第九章透射电子显微分析

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•光学显微镜
•透射电子显微镜
•照明束
•可见光
•聚焦装置 •玻璃透镜
•放大倍 数
•分辨本领
•小,不可
调 •低
•结构分 析
•不能
•电子为照明束 •电磁透镜 •大,可调 •高
•能
第九章透射电子显微分析
•物镜:形成第一幅放大的像 ×0~100 •中间镜:长焦 ×0~20
•投影镜:放大 ×0~100

景深大,放大不影响清晰度
屏上。 衍射操作:通过调整中间镜的透镜电流,使中间镜的物 平面与物镜的背焦面重合,可在荧光屏上得到衍射花样。 成像操作:若使中间镜的物平面与物镜的像平面重合则 得到显微像。
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•复习
•凸透镜的焦点
•O
•F
•O
•焦点
•F' •F •焦平面
•P •A •Q
•B
•O
•F
•透镜的成像
•f •Q'
•100KV电子束的波长为0.0037nm;200KV, 0.00251nm
•线分辨率
•透镜球差系数
•常数 •照明电子束波长
•r0的典型值约为0.25~0.3nm,高分辨条件下,r0可达约0.15nm。
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2. 照明系统
作用:提供亮度高、相干性好、束流稳定的照明电子束。
组成:电子枪和聚光镜
p 主要指:单晶电子衍射花样指数化,包括确定各衍射斑 点相应衍射晶面干涉指数(HKL)并以之命名(标识) 各斑点和确定衍射花样所属晶带轴指数[uvw]。对于未知 晶体结构的样品,还包括确定晶体点阵类型等内容。 •单晶电子衍射花样标定的主要方法为: • 尝试核算法 • 标准花样对照法
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式中:N——衍射晶面干涉指数平方和,即 N=H2+K2+L2。
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多晶电子衍射花样的标定
p 对于同一物相、同一衍射花样各圆环而言,(C2/a2)为 常数,有 R12:R22:…:Rn2=N1:N2:…:Nn
p 此即指各衍射圆环半径平方(由小到大)顺序比等于各圆 环对应衍射晶面N值顺序比。
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•会聚/发散角
•热电子枪示意图 •灯丝和阳极间加高压,栅极偏压起会聚电子束的作用,
•使其形成直径为d0、会聚/发散角为0的交叉
第九章透射电子显微分析
•双聚光镜照明系统光路图
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3. 成像系统
p 由物镜、中间镜(1、2个)和投影镜(1、2个)组成。 p 成像系统的两个基本操作是将衍射花样或图像投影到荧光
第九章透射电子显微分析
第九章透射电子显微分析
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2. 块状样品的制备
p 一般程序: p (1)初减薄——制备厚度约100~200m的薄片; p (2)从薄片上切取3mm的圆片; p (3)预减薄——从圆片的一侧或两则将圆片中心区域减薄
至数m; p (4)终减薄。
第九章透射电子显微分析
第九章透射电子显微分析
相位衬度(Phase contrast): 试样内部各点对入射电子作用不同, 导致它们在试样出口表面上相位不一, 经放大让它们重新组合,使相位差转 换成强度差而形成的。

焦深大,放宽对荧光屏和照相底片要求


•透射电子显微镜光路原理图
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二、构造
•TEM由照明系统、成像系统、记录系统、真空系统和电器 系统组成。 •1. 电磁透镜 •能使电子束聚焦的装置称为电子透镜(electron lens)
• •电子透镜 • •
静电透镜 磁透镜
恒磁透镜 电磁透镜
p 立方晶系不同结构类型晶体系统消光规律不同,故产生衍 射各晶面的N值顺序比也各不相同。
p 参见表6-1,表中之m即此处之N(有关电子衍射分析的文 献中习惯以N表示H2+K2+L2,此处遵从习惯)
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•表6-1 立方晶系衍射晶面及其干涉指数平方和(m)
第九章透射电子显微分析
•金多晶电子衍射花样标定[数据处理]过程与结果
•A '
•像平 面
•P'
第九章透射电子显微分析
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第九章透射电子显微分析
三、各种结构的衍射花样
p 1) 单晶体的衍射花样。
•单晶电子衍射图是由规则排列的 •衍射斑点构成的,是二维倒易平 •面点阵的放大像,它可以给出试样 •晶体结构和晶体学有关的诸多信息。
•不同入射方向的ZrO2衍射斑点 •(a)[111]; (b)[011]; (c) [001]; (d) [112]
•衍射花样标定
•多晶金衍射花样
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多晶电子衍射花样的标定
指多晶电子衍射花样指数化,即确定花样中各衍射圆环 对应衍射晶面干涉指数(HKL)并以之标识(命名)各 圆环。
立方晶系多晶电子衍射花样指数化 经推导:d=C/R C为相机常数,R为某同心圆环半径 将d=C/R代入立方晶系晶面间距公式,得
TEM可以以不同的形式出现,如: 高分辨电镜(HRTEM) 扫描透射电镜(STEM) 分析型电镜(AEM)等等
入射电子束(照明束)也有两种主要形式: 平行束:透射电镜成像及衍射 会聚束:扫描透射电镜成像、微分析及微衍射
第九章透射电子显微分析
第一节 透射电子显微镜工作原理及构造
•一、工作原理
•透射电子显微镜的成像原理与光学显微镜类似。
复杂电子衍射花样简介
p 实际遇到的单晶电子衍射花样并非都如前述单纯,除上述 规则排列的斑点外,由于晶体结构本身的复杂性或衍射条 件的变化等,常常会出现一些“额外的斑点”或其它图案, 构成所谓“复杂花样”。主要有:
高阶劳埃区电子衍射谱 菊池花样(Kikuchi Pattern) 二次衍射斑点 超点阵斑点 孪晶(双晶)衍射斑点等。
钨丝
热电子源
电子源
场发射源
LaB6
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•电子枪
•场发射电子 枪
• 一般电子枪的发射原理和普通照明用白炽灯的发光原理基本相 同,即通过加热来使枪体发射电子。钨丝便宜并对真空要求比较低。 •六硼化镧发射效率要高很多,其电流强度大约比前者高一个数量级。 • 场发射枪的电子发射是通过外加电场将电子从枪尖拉出来实现的。 •由于越尖锐处枪体的电子脱出能力越大,因此只有枪尖部位才能发射 •电子。
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二、直接样品的制备
粉末和晶体薄膜样品的制备。 p 1.粉末样品制备 p 关键:如何将超细粉的颗粒分散开来,各自独立而不团
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(1)高阶劳埃区电子衍射谱
•用途:
•(a)对称入射 •(b)不对称入射
•可以提供许多重要的晶体学信息, 如:
• 测定电子束偏离晶带轴方向的微 小角度
• 估算晶体样品的厚度 • 求正空间单胞常数 • 当两个物相的零阶劳埃区斑点排 列相同时,可利用二者高阶劳埃区 斑点排列的差异,鉴定物相。
二、像衬度
像衬度:图像上不同区域间明暗程度的差别。 对于光学显微镜,衬度来源是材料各部分反射光的能力不同 透射电镜的像衬度来源于样品对入射电子束的散射。 •像衬度的分类:
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•质量厚度衬度(简称质厚衬度):由于样品不同微区间存在原子序数 或厚度的差异而形成的衬度
•质厚衬度来源于电子的非相 干弹性散射
•高阶劳埃区衍射谱示意 图
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(2)菊池花样(Kikuchi Pattern)
在单晶体电子衍射花样中,除了前 面提到的衍射斑点外,还经常出现 一些线状花样。
菊池(Kikuchi)于1928年(在透射电 镜产生以前)首先描述了这种现象, 所以被称为菊池线。
菊池线的位置对晶体取向的微小变 化非常敏感。因此,菊池花样被广 泛用于晶体取向的精确测定,以及 解决其它一些与此相关的问题。
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•应
用 (1)利用已知晶体(点阵常数a已知)多晶衍射花样指数
化可标定相机常数。
衍射花样指数化后,按
计算衍射环
相应晶面间距离,并由Rd=C即可求得C值。
(2)已知相机常数C,则按d=C/R,由各衍射环之R, 可求出各相应晶面的d值。
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单晶电子衍射花样的标定
聚。 p 胶粉混合法:在干净玻璃片上滴火棉胶溶液,然后在玻
璃片胶液上放少许粉末并搅匀,再将另一玻璃片压上, 两玻璃片对研并突然抽开,稍候,膜干。用刀片划成小 方格,将玻璃片斜插入水杯中,在水面上下空插,膜片 逐渐脱落,用铜网将方形膜捞出,待观察。 p 支持膜分散粉末法: 需TEM分析的粉末颗粒一般都远小 于铜网小孔,因此要先制备对电子束透明的支持膜。常 用的支持膜有火棉胶膜和碳膜,将支持膜放在铜网上, 再把粉末放在膜上送入电镜分析。
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(1)电磁透镜的结构
•电磁透镜结构示意图
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(2)电磁透镜的光学性质
•物距 像距 焦距
•透镜半径
•电子加速电压
•与透镜结构有关的比例常数
•激磁线圈安匝数
•由此可知,改变激磁电流,可改变焦距f,即可改 变电磁透镜的放大倍数。
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•像 距 v
•t-ZrO2菊池衍射花样
第九章透射电子显微分析
第二节 样品制备
p TEM的样品可分为间接样品和直接样品。 p TEM的样品要求: p (1)对电子束是透明的,通常样品观察区域的厚度约
100~200nm。 p (2)必须具有代表性,能真实反映所分析材料的特征。
第九章透射电子显微分析
第九章透射电子显微分析
第九章透射电子显微分析
第三节 透射电镜基本成像操作及像衬度
•一、成像操作
•衍射束 成像
•直射束 成像
•衍射 束成像
•(a)明场像
(b)暗场像
•成像操作光路图
(c)中心暗场像
第九章透射电子显微分析
第九章透射电子显微分析
•a) 明场像
•b) 暗场像
•析出相(ZrAl3)在铝合金基体中分布衍衬像
第九章透射电子显微分析
第九章透射电子显微分 析
2020/12/9
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第九章透射电子显微分析
显微镜的发展
•R.虎克在17世纪中期 制做的复式显微镜
•19世纪中期的显微镜 •20世纪初期的显微镜
•带自动照相机 的光学显微镜
•装有场发射枪的 扫描电子显微镜 •超高压透射电子显微镜
第九章透射电子显微分析
第九章透射电子显微分析
第九章透射电子显微分析
•适用样品:
•1)不易于腐蚀的裂纹端试样 •2)非粉末冶金试样 •3)组织中各相电解性能相差不大 • 的材料 •4)不易于脆断、不能清洗的试样
•双喷电解抛光装置原理图
第九章透射电子显微分析
•适用样品:
•1)不导电的陶瓷样品 •2)要求质量高的金属样品 •3)不宜双喷电解的金属 • 与合金样品
•离子减薄装置原理示意图
•当电子穿过样品时,通过与 原子核的弹性作用被散射而 偏离光轴,弹性散射截面是 原子序数的函数.
•随样品厚度增加,将发生更 多的弹性散射。
•质厚衬度成像光路图
第九章透射电子显微分析
质厚衬度的公式
衬度与原子序数Z,密度,厚度t有关。用小的光阑(θ小)衬 度大;降低电压V,能提供高衬度
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•物距u
•减小激磁电流,可使电磁 透镜磁场强度降低、焦距 变长(由f1变为f2 ) 。 •焦距f
•电磁透镜(通过改变激磁电流)实现 焦距和放大倍率调整示意图
第九章透射电子显微分析
(3)电磁透镜的分辨本领
•光学显微镜 •可见光:390-760nm, •最佳:照明光的波长的1/2。极限值:200nm
•透射电镜
第九章透射电子显微分析
2)多晶材料的电子衍射
•NiFe多晶纳米薄膜的电子衍射
第九章透射电子显微分析
3)非晶态物质衍射
•典型的非晶衍射花样
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选 区
•对材料的微区进行观察,获取更为细致的结构信息
第九章透射电子显微分析
•如何实现选区?
•1、加物镜光阑 •2、加选区光阑
第九章透射电子显微分析
•A、B两晶粒的结晶学位向不同, 满足衍射条件的情况不同。衍射束 强度越大,直射束强度就越小。
•对晶体样品,电子将发生相干散射即衍 射。所以,在晶体样品的成像过程中用 的是晶体对电子的衍射。
•衍射衬度:由于晶体对电子的衍 射效应而形成的衬度。
•该光路图中是明场成像还是暗场成像? •衍射衬度成像光路图
电子显微分析方法的种类
透射电子显微镜(TEM)简称透射电镜 电子衍射(ED)
扫描电子显微镜(SEM)简称扫描电镜 电子探针X射线显微分析仪简称电子探针(EPA或EPMA)
波谱仪(波长色散谱仪,WDS) 能谱仪(能量色散谱仪,EDS) 电子激发俄歇电子能谱(EAES或AES)
第九章透射电子显微分析
TEM的形式
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