沈阳工程学院模拟电子技术

题号 一 二 三 四 五 总分 得分

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一、填空题 （每题4分，共32分）

1．N 型半导体中，多子为 ；少子为 。

2．杂质半导体形成过程中，载流子有两种运动形式，分别为 和 。 3．差分放大电路中，共模抑制比定义为放大电路的 电压增益与 电压增益之比的绝对值。

4．正弦波振荡电路产生持续振荡的幅值平衡条件为 ，相位平衡条件为 。

5．如果某一放大电路中引入电压串联负反馈，则可以使该放大电路的输入电阻 ，并且可以稳定输出电压或电流信号中的 信号。

6．二极管电路如图所示，设二极管是理想的。则图中二极管是 的（导通 / 截止），AO 两端的电压值V AO 为 。

7．电压放大电路如图所示，当负载电阻Ω=k R L 1时，该电路输出电压比负载开路（∞=L R ）时输出电压减少20％，则该放大电路的输出电阻O R 为 Ω。

8．单相桥式整流电路中，若变压器二次侧电压有效值为20V ，则输出直流电压平均值为 ，若在单相桥式整流电路电路中加入电容滤波，则输出直流电压平均值为 。

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二、基础知识题 （每题6分，共18分）

1．某放大电路中，测得晶体管直流电位分别为：V 7.3，V 3和V 8。试判断晶体管的类型（NPN 或PNP ）及三个电极，并说明是硅管还是锗管。

2．反馈放大电路如下图所示，试判断此电路中由电阻f R 引入的级间交流反馈的类型和极性。

3．正弦波振荡电路如下图所示，已知A 为理想集成运放。（1）为使电路产生正弦波振荡，请标出集成运放的同相端和反相端。（2）写出该振荡电路的振荡频率公式。

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三、集成运算放大器题 （共19分） 1．测量电阻的电桥电路如下图所示。已知集成运放具有理想特性，其中V v i 12-=，Ω=9001R 。要求：（1）写出输出电压o v 与被测电阻2R 及参考电阻R 的关系式（要求写出推导过程）（8分）；（2）若被测电阻2R 相对于参考电阻R 的变化量为2%（即R R 02.12=）时mV v O 24=，则R 的阻值为多少（5分）？（13分）

2．理想集成运算放大器电路如图所示。要求：（1）说出该电路的名称；（2）画出相应的输出波形； （3）若Ω=k R 101，则R 2的最佳取值是多少？（6分）

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四、集成功率放大器题 （共11分）

集成功放如下图所示，已知V V CC 15=，1T 和2T 管的饱和压降V V CES 3=，Ω=8L R 。试求：（1）说出该集成功放的名称（2分）。（2）该电路是否会出现交越失真？为什么（2分）？（3）电路的最大输出功率、效率各为多少（4分）？（4）若要求负载电阻可能获得的最大功率为12W ，则电源电压至少选取多少（3分）？

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五、晶体管计算题 （每题10分，共20分） 1．晶体管单级放大电路如下图所示。已知：V V CC 12=，Ω=k R B 501，Ω=k R B 102，Ω=k R C 3，Ω=k R E 1.1，300=β，发射结压降为V 7.0。试求该放大电路的静态工作点BQ I 、CQ I 和CEQ V 。

2．晶体管单级放大电路如下图所示。已知：V V CC 12=， Ω=k R C 3，Ω=1001E R ，Ω=k R E 12，Ω=k R L 2，

300=β，Ω=k r be 8.6发射结压降为V 7.0。要求：

（1）求开关S 位于1位置时的电压放大倍数v A ；（2）求开关S 位于2位置时的电压放大倍数v A ；（3）求开关S 位于3位置时的电压放大倍数v A ；（4）比较三个电压放大倍数的大小（按绝对值比较）；（5）说明发射极电阻如何影响电压放大倍数。

（注：文档可能无法思考全面，请浏览后下载，供参考。）