静电场中的导体习题
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《静电场中的导体》习题
一、判断题
1、在带正电的导体A附近,有一不接地的中性导体B,则A离B越近时,A
的电位越低。[]
2、接地导体,其表面必处处无电荷。[]
3、静电平衡时,电力线不能由导体一端的正电荷发出而终止于该导体另一端的
负电荷。[]
4、静电感应达到平衡时,凡是接地导体必不带电。[]
5、由于静电感应,在导体表面的不同区域出现异号电荷,因而导体不再是等位
体。[]
6、由于中性导体壳B对带电体A的屏蔽作用,带电体A的电场将对验电器C
无影响。[]
7、由于静电屏蔽作用,空腔导体内的带电体在腔外产生的场强为零。[]
8、静电平衡时,导体表面是等位面,所以导体表面附近的场强大小处处相等。
[]
二、选择题:
1、在串联电容电路中,若电压逐渐升高,对耐压值相同的电容器来说,先击穿的将是[ ]
A、电容值小的
B、电容值大的
C、同时击穿
D、无法确定
2、在一个带正电荷,电量为Q的大导体附近P点放一个带电量也为Q的点电荷,若此时点电荷受到的斥力大小为F,则F/Q与未放置此点电荷时场强E相比( )
A、大于
B、相等
C、小于
3、在一带电为Q的导体壳A内有一接地的导体球B,A与B不接触,静电平衡时导体球B上所带电量q,则q为( )
A、零;
q<;
B、符号与Q相反,且Q
q<
C、符号与Q相同,且Q
4、两个同心得均匀带电球面,半径分别为R1和R2,且R2=2R1,内球面带正电
荷q1,要使内球面的电位为正值,则外球面的电量q2必须满足[ ]
A 、q 2>-q 1
B 、q 2>-2q 1
C 、q 2=-2q 1
D 、q 2<-2q 1
5、平行板电容器充电后与电源断开,然后使极板间距增大,则[ ]
A 、C ↑U ↓E ↓
B 、
C ↓U ↑E ↑
C 、C ↓U ↑E 不变
D 、C ↑U ↓
E 不变 6、如图所示,三个无限大均匀带电平面,面电荷密度均为σ,相互平行放置,E 沿x 正方向为正,则P 点的E 为[ ]
A 、εσ-23
B 、
023εσ C 、02εσ- D 、0
2εσ 6、如图所示,已知C 1=6μF ,C 2=3μF ,R 1=6Ω,R 2=3Ω,若
U de =18V ,则a 、b 两点间的电压为[ ]
A 、0
B 、-6V
C 、6V
D 、12V
7、中性金属球壳A 内有一带电体B ,如图所示各个电场线图
中,哪一个图正确地表示出球壳内外的场强分布[ ]
8、如图 所示,导体空腔腔内有一电荷q 和测量仪
器A ,腔外有一电荷Q 和测量仪器B ,则测量
仪器测得的结果是[ ]
A 、只测到q 的场,
B 只测到Q 的场
B 、A 只测到q 的场,B 能测到q 和Q 的场
C 、A 能测到q 和Q 的场,B 只能测到Q 的场
D 、A 能测到q 和Q 的场,B 也能测到q 和Q 的
场
9、在一金属壳的内部放一点电荷(不在导体壳中心),则金属壳内外电场分布( )
(1)内、外场强分布均匀
(2)内场强不均匀,外场强均匀 (3)内外场强分布都不均匀
(4)内场强均匀,外场强不均匀
10、如右图所示,将一个带正电的金属小球移近一个
绝缘的不带电的导体时,则( )
(1)A 端电势高 (2)B 端电势高 (3)电势相等 (4)电势相等
11、有两个半径均为R ,分别带电+Q 和-Q 的金属球,球心相距为d ,(d>R),它们的相互作用力大小为F 1。另有两个分别带电+Q 和-Q 的点电荷,相距为d 。它们之间的相互作用力大小为F 2,则[ ]
A 、F 1>F 2
B 、F 1 C 、F 1=F 2 D 、难以判断 12、导体附近有一点电荷q ,达静电平衡后,导体上的A 点电荷面密度为σA ,则导体外A 的附近的场强0εσA = 是[ ] A 、点电荷q 贡献的 B 、以A 点为中心的小电荷面元σA dS 贡献的 C 、导体上所有电荷贡献的 D 、点电荷q 与导体上所有电荷共同贡献的 13、中性封闭金属壳内,有一电量为+q 的点电荷, 若在壳外放一带电体,则[ ] A 、 壳内、外壁电荷增加 B 、 壳内、外壁电荷减少 C 、壳内壁电荷不变,壳外壁电荷量有变化 D 、壳内、外壁电荷量不变,但壳外壁电荷分布情况改变 14、一平行板电容器充电后,与电源断开,改变两极板间距时,电容器两极板间 电压[ ] A 、与电容成正比 B 、与电容成反比 C 、与电容无关 D 、不变 15、在静电平衡时,导体表面附近的电场强度是n E 0 εσ=,σ是场点附近的导体表面电荷面密度。下列说法正确的是[ ] A 、E 是场点附近导体表面的面元电荷产生的 B 、E 是空间所有电荷共同产生的 C 、E 是由导体表面的电荷产生的 D 、E 是由场点所对一侧的导体表面的电荷产生的 16、如图所示两平行无限大均匀带电平面,面 电荷密度为σ1和σ2,在两板内空间,导体A 的面元dS 处的面电荷密度为σ,则面元dS 附近处的电场强度为[ ]