汽车温度传感器的特性分析
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产生急剧变化，适用于某些狭窄温度范围内一些特 殊应用，而ＮＴＣ热敏电阻可用于较宽温度范围的测
Ｒｒ＝跏印Ｈ争一钏
从式（５）可以看出，只要知道常数Ｂ和在温度为
死时的电阻值尺。，就可以利用式（５）计算在任意温度
Ｔ时ＲＴ的值。常数Ｂ可以通过实验来确定，将式（５） 两边取对数，则有
Ｉ
量，热敏电阻的电阻一温度特性曲线如图１所示。
第３５卷第５期 ２００９年１０月
农业装备技术
Ａｇｒｉｃｕｌｔｕｒａｌ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ＆Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
Ｖ０１．３５№．５
０ｃｔ．２００９
汽车
：日
｜珏＆
度传感器的特性分析
杰
（海南大学机电工程学院）
王玉群，林向阳，蒋万佛，李
摘要：通过试验，对目前汽车用的铂电阻温度传感器、半导体热敏电阻温度传感器、ＰＮ结温度传 感器和集成温度传感器进行特性分析，并根据各自的结构特点开发相应的测量电路。 关键词：温度；传感器；试验
相同。因此，在集电傲电流Ｉ。：恒定条件下，晶体管的 基极一发射极电压ｕ。。与温度Ｔ呈线性关系。但严 格地说，这种线性关系是不完全的，因为关系式中存
在非线性项。
ＰＮ结温度传感器应用电路如图３所示，图中的 Ｒ１、Ｒ２、Ｄ、Ｗ１组成测温电桥，其输出信号接差动放
大器Ａ１，经放大后的信号输入０—５ Ｖ数字式电压
２半导体热敏电阻温度传感器
热敏电阻是其电阻值随温度显著变化的一种热
敏元件。热敏电阻按其电阻随温度变化的典型特性 可分为３类，即负温度系数（ＮＴＣ）热敏电阻、正温度
Ｒｏ－＝－舨“鲁）
ｔｔ较式（３）和式（４），．－１４＠
（４）
系数（门Ｃ）热敏电阻和临界温度电阻器（ＣＴＲ）。ＰＴＣ
和ＣＴＲ型热敏电阻在某些温度范围内，其电阻值会
配方，经高温烧结而成，然后采用不同的封装形式制
ＰＮ结温度传感器
ＰＮ结温度传感器是利用半导体材料和器件的
成珠状、片状、杆状、垫圈状等各种形状。与金属导体
热电阻比较，半导体热敏电阻具有以下特点：（１）有 很大的负电阻温度系数，因此其温度测量的灵敏度
某些性能参数的温度依赖性，实现对温度的检测、控 制和补偿等功能。实验表明，在一定的电流模式下，
ｊｕｎｃｔｉｏｎ
ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ
ｓｅｎｓｏｒ
ａｎｄ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ
ｓｅｎｓｏｒｓ
ａｎａｌｙｓｉｓ
ｍｅｔｈｏｄｓ，ａｎｄ
ａｃｃｏｒｄｉｎｇ ｔｏ ｔｈｅｉｒ ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｄｅｖｅｌｏｐ ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ
ｍｅａｓｕｒｅ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｉｒｃｕｉｔ．
而引起温度变化的热型传感器。本文通过试验方法 对各种类型汽车温度传感器进行特性分析，并开发 相应的测量电路。
并将电阻值Ｒ，与温度丁的相应关系统一列成表格， 称其为铂电阻的分度表，分度号分别用Ｐｔｌ００和
Ｐｔ５００表示。 铂电阻在常用的热电阻中准确度最高，国际温
１铂电阻温度传感器
导体的电阻值随温度变化而改变，通过测量其 电阻值推算出被测环境的温度，利用此原理构成的
为复杂，一般采用恒压源供电，但必须有较好的稳压 精度。精确的电路调整非常重要，可以采用广口瓶装 入碎冰渣（带水）作为０。Ｃ的标准，采用恒温水槽或 油槽及标准温度计作为１００℃或其它温度标准。在 没有恒水槽时，可用沸水作为１００℃的标准（由于各
￡
Ｓ
地的气压不同，其沸点不一定是１００℃，可用Ｏ～ １００℃的水银温度计来校准）。
表（ＤＶＭ）显示。放大后的灵敏度１０ ｍＶ／℃。Ａ２接成
电压跟随器，与Ｗ２配合可调节放大器Ａ１的增益。
万 方数据
王玉群等：汽车温度传感器的特性分析
ＡＥＴ
１５０。Ｃ，—４０～１２５℃，一１０～１０００Ｃ；（２）灵敏度：１０ｍＶ／Ｋ； （３）测量误差：工作电流在０Ａ～５ ｍＡ范围内变化 时，如果在２５℃下定标，在１００℃的温度范围内误 差小于１℃。图４（ａ）示出这类温度传感器的基本测 温电路。把传感器作为一个两端器件与一个电阻串 联，加上适当电压就可以得到灵敏度为１０ ｍＶ／Ｋ，直 接正比于绝对温度的输出电压Ｕｏ。实际上，这时可 以看成是温度为１０ ｍＶ／Ｋ的电压源。传感器的工作 电流由电阻Ｒ和电源电压Ｕ∞决定：
０
实验发现晶体管发射结上的正向电压随温度的 上升而近似线性下降，这种特性与二极管十分相似， 但晶体管表现出比二极管更好的线性和互换性。二 极管的温度特性只对扩散电流成立，但实际二极管 的正向电流除扩散电流成分外，还包括空间电荷区 中的复合电流和表面漏电流成分。这两种电流与温 度的关系不同于扩散电流与温度的关系，因此，实际
比。因此，它具有不易受接触电阻和引线电阻的影响 以及电压噪声的干扰。例如，美国ＡＤ公司的产品 ＡＤ５９０电流型集成温度传感器，只需要单电源（４～
０～６３０．７４
入气体温度、冷却水温度、燃油温度以及催化温度 等。已实用化的产品主要有热敏电阻式温度传感器、 铁氧体式温度传感器（ＯＮ／ＯＦＦ型）、金属或半导体膜 空气温度传感器。目前正在开发精度更高、响应时间 更快的温度传感器有ＰＮ结温度传感器、集成温度 传感器等。汽车用传感器技术的发展，不仅仅是传感 器自身的开发，而且更注重于对传感器的互换性、耐 久性、可靠性的开发。 温度传感器一般分为接触式和非接触式两大 类。所谓接触式就是传感器直接与被测物体接触进 行温度测量，这是温度测量的基本形式，常用于测量 发动机的水温、进排气温度等。而非接触式是测量物 体热辐射而发出的红外线从而测量物体的温度，可 通过检测光传感器中红外线来测量物体的温度，有
Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ；Ｓｅｎｓｏｒ；Ｔｒｉａｌ Ｏ
引言 汽车温度传感器主要用于检测发动机温度、吸
传感器就是热电阻温度传感器。能够用于制作热电 阻的金属材料必须具备以下特性：（１）电阻温度系数 要尽可能大和稳定，电阻值与温度之间应具有良好 的线性关系；（２）电阻率高，热容量小，反应速度快； （３）材料的复现性和工艺性好，价格低；（４）在测量范 围内物理和化学性质稳定。目前，在工业中应用最广 的材料是铂和铜。铂电阻与温度之间的关系，在
１
１
、
ｌｎＲ，＝ｌｎＲＤ柏（帚一｝）
１０６
（６）
从式（６）可以看出，ＺｎＲＴ与ｌｉｔ成线性关系，直线 的斜率就是常数Ｂ。热敏电阻的材料常数Ｂ一般在 ２０００～６０００Ｋ范围内。
１０．
热敏电阻的温度系数Ｏｔ，定义如下：
１０２
ａ，＝百１‘鲁＝一争
０ ４０ ８０ １２０ １６０
（７）
由式（７）以看出，ａ，随温度降低而迅速增大。ａ，
标ＩＴＳ一９０中还规定，将具有特殊构造的铂电阻作为 一２５９．６４～９６１．７８。Ｃ标准温度计来使用。铂电阻广泛
用于一２００～８５０。Ｃ范围内的温度测量，工业中通常 总第１５３期
万 方数据
王玉群等：汽车温度传感器的特性分析
ＡＥＴ
在６ｔ）０℃以下。
度（以Ｋ为单位），Ａ和Ｂ分别为具有电阻量纲和温
度量纲，并且与热敏电阻的材料和结构有关的常数。 由式（３）可得到当温度为Ｔｏ时的电阻值凡，即：
也比较高；（２）体积小，目前最小的珠状热敏电阻的
尺寸可达由０．２ ｍｍ，故热容量很小，可作为点温或 表面温度以及快速变化温度的测量；（３）具有很大的 电阻值（１０２～１０５Ｑ），因此可以忽略线路导线电阻 和接触电阻等的影响，特别适用于远距离的温度测 量和控制；（４）制造工艺比较简单，价格便宜。半导体
３．９０８ ０２×１０’鲫Ｃ一，Ｂ＝一５．８０１ ９５×１０—７０Ｃ＿２，Ｃ＝ 一４．２７３ ５０×１０＿２０
Ｃ－－４０由式（１）和式（２）可见，要确定电
阻尺，与温度ｒ的关系，首先要确定Ｒ。பைடு நூலகம்数值，尺。值
不同时，尺，与ｒ的关系不同。目前国内统一设计的
一般工业用标准铂电阻尺。值有１００Ｑ和５００Ｑ２种，
珥＝ｑ＋争ｈ等一（３＋手）加ｒ）Ｔ
（８）
式中，Ｕｓ，＝ＥＪｅ，Ｅ。为材料在Ｔ＝一２７３．１５。Ｃ时的禁 带宽度（以ｅｖ为单位），Ｂ和ｒ为常数。由半导体理 论可知，对于实际二极管，只要它们丁作的ＰＮ结空
面的经验公式表示：
Ｒｒ＝Ａｅ】（ｐ㈤
总第１５３期
（３）
间电荷区中的复合电流和表面漏电流可以忽略，而 又未发生大注入效应的电压和温度范围内，其特性 与上述理想二极管是相符合的。实验表明，对于砷化
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ ｔｈｅ ｃｕｒｒｅｎｔ ｖｅｈｉｃｌｅ ｏｆ ｐｌａｔｉｎｕｍ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｓｅｎｓｏｒ，ｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｔｈｒｏｕｇｈ ｔｈｅ
ｓｅｎｓｏｒ
ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，ＰＮ ｏｆ ｔｒｉａｌ
ＰＮ结的正向电压与温度之间具有很好的线性关系。
根据ＰＮ结理论，对于理想二极管，只要正向电 压ＵＦ大于几个ｋｓＴ／ｅ（ｋＢＴ为波尔兹曼常数，ｅ为电 子电荷）。其正向电流Ｉ，与正向电压ｕ，和温度Ｔ之 间的关系可表示为：
热敏电阻的缺点是温度测量范围较窄。 半导体热敏电阻具有负电阻温度系数，其电阻
值随温度升高而减小，电阻与温度的关系可以用下
１００
决定热敏电阻在全部工作范围内的温度灵敏度。热
２∞ ｒ【℃）
敏电阻的测温灵敏度比金属热电阻的高很多。例如， Ｂ值为４
０００
图１热敏电阻的电阻一温度特性曲线
Ｋ，当Ｔ＝２９３．１５ Ｋ（２０ ｏＣ）时，热敏电阻
ＮＴＣ半导体热敏电阻是由一些金属氧化物，如
的ｄ，＝４．７％／℃，约为铂电阻的１２倍。
３
钴、锰、镍、铜等过渡金属的氧化物，采用不同比例的
将ＰＮ结传感器插人碎冰渣广口瓶中，等温度 平衡，调整Ｗ１，使ＤＶＭ显示为０Ｖ，将ＰＮ结传感器 插人沸水中（设沸水为１００℃），调整Ｗ２，使ＤＶＭ实
现为１００ Ｖ，若沸水温度不是１００℃时，可按照水银
ｉｒ阁
图２砷化镓（ａ）和硅（ｂ）二极管正向电压随温度的变化
温度计上的读数调整Ｗ２，使ＤＶＭ显示值与水银温 度计的数值相等。再将传感器插入０。Ｃ环境中，等平 衡后看显示是否仍为０ Ｖ，必要时再调整Ｗ１使之为
的函数关系与＿极管的ｕ，与Ｔ和Ｉ，函数关系式（８）
Ｄ Ｔ．ｗ１
５ ｋ
辩莲
剥Ｌ１
］
ｌ
‰］
图３
ＰＮ结温度传感器应用电路
４集成温度传感器 集成温度传感器是将温敏晶体管及其辅助电路 集成在同一芯片的集成化温度传感器。这种传感器 最大的优点是直接给出正比于绝对温度的理想的线 性输出。目前，集成温度传感器已广泛用于一５０— １５０。Ｃ温度范围内的温度检测、控制和补偿等。集成 温度传感器按输出形式可分为电压型和电流型两 种。三端电压输出型集成温度传感器是～种精密的、 易于定标的温度传感器，如ＬＭｌ３５、ＬＭ２３５、ＬＭ３３５ 系列等。其主要性能指标如下：（１）工作温度一５０一 总第１５３期
二极管的电压一温度特性是偏离理想情况的。由于
Ｖ，然后再插入沸水，看是否与水银温度计计数相
等，经过几次反复调整即可。采用ＰＮ结温度传感器 的数字式温度计，测温范围一５０～１５０℃，分辨率为
０．１℃。
＋５Ａ
三极管在发射结正向偏置条件下，虽然发射结也包 括上述３种电流成分，但是只有其中的扩散电流成 分能够到达集电极形成集电极电流，而另外两种电 流成分则作为基极电流漏掉，并不到达集电极。因 此，晶体管的Ｉｃ－－ＵＢＥ关系比二极管的Ｉ，一Ｕ，关系更 符合理想情况。所以表现出更好的电压一温度线性 关系。根据晶体管的有关理沦可以证明，ＮＰＮ晶体管 的基极一发射极电胝ｕ晡与温度Ｔ和集电极电流Ｉ。
式中，Ｒ，为在温度为ｒ时的电阻值，ｒ为绝对温
万 方数据
农业装备技术
镓、锗和硅二极管，在一个相当宽的温度范围内，其
正向电压与温度之间的关系与式（８）是一致的，如图 ２所示。
通过ＰＮ结温度传感器的工作电流不能过大，以免
二极管自身的温升影响测量精度。一般１二作电流为
１００～３００
ｍＡ。采用恒流源作为传感器的－Ｔ作电流较
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｔｈｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｓｅｎｓｏｒ Ｕｓｅｄ ｉｎ Ｃａｒ
Ｗａｎｇ Ｙｕｑｕｎ，Ｌｉｎ Ｘｉａｎｇｙａｎｇ，Ｊｉａｎｇ Ｗａｎｆｏ，Ｌｉ Ｊｉｅ （Ｃｏｌｌｅｇｅ ｏｆ Ｍｅｃｈａｔｒｏｎｉｃｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｈａｉｎａｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ）
利用半导体吸收光而使电子迁移的量子型与吸收光
ｏＣ范围内可用下式表示： （１）
Ｒｒ＝Ｒｏ（１＋Ａ Ｔ＋Ｂ严） 在一２００－－一００Ｃ的温度范围内为：
Ｒｒ＝ＲＤ［１＋Ａｒ＋Ｂ严＋Ｃ何一１０００Ｃ）Ｔ８］（２）
式中，尺，和尺。分别为在０ ｏＣ和温度７＇时铂电 阻的电阻值，Ａ、Ｂ、Ｃ为温度系数，由实验确定，Ａ＝
Ｒｒ＝跏印Ｈ争一钏
从式（５）可以看出，只要知道常数Ｂ和在温度为
死时的电阻值尺。，就可以利用式（５）计算在任意温度
Ｔ时ＲＴ的值。常数Ｂ可以通过实验来确定，将式（５） 两边取对数，则有
Ｉ
量，热敏电阻的电阻一温度特性曲线如图１所示。
第３５卷第５期 ２００９年１０月
农业装备技术
Ａｇｒｉｃｕｌｔｕｒａｌ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ＆Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
Ｖ０１．３５№．５
０ｃｔ．２００９
汽车
：日
｜珏＆
度传感器的特性分析
杰
（海南大学机电工程学院）
王玉群，林向阳，蒋万佛，李
摘要：通过试验，对目前汽车用的铂电阻温度传感器、半导体热敏电阻温度传感器、ＰＮ结温度传 感器和集成温度传感器进行特性分析，并根据各自的结构特点开发相应的测量电路。 关键词：温度；传感器；试验
相同。因此，在集电傲电流Ｉ。：恒定条件下，晶体管的 基极一发射极电压ｕ。。与温度Ｔ呈线性关系。但严 格地说，这种线性关系是不完全的，因为关系式中存
在非线性项。
ＰＮ结温度传感器应用电路如图３所示，图中的 Ｒ１、Ｒ２、Ｄ、Ｗ１组成测温电桥，其输出信号接差动放
大器Ａ１，经放大后的信号输入０—５ Ｖ数字式电压
２半导体热敏电阻温度传感器
热敏电阻是其电阻值随温度显著变化的一种热
敏元件。热敏电阻按其电阻随温度变化的典型特性 可分为３类，即负温度系数（ＮＴＣ）热敏电阻、正温度
Ｒｏ－＝－舨“鲁）
ｔｔ较式（３）和式（４），．－１４＠
（４）
系数（门Ｃ）热敏电阻和临界温度电阻器（ＣＴＲ）。ＰＴＣ
和ＣＴＲ型热敏电阻在某些温度范围内，其电阻值会
配方，经高温烧结而成，然后采用不同的封装形式制
ＰＮ结温度传感器
ＰＮ结温度传感器是利用半导体材料和器件的
成珠状、片状、杆状、垫圈状等各种形状。与金属导体
热电阻比较，半导体热敏电阻具有以下特点：（１）有 很大的负电阻温度系数，因此其温度测量的灵敏度
某些性能参数的温度依赖性，实现对温度的检测、控 制和补偿等功能。实验表明，在一定的电流模式下，
ｊｕｎｃｔｉｏｎ
ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ
ｓｅｎｓｏｒ
ａｎｄ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ
ｓｅｎｓｏｒｓ
ａｎａｌｙｓｉｓ
ｍｅｔｈｏｄｓ，ａｎｄ
ａｃｃｏｒｄｉｎｇ ｔｏ ｔｈｅｉｒ ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｄｅｖｅｌｏｐ ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ
ｍｅａｓｕｒｅ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｉｒｃｕｉｔ．
而引起温度变化的热型传感器。本文通过试验方法 对各种类型汽车温度传感器进行特性分析，并开发 相应的测量电路。
并将电阻值Ｒ，与温度丁的相应关系统一列成表格， 称其为铂电阻的分度表，分度号分别用Ｐｔｌ００和
Ｐｔ５００表示。 铂电阻在常用的热电阻中准确度最高，国际温
１铂电阻温度传感器
导体的电阻值随温度变化而改变，通过测量其 电阻值推算出被测环境的温度，利用此原理构成的
为复杂，一般采用恒压源供电，但必须有较好的稳压 精度。精确的电路调整非常重要，可以采用广口瓶装 入碎冰渣（带水）作为０。Ｃ的标准，采用恒温水槽或 油槽及标准温度计作为１００℃或其它温度标准。在 没有恒水槽时，可用沸水作为１００℃的标准（由于各
￡
Ｓ
地的气压不同，其沸点不一定是１００℃，可用Ｏ～ １００℃的水银温度计来校准）。
表（ＤＶＭ）显示。放大后的灵敏度１０ ｍＶ／℃。Ａ２接成
电压跟随器，与Ｗ２配合可调节放大器Ａ１的增益。
万 方数据
王玉群等：汽车温度传感器的特性分析
ＡＥＴ
１５０。Ｃ，—４０～１２５℃，一１０～１０００Ｃ；（２）灵敏度：１０ｍＶ／Ｋ； （３）测量误差：工作电流在０Ａ～５ ｍＡ范围内变化 时，如果在２５℃下定标，在１００℃的温度范围内误 差小于１℃。图４（ａ）示出这类温度传感器的基本测 温电路。把传感器作为一个两端器件与一个电阻串 联，加上适当电压就可以得到灵敏度为１０ ｍＶ／Ｋ，直 接正比于绝对温度的输出电压Ｕｏ。实际上，这时可 以看成是温度为１０ ｍＶ／Ｋ的电压源。传感器的工作 电流由电阻Ｒ和电源电压Ｕ∞决定：
０
实验发现晶体管发射结上的正向电压随温度的 上升而近似线性下降，这种特性与二极管十分相似， 但晶体管表现出比二极管更好的线性和互换性。二 极管的温度特性只对扩散电流成立，但实际二极管 的正向电流除扩散电流成分外，还包括空间电荷区 中的复合电流和表面漏电流成分。这两种电流与温 度的关系不同于扩散电流与温度的关系，因此，实际
比。因此，它具有不易受接触电阻和引线电阻的影响 以及电压噪声的干扰。例如，美国ＡＤ公司的产品 ＡＤ５９０电流型集成温度传感器，只需要单电源（４～
０～６３０．７４
入气体温度、冷却水温度、燃油温度以及催化温度 等。已实用化的产品主要有热敏电阻式温度传感器、 铁氧体式温度传感器（ＯＮ／ＯＦＦ型）、金属或半导体膜 空气温度传感器。目前正在开发精度更高、响应时间 更快的温度传感器有ＰＮ结温度传感器、集成温度 传感器等。汽车用传感器技术的发展，不仅仅是传感 器自身的开发，而且更注重于对传感器的互换性、耐 久性、可靠性的开发。 温度传感器一般分为接触式和非接触式两大 类。所谓接触式就是传感器直接与被测物体接触进 行温度测量，这是温度测量的基本形式，常用于测量 发动机的水温、进排气温度等。而非接触式是测量物 体热辐射而发出的红外线从而测量物体的温度，可 通过检测光传感器中红外线来测量物体的温度，有
Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ；Ｓｅｎｓｏｒ；Ｔｒｉａｌ Ｏ
引言 汽车温度传感器主要用于检测发动机温度、吸
传感器就是热电阻温度传感器。能够用于制作热电 阻的金属材料必须具备以下特性：（１）电阻温度系数 要尽可能大和稳定，电阻值与温度之间应具有良好 的线性关系；（２）电阻率高，热容量小，反应速度快； （３）材料的复现性和工艺性好，价格低；（４）在测量范 围内物理和化学性质稳定。目前，在工业中应用最广 的材料是铂和铜。铂电阻与温度之间的关系，在
１
１
、
ｌｎＲ，＝ｌｎＲＤ柏（帚一｝）
１０６
（６）
从式（６）可以看出，ＺｎＲＴ与ｌｉｔ成线性关系，直线 的斜率就是常数Ｂ。热敏电阻的材料常数Ｂ一般在 ２０００～６０００Ｋ范围内。
１０．
热敏电阻的温度系数Ｏｔ，定义如下：
１０２
ａ，＝百１‘鲁＝一争
０ ４０ ８０ １２０ １６０
（７）
由式（７）以看出，ａ，随温度降低而迅速增大。ａ，
标ＩＴＳ一９０中还规定，将具有特殊构造的铂电阻作为 一２５９．６４～９６１．７８。Ｃ标准温度计来使用。铂电阻广泛
用于一２００～８５０。Ｃ范围内的温度测量，工业中通常 总第１５３期
万 方数据
王玉群等：汽车温度传感器的特性分析
ＡＥＴ
在６ｔ）０℃以下。
度（以Ｋ为单位），Ａ和Ｂ分别为具有电阻量纲和温
度量纲，并且与热敏电阻的材料和结构有关的常数。 由式（３）可得到当温度为Ｔｏ时的电阻值凡，即：
也比较高；（２）体积小，目前最小的珠状热敏电阻的
尺寸可达由０．２ ｍｍ，故热容量很小，可作为点温或 表面温度以及快速变化温度的测量；（３）具有很大的 电阻值（１０２～１０５Ｑ），因此可以忽略线路导线电阻 和接触电阻等的影响，特别适用于远距离的温度测 量和控制；（４）制造工艺比较简单，价格便宜。半导体
３．９０８ ０２×１０’鲫Ｃ一，Ｂ＝一５．８０１ ９５×１０—７０Ｃ＿２，Ｃ＝ 一４．２７３ ５０×１０＿２０
Ｃ－－４０由式（１）和式（２）可见，要确定电
阻尺，与温度ｒ的关系，首先要确定Ｒ。பைடு நூலகம்数值，尺。值
不同时，尺，与ｒ的关系不同。目前国内统一设计的
一般工业用标准铂电阻尺。值有１００Ｑ和５００Ｑ２种，
珥＝ｑ＋争ｈ等一（３＋手）加ｒ）Ｔ
（８）
式中，Ｕｓ，＝ＥＪｅ，Ｅ。为材料在Ｔ＝一２７３．１５。Ｃ时的禁 带宽度（以ｅｖ为单位），Ｂ和ｒ为常数。由半导体理 论可知，对于实际二极管，只要它们丁作的ＰＮ结空
面的经验公式表示：
Ｒｒ＝Ａｅ】（ｐ㈤
总第１５３期
（３）
间电荷区中的复合电流和表面漏电流可以忽略，而 又未发生大注入效应的电压和温度范围内，其特性 与上述理想二极管是相符合的。实验表明，对于砷化
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ ｔｈｅ ｃｕｒｒｅｎｔ ｖｅｈｉｃｌｅ ｏｆ ｐｌａｔｉｎｕｍ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｓｅｎｓｏｒ，ｔｈｅｒｍｉｓｔｏｒ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｔｈｒｏｕｇｈ ｔｈｅ
ｓｅｎｓｏｒ
ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，ＰＮ ｏｆ ｔｒｉａｌ
ＰＮ结的正向电压与温度之间具有很好的线性关系。
根据ＰＮ结理论，对于理想二极管，只要正向电 压ＵＦ大于几个ｋｓＴ／ｅ（ｋＢＴ为波尔兹曼常数，ｅ为电 子电荷）。其正向电流Ｉ，与正向电压ｕ，和温度Ｔ之 间的关系可表示为：
热敏电阻的缺点是温度测量范围较窄。 半导体热敏电阻具有负电阻温度系数，其电阻
值随温度升高而减小，电阻与温度的关系可以用下
１００
决定热敏电阻在全部工作范围内的温度灵敏度。热
２∞ ｒ【℃）
敏电阻的测温灵敏度比金属热电阻的高很多。例如， Ｂ值为４
０００
图１热敏电阻的电阻一温度特性曲线
Ｋ，当Ｔ＝２９３．１５ Ｋ（２０ ｏＣ）时，热敏电阻
ＮＴＣ半导体热敏电阻是由一些金属氧化物，如
的ｄ，＝４．７％／℃，约为铂电阻的１２倍。
３
钴、锰、镍、铜等过渡金属的氧化物，采用不同比例的
将ＰＮ结传感器插人碎冰渣广口瓶中，等温度 平衡，调整Ｗ１，使ＤＶＭ显示为０Ｖ，将ＰＮ结传感器 插人沸水中（设沸水为１００℃），调整Ｗ２，使ＤＶＭ实
现为１００ Ｖ，若沸水温度不是１００℃时，可按照水银
ｉｒ阁
图２砷化镓（ａ）和硅（ｂ）二极管正向电压随温度的变化
温度计上的读数调整Ｗ２，使ＤＶＭ显示值与水银温 度计的数值相等。再将传感器插入０。Ｃ环境中，等平 衡后看显示是否仍为０ Ｖ，必要时再调整Ｗ１使之为
的函数关系与＿极管的ｕ，与Ｔ和Ｉ，函数关系式（８）
Ｄ Ｔ．ｗ１
５ ｋ
辩莲
剥Ｌ１
］
ｌ
‰］
图３
ＰＮ结温度传感器应用电路
４集成温度传感器 集成温度传感器是将温敏晶体管及其辅助电路 集成在同一芯片的集成化温度传感器。这种传感器 最大的优点是直接给出正比于绝对温度的理想的线 性输出。目前，集成温度传感器已广泛用于一５０— １５０。Ｃ温度范围内的温度检测、控制和补偿等。集成 温度传感器按输出形式可分为电压型和电流型两 种。三端电压输出型集成温度传感器是～种精密的、 易于定标的温度传感器，如ＬＭｌ３５、ＬＭ２３５、ＬＭ３３５ 系列等。其主要性能指标如下：（１）工作温度一５０一 总第１５３期
二极管的电压一温度特性是偏离理想情况的。由于
Ｖ，然后再插入沸水，看是否与水银温度计计数相
等，经过几次反复调整即可。采用ＰＮ结温度传感器 的数字式温度计，测温范围一５０～１５０℃，分辨率为
０．１℃。
＋５Ａ
三极管在发射结正向偏置条件下，虽然发射结也包 括上述３种电流成分，但是只有其中的扩散电流成 分能够到达集电极形成集电极电流，而另外两种电 流成分则作为基极电流漏掉，并不到达集电极。因 此，晶体管的Ｉｃ－－ＵＢＥ关系比二极管的Ｉ，一Ｕ，关系更 符合理想情况。所以表现出更好的电压一温度线性 关系。根据晶体管的有关理沦可以证明，ＮＰＮ晶体管 的基极一发射极电胝ｕ晡与温度Ｔ和集电极电流Ｉ。
式中，Ｒ，为在温度为ｒ时的电阻值，ｒ为绝对温
万 方数据
农业装备技术
镓、锗和硅二极管，在一个相当宽的温度范围内，其
正向电压与温度之间的关系与式（８）是一致的，如图 ２所示。
通过ＰＮ结温度传感器的工作电流不能过大，以免
二极管自身的温升影响测量精度。一般１二作电流为
１００～３００
ｍＡ。采用恒流源作为传感器的－Ｔ作电流较
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｔｈｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｓｅｎｓｏｒ Ｕｓｅｄ ｉｎ Ｃａｒ
Ｗａｎｇ Ｙｕｑｕｎ，Ｌｉｎ Ｘｉａｎｇｙａｎｇ，Ｊｉａｎｇ Ｗａｎｆｏ，Ｌｉ Ｊｉｅ （Ｃｏｌｌｅｇｅ ｏｆ Ｍｅｃｈａｔｒｏｎｉｃｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｈａｉｎａｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ）
利用半导体吸收光而使电子迁移的量子型与吸收光
ｏＣ范围内可用下式表示： （１）
Ｒｒ＝Ｒｏ（１＋Ａ Ｔ＋Ｂ严） 在一２００－－一００Ｃ的温度范围内为：
Ｒｒ＝ＲＤ［１＋Ａｒ＋Ｂ严＋Ｃ何一１０００Ｃ）Ｔ８］（２）
式中，尺，和尺。分别为在０ ｏＣ和温度７＇时铂电 阻的电阻值，Ａ、Ｂ、Ｃ为温度系数，由实验确定，Ａ＝