晶体的生长方法简介
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2) 坩埚下降法(垂直布里奇曼法,Vertical Bridgman method, VB)
坩埚下降法又称为布里奇曼-斯托克巴格 法,是从熔体中生长晶体的一种方法。通常坩埚 在结晶炉中下降,通过温度梯度较大的区域时, 熔体在坩埚中,自下而上结晶为整块晶体。这个 过程也可用结晶炉沿着坩埚上升方式完成。与提 拉法比较该方法可采用全封闭或半封闭的坩埚, 成分容易控制;由于该法生长的晶体留在坩埚中, 因而适于生长大块晶体,也可以一炉同时生长几 块晶体。另外由于工艺条件容易掌握,易于实现 程序化、自动化。典型的晶体生长炉的结构如图 4所示。 该方法的缺点是不适于生长在结晶时体积 图4 增大的晶体,生长的晶体通常有较大的内应力。 同时在晶体生长过程中也难于直接观察,生长周 期比较长。
存在着两个固—液界面,一个界面上发生结晶过程,而另一个界
面上发生多晶原料的熔化过程。
1) 提拉法(Czochralski,Cz)
晶体提拉法的创始人是J. Czochralski,他的 论文发表于1918年。提拉法是熔体生长中最常用的 一种方法,许多重要的实用晶体就是用这种方法制 备的。近年来,这种方法又得到了几项重大改进, 如采用液封的方式(液封提拉法,LEC),如图1, 能够顺利地生长某些易挥发的化合物(GaP等);采 用导模的方式(导模提拉法)生长特定形状的晶体 (如管状宝石和带状硅单晶等)。 所谓提拉法,是指在合理的温场下,将装 在籽晶杆上的籽晶下端,下到熔体的原料中, 籽晶杆在旋转马达及提升机构的作用下,一边 旋转一边缓慢地向上提拉,经过缩颈、扩肩、 转肩、等径、收尾、拉脱等几个工艺阶段,生 长出几何形状及内在质量都合格单晶的过程。
循环流动育晶装置
1.原料 2.过滤器 3.泵 4.晶体 5.加热电阻丝
3.蒸发法
• 基本原理:将溶剂不断蒸发移去,而使溶液
保持在过饱和状态,从而使晶体不断生长。
这种方法比较适合于溶解度较大而溶解度温 度系数很小或是具有负温度系数的物质。
• 这种装置比较适合于在较高的温度下使用(
60°C以上)。若要在室温附近用蒸发法培养 晶体,可向溶液表面不断送入干燥空气,它 在溶液下方带走了部分水蒸气,然后经过冷 凝器除去水分,再送回育晶器循环使用,使 水不断蒸发,但蒸发速度难以准确控制。
4.凝胶法
• 凝胶生长法就是以凝胶作为扩散和支持 介质,使一些在溶液中进行的化学反应
通过凝胶(最常用的是硅胶)扩散.缓慢
进行。溶解度较小的反源自文库产物常在凝胶 中逐渐形成晶体,所以凝胶法也是通过
扩散进行的溶液反应法。
• 该法适于生长溶解度十分小的难溶物质 的晶体。由于凝胶生长是在室温条件下 进行的,因此也适于生长对热很敏感(如 分解温度低或熔点下有相变)的物质的晶 体。
图1 提拉法晶体生长装置结构示意图
这种方法的主要优点是:(a) 在生长过程中,可以方便地观察晶体 的生长情况;(b) 晶体在熔体的自由表面处生长,而不与坩埚相接触, 这样能显著减小晶体的应力并防止坩埚壁上的寄生成核;(c) 可以方便 地使用定向籽晶与“缩颈”工艺,得到完整的籽晶和所需取向的晶体。 提拉法的最大优点在于能够以较快的速率生长较高质量的晶体。 提拉法中通常采用高温难熔氧化物,如氧化锆、氧化铝等作保温材 料,使炉体内呈弱氧化气氛,对坩埚有氧化作用,并容易对熔体造成污 杂,在晶体中形成包裹物等缺陷;对于那些反应性较强或熔点极高的材
晶体的生长
晶体的一些应用
• • • • • • • • 晶体特别是单晶广泛应用于各个高新科技领域: 激光工作物质:YAG (Y3Al5O12) 非线性光学晶体:KDP(KH2PO4)、BBO(β-BaB2O4)、 LBO(LiB3O5)、CBO(CsB3O5)、LCB(La2CaB10O19) 闪烁晶体:BGO (Bi4Ge3O12)、PbWO3 磁性材料:R3Fe5O12、(Te,Dy)Fe2 半导体材料:Si、Ge、GaAs、GaN 超硬材料:金刚石、立方氮化硼,
晶体生长的基本过程
从宏观角度看 ,晶体生长过程是晶体 — 环境相(蒸气、 溶液、 熔体)界面向环境相中不断推移的过程 ,也就是由包含组成晶体单元 的母相从低秩序相向高度有序晶相的转变。 从微观角度来看 ,晶体生长过程可以看作一个 “基元” 过程 ,所 谓 “基元” 是指结晶过程中最基本的结构单元 ,从广义上说 , 可以是原子、 分子 ,也可以是具有一定几何构型的原子(分子)聚集 体。
溶液法的缺点:
• (1) 组分多;
• (2) 影响晶体生长的因素也比较复杂;
• (3) 生长周期长。 • (4) 低温溶液生长对控温精度要求很高,因为在一定的生长温度(T) 下,温度波动(Δ T)的影响主要取决于Δ T/T,在低温下要求Δ T相对 地小。对培养高质量的晶体,可容许的温度波动一般不超过百分之几
多细小品体,阻碍晶体长大;
(3)使降温速度与晶体成核、生长速度相配匹, 使晶体生长得均匀、晶体中没有浓度梯度、组 成不偏离化学整比性。
从固相中生长晶体的主要优点在于:
• 1)可以在不添加组分的情况下较低温进行生长, 即在熔点以下的温度下生长; • 2)生长晶体的形状是事先固定的,所以丝、箔等 形状的晶体容易生长出来;
钽、钍、钛、钨、铀及铜合金、铁合金等均有报导。
2.利用烧结生长
• 烧结这个词通常仅用于非金属中晶粒的长大。如果在加热多晶金属时 观察到晶粒长大,该过程一般被称作应变—退火的一种特殊情况。 • 在1450℃以上烧结多晶钇铁石榴石Y3Fe5O12可以得到5mm大的石榴石晶 体。利用烧结法对铜锰铁氧体、BeO、Al2O3等均观察到晶粒长大。发 现气孔、添加物、原始晶粒的尺寸等也均影响烧结生长晶体。
及非同成分熔化的化合物属于这一类。在生长过程中,晶 体和熔体的成分均不断交化,熔点(或凝固点)也随成分的 变化而变化。
熔体生长法分类
• 根据熔区的特点,将熔体生长的方法分为两大类:
• (1)正常凝固法该方法的特点是在晶体开始生长的时候,全部材
料均处于熔态(引入的籽晶除外)。在生长过程中,材料体系由晶 体和熔体两部分所组成。 • (2)逐区熔化法该方法的特点是固体材料中只有一小段区域处于 熔态,材料体系由晶体、熔体和多晶原料三部分所组成,体系中
料,难以找到合适的坩埚来盛装它们,就不得不改用其它生长方法。
提拉法的改进
• (1)晶体直径的自动控制技术(ADC技术) 这种技术不仅使生长过程的 控制实现了自动化,而且提高了晶体的质量和成品率;
• (2)液相封盖技术和高压单晶炉(LEC技术) 用这种技术可以生长那些
具有较高蒸气压或高离解压的材料; • (3)导模法(EFG技术) 用这种技术可以按照所需要的形状(片、带、 管、纤维状)和尺寸来生长晶体,晶体的均匀性也得到改善。
• 如果在热压中升高温度,烧结所引起的晶体长大将更为显著。热压生
长MgO、Al2O3、ZnWO4等得到很大的成功,可以采用这一技术生长出达 7cm3的Al2O3晶体。
3.借助多形性转变生长
先生长出高温多形体,然后小心地使炉温降至 室温,并形成室温多形体单晶。有时需要借助淬火 高温相“冻结”起来。 对于大多数高压多形性转变,相 变进行得很快,往以一种不可控制的 方式进行。因此,利用高压多性转变 较难生长出具有合适尺寸的单晶。利
高压反映釜
从熔体中生长晶体
• 从熔体中生长晶体,一般有两种类型: • (1)晶体与熔体有相同的成分。纯元素和同成分熔化的化
合物(具有最高熔点)属于这一类,在生长过程中,晶体和
熔体的成分均保持恒定,熔点亦不变。这种材料容易得到 高质量的晶体(例如Si,Ge,Al2O3,YAG等),
• (2)生长的晶体与熔体成分不同。掺杂的元素或化合物以
降温法实验要点
• 降温速度一般取决于以下几个因素: • (1)晶体的最大透明生长速度,即在一定条件下不产生宏
观缺陷的最大生长速度。
• (2)溶解度的温度系数。 • (3)溶液的体积V和晶体生长表面积S之比,简称体面比。 • 一般来说,在生长初期降温速度要慢,到了生长后期可稍 快些。掌握规律后,也可按设定程序,实行自动降温。
5.水热法(高压溶液法)
• 基本原理:利用高温高压的水溶液使那些在大气条件下不溶或难溶于 水的物质通过溶解或反映生成该物质的溶解产物,并达到一定的过饱 和度而进行结晶和生长的方法。 • 特点:适于生长熔点很高,具有包晶反映或非同成分熔化而在常温常
压下又不溶于各种溶剂或溶解后即分解,且不能再结晶的晶体材料。
2.流动法(温差法)
• 基本原理:将溶液配制、过热处理、单晶生长等操作 过程分别在整个装置的不同部位进行,构成一个连续 的流程。 • 优点:利用这种方法生长大批量的晶体和培养大学晶 并不受晶体溶解度和溶液体积的限制,而只受容器大 小的限制, • 缺点:设备比较复杂,必须用泵强制溶液循环流动, 这在某种程度上限制了它的应用。
坩埚下降晶体炉的结构示意图
3) 泡生法(Kyropoulos, KY) 该方法的创始人是Kyropoulos,他的论 文发表于1926年。这种方法是将一要受冷 的籽晶与熔体接触,如果界面的温度低于 凝固点,则籽晶开始生长。为了使晶体不 断长大,就需要逐渐降低熔体的温度,同 时旋转晶体,以改善熔体的温度分布。也 可以缓慢的(或分阶段的)上提晶体,以 扩大散热面。晶体在生长过程中或生长结 束时不与坩埚壁接触,这就大大减少了晶 体的应力。不过,当晶体与剩余的熔体脱 离时,通常会产生较大的热冲击。70年代 以后,该方法已较少用于生长同成分熔化 的化合物,而多用于含某种过量组分的体 系,可认为目前常用的高温溶液顶部籽晶 法是该方法的改良和发展。
“基元” 过程的主要步骤:
基元的形成
基元在生长界面的吸附
基元在界面上结晶或脱附
基元在界面的运动
晶体的生长方式
•从固相中生长晶体 •从溶液中生长晶体 •从熔融液中生长晶体
•从气相中生长晶体
高质量晶体生长的条件
(1)反应体系的温度要控制得均匀一致,以防止
局部过冷或过热,影响晶体的成核和生长;
(2)结晶过程要尽可能地慢,以防止自发成核的 出现,因为一旦出现自发的晶核,就会生成许
度,甚至是千分之几度。
溶解度曲线
• 溶解度曲线是选择从溶液中生长
晶体的方法和生长温度区间的重
要依据。如对于溶解度温度系数 很大的物质,采用降温法比较理 想,但对于溶解度温度系数较小 的物质则宜采用蒸发法,对于具 有不同晶相的物质则须选择对所 需要的那种晶相是稳定的合适生 长温度区间。
• 主要途径有:
用高压形性转变生长晶体的典型例子
是金刚石的合成。
从溶液中生长单晶
•基本原理:将原料(溶质)溶解在溶剂中,采取适当的措施 造成溶液的过饱和,使晶体在其中生长。 • 溶液法具有以下优点: • (1)晶体可以在远低于其熔点的温度下生长。而 且,低温下生长的热源和生长容器也较易选择。 • (2)降低黏度。 • (3)容易长成大块的、均匀性良好的晶体,并且 有较完整的外形。 • (4)在多数情况下(低温溶液生长),可直接观察 晶体生长。
• (1)根据溶解度曲线,改变温度。
• (2)采取各种方式(如蒸发、电解)移去溶剂.改变溶
液成分。 • (3)通过化学反应来控制过饱和度。 • (4)用亚稳相来控制过饱和度,即利用某些物质的稳 定相和亚稳相的溶解度差别,控制一定的温度,使 亚稳相不断溶解,稳定相不断生长。
1.降温法
• 基本原理:利用物质较大的正溶解度温度系数,用这种方 法生长的物质的溶解度温度系数最好不低于1.5g/(kg溶 液·°C)。 • 适用于溶解度和温度系数都较大的物质,并需要一定的温 度区间。比较合适的起始温度是50—60℃,降温区间以 15—20℃为宜。
• 3)取向常常容易得到控制;
• 4)除脱溶以外的固相生长中,杂质和其他添加组 分的分布在生长前被固定下来,并且不被生长
过程所改变(除稍微被相当慢的扩散所改变外)。
从固相中生长晶体的方法主要有五种
(1)利用退火消除应变的再结晶
• 大部分利用应变—退火生长的晶体是金属单晶。 • 例如:由于铝的熔点低(660℃),对金属铝的再结晶和晶粒长大有许 多研究。在施加临界应变和退火生长过程前,铝的晶粒尺寸大约为 0.1mm。对99.99%的铝采用交替施加应变和退火的方法,获得了直径 为5mm的晶粒。也有研究利用诱导晶界迁移制取了宽为2.5cm的高纯度 单晶铝带。 • 用应变—退火的方法生长晶体的除铝以外,对铜、金、铁、钼、铌、