随机存取存储器(RAM)
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随机存取存储器(RAM)
班级:10级电子信息工程二班
组长:陶宇
摘要: RAM(random access memory)随机存储器。
存储单元的内容可按需随意取出或存入,且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。
这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。
按照存储信息的不同,随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM)。
关键字: 随机存取存储器(RAM)
一、静态随机存取存储器(SRAM)
1、电路组成
2. SRAM 的工作模式
二、同步静态随机存取存储器(SSRAM)
1.电路图
2.SSRAM的使用特点
在由SSRAM构成的计算机系统中,由于在时钟有效沿到来时,地址、数据、控制等信号被锁存到SSRAM内部的寄存器中,因此读写过程的延时等待均在时钟作用下,由SSRAM内部控制完成。
此时,系统中的微处理器在读写SSRAM的同时,可以处理其他任务,从而提高了整个系统的工作速度。
三.动态随机存取存储器
四、学习总结
1、提问总结
⑴、一般情况下,dram的集成度比sram的集成度高,为什么?
⑵、静态随机存储器和动态随机存储器的区别?
解答:⑴、sram存储单元有个mos管构成,所用的管子数目多功耗大,集成度受到限制,dram的存储单元有一个mos管,和容
量较小的电容构成。
⑵、SRAM静态的随机存储器:特点是工作速度快,只要电源不撤除,写入SRAM的信息就不会消失,不需要刷新电路,同时在读出时不破坏原来存放的信息,一经写入可多次读出,但集成度较低,功耗较大。
SRAM一般用来作为计算机中的高速缓冲存储器(Cache)。
DRAM是动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory):
它是利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息,以
存储电荷的多少,即电容端电压的高低来表示“1”和“0”。
DRAM每个存储单元所需的场效应管较少,常见的有4管,3管
和单管型DRAM。
因此它的集成度较高,功耗也较低,但缺点
是保存在DRAM中的信息__场效应管栅极分布电容里的信息随
着电容器的漏电而会逐渐消失,一般信息保存时间为2ms左右。
为了保存DRAM中的信息,必须每隔1~2ms对其刷新一次。
因此,采用DRAM的计算机必须配置动态刷新电路,防止信息
丢失。
DRAM一般用作计算机中的主存储器。
五.组员信息。