随机存取存储器(RAM)

随机存取存储器（RAM）
班级:10级电子信息工程二班
组长:陶宇
摘要: RAM（random access memory）随机存储器。

存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。

这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。

按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。

关键字: 随机存取存储器（RAM）
一、静态随机存取存储器(SRAM)
1、电路组成
2. SRAM 的工作模式
二、同步静态随机存取存储器（SSRAM）
1.电路图
2.SSRAM的使用特点
在由SSRAM构成的计算机系统中，由于在时钟有效沿到来时，地址、数据、控制等信号被锁存到SSRAM内部的寄存器中，因此读写过程的延时等待均在时钟作用下，由SSRAM内部控制完成。

此时，系统中的微处理器在读写SSRAM的同时，可以处理其他任务，从而提高了整个系统的工作速度。

三．动态随机存取存储器
四、学习总结
1、提问总结
⑴、一般情况下，dram的集成度比sram的集成度高，为什么？
⑵、静态随机存储器和动态随机存储器的区别?
解答:⑴、sram存储单元有个mos管构成，所用的管子数目多功耗大，集成度受到限制，dram的存储单元有一个mos管，和容
量较小的电容构成。

⑵、SRAM静态的随机存储器：特点是工作速度快，只要电源不撤除，写入SRAM的信息就不会消失，不需要刷新电路，同时在读出时不破坏原来存放的信息，一经写入可多次读出，但集成度较低，功耗较大。

SRAM一般用来作为计算机中的高速缓冲存储器(Cache)。

DRAM是动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory)：
它是利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息，以
存储电荷的多少，即电容端电压的高低来表示“1”和“0”。

DRAM每个存储单元所需的场效应管较少，常见的有4管，3管
和单管型DRAM。

因此它的集成度较高，功耗也较低，但缺点
是保存在DRAM中的信息__场效应管栅极分布电容里的信息随
着电容器的漏电而会逐渐消失，一般信息保存时间为2ms左右。

为了保存DRAM中的信息，必须每隔1～2ms对其刷新一次。

因此，采用DRAM的计算机必须配置动态刷新电路，防止信息
丢失。

DRAM一般用作计算机中的主存储器。

五．组员信息。