常用半导体器件 选择复习题
第4章常用半导体器件-选择复习题
1．半导体的特性不包括。
A. 遗传性
B.光敏性
C.掺杂性
D. 热敏性
2．半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为。
A.漂移运动
B. 扩散运动
C.有序运动
D.同步运动
3．N型半导体中的多数载流子是。
A.自由电子
B.电子
C.空穴
D.光子
4．P型半导体中的多数载流子是。
A.空穴
B.电子
C. 自由电子
D.光子
5．本征半导体中掺微量三价元素后成为半导体。
A.P型
B.N型
C.复合型
D.导电型
6．本征半导体中掺微量五价元素后成为半导体。
A. N型
B. P型
C.复合型
D.导电型
7．在PN结中由于浓度的差异，空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这就是。
A.扩散运动
B.漂移运动
C.有序运动
D.同步运动
8．将一个PN结两端各加一条引线，再封装起来，就成为一只。
A.二极管
B. 三极管
C.电子管
D.晶闸管
9．当外电场与内电场方向相同时，阻挡层，电子不容易通过。
A.变厚
B.变薄
C. 消失
D.变为导流层
10．当外电场与内电场方向相反时，阻挡层，电子容易通过。
A.变薄
B. 变厚
C. 消失
D.变为导流层
11．PN结的基本特性是。
A.单向导电性
B. 半导性
C.电流放大性
D.绝缘性
12．晶体三极管内部结构可以分为三个区，以下那个区不属于三极管的结构。
A.截止区
B. 发射区
C.基区
D.集电区
13．稳压二极管一般要串进行工作，以限制过大的电流。
A 电阻 B电容 C电感 D电源
14．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．0V B．3V C．10V D．1.5V
15．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．0V B．3V C．10V D．1.5V
16．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A． 3V B．0 V C．10V D．1.5V
17．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．0V B．3V C．10V D．1.5V
18．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A． 3V B．0V C．10V D．1.5V
19．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．3 V B． 0V C．10V D．1.5V
20．三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是 C 。
21．在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降U CE近似等于电源电压U CC，I C 近似等于零时，则该管的工作状态为。
A. 截止
B. 饱和
C.放大
D.不能确定
22．在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降U CE近似等于0，I C近似等于U CC/R C，则该管的工作状态为。
A.饱和
B.截止
C.放大
D.不能确定
23．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 6V
B. 4.6V
C. 5.3V
D. 1.4V
24．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 10.6V
B. 1.4V
C. 5.3V
D. 0V
25．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 1.4V
B. 4.6V
C. 5.3V
D. 6V
26．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 0.7V
B. 4.6V
C. 1.4V
D. 6V
27．在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值U Z=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为。
A. 5.3V
B. 4.6V
C. 1.4 V
D. 6V
28．二极管的用途不包括。
A. 放大
B.钳位
C.保护
D.整流
29．工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压U BE和集电结电压U BC应为。
A. U BE>0，U BC<0
B. U BE>0，U BC>0
C. U BE<0，U BC<0
D. U BE<0，U BC>0
30．在如图所示的二极管电路中，二极管Ｄ1导通；Ｄ2截止。设二极管正向压降为0V，则ＵAB为_______V。
Ａ. ０Ｂ.12 Ｃ. 15 D.27
31．晶体三极管工作在截止区的特点是_______。
Ａ.发射结和集电结均反偏Ｂ. 发射结和集电结均正偏
Ｃ.集电结正偏,发射结反偏Ｄ.集电结反偏,发射结正偏
32．晶体三极管工作在饱和区的特点是_______。
Ａ.发射结和集电结均正偏Ｂ.发射结和集电结均反偏
Ｃ.集电结正偏,发射结反偏Ｄ.集电结反偏,发射结正偏
33．晶体三极管工作在放大区的特点是_______。
Ａ.集电结反偏,发射结正偏Ｂ.发射结和集电结均反偏
Ｃ.集电结正偏,发射结反偏Ｄ.发射结和集电结均正偏34．适宜在低频电路工作的二极管是________。
Ａ. 面接触二极管Ｂ. 点接触二极管Ｃ.随便哪种均可35．适合在高频电路工作的二极管是________。
Ａ.点触型二极管Ｂ.面触型二极管Ｃ.随便哪种均可
36．稳压管的正常工作区域就是它的反向击穿区，在这个区域里电流幅度变化很大，而电压变化
______。
Ａ.很小Ｂ.很大Ｃ.不会变Ｄ.不定37．某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：2V，1.8V，9V。则可以判断此三极管为 ________。
Ａ..锗NPN管Ｂ锗PNP管Ｃ.硅PNP管Ｄ.硅NPN管38．某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：2V，1.3V，5V。则可以判断此三极管为：______。
Ａ. 硅NPN管Ｂ.锗NPN管Ｃ.硅PNP管Ｄ. 锗PNP管39．某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：-2V，-1.8V，-5V。则可以判断此三极管为：______。
Ａ.锗PNP管Ｂ.锗NPN管Ｃ.硅PNP管Ｄ.硅NPN管40．某放大器中晶体三极管三个极的电位分别是：-2V，-1.3V，-5V。则可以判断此三极管为：______。
Ａ.硅PNP管Ｂ.锗NPN管Ｃ. 锗PNP管Ｄ.硅NPN管
41．适宜在低频工作的二极管是________。
A.面接触二极管
B.点接触二极管
C.随便哪种均可
42．适合在高频工作的二极管是________。
A.点触型二极管
B.面触型二极管
C.随便哪种均可
43．在图示电路中，U Z1=2V，U Z2=5V，正向导通时U D＝0.7V，其输出电压为________V。
A. 7
B. 2.7
C. 5.7
D. 3.7
44．在图示电路中，U Z1=2V，U Z2=5V，正向导通时U D＝0.7V，其输出电压为________V。
A. 5.7
B. 7
C. 2.7
D. 3.7
45．在图示电路中，U Z1=2V，U Z2=5V，正向导通时U D＝0.7V，其输出电压为________V。
A. 2.7
B. 7
C. 5.7
D. 3.7
46．稳压管的正常工作区域就是它的反向击穿区，在这个区域里电流幅度变化很大，而电压变化______。
A.很小
B. 很大
C.不会变
D.不定
47．电路如图所示，二极管正向导通时U D＝0.7V，输出的电压应为：________V。
A. 0.7
B. 4.7
C. 3.3
D. 12
48．图示电路中，稳压管的稳压值为U Z1=2V，U Z2=5V，稳压管正向导通时U D＝0.7V，则输出电压U0为________。
A. 2
B. 7
C. 5
D. 0.7
49．图示电路中，稳压管的稳压值为U Z1=2V，U Z2=5V，稳压管正向导通时U D＝0.7V，则输出电压U0为________。
A. 0.7
B. 7
C. 5
D. 2
50．图示电路中，稳压管的稳压值为U Z1=2V，U Z2=5V，稳压管正向导通时U D＝0.7V，则输出电压U0为________。
A. 0.7
B. 7
C. 5
D. 2
51．图示电路中，稳压管的稳压值为U Z1=2V，U Z2=5V，稳压管正向导通时U D＝0.7V，则输出电压U0为________。
A. 1.4
B.2.7
C. 5.7
D. 7
半导体器件物理与工艺复习题(2015)
半导体器件物理复习题 第二章： 1） 带隙：导带的最低点和价带的最高点的能量之差，也称能隙。 物理意义：带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低 2）什么是半导体的直接带隙和间接带隙？ 其价带顶部与导带最低处发生在相同动量处(p ＝0)。因此，当电子从价带转换到导带时，不需要动量转换。这类半导体称为直接带隙半导体。 3）能态密度：能量介于E ～E+△E 之间的量子态数目△Z 与能量差△E 之比 4）热平衡状态：即在恒温下的稳定状态.(且无任何外来干扰,如照光、压力或电场). 在恒温下,连续的热扰动造成电子从价带激发到导带，同时在价带留下等量的空穴.半导体的电子系统有统一的费米能级,电子和空穴的激发与复合达到了动态平衡，其浓度是恒定的，载流子的数量与能量都是平衡。即热平衡状态下的载流子浓度不变。 5）费米分布函数表达式？ 物理意义：它描述了在热平衡状态下,在一个费米粒子系统（如电子系统）中属于能量E 的一个量子态被一个电子占据的概率。 6 本征半导体价带中的空穴浓度： 7）本征费米能级Ei ：本征半导体的费米能级。在什么条件下，本征Fermi 能级靠近禁带的中央：在室温下可以近似认为费米能级处于带隙中央 8） 本征载流子浓度n i : 对本征半导体而言，导带中每单位体积的电子数与价带每单位体积的空穴数相同,即浓度相同，称为本征载流子浓度，可表示为n ＝p ＝n i . 或：np=n i 2 9) 简并半导体：当杂质浓度超过一定数量后，费米能级进入了价带或导带的半导体。 10) 非简并半导体载流子浓度 : 且有: n p=n i 2 其中: n 型半导体多子和少子的浓度分别为: p 型半导体多子和少子的浓度分别为: 第三章： 1）迁移率：是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大。定义为： 2）漂移电流: 载流子在热运动的同时，由于电场作用而产生的沿电场力方向的定向运动称作漂移运动。所构成的电流为漂移电流。定向运动的平均速度叫做漂移速度。在弱电场下，载流子的漂移速度v 与电场强度E 成正比, 定义为： m q c τμ =
电路分析基础试题库
《电路分析基础》试题库 第一部分填空题 1.对于理想电压源而言，不允许路，但允许路。 2.当取关联参考方向时，理想电容元件的电压与电流的一般关系式 为。 3.当取非关联参考方向时，理想电感元件的电压与电流的相量关系式 为。 4.一般情况下，电感的不能跃变，电容的不能跃变。 5.两种实际电源模型等效变换是指对外部等效，对内部并无等效可言。当端 子开路时，两电路对外部均不发出功率，但此时电压源发出的功率为，电流源发出的功率为；当端子短路时，电压源发出的功率为，电流源发出的功率为。 6.对于具有n个结点b个支路的电路，可列出个独立的KCL方程， 可列出个独立的KVL方程。 7.KCL定律是对电路中各支路之间施加的线性约束关系。 8.理想电流源在某一时刻可以给电路提供恒定不变的电流，电流的大小与端 电压无关，端电压由来决定。 9.两个电路的等效是指对外部而言，即保证端口的关系相 同。
10. RLC 串联谐振电路的谐振频率 = 。 11. 理想电压源和理想电流源串联，其等效电路为 。理想电流源和 电阻串联，其等效电路为 。 12. 在一阶RC 电路中，若C 不变，R 越大，则换路后过渡过程越 。 13. RLC 串联谐振电路的谐振条件是 =0。 14. 在使用叠加定理适应注意：叠加定理仅适用于 电路；在各分电路 中，要把不作用的电源置零。不作用的电压源用 代替，不作用的电流源用 代替。 不能单独作用；原电路中的 不能使用叠加定理来计算。 15. 诺顿定理指出：一个含有独立源、受控源和电阻的一端口，对外电路来说， 可以用一个电流源和一个电导的并联组合进行等效变换，电流源的电流等于一端口的 电流，电导等于该一端口全部 置零后的输入电导。 16. 对于二阶电路的零输入相应，当R=2C L /时，电路为欠阻尼电路，放电 过程为 放电。 17. 二阶RLC 串联电路，当R 2 C L 时，电路为振荡放电；当R = 时，电路发生等幅振荡。 18. 电感的电压相量 于电流相量π/2，电容的电压相量 于 电流相量π/2。
半导体器件物理试题
1.P-N结雪崩击穿、隧道击穿和热击穿的原理 2.简述晶体管开关的原理 3.简述晶体管4个频率参数的定义并讨论它们之间的大小关系 4.简述弗仑克耳缺陷和肖特基缺陷的特点、共同点和关系 5.以NPN型晶体管为例，试论述晶体管在不同工作模式下基区少数载流子分 布特征及与晶体管输出特性间的关系 6.请阐述MOSFET的基本结构并结合示意图说明在不同外置电压情况下其工 作状态和输出特性 7.叙述非平衡载流子的产生和复合过程，并描述影响非平衡载流子寿命的因素 8.论述在外加直流电压下P-N结势垒的变化、载流子运动以及能带特征 9.试叙述P-N结的形成过程以及P-N结外加电压时其单向导电特征 10.何谓截止频率、特征频率及振荡频率，请叙述共发射极短路电流放大系数与 频率间的关系 11.请叙述晶体管四种工作模式并分析不同模式下基区少数载流子的分布特征 12.请画出P型半导体理想MOS的C-V曲线，并叙述曲线在不同外加电信号作 用下的曲线特征及原因 13.影响MOS的C-V特性的因素有哪些？它们是如何影响C-V曲线的 14.MOS中硅-二氧化硅，二氧化硅层中有哪些影响器件性能的不利因素 15.介绍MIS结构及其特点，并结合能带变化论述理想MIS结构在加不同偏压 时半导体表面特征 16.晶体管具备放大能力须具备哪些条件 17.饱和开关电路和非饱和开关电路的区别（各自有缺点）是什么 18.简述势垒区正负空间电荷区的宽度和该区杂质浓度的关系 19.结合能带图简述绝缘体、半导体及导体的导电能力 20.说明晶体管具有电信号放大能力的条件并画出不同情况下晶体管的输入输 出曲线并描述其特征 21.请画图并叙述晶体管电流放大系数与频率间的关系 22.请画出MOSFET器件工作中的输出特性及转移特性曲线并描述其特征 23.请叙述双极型晶体管和场效应晶体管的工作原理及区别 24.画出CMOS倒相器的工作图并叙述其工作原理 25.提高双极型晶体管功率增益的途径有哪些 26.请描述双极型晶体管大电流特性下的三个效应 27.画出共基极组态下的晶体管输入及输出特性曲线
广州大学电路试卷1-1
电路基础 模拟试卷1 一、单项选择题：在下列各题中，有四个备选答案，请将其中唯一正确的答案填入题干的括号中。 (本大题共7小题，总计35分) 1、(本小题5分) 电路如图示, a 、b 点对地的电压U a 、U b 与I 为( ) A. U a =2 V ，U b =1 V ，I =1 A B. U a =1 V ，U b =2 V ，I =-1 A C. U a =2 V ，U b =2 V ，I =0 A D. U a =1 V ，U b =1 V ，I =0 A 2、(本小题5分) 电路如图所示, 该电路的功率守恒表现为 ( ) A. 电阻吸收1 W 功率, 电流源供出1 W 功率 B. 电阻吸收1 W 功率, 电压源供1 W 出功率 C. 电阻与电压源共吸收1 W 功率, 电流源供出1 W 功率 D. 电阻与电流源共吸收1 W 功率, 电压源供出1 W 功率 3、(本小题5分) 电路如图所示，t =0时开关闭合，则t ≥0时u t ()为（ ） A. ---1001200(e )V t B. (e )V -+-505050t C. 501200(e )V --t D. ---501200(e )V t 010μ 4、(本小题5分) 5、(本小题5分) 图示电容元件的()u 00=，()i t t =sin A ，则电容贮能()W π等于：( ) A.0 B. 1 J C. 2 J D. 4 J 2F 6、(本小题5分) 图示二端网络的戴维南等效电路的两参数为：( ) A. 2V 、 2Ω B. 2V 、 2.22Ω C. 7V 、 2Ω D. 7V 、 2.22Ω
电路分析选择题试题库
1-1.电路分类按电路参数分有BD，按电路性质分有AC。（A.线性电路 B.集总参数电路 C.非线性电路 C.分布参数电路） 1-2.实现信息的传送和处理的电路称为_B_电路。（A ．电工 B ．电子 C ．强电） 1-3.实现电能的输送和变换的电路称为__C__电路。（A．电子 B．弱电 C．电工 D．数字） 1-4.实际电路的几何尺寸远小于其工作信号波长，这种电路称为B电路。（A．分布参数 B．集总参数） 1-5.若描述电路特性的所有方程都是线性代数方程或线性微积分方程，则这类电路是A电路。（A．线性 B．非线性） 2-1.电压的单位是B，电流的单位是A，有功功率的单位是D，能量的单位是E。（A.安培 B.伏特 C.伏安 D.瓦 E.焦耳 F.库仑） 2-2.某元件功率为正（0 P>），说明该元件__B__功率，则该元件是__D__。（A．产生 B．吸收 C．电源 D．负载） 2-3.电容是BC元件，电容上的电压F，流过电容的电流E。（A.耗能 B.储能 C.记忆 D.无记忆 E.能跃变 F.不能跃变） 2-4.图示电路中a、b端的等效电阻R ab在开关K打开与闭合时分别为A。 A. 10，10 B. 10，8 C. 10，16 D. 8，10 2-5..电位的单位是A，无功功率的单位是E，视在功率的单位是C，电荷的单位是F，电流的单位是B。（A.伏特(V) B.安培(A) C.伏安(VA) D.瓦(W) E.泛尔(Var) F.库仑(C)）2-6. 电容电压u c具有连续性，所以电容上的电压B，电容具有记忆C。（A.能跃变 B.不能跃变 C.电流作用 D.电压作用） 2-7.独立电源有A和B两种。（A.电压源 B.电流源 C.受控源） 4 4 16 a b
常用半导体器件复习题
第1章常用半导体器件 一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分） 1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（） 4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） 5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，且集电结也是正偏。（）6．晶体三极管的β值，在任何电路中都是越大越好。( ) 7．模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。( ) 8．稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。( ) 9．发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。( ) 10．光电二极管外加合适的正向电压时，可以正常发光。( ) 一、判断题答案：（每题1分） 1．√； 2．×； 3．√； 4．√； 5．×； 6．×； 7．√； 8．×； 9．×； 10．×。
二、填空题（每题1分） 1．N型半导体中的多数载流子是电子，P型半导体中的多数载流子是。2．由于浓度不同而产生的电荷运动称为。 3．晶体二极管的核心部件是一个，它具有单向导电性。 4．二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时，外加反向电压时截止。5．三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结偏置。6．场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是：场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b，源极S对应晶体三极管，漏极D对应晶体三极管的集电极c。7．PN结加正向电压时，空间电荷区将。 8．稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定的电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流围表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。 9．晶体三极管三个电极的电流I E 、I B 、I C 的关系为：。 10．发光二极管的发光颜色决定于所用的，目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色。 二、填空题答案：（每题1分） 1．空穴 2．扩散运动 3．PN结 4．导通 5．反向 6．发射机e 7．变薄 8．反向 9．I E ＝I B ＋I C 10．材料 三、单项选择题（将正确的答案题号及容一起填入横线上，每题1分）
半导体器件物理复习题
半导体器件物理复习题 一． 平衡半导体： 概念题： 1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义） 所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。 2. 本征半导体： 本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。 3. 受主（杂质）原子： 形成P 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅲ族元素）。 4. 施主（杂质）原子： 形成N 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅴ族元素）。 5. 杂质补偿半导体： 半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。 6. 兼并半导体： 对N 型掺杂的半导体而言，电子浓度大于导带的有效状态密度， 费米能级高于导带底（0F c E E ->）；对P 型掺杂的半导体而言，空穴浓度大于价带的有效状态密度。费米能级低于价带顶（0F v E E -<）。
7. 有效状态密度： 在导带能量范围（ ~c E ∞ ）内，对导带量子态密度函数 导带中电子的有效状态密度。 在价带能量范围（ ~v E -∞） 内，对价带量子态密度函数 8. 以导带底能量c E 为参考，导带中的平衡电子浓度： 其含义是：导带中的平衡电子浓度等于导带中的有效状态密度乘以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。 9. 以价带顶能量v E 为参考，价带中的平衡空穴浓度： 其含义是：价带中的平衡空穴浓度等于价带中的有效状态密度乘以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。 10.
11. 12. 13. 14. 本征费米能级Fi E ： 是本征半导体的费米能级；本征半导体费米能级的位置位于禁带 带宽度g c v E E E =-。？ 15. 本征载流子浓度i n ： 本征半导体内导带中电子浓度等于价带中空穴浓度的浓度 00i n p n ==。硅半导体，在300T K =时，1031.510i n cm -=?。 16. 杂质完全电离状态： 当温度高于某个温度时，掺杂的所有施主杂质失去一个电子成为带正电的电离施主杂质；掺杂的所有受主杂质获得一个电子成为带负电的电离受主杂质，称谓杂质完全电离状态。 17. 束缚态： 在绝对零度时，半导体内的施主杂质与受主杂质成电中性状态称谓束缚态。束缚态时，半导体内的电子、空穴浓度非常小。 18. 本征半导体的能带特征： 本征半导体费米能级的位置位于禁带中央附近，且跟温度有关。如果电子和空穴的有效质量严格相等，那么本征半导体费米能级
大学电路基础试卷
一、填空题（每小题1分，共30分） 1．电流的实际方向与电流的参考方向一致时，电流为值（正、负）。2．RLC串联回路，谐振时的频率为。 3．一个二端网络的戴维南等效电路中的电阻为10Ω，则该二端网络的诺顿等效电路中的电阻为Ω。 4．一个不含独立电源的二端网络可以用一个元件等效。 5．1A的电流通过12Ω的电阻，经过10分钟所产生的总热量为。6．如图1所示，U ab＝-6V，a点电位比b点电位。 7．在图2所示电路中,已知I1＝1 A, 则I2＝A。 图1 图2 图3 8．【 9．在图3所示的正弦交流电路中，已知交流电压表1V和2V的读数，则0V的读数为。 10．三相电源供电方式有三相四线制和制两种，照明电路的供电必须用制。 10．照明电路的相电压为线电压为。 11．正弦电流i(t)=10sin(200πt+10o)A的频率为________, 有效值为________。12．三极管工作在放大区时，基极电流I B和集电极电流I C应满足的关系为。 13．场效应管是控制元件，晶体三极管是控制元件。
14．晶体管用微变等效电路代替的条件是___________________________。15．由三极管的输出特性曲线可知，它可分为区、区和区。16．晶体管当作放大元件使用时，要求其工作在状态，而被当作开关元件使用时，要求其工作在状态和状态。 17．多级放大器的级间耦合方式常用的有阻容耦合、直接耦合和耦合，集成运算放大器的内部多采用耦合方式。 （ 18．集成运算放大器通常由级、中间级、级三部分组成。19．功率放大器分为甲类放大、、等种类，其中功 率放大器效率最高。 】 （硅、锗）管，三个管脚极性分别为 （对应1、2、3）。 21．理想电流源的内阻应该是______。 22．基本差动放大电路对信号有放大作用，对信号有抑制作用。23．为了稳定放大器的输出电压可采用反馈。 24．在交流放大电路中引用直流负反馈的作用是。25．放大电路中引入电压并联负反馈后，放大电路闭环输入电阻将变，输出电阻将变。 26．一般来说，正弦波振荡电路应该具有放大电路和反馈网络，此外，电路中还应包含。 27．在差分放大电路中，两个输入端的信号大小相等、极性或相位相同的称为
电路分析试题
一、单项选择题：在下列各题中，有四个备选答案，请将其中唯一正确的答案填入下表中。 (本大题共10小题，每小题3分，总计30分) 1、图1所示为一已充电到u C =8V 的电容器对电阻R 放电的电 路，当电阻分别为1k Ω，6 k Ω，3 k Ω和4 k Ω 时得到4条u t C ()曲线如图2所示，其中对4 k Ω电阻放电的u t C ()曲线是： 答（ ） 2、在图示电路中，开关S 在t = 0瞬间闭合，若u C ()04-=V ，则)0(+i 等于：答（ ） A .0.6 A B. 0.4 A C.0.8A D. —0.6A C 3、若一阶电路的时间常数为3s ，则零输入响应经过3s 后衰减为原值的： 答（ ） A. 5 % B. 13.5 % C.36.8 % D.63.2% 4、图示电路的时间常数τ为： 答（ ） A. 3 μs B. 4.5 μs C. 6 μs D.4 μs F
5、 2 432s s ++的拉氏反变换式是 答 ( ) A. 223e e ---t t B. 223e e ---t t C. e e ---3t t D. e e ---t t 3 6、图示电感的拉氏变换运算电路（s 域模型）是： 答（ ） 7、图示电路转移电压比 U s U s o S () () 的形式为： 答( ) + _ _ +u S u O 8、电路的图G 如图所示，构成G 的树的支路集合是 答（ ） A. {1，2，3，4} B. {2，3，4} C. {5，6，7，8} D. {1，3，6，8} 9、二端口网络Z 参数中，z 11是二端口网络的： 答 ( ) A. 输入端阻抗 B. 输出端短路时的输入端阻抗 C. 输出端开路时的输入端阻抗 D. 以上皆非 10、已知,4,3V,2V,12 121====A A U U 则图示电路的U o 等于： 答（ ）
半导体器件物理复习
第一章 1、费米能级和准费米能级 费米能级：不是一个真正的能级，是衡量能级被电子占据的几率的大小的一个标准，具有决定整个系统能量以及载流子分布的重要作用。 准费米能级：是在非平衡状态下的费米能级，对于非平衡半导体，导带和价带间的电子跃迁失去了热平衡，不存在统一费米能级。就导带和价带中的电子讲，各自基本上处于平衡态，之间处于不平衡状态，分布函数对各自仍然是适应的，引入导带和价带费米能级，为局部费米能级，称为“准费米能级”。 2、简并半导体和非简并半导体 简并半导体：费米能级接近导带底(或价带顶)，甚至会进入导带(或价带)，不能用玻尔兹曼分布，只能用费米分布 非简并半导体：半导体中掺入一定量的杂质时，使费米能级位于导带和价带之间3、空间电荷效应 当注入到空间电荷区中的载流子浓度大于平衡载流子浓度和掺杂浓度时，则注入的载流子决定整个空间电荷和电场分布，这就是空间电荷效应。在轻掺杂半导体中，电离杂质浓度小，更容易出现空间电荷效应，发生在耗尽区外。 4、异质结 指的是两种不同的半导体材料组成的结。 5、量子阱和多量子阱 量子阱：由两个异质结或三层材料形成，中间有最低的E C和最高的E V，对电子和空穴都形成势阱，可在二维系统中限制电子和空穴 当量子阱由厚势垒层彼此隔开时，它们之间没有联系，这种系统叫做多量子阱 6、超晶格 如果势垒层很薄，相邻阱之间的耦合很强，原来分立的能级扩展成能带(微带)，能带的宽度和位置与势阱的深度、宽度及势垒的厚度有关，这种结构称为超晶格。 7、量子阱与超晶格的不同点 a.跨越势垒空间的能级是连续的 b.分立的能级展宽为微带 另一种形成量子阱和超晶格的方法是区域掺杂变化 第二章 1、空间电荷区的形成机制 当这两块半导体结合形成p-n结时，由于存在载流子浓度差，导致了空穴从p区到n 区，电子从n区到p区的扩散运动。对于p区，空穴离开后，留下了不可动的带负电的电离受主，这些电离受主，没有正电荷与之保持电中性，所以在p-n结附近p 区一侧出现了一个负电荷区。同理，n区一侧出现了由电离施主构成的正电荷区，这些由电离受主和电离施主形成的区域叫空间电荷区。 2、理想p-n结 理想的电流-电压特性所依据的4个假设： a.突变耗尽层近似 b.玻尔兹曼统计近似成立 c.注入的少数载流子浓度小于平衡多数载流子浓度 d.在耗尽层内不存在产生-复合电流3、肖克莱方程（即理想二极管定律） 总电流之和J=J p+J n=J0[exp(qV kT )?1]，其中J0=qD p0n i2 L p N D +qD n n i2 L n N A 肖克莱方程准确描述了在低电流密度下p-n结的电流-电压特性，但也偏离理想情形，原因：a耗尽层载流子的产生和复合b在较小偏压下也可能发生大注入c串联电阻效应d载流子在带隙内两个状态之间的隧穿表面效应 4、p-n结为什么是单向导电 在正向偏压下，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过。在反向偏压下，空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过，反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大，电流会大到将PN结烧毁，表现出pn结具有单向导电性。 5、扩散电容和势垒电容 扩散电容：p-n结正向偏置时所表现出的一种微分电容效应 势垒电容：当p-n结外加电压变化时，引起耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。 6、击穿的机制 击穿仅发生在反向偏置下 a.热击穿：在高反向电压下，反向电流引起热损耗导致结温增加，结温反过来又增加了反向电流，导致了击穿 b.隧穿:在强电场下，由隧道击穿，使电子从价带越过禁带到达导带所引起的一种击穿现象 c.雪崩倍增：当p-n结加的反向电压增加时，电子和空穴获得更大的能量，不断发生碰撞，产生电子空穴对。新的载流子在电场的作用下碰撞又产生新的电子空穴对，使得载流子数量雪崩式的增加，流过p-n结的电流急剧增加，导致了击穿 6、同型异质结和反型异质结 同型异质结：两种不同的半导体材料组成的结，导电类型相同 异型异质结：两种不同的半导体材料组成的结，导电类型不同 8、异质结与常规的p-n结相比的优势 异质结注入率除了与掺杂比有关外，还和带隙差成指数关系，这点在双极晶体管的设计中非常关键，因为双极晶体管的注入比与电流增益有直接的关系，异质结双极晶体管(HBT)运用宽带隙半导体材料作为发射区以减小基极电流 第三章 1、肖特基二极管 肖特基二极管是一种导通电压降较低，允许高速切换的二极管，是利用肖特基势垒特性而产生的电子元件，一般为0.3V左右，且具有更好的高频特性 优点：其结构给出了近似理想的正向I-V曲线，其反向恢复时间很短，饱和时间大为减少，开关频率高。正向压降低，工作在0.235V 缺点：其反向击穿电压较低及方向漏电流偏大 2、肖特基二极管和普通二极管相比 优：开关频率高，正向电压降低缺：击穿电压低，反向电流大 3、欧姆接触 欧姆接触定义为其接触电阻可以忽略的金属-半导体接触 它不产生明显的附近阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变，重掺杂的p-n结可以产生显著的隧道电流，金属和半导体接触时，如果半导体掺杂浓度很高，则势垒区宽度变得很薄，电子也要通过隧道效应贯穿势垒产生相当大的隧道流，甚至超过热电子发射电流而成为电流的主要成分。当隧道电流占主导地位时，它的接触电阻可以很小，可以用作欧姆接触。 制造欧姆接触的技术：a.建立一个更重掺杂的表面层 b.加入一个异质结，附加一个小带隙层材料、同种类型半导体的高掺杂区 4、整流接触 肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触面（形成阻挡层），如同二极管具有整流特性。肖特基势垒相较于PN接面最大的区别在于具有较低的接面电压，以及在金属端具有相当薄的耗尽层宽度。 5、区别金属-半导体接触的电流输运主要依靠多子，而p-n结主要依靠少数载流子完成电流输运 第四章 1、MIS的表面电场效应 当VG=0时，理想半导体的能带不发生弯曲，即平带状态，在外加电场作用下，在半导体表面层发生的物理现象，主要在载流子的输运性质的改变。表面势及空间电荷区的分布随电压VG而变化。归纳为三种情况：积累，耗尽，反型。对于p型半导体 多子积累：当金属板加负电压时，半导体表面附近价带顶向上弯曲并接近于费米能级，对理想的MIS电容，无电流流过，所以费米能级保持水平。因为载流子浓度与能量差呈指数关系，能带向上弯曲使得多数载流子（空穴）在表面积累 耗尽：当施加小的正电压时，能带向下弯曲，多数载流子耗尽 反型：施加更大的正电压，能带更向下弯曲，以致本征费米能级和费米能级在表面附近相交，此时表面的电子（少数载流子）数大于空穴数，表面反型 2、解释MIS的C-V曲线图 高低频的差异是因为少数载流子的积累 a.低频时，左侧为空穴积累时的情形，有大的半导体微分电容，总电容接近于绝缘体电容；当负电压降为零时，为平带状态；进一步提高正向电压，耗尽区继续扩展，可将其看作是与绝缘体串联的、位于半导体表面附近的介质层，这将导致总电容下降，电容在达到一个最小值后，随电子反型层在表面处的形成再次上升，强反型时，电荷的增量不再位于耗尽层的边界处，而是在半导体表面出现了反型层导致了大的电容。 b.高频时，强反型层在φs≈2φB处开始，一旦强反型发生。耗尽层宽度达到最大，当能带弯曲足够大，使得φs=2φB时，反型层就有效的屏蔽了电场向半导体内的进一步渗透，即使是变化缓慢的静态电压在表面反型层引发附加电荷，高频小信号对于少数载流子而言变化也是很快的。增量电荷出现在耗尽层的边缘上 第五章 1、三种接法共基、共射、共集 2、四种工作状态 放大：发射极正偏，集电极反偏饱和：都正偏 截止：都反偏发向：发射极反偏，集电极正偏 3、Kirk效应（基区展宽效应） 在大电流状态下，BJT的有效基区随电流密度增加而展宽，准中性基区扩展进入集电区的现象，称为Kirk效应 产生有效基区扩展效应的机构主要是大电流时集电结N?侧耗尽区中可移动电荷中和离化的杂质中心电荷导致空间电荷区朝向远离发射结方向推移。 4、厄尔利效应（基区宽度调制效应） 当双极性晶体管（BJT）的集电极－发射极电压VCE改变，基极－集电极耗尽宽度WB-C（耗尽区大小）也会跟着改变。此变化称为厄利效应 5、发射区禁带宽度变窄 在重掺杂情况下，杂质能级扩展为杂质能带，当杂质能带进入了导带或价带，并相连在一起，就形成了新的简并能带，使能带的状态密度发生变化，简并能带的尾部伸入禁带，导致禁带宽度减小，这种现象称为禁带变窄效应。
大学电路期末考试题
1．下列关于电路中参考方向叙述正确的是 ( ) A．参考方向是为了计算电路的方便而假定的方向。 B．参考方向一定与实际方向相反。 C．参考方向一定与实际方向一致。 D．若某元件的电压与电流参考方向一致，则该元件的电压与电流的实际方向也一致。 2．电路如图1所示，则图中I的电流大小为 ( ) A．0 A B. 0.5 A C. A D. 1.5 A 3．电路如图2所示，电路中a、b两端间等效电阻R ab为 ( ) A.3 Ω B. 4 Ω C. 5 Ω D. 6 Ω 4．电路如图3所示，m与n点的电位差为 ( ) A. 1 0 V B. 1 1 V C. 1 2 V D. 1 3 V 5．已知函数波形如图4所示，则用单位阶跃函数描述正确的为( )。 A．2
B. 2 C. 2 D. 2 6．已知正弦量，则该正弦量所对应的相量可以表示为 ( )。 A.5 B. 5 C. 5 D. 7．已知如图5所示的某单一元件电压、电流分别为，, 则该元件为( )。 A．电压源 B. 电阻 C. 电感 D. 电容 二、填空题
1．电路如图6所示，则端口ab的开路电压大小为。 2. 电路如图7所示，则端口的等效阻抗R eq的大小为。 4．一只额定功率为40W的日光灯接到 110V，50Hz的交流电上，其等效 电路如图9所示。测得电路上的电流为 A,则该日光灯的功率因数为。 5．已知某函数f(t)=3+4, 则该函数通过拉普拉斯变换后的象函数为。 6. 电路如图10所示，电路原来处于稳态，t=0时开关断开，则) 为。 8．耦合电感电路如图12所示，该端口的等效电感大小为。 三、分析计算题 (10分) 电路如图14所示，通过分析和计算求：(1) U x的大小；(2)受控源的功率； (3) 受控源实际上吸收功率还是发出功率？
电路分析基础试卷
“电路分析基础”试题(120分钟)—III 一、 单项选择题（在每个小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的 填入提干的括号。每小题2分，共40分） 1、 图示电路中电流i 等于（ ） 1）1A 2）2A 3）3A 4）4A 2、图示单口网络的短路电流sc i 等于（ ） 1）1A 2）1.5A 3）3A 4） -1A 3、图示电路中电压 u 等于（ ） 1）4V 2）-4V 3）6V 4）-6V 4、图示单口网络的开路电压oc u 等于（ ） 1）3V 2）4V 3）5V 4）9V 7A Ω 16V Ω - 10V + u -+ Ω1Ω 26V 3V
5、图示电路中电阻R吸收的功率P等于（） 1）3W 2）4W 3）9W 4）12W 6、图示电路中负载电阻 L R吸收的最大功率等于（）1）0W 2）6W 3）3W 4）12W 7、图示单口网络的等效电阻等于（） 1）2Ω 2）4Ω 3）6Ω 4）-2Ω 8、图示电路中开关断开时的电容电压 ) 0(+ c u等于（ 1）2V 2）3V 3）4V 4）0V 9、图示电路开关闭合后的电压 ) (∞ c u等于（） 1）2V 2）4V 3）6V 4）8V Ω 2 Ω 1 5:1 L R Ω 4 a b 2V 6V - c u
10、图示电路在开关断开后电路的时间常数等于（ ） 1）2S 2）3S 3）4S 4）7S 11、图示电路的开关闭合后，电感电流)(t i 等于（） 1）t e 25- A 2）t e 5.05- A 3）)1(52t e -- A 4）)1(55.0t e -- A 12、图示正弦电流电路中电压)(t u 的振幅等于（） 1）1V 2）4V 3）10V 4）20V 14、图示单口网络相量模型的等效阻抗等于（） 1）(3+j4) Ω 2）(0.33-j0.25) Ω 3）(1.92+j1.44) Ω 4）(0.12+j0.16) Ω 15、图示单口网络相量模型的等效导纳等于（） 1）(0.5+j0.5) S 2）(1+j1) S 3）(1-j1) S 4）(0.5-j0.5) S 16、图示单口网络的功率因素为（） Ω 2F 15A 1H u 1H s u V t t u s )2cos()(=_ Ω 4j b Ω -1j Ω 3
电子元器件基础知识考试试题及答案
电子元器件基础知识考试试题及答案 部门： 姓名 得分： 一、 填空题（每题5分，共30分） 1. 电阻器是利用材料的电阻特性制作出的电子元器件，常用单位有欧姆（Ω）、千欧（KΩ）和兆欧（MΩ）， 各单位之间的转换关系为1MΩ=103KΩ＝106Ω。 2. 电阻器阻值的标示方法有直标法、数字法和色标法。 3. 电感器是用导线在绝缘骨架上单层或多层绕制而成的，又叫电感线圈。 4. 二极管按材料分类，可分为锗管和硅管。 5. 三极管按导电类型可分为PNP 型和NPN 型。 6. 碳膜电阻为最早期也最普遍使用的电阻器，利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂一层碳膜，再将碳膜外层加工切割成螺旋纹状，依照螺旋纹的多寡来定其电阻值，螺旋纹愈多时表示电阻值愈大。 二、 判断题（每题5分，共25分） 1. 电阻量测不能带电测试，待测物要独立存在。 （正确） 2. 电阻器按安装方式可分为：固定电阻、可调电阻、特种电阻（敏感电阻）。 （正确） 3. 二极管又称晶体二极管，简称二极管，可以往两个方向传送电流。 （错误） 4. 三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。具有两个电极，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。 （错误） 5. 扼流线圈又称为扼流圈、阻流线圈、差模电感器，是用来限制交流电通过的线圈，分高频阻流圈和低频阻流圈。 （正确） 三、 简答题（每题15分，共45分） 1. 读出右图两个色环电阻的阻值及误差,并根据电容的标识方法读出贴片电容212J 和104K 的电容值及误差。 答： 1. 270Ω，5% 2. 200 KΩ，1% 3. 212J: 21*102 pF=2100 pF=2.1 nF , 5% 4. 104K: 10*104 pF=100 nF , 10% 2. 简述右图符号分别表示那些特性的晶体管。 答： 1. 普通二极管 2. 稳压二极管 3. 发光二极管 4. 光电二极管 3．列举3个常用的电子元器件并简述其用万用表简单的检测方法。 答： 1. 电阻器：万用表电阻档直接测量。 2．电容器：容量用万用表直接测量，充放电采用适当的电阻档观察阻值变化确定。 3. 电感器：万用表的Rx1挡，测一次绕组或二次绕组的电阻值，有一定阻值为正常。 4. 二极管：用万用表测量正反向电阻，用万用表二极管档测量正反向压降。 5. 三极管：用万用表二极管档位判断三极管基极和类型，利用数字万用表h FE 档可测出三极管的集电 极C 和发射极E ，测出正反向压降。 1 2
中国矿业大学电路试卷1
电路试题库试卷(答题时间：100分钟) 一：选择题（每题3分，共30分） 1. 图示电路，电流源的功率为 ； (1) 吸收4W (2) 发出4W (3) 吸收6W (4) 发出6W 2. 图示二端口网络的等效电路为 ； (1) (2) (3) (4) 3. 图示电路中，电流I ＝ ； (1)A )24448(I -+- = (2) A )2444448(I -+++-= 4V 3A a b ＋ － 2Ω 40V b a ＋ － 10V b a ＋ － 40V b a b
(3) A )2 4 4 4 8 ( I+ + = (4) A )2 4 4 4 8 ( I+ + - = 4. 图示电路中，运算放大器视为理想元件，可求得 = 1 2 u u ； (1) 3 (2) 4 (3) 5 (4) 12 5.图示正弦稳态电路中，测得U R＝3V，U L＝8V，U C＝4V，则U＝。 (1) 7V (2) 5V (3) 15V (4) 11V 6. 图示正弦稳态电路，则端电压u的瞬时值为； (1) 8cos10t V (2) －10cos10t V (3) 12cos10t V (4)10cos10t V 7. 下列各电路中,在电阻增大后，谐振频率将发生变化的是： (1) R、L、C串联电路(2) R、L串联后与C并联的电路 (3) R、L、C并联电路(4) 以上三种电路 8. 已知图示正弦交流电路的无功功率Q=120 -var，则其视在功率S= ； (1) 168V A (3) 200V A (2) 180V A (4) 150V A 30Ω－j40Ω ＋－ R L C ＋＋＋－ － － U . .U R .U L . U C
电路分析试题及答案
电路分析试题及答案内部编号：（YUUT-TBBY-MMUT-URRUY-UOOY-DBUYI-0128）
电路分析期中练习题 班级:___________学号:___________姓名:___________得分:___________ 一、单项选择题(10小题，共20分) 1．已知接成Y 形的三个电阻都是30Ω，则等效?形的三个电阻值为（ ）。 A 、全是10Ω B 、两个30Ω一个90Ω C 、两个90Ω一个30Ω D 、全是90Ω 2. 电路如图所示，其网孔方程是： ? ??=+-=-04001003 2003002121I I I I 则CCVS 的控制系数r 为 A 、100Ω B 、-100Ω C 、50Ω D 、-50Ω 3. 如图所示，电路中电流I 为（ ）。 A 、-2.5A B 、2.5A C 、-1.5A D 、1.5A 4. 如图所示，电路中理想电流源的功率为（ ）。 A 、30W B 、60W C 、20W D 、-20W 5. 如图所示，二端网络a 、b 端的等效电阻为（ ）。 A 、12Ω B 、36Ω C 、48Ω D 、24Ω 10 2A 10 10 +40V I
6. 如图所示，电路中电阻1Ω吸收的功率为（ ）。 A 、1W B 、4W C 、9W D 、81W 7. 如图所示，电路中电压U S 为（ ）。（提示：计算每条支路电流和电压） A 、4V B 、7V C 、2V D 、8V 8. 如图所示，结点1的结点电压方程为（ ）。 A 、6U 1-U 2=6 B 、5U 1=2 C 、5U 1=6 D 、6U 1-2U 2=2 9. 电流的参考方向为（ ）。 + 1Ω
电路分析基础全套练习题习题及答案
第1章 电路的基本概念和定律 习题答案 1-1 电路如图1-64所示，已知R 1＝3Ω，R 2＝6Ω，U ＝6V 。求： （1）总电流强度I ； （2）电阻R 1上的电流I 1和R 2上的电流I 2。 解：总电阻：Ω26 +36 ×3+2121==R R R R R= 总电流：A 32 6 ==R U I= A 236+36+2121=?I=R R R = I A 136 +33 +2112=?I=R R R =I 1-2 电路如图1-65所示，已知U S =100V ，R 1=2kΩ，R 2=8kΩ，在下列三种情况下，分别求电阻R 2两端的电压及R 2、R 3中通过的电流： （1）R 3=8kΩ； （2）R 3=∞（开路）； （3）R 3=0（短路）。 解：（1）当R 3=8kΩ时，总电阻： k Ω68 88 8232321=+?+=++ =R R R R R R mA 3 50k Ω6V 100S ==R U I= mA 3253508+88+3232=?I=R R R = I mA 3 253508+88+3223=?I=R R R =I V 3 200 3258222=? =R =I U （2）当R 3=∞（开路）时：I 3 = 0A mA 108 +2100 +21S 2==R R U =I 图1-64 习题1-1图 图1-65 习题1-2图
V 80108222=?=R =I U （3）当R 3=0（短路）时：I 2 = 0A ，U 2 = 0V ； mA 50k Ω 2V 1001S 3==R U = I 1-3 图1-66所示的各元件均为负载（消耗电能），其电压、电流的参考方向如图中所示。已知各元件端电压的绝对值为5V ，通过的电流绝对值为4A 。 （1）若电压参考方向与真实方向相同，判断电流的正负； （2）若电流的参考方向与真实方向相同，判断电压的正负。 (a) (b) (c) (d) 图1-66 习题1-3图 解：（1）若电压参考方向与真实方向相同时： 图（a ）：电压与电流参考方向关联，电流为正I =4A ； 图（b ）：电压与电流参考方向非关联，电流为负I =－4A ； 图（c ）：电压与电流参考方向关联，电流为正I =4A ； 图（d ）：电压与电流参考方向非关联，电流为负I =－4A 。 （2）若电流的参考方向与真实方向相同时： 图（a ）：电压与电流参考方向关联，电压为正U =5V ； 图（b ）：电压与电流参考方向非关联，电压为负U =－5V ； 图（c ）：电压与电流参考方向关联，电压为正U =5V ； 图（d ）：电压与电流参考方向非关联，电压为负U =－5V 。 1-4 一只“100Ω、100W ”的电阻与120V 电源相串联，至少要串入多大的电阻R 才能使该电阻正常工作？电阻R 上消耗的功率又为多少？ 解：根据公式R P=I 2 可得 100+0011201002?）（R = 所以R = 20Ω
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半导体器件物理复习题 一． 平衡半导体： 概念题： 1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义） 所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。 2. 本征半导体： 本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。 3. 受主（杂质）原子： 形成P 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅲ族元素）。 4. 施主（杂质）原子： 形成N 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅴ族元素）。 5. 杂质补偿半导体： 半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。 6. 兼并半导体： 对N 型掺杂的半导体而言，电子浓度大于导带的有效状态密度， 费米能级高于导带底（0F c E E ->）；对P 型掺杂的半导体而言，空穴浓度大于价带的有效状态密度。费米能级低于价带顶（0F v E E -<）。 7. 有效状态密度： 穴的有效状态密度。 8. 以导带底能量c E 为参考，导带中的平衡电子浓度：
其含义是：导带中的平衡电子浓度等于导带中的有效状态密度乘以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。 9. 以价带顶能量v E 为参考，价带中的平衡空穴浓度： 其含义是：价带中的平衡空穴浓度等于价带中的有效状态密度乘以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。 10. 11. 12. 13. 14. 本征费米能级Fi E ： 是本征半导体的费米能级；本征半导体费米能级的位置位于禁带 中央附近， g c v E E E =-。？ 15. 本征载流子浓度i n ： 本征半导体内导带中电子浓度等于价带中空穴浓度的浓度00i n p n ==。硅半导体，在 300T K =时，1031.510i n cm -=?。 16. 杂质完全电离状态： 当温度高于某个温度时，掺杂的所有施主杂质失去一个电子成为带正电的电离施主杂质；掺杂的所有受主杂质获得一个电子成为带负电的电离受主杂质，称谓杂质完全电离状态。 17. 束缚态： 在绝对零度时，半导体内的施主杂质与受主杂质成电中性状态称谓束缚态。束缚态时，半导体内的电子、空穴浓度非常小。 18. 本征半导体的能带特征：
安徽大学数字电路期末考试试题二
安徽大学数字电路期末考试试题二 一、填空题（30分每空2分） 1．二极管内含PN结，PN结在导电性能上最大特点是____________________________________________________. 2．TTL电路和CMOS电路相比较明显的特点是，工作速度上___________________________________________________，功耗上_________________________________________。 3．A/D转换是将模拟信号转换为数字信号，转换过程有_____________,_______________,_________________,__________. 4．要表达一个逻辑函数通常有_______________，_____________,________________，__________,_______________等常见的方法。 5．组合逻辑电路中容易产生竞争冒险，消除竞争冒险的方法有_________________，___________________,___________________。 二.画图题（10分） 1.画出如图所示理想二极管电路的输出电压波形（4分）
0 t 0 t 2.6分） u o t u o
三.计算题（10分） 1.将下列各数转换为二进制数 （48）10=（）2 , （79）10=（）2 （102）10=（）2 2.将下列各数转换为十进制数 （11011001）2=（）10，（1011011）2=（）10 四．化间下列函数（15分） 1.Y=AB+ABD+A C+BC 2.Y（A,B,C,D）=∑m(2,3,6,7,14,15,11,10)+∑d(0,1) 3.Y=(A+B+C)(A+B+C)+C 五．设计分析题（35分） 1．分析下面电路的逻辑功。能要求写出驱动方程（3分）、状态方程（3分）、填写状态转换表（4分、）画状态转换图（2分）、功能总 结（1分）