最新二极管三极管晶闸管简介
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态，负载电压vL=0。 ωt1时刻给控制极加触发电压vg，晶闸管V
导通。
在ωt1～π期间，尽管vg在晶闸管导通后即 消失，但晶闸管仍然保持导通，此期间负载电压
vL与输人电压v2相等，直至v2过零值(π时刻)时， 晶闸管才自行关断。
在π～2π期间，v2进入负半周，晶闸管承受 反向电压，即使控制极加人vg也不会导通，这时 负载电压vL =0。
二极管三极管晶闸管简介
晶体二极管(Diode)
1、二极管的构成
核心是PN结， P性材料和N性材料结合， 有2个出线 端，即二极管有正、负两个极
应用电路
整
稳
流
压
正极
positive
PN
负极
negative
限
幅
(a)
正极
负极
(b)
二极管的测试
1、正常二极管
模拟及数字表测量表二极管
注：图中显示正向压降值是示意性的，不同的二极管此值是不同的。
• 不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅 和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。它有三个 PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极 A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所 以它是一种四层三端的半导体器件。
可控硅结构示意图和符号图
• 可控硅的优点很多，例如：以小功率控制 大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反 应极快，在微秒级内开通、关断；无触点 运行，无火花、无噪音；效率高，成本低 等等。
明当单向晶闸管加反向Байду номын сангаас压时，不管控
制极加怎样的电压，它都不会导通，而
处于截止状态，这种状态称为晶闸管的
反向阻断。
主回路加反向电压
开关闭合 (c)触发导通
(d)反向阻断
可控硅只有导通和关断两种工作状态，它具有开关特性 ，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见下表：
半波可控整流电路
单向晶闸管在正向电压作用下，改变控制极触发 信号的触发时间，即可控制晶闸管导通的时间，利用 这种特性可以把交流电变成大小可调的直流电，这样 的电路称为可控整流电路。
• 可控硅的弱点有静态及动态的过载能力较 差；容易受干扰而误导通。
工作特性
在图（a）所示的电路中， 晶闸管的a、k极、指示灯HL、 和电源VAA构成的回路称为主 回路。晶闸管的g、k极、开关 S和电源VGG构成的回路称为触 发电路或控制电路。
（1）正向阻断 在图（b） 所示电路中，指示灯不亮，这 说明晶闸管加正向电压，但控 制极未加正向电压时，管子不 会导通，这种状态称为晶闸管 的正向阻断状态。
晶闸管承受正向电压而不导通的范围称为控
制角α，导通的范围称为导通角θ，通过改变控制 角α的大小，便可调整输出电压VL的大小。
半波可控整流波形
硅砂平面摇筛
给料机
三极管的测试
用数字万用表测试三极管的方法：
用二极管档位测量判断三极管的类型 , 和基极b ，将三极管看成是背靠背的二极
管，按照判断二极管的方法，可以判断区 分出其中一个极为公共正极或公共负极， 此极即为基极b，对于NPN型三极管基极 为公共正极，对于PNP型三极管基极为公 共负极，以此来判断三极管是NPN型或 PNP型。
2、损坏的二极管 （1）正反向均不导通 （2）正反向测试数值均很小
晶体三极管
晶体三极管又称双极型晶体管，半导体三极管等。 分类及用途： 制造工艺不同：锗管、硅管。硅管应用广泛 结构不同：NPN、PNP，硅管大部分为NPN 工作频率不同：高频管（大于3MHZ），低频管 用途不同：普通管，开关管
根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三 个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管。
(a)实验电路 (b)正向阻断
开关断开
（2）触发导通 在图（c）所示电 路中，晶闸管加正向电压，在控制极上 加正向触发电压，此时指示灯亮，表明 晶闸管导通，这种状态称为晶闸管的触 发导通。
（3）反向阻断 在图（d）所示电
路中，晶闸管加反向电压，即a极接电
源负极，k极接电源正极，此时不论开
关s闭合与否，指示灯始终不亮。这说
。
参照二极管测试方法判别三极管的基极
二极管测试
三级管测试
晶闸管（可控硅）
晶闸管SCR又称：晶体闸流管可控硅整流器。
晶闸管可分单向晶闸管、双向晶闸管、光控 晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速 晶闸管，等等。
优质单向晶闸管可控硅
单向可控硅晶闸管5000a bt169d系列单向可控硅晶闸管
单向可控硅的结构
1．电路构成 图所示为单相半波可控整流电路，它主要由整流 主电路和触发电路两大部分组成，可控整流电路与普 通整流电路相似，只是将整流二极管换成晶闸管。
单相半波可控整流电路
（a）电路原理图
（b）实物接线图
2．工作原理 v2为正半周时，晶闸管V承受正向电压，如 果这时没加触发电压，则晶闸管处于正向阻断状
导通。
在ωt1～π期间，尽管vg在晶闸管导通后即 消失，但晶闸管仍然保持导通，此期间负载电压
vL与输人电压v2相等，直至v2过零值(π时刻)时， 晶闸管才自行关断。
在π～2π期间，v2进入负半周，晶闸管承受 反向电压，即使控制极加人vg也不会导通，这时 负载电压vL =0。
二极管三极管晶闸管简介
晶体二极管(Diode)
1、二极管的构成
核心是PN结， P性材料和N性材料结合， 有2个出线 端，即二极管有正、负两个极
应用电路
整
稳
流
压
正极
positive
PN
负极
negative
限
幅
(a)
正极
负极
(b)
二极管的测试
1、正常二极管
模拟及数字表测量表二极管
注：图中显示正向压降值是示意性的，不同的二极管此值是不同的。
• 不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅 和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。它有三个 PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极 A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所 以它是一种四层三端的半导体器件。
可控硅结构示意图和符号图
• 可控硅的优点很多，例如：以小功率控制 大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反 应极快，在微秒级内开通、关断；无触点 运行，无火花、无噪音；效率高，成本低 等等。
明当单向晶闸管加反向Байду номын сангаас压时，不管控
制极加怎样的电压，它都不会导通，而
处于截止状态，这种状态称为晶闸管的
反向阻断。
主回路加反向电压
开关闭合 (c)触发导通
(d)反向阻断
可控硅只有导通和关断两种工作状态，它具有开关特性 ，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见下表：
半波可控整流电路
单向晶闸管在正向电压作用下，改变控制极触发 信号的触发时间，即可控制晶闸管导通的时间，利用 这种特性可以把交流电变成大小可调的直流电，这样 的电路称为可控整流电路。
• 可控硅的弱点有静态及动态的过载能力较 差；容易受干扰而误导通。
工作特性
在图（a）所示的电路中， 晶闸管的a、k极、指示灯HL、 和电源VAA构成的回路称为主 回路。晶闸管的g、k极、开关 S和电源VGG构成的回路称为触 发电路或控制电路。
（1）正向阻断 在图（b） 所示电路中，指示灯不亮，这 说明晶闸管加正向电压，但控 制极未加正向电压时，管子不 会导通，这种状态称为晶闸管 的正向阻断状态。
晶闸管承受正向电压而不导通的范围称为控
制角α，导通的范围称为导通角θ，通过改变控制 角α的大小，便可调整输出电压VL的大小。
半波可控整流波形
硅砂平面摇筛
给料机
三极管的测试
用数字万用表测试三极管的方法：
用二极管档位测量判断三极管的类型 , 和基极b ，将三极管看成是背靠背的二极
管，按照判断二极管的方法，可以判断区 分出其中一个极为公共正极或公共负极， 此极即为基极b，对于NPN型三极管基极 为公共正极，对于PNP型三极管基极为公 共负极，以此来判断三极管是NPN型或 PNP型。
2、损坏的二极管 （1）正反向均不导通 （2）正反向测试数值均很小
晶体三极管
晶体三极管又称双极型晶体管，半导体三极管等。 分类及用途： 制造工艺不同：锗管、硅管。硅管应用广泛 结构不同：NPN、PNP，硅管大部分为NPN 工作频率不同：高频管（大于3MHZ），低频管 用途不同：普通管，开关管
根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三 个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管。
(a)实验电路 (b)正向阻断
开关断开
（2）触发导通 在图（c）所示电 路中，晶闸管加正向电压，在控制极上 加正向触发电压，此时指示灯亮，表明 晶闸管导通，这种状态称为晶闸管的触 发导通。
（3）反向阻断 在图（d）所示电
路中，晶闸管加反向电压，即a极接电
源负极，k极接电源正极，此时不论开
关s闭合与否，指示灯始终不亮。这说
。
参照二极管测试方法判别三极管的基极
二极管测试
三级管测试
晶闸管（可控硅）
晶闸管SCR又称：晶体闸流管可控硅整流器。
晶闸管可分单向晶闸管、双向晶闸管、光控 晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速 晶闸管，等等。
优质单向晶闸管可控硅
单向可控硅晶闸管5000a bt169d系列单向可控硅晶闸管
单向可控硅的结构
1．电路构成 图所示为单相半波可控整流电路，它主要由整流 主电路和触发电路两大部分组成，可控整流电路与普 通整流电路相似，只是将整流二极管换成晶闸管。
单相半波可控整流电路
（a）电路原理图
（b）实物接线图
2．工作原理 v2为正半周时，晶闸管V承受正向电压，如 果这时没加触发电压，则晶闸管处于正向阻断状