结构A 截面的剪力为：A. –PB. PC. P/2D. –P/23.图示珩架内力为零的杆为：A.3根B.6根C.8根D.7根3．图示结构的超静定次数为：A．6次B．4次C．5次D．7次4． 图示梁当EI ＝常数时，B 端的转角是： A. 35/48ql EI (顺时针) B. 35/48ql EI (逆时针) C. 37/48ql EI (逆时针) D. 39/48ql EI (逆时针)二．1． 已知图示结构的M 图，做Q.N 图。
天津大学2003-2010物理化学考研真题839合集
（注意：所有答案必须写在答案纸上，否则视为无效）一、 填空题（30分）1. 写出实际气体压缩因子定义Z = ，当实际气体的Z ＞1时，说明该气体比理想气体 。
2. 已知乙醇的正常沸点为78℃，若要计算25℃乙醇的饱和蒸气压（假定乙醇蒸发焓不随温度变化），请写出乙醇饱和蒸汽压 *p 的计算公式 。
3. 某一化学反应A(g) + B(g) → C(g)，在500K 恒容条件下放热10kJ ，若反应在500K 恒压条件下完成，反应热Q p = 。
4. 水蒸气通过灼热的C （石墨）发生下列反应：H 2O(g) + C(石墨) CO(g) + H 2(g)，此平衡系统的组分数C = ；相数P = ；自由度F = 。
这说明生成的CO(g)、H 2(g)在气相中组成与 有关。
5. 将蔗糖溶于纯水中形成稀溶液，与纯水比较，其沸点温度将 ；凝固点温度将 。
6. 液滴的半径越小，饱和蒸气压越 ；毛细管中凹液面的曲率半径越小，凹液面的饱和蒸气压越 。
7. 某液体在玻璃表面的润湿角θ= 45°，其表面张力σl-g 与σs-g 和σs-l 之间的关系是 ，且σs-g 与σs-l 之间关系是 。
8. 兰格缪尔（Langmuir ）吸附等温式仅适用于 吸附，公式形式为bpbp +Γ=Γ∞1，式中Г∞代表 ，在Г—p 图上示意画出Langmuir 吸附等温线 。
9. 加入少量表面活性剂，使水溶液的表面张力随浓度的变化率cd d σ ，并且表面活性剂在溶液表面产生 吸附。
10. 丁达尔效应产生的原因是 。
11. KI 溶液与过量的AgNO 3溶液混合，形成AgI 溶胶，其胶团结构为 。
KCl 、K 2C 2O 4、K 3Fe(CN)6三种电解质中，对该溶胶聚沉能力最大的是 。
1. 在323.15K 、101.325kPa 条件下，1mol 过饱和水蒸气变为液态水（水蒸气按理想气体处理）。
（1） 计算过程的Q 、W 、ΔU 、ΔH 、ΔS 、ΔG 。
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2004年天津大学硕士研究生入学考试半导体物理学试题
一．（15分）
1.以硅，砷化镓能带结构不同来说明制作发光器件应选用哪种材料更好？（或用图表示）
2.设半导体有两个价带，带顶均在k=0处且能量相等。
但带顶空穴有效质量不等，m m 2
13=，试定性画出两者的E-k 关系图，加以解释。
二．（10分）
一热平衡非简并N 型半导体，写出其少数载流子浓度求解表达式。
为什么制造半导体器件一般都用含有适当杂质的半导体材料？VLSI 为什么基本选用硅材料而不用锗材料？
三．（10分）
某半导体Si 材料，室温下
cm P 31601025.2-⨯=，请计算E F 的位置，指明其导电类型。
（设室温：
cm n i 310105.1-⨯=，kT=0.026eV ）
四．（15分）
设半导体中主要以杂质电离散射和晶格振动散射为主要散射机构，其散射几率分别为：T p Ni i 5.1-∞和T p s 5.1∞,(1) 试写出半导体迁移率的表达式。
（2）根据图一中的a,b 两曲
线，分析曲线c(设N 型掺杂)。
五．（10分）
图二为某半导体能谷间散射示意图，请画出其对应的漂移速度示意图，并加以物理解释。
六．（10分）
假定一束光均匀照射一N型半导体，内部均匀产生非平衡载浪子。
当光照在t=0时刻突然停止
（1）写出此时少子遵循的连续性方程
（2）写出非平衡少子随时间的变化规律。
七．（10分）
图三为P型半导体光照前后的能带图。
问哪一个简图能正确的说明这一过程。
简述金在硅中影响少子寿命的原理。
如何控制寿命值。
八（20分）
分别画出P-N结正偏下的能带图（表明E F）和反偏下的少子分布图。
分析影响硅P-N 结I-V特性偏离理想方程的各种因素。
九．（17分）
一P型硅衬底MIS结构。
定性画出其理想C-V特性曲线；画出MIS结构等效电路图，写出总电容表达式；指出半导体表面处于耗尽，堆尽，反型状态时外加电压的情况。
十.（8分）
对一P 型硅衬底MIS 结构，设表面处少子浓度
]/exp[0
kT qVs p n n s ,试推导表面发生强反型的条件。
十一.（25分）
简述：1.半导体太阳电池的基本原理 2.半导体压阻效应的物理原因；3半导体霍耳效应的产生；4 半导体发光现象的本质；5 二维电子气。