dg14二极管和晶体管
三极管贴片封装
贴片三极管封装2007-09-20 16:021A SOT323 BC846AW NPN1A SOT416 BC846AT N BC546A1A SOT89 PXT3904 NPN1A SOT89 SXT3904 NPN-1A SOT323 PMST3904 N 2N39041A- SOT323 BC846AW N BC546A1AM SOT23 MMBT3904L N 2N39041Ap SOT23 BC846A N BC546A1At SOT23 BC846A N BC546A1At SOT323 BC846AW N BC546A1B SOT23 BC846B NPN1B SOT23 BC846B N BC546B1B SOT23 FMMT2222 NPN1B SOT23 FMMT2222 N 2N22221B SOT23 IRLML2803 F n-ch mosfet 30V 0.9A 1B SOT23 MMBT2222 NPN1B SOT23 MMBT2222 N 2N22221B SOT23 PMBT2222 NPN1B SOT23 SMBT2222 NPN1B SOT23 YTS2222 NPN1B SOT323 BC846BW NPN1B SOT416 BC846BT N BC546B1B SOT89 PXT2222 NPN-1B SOT323 PMST2222 N 2N22221Bp SOT23 BC846B N BC546B1Bs SC74 BC817UPN N1Bt SOT23 BC846B N BC546B1Bt SOT323 BC846BW N BC546B1C SOT23 FMMT-A20 NPN1C SOT23 FMMT-A20 N MPSA201C SOT23 IRLML6302 F p-ch mosfet 20V 0.6A1C SOT23 MMBTA20 NPN1C SOT23 MMBTA20L N MPS39041C SOT23 SMBTA20 NPN1Cp SOT23 BAP50-05 B dual cc GP RF pin diode 1Cs SOT363 BC847S BC4571D SOT23 BC846 NPN1D SOT23 IRLML5103 F p-ch mosfet 30V 0.6A1D SOT23 MMBTA42 NPN1D SOT23 MMBTA42 N MPSA42 300V npn1D SOT23 SMBTA42 NPN1D SOT323 BC846W NPN1D SOT89 SXTA42 NPN1D- SOT323 BC846W N BC4561DN 2SC4083 N npn 11V 3.2GHz TV tuners1Dp SOT23 BC846 N BC4561DR SC59 MSD1328-RT1 NPN1DR SOT346 MSD1328R N npn gp 25V 500mA1Ds SC74 BC846U N BC4561Ds SOT363 BC846U BC4561Dt SOT23 BC846 N BC4561Dt SOT323 BC846W N BC4561E FMMT-A43 N MPSA431E SOT23 BC847A NPN1E SOT23 BC847A N BC547A1E SOT23 FMMT-A43 NPN1E SOT23 MMBTA43 NPN1E SOT23 MMBTA43 N MPSA43 200V npn1E SOT23 SMBTA43 NPN1E SOT323 BC847AW NPN1E SOT416 BC847AT N BC547A1E SOT89 SXTA43 NPN1E- SOT323 BC847A N BC547A1EN 2SC4084 N npn 20V 2.0GHz TV tuners1Ep SOT23 BC847A N BC547A1ER SOT23R BC847AR R BC547A1Es SOT23 BC847A N BC4571Et SOT23 BC847A N BC547A1Et SOT323 BC847A N BC547A1F SOT23 BC847B NPN1F SOT23 BC847B N BC547B1F SOT23 FMMT5550 NPN1F SOT23 MMBT5550 NPN1F SOT23 MMBT5550 N 2N5550 140V npn 1F SOT23 PMBT5550 NPN1F SOT323 BC847BW NPN1F SOT416 BC847BT N BC547B1F- SOT323 BC847BW N BC547B1Fp SOT23 BC847B N BC547B1FR SOT23R BC847BR R BC547B1Fs SC75 BC847BT N BC547B1Fs SOT23 BC847B N BC547B1Fs SOT323 BC847BW N BC547B1Ft SOT23 BC847B N BC547B1Ft SOT323 BC847BW N BC547B1G FMMT-A06 N MPSA061G SOT23 BC847C NPN1G SOT23 BC847C N BC547C1G SOT23 FMMT-A06 NPN1G SOT23 MMBTA06 NPN1G SOT23 MMBTA06 N MPSA061G SOT23 SMBTA06 NPN1G SOT323 BC847CW NPN1G SOT416 BC847CT N BC547C1G- SOT323 BC847CW N BC547C1GM SOT23 MMBTA06 N MPSA061Gp SOT23 BC847C N BC547C1GR SOT23R BC847CR R BC547C1Gs SOT23 BC847C N BC547C1Gs SOT323 BC847CW N BC547C1GT SOA06 N MPSA061GT SOT23 SOA06 NPN1Gt SOT323 BC847CW N BC547C1H FMMT-A05 N MPSA051H SOT23 BC847 NPN1H SOT23 FMMT-A05 NPN1H SOT23 MMBTA05 NPN1H SOT23 MMBTA05 N MPSA051H SOT23 SMBTA05 NPN1H SOT323 BC847W NPN1Hp SOT23 BC847 N BC5471Ht SOT23 BC847 N BC5471HT SOT23 SOA05 NPN1HT SOT23 SOA05 N MPSA051Ht SOT323 BC847W N BC5471J FMMT2369 N 2N23691J SOT23 BC848A N BC548A1J SOT23 MMBT2369 N MPS23691JA SOT23 MMBT2369A N MPS2369A1JR SOT23R BC848AR R BC548A1Js SOT143 BCV61A VQ npn current mirror hFe 180 1Js SOT23 BC848A N BC548A1Js SOT323 BC848AW N BC548A1K FMMT4400 N 2N44001K SOT143 BCV61B NPN1K SOT23 BC848B NPN1K SOT23 BC848B N BC548B1K SOT23 FMMT4400 NPN1K SOT23 MMBT6428 NPN1K SOT23 MMBT6428 N MPSA18 50V1K SOT23 PMBT6428 NPN1K SOT23 SMBT6428 NPN1K SOT323 BC848BW NPN1KM SOT23 MMBT6428L N MPSA18 50V1Kp SOT23 BC848B N BC548B1KR SOT23R BC848BR R BC548B1Ks SOT143B BCV61B VQ npn current mirror hFe 290 1Ks SOT23 BC848B N BC548B1Ks SOT323 BC848BW N BC548B1L FMMT4401 N 2N44011L MMBT6429 N MPSA18 45V1L SOT143 BCV61C NPN1L SOT143B BCV61C VQ npn current mirror hFe 520 1L SOT23 BC848C NPN1L SOT23 BC848C N BC548C1L SOT23 FMMT4401 NPN1L SOT23 FMMT5400 PNP1L SOT23 MMBT6429 NPN1L SOT23 PMBT6429 NPN1L SOT23 SMBT6429 NPN1L SOT323 BC848CW NPN1Lp SOT143B BCV61C VQ npn current mirror hFe 520 1Lp SOT23 BC848C N BC548C1Ls SOT23 BC848C N BC548C1Ls SOT323 BC848CW N BC548C1M SOT143 BCV61 NPN1M SOT23 BC848 NPN1M SOT23 FMMT-A13 NPN1M SOT23 FMMT-A13 N MPSA131M SOT23 MMBTA13 NPN1M SOT23 MMBTA13 N MPSA13 darlington1M SOT23 PMBTA13 NPN1M SOT23 SMBTA13 NPN1M SOT323 BC848W NPN1Mp SOT143B BCV61 VQ npn current mirror1Mp SOT23 BC848 N BC5481N SOT23 FMMT-A14 NPN1N SOT23 FMMT-A14 N MPSA141N SOT23 MMBTA14 NPN1N SOT23 MMBTA14 N MPSA14 darlington1N SOT23 PMBTA14 NPN1N SOT23 SMBTA14 NPN1N SOT89 PXTA14 NPN1N10 SOT223 MMFT1N10ET1 MOSFET1P BC847PN DI pnp/npn separate pair gpAF1P FMMT2222A N 2N2222A1P SOT23 FMMT2222A NPN1P SOT23 MMBT2222A NPN1P SOT23 MMBT2222A N 2N2222A1P SOT23 PMBT2222A NPN1P SOT23 SMBT2222A NPN1P SOT23 YTS2222A NPN1P SOT89 PKT2222A NPN1Q SOT23 FMMT5088 NPN1Q SOT23 MMBT5088 NPN1Q SOT23 MMBT5088 N MPSA18 Vce 30V1Q SOT23 PMBT5088 NPN半导体三极管参数符号及其意义三极管基础知识及检测方法：一、晶体管基础双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。
信号采集原理ppt
AD转换电路与DA转换电路得基础
元件性能得影响与要求
• 模拟开关得性能参数
静态特性:主要指开关导通与断开时输入端与输出 端之间得电阻Ron与Roff,此外还有最大开关电压、最 大开关电流与驱动功耗等。
动态特性:开关动作延迟时间,包括开关导通延迟时 间Ton与开关截止延迟时间Toff, 通常Ton>Toff, 理想模 拟开关时Ton→0,Toff→0
b) Ron1
R1
C1
∞ -
+ + N2
C
uo uo
精度提高得方法(电路)
(2)电容校正方法得矛盾
精度 《》 速度
Ron2
C1
∞
∞
-
-
Ron
+
uo
+
+ N2
ui
+ N1
C
b)
提高速度得方法(电路)
减少反馈回路中得时间常数数目来提高速度
Uc
VD1
VD2
V2
V1
∞
-
ui
+
+ N1
R1
R2
V
∞
-
uo
+
(2)当在比较器后面连接数字电路时,专用集成比较器无需 添加任何元器件,就可以直接连接,但对通用运算放大器 而言,必须对输出电压采取嵌位措施,使它得高,彽输出电 位满足数字电路逻辑电平得要求。
电压比较电路
一 电平比较电路(单阈 值比较器)
(a)差动比较电路
第9章--电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介
目录目录.............................................................................................................................................................................. 第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介 . 09.1 电力二极管的应用简介 09.1.1 电力二极管的种类 09.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途 09.1.3 电力二极管的主要参数 09.1.4 电力二极管的选型原则 (1)9.2 电力晶体管的应用简介 (2)9.2.1 电力晶体管的主要参数 (2)9.2.2 电力晶体管的选型原则 (2)9.3 晶闸管的应用简介 (3)9.3.1 晶闸管的种类 (3)9.3.2 各种常用的晶体管结构、特点和用途 (3)9.3.3 晶闸管的主要参数 (4)9.3.4 晶闸管的选型原则 (5)9.4 总结 (6)第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介9.1 电力二极管的应用简介电力二极管（Power Diode）在20世纪50年代初期就获得应用，当时也被称为半导体整流器；它的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管相同，都以半导体PN结为基础，实现正向导通、反向截止的功能。
电力二极管是不可控器件，其导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。
电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。
9.1.1 电力二极管的种类电力二极管主要有普通二极管、快速恢复二极管和肖特基二极管。
9.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途名称结构特点、用途实例图片整流二极管多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中。
其反向恢复时间较长，一般在5s以上，其正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。
晶体管的分类
晶体管的分类晶体管是一种半导体器件，广泛应用于电子电路中的开关、放大、稳压等功能。
根据晶体管的结构和性质，可以将其分为多种不同的类型。
本文将从几个方面详细介绍晶体管的分类。
一、按材料分类1.硅晶体管硅晶体管是最常见的一种晶体管，其材料主要由硅元素制成。
它具有高稳定性、可靠性和低噪声等特点，被广泛应用于各种电子设备中。
2.锗晶体管锗晶体管是硅晶体管之前使用的一种材料。
它具有较高的导电率和热稳定性，但容易受到氧化影响而失效。
3.砷化镓晶体管砷化镓晶体管是一种新型半导体材料，具有高速、高频、低噪声等优点。
它被广泛应用于高频率放大器和微波电路中。
二、按结构分类1.结型晶体管结型晶体管又称为JFET（Junction Field Effect Transistor），它是通过控制PN结上空间电荷区域内场效应来控制电流的。
它具有低噪声、高输入阻抗等特点，被广泛应用于放大器和开关电路中。
2.双极型晶体管双极型晶体管又称为BJT（Bipolar Junction Transistor），它是由两个PN结组成的三层结构。
它具有较高的放大倍数和较低的输入阻抗，被广泛应用于放大器、开关和振荡器等电路中。
3.场效应晶体管场效应晶体管又称为FET（Field Effect Transistor），它是由金属栅极、绝缘层和半导体构成的。
它具有高输入阻抗、低噪声等特点，被广泛应用于放大器、开关和振荡器等电路中。
三、按工作方式分类1.增强型晶体管增强型晶体管是一种需要外加正向偏压才能工作的晶体管。
当栅极与源极之间施加正向偏压时，会形成导通通道，从而使得漏极之间产生电流。
它具有较高的放大倍数和较低的输入阻抗。
2.耗尽型晶体管耗尽型晶体管是一种不需要外加偏压就能工作的晶体管。
当栅极与源极之间没有施加偏压时，会形成一个耗尽区，从而使得漏极之间无法产生电流。
当施加负向偏压时，会增加耗尽区的宽度，从而减小漏极之间的电流。
3.复合型晶体管复合型晶体管是一种同时具有增强型和耗尽型特点的晶体管。
晶体管种类
晶体管种类晶体管是一种半导体器件，是现代电子技术的重要部分。
晶体管因其小型化、高速度、低功耗等特点，被广泛应用于计算机、电视、电话、音响、汽车和医疗等领域。
虽然晶体管的种类很多，但总的来说，它们都属于三类：二极管、MOSFET和BJT。
1. 二极管二极管是最早的晶体管之一，也是最简单的一种。
二极管由晶体管两个区域组成，其中一个区域为P型半导体，另一个区域为N型半导体。
二极管有两种类型：正向偏置和反向偏置。
正向偏置时，电流从P型半导体进入N型半导体，形成导电。
反向偏置时，电流从N型半导体进入P型半导体，形成阻隔。
二极管可以抑制电压波动、整流交流电和提供电压参考。
2. MOSFETMOSFET的全称是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor）。
MOSFET多用于数字电路。
它和二极管不同的地方是，它有一个栅极，可以通过改变栅极电压来控制电流。
MOSFET优点是高输入阻抗、小电流漏泄、可靠性高，适合高速器件。
根据栅极的作用可以分为增压MOSFET和光MOSFET等。
3. BJTBJT的全称是双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor）。
BJT是最常用的晶体管之一，广泛应用于模拟和数字电路中。
BJT由三个半导体区域组成，分别是发射区、基区和集电区。
BJT有NPN型和PNP型，分别对应于发射区和集电区的掺杂类型不同。
BJT根据不同的用途，可以分为低压高频、小信号放大和电源开关等类型。
IGBT是继MOSFET之后，又一种高压大功率开关器件，是最新型的高集成度器件之一。
IGBT的全称是绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）。
IGBT相比BJT，有高输入阻抗、低饱和电压、大输出阻抗等优点。
同时，IGBT又比MOSFET获得更高的电压和电流。
IGBT常使用在交流变频调速、大型UPS（不间断电源）和电力电子系统等领域。
肖特基限流二极管
肖特基限流二极管
肖特基限流二极管，也被称为肖特基二极管（Schottky Diode）或肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode，缩写成SBD），是一种具有特殊工作原理的半导体器件。
它的基本结构是在金属（如铅）和半导体（如N型硅片）的接触面上形成肖特基势垒，用以阻挡反向电压。
这种二极管的主要特点是具有较低的正向压降（通常在0.3V至0.6V 之间），同时其反向恢复时间非常短，可以在几纳秒级别。
这些特性使得肖特基二极管非常适合用于高频开关电路和低压大电流整流电路。
肖特基二极管的另一个重要特点是其开关速度非常快，这主要得益于它的多子参与导电机制，相比少子器件有更快的反应速度。
因此，肖特基二极管常用于门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。
肖特基二极管通常用于低功耗、大电流、超高速的半导体器件中，例如开关电源、高频电路、检波电路等。
尽管肖特基二极管的耐压能力相对较低（通常低于150V），但由于其优良的特性，它在许多应用中仍被广泛使用。
晶体管和二极管区别
晶体管和二极管区别晶体管和二极管区别首先说明一下：晶体管，就是指的半导体器件，二极管也是晶体管里的一种。
下面我们详细介绍一下二极管和三极管的特性及功能原理。
半导体二极管及其特性半导体二极管按其结构和制造工艺的不同，可以分为点接触型和面接触型两种。
点接触二极管是在P型硅晶晶体或N型锗晶体的表面上，安装上一根用钨或金丝做成的触针，与晶体表面接触而成，然后加以电流处理，使触针接触处形成一层异型的晶体。
很据所用金属丝的不同，分别称之为钨键二极管和金键二极管。
国产2APl一7和2APll—17型半导体二极管即属此类。
但前者触针是钨丝，后者是金丝。
面接触型二极管多数系用合金法制成。
在N型锗晶体的表面上安放上一块铟，然后在高温下使一部分锗熔化于铟内。
接着将温度降低，使熔化于姻内的锗又沉淀而出，形成P型晶体。
此P型晶体与末熔化的N型晶体组成P—N结。
点接触型半导体二极管具有较小的接触面积，因而触针与阻挡层间的电容饺小(约1微微法)；而面接触型二极管的极间电容较大，约为15一20微微池。
因此，前者适合于在频率较高的场合工作，而后者只适宜于频率低于50千赫以下的地方工作；另外前者允许通过的电流小，在无线电设备中宜作检波用，后者可通过较大之电流，多用于整流。
常用的半导体二极管其特性指标参数意义如下：1.工作频率范围f(MHz)：指由于P—N结电容的影响，二极管所能应用的频率范围。
2.最大反向电压Vmax(V)：指二极管两端允许的反向电压，一般比击穿电压小。
反向电压超过允许值时，在环境影响下，二极管有被击穿的危险。
3.击穿电压VB(V)：当二极管逐渐加上一定的反向电压时，反向电流突然增加，这时的反向电压叫反向击穿电压。
这时二极管失去整流性能。
4.整流电流I(mA)I指二极管在正常使用时的整流电流平均值。
晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
3ag14晶体管参数
3ag14晶体管参数3AG14晶体管参数一、引言3AG14晶体管是一种常用的电子元件，广泛应用于电子电路中。
本文将介绍3AG14晶体管的参数以及其在电路设计中的应用。
二、3AG14晶体管的基本参数1. 最大耐压（VCEO）：3AG14晶体管能够承受的最大电压。
该参数决定了晶体管在工作时所能承受的最大电压，超过该电压将导致晶体管损坏。
2. 最大电流（IC）：3AG14晶体管能够承受的最大电流。
该参数决定了晶体管在工作时所能够通过的最大电流，超过该电流将导致晶体管过载而损坏。
3. 最大功率（P）：3AG14晶体管能够承受的最大功率。
该参数由最大电流和最大电压共同决定，超过该功率将导致晶体管过热而损坏。
4. 直流电流放大倍数（hFE）：3AG14晶体管的放大能力。
该参数表示输入电流和输出电流之间的倍数关系，决定了晶体管的放大效果。
5. 饱和电压（VCEsat）：3AG14晶体管在饱和状态下的电压。
该参数表示晶体管在饱和状态下的工作电压，超过该电压将导致晶体管无法正常开关。
6. 频率响应（fT）：3AG14晶体管的最高工作频率。
该参数表示晶体管能够正常工作的最高频率，超过该频率将导致晶体管失去放大能力。
7. 封装形式：3AG14晶体管的外观和尺寸。
根据不同的应用需求，3AG14晶体管可采用不同的封装形式，如TO-92、SOT-23等。
三、3AG14晶体管在电路设计中的应用1. 放大电路：由于3AG14晶体管具有较高的直流电流放大倍数，因此广泛应用于放大电路中。
通过控制输入电流，可以实现对输出电流的放大，从而达到信号放大的目的。
2. 开关电路：3AG14晶体管具有较低的饱和电压和较高的开关速度，因此在开关电路中具有广泛的应用。
通过控制晶体管的开关状态，可以实现对电路的开关控制。
3. 振荡电路：由于3AG14晶体管具有较高的频率响应，因此在振荡电路中也可以使用。
通过合适的电路设计，可以利用晶体管的振荡特性实现信号的产生和放大。
PSpice元件库(最全最美观)
93 TLINE
同传,输更线全一点
94 TYCO_ELEC Tyco公司压敏电阻
95 TZB
单双向二极管,有常用的
96 VD
P电6K压E6检8A测等器,MC33064,S8054ALR
97 .VR
等Voltage regulator，如常用的
98 XTAL
7晶8振05,TL431等
99 ZETEX
zetex公司三极管等
25 DATACONV AD,DA
26 DI
DIODE 二极管
27 DIF
DIODE BRIDGE 二极管电桥
28 DIG_ECL D Flip-FlopD触发器
29 DIG_GAL Generic Array Logic通用阵列
30 DIG_MISC 逻mi辑xed digital device 混 合 数
功率MOS管
79 RFBJN
射频三极管
80 RFBJP
射频三极管
81 RFDIO
射击频二极管
82 SAH
HA2420,HA5320,LF398H 高 速
83 SHINDNGN 精SH密IN采DE样NG保EN持公放司大整器流桥,二极管
84 SOURCE
各种源
85 SOURCESTM 数字仿真信号源
86
52 JDIODE
日本产品,二极管
53 JFET
日本产品,FET
54 JFN
日本产品,NFET
55 JFP
日本产品,PFET
56 JJFET
日本产品,JJFET
57 JN_TECH LINEAR 公司产品,主要是运放,
59 LINEDRIV 也LI有NErAeRfe公re司nc产e 品,主要是门电
仓库物料分类及编码的规则
常见物料分类及编码规则2019-09-30物料分类及编码规则公司所有物料（除固定资产外）实行三级分类管理，划分为大类别、小类别和品种类型，物料编码总长为15位，物料大类、小类、物料品种和物料规格型号之间用英文句号隔开。
基本编码结构如下：物料规格（10位）物料品种类型（2位阿拉伯数字）物料小分类（2位大写英文字母）物料大分类（1位大写英文字母）一、物料大分类及其代码：1、电子材料：用“T”表示电子材料是指以其电性能为主要应用的材料，根据公司目前应用情况看，包括：集成电路类、印刷电路板类、电容器类、电阻器类、电感器类、晶体管类、接插件类、稳压器类、变压器类、充电器类、开关类、电池类、电声器类、电位器类、磁珠类、数据线类和电线电缆类等。
2、光学材料：用“G”表示光学材料是指传输光线的介质材料，包括光学玻璃、光学晶体和光学塑料等光学介质材料，但不包括光电性能一体化应用的光电材料，例如发光二极管、氖灯、日光灯、显像管、液晶屏等光电类材料，该类材料归于电子材料类，3、塑胶材料：用“S”表示塑胶材料是指以高分子合成树脂为主要应用的材料，包括ABS、PVC、PA、PS、PE等塑胶料，但不包括光学与塑胶一体化应用的材料，以及用于产品包装的塑胶材料，例如有机玻璃、玻璃钢、吸塑盒等，该类材料归于光学材料类或包装材料类。
公司目前应用的塑胶材料主要包括数码相机、车载摄像头、网络摄像头等产品的塑胶结构件，例如机壳，以及用于其他用途的PVC线管、塑胶工具、塑胶模具等。
4、金属材料：用“J”表示金属材料是指以钢、铁、铝等为主要应用的材料，公司目前主要包括数码相机、摄像头等产品使用的金属结构件，以及用于其他用途的角铁、金属线管、金属紧固件、金属工具、金属模具等。
5、包装材料：用“B”表示包装材料是指用于产品包装的材料，主要包括包装箱、吸塑盒、胶袋、包装带、封箱胶纸、不干胶标签、防潮剂、合格证等。
6、辅助材料：用“F”表示辅助材料是指构成产品实体的非主要材料，或辅助产品生产的应用材料，公司目前主要包括：UV胶、热固胶、酒精、锡膏、锡浆、清洗剂、无尘布、泡棉垫、双面胶、保护膜、钢网纸、胶水、锡条等。
第3章-信号调制解调电路
3、在测控系统中为什么要采用信号调制？ 在测控系统中，进入测控电路的除了传感器输出
的测量信号外，还往往有各种噪声。而传感器 的输出信号一般又很微弱，将测量信号从含有 噪声的信号中分离出来是测量电路的一项重要 任务。为了便于区别信号与噪声，往往给测量 信号赋予一定特征，这就是调制的主要功用。
第二节 调幅式测量电路
3、相敏检波电路与包络检波电路在功能与电路 构成上最主要的区别是什么？
相敏检波电路与包络检波电路在功能上的主要区别是相 敏检波电路能够鉴别调制信号相位，从而判别被测量 变化的方向，同时相敏检波电路还具有选频的能力， 从而提高测控系统的抗干扰能力。从电路结构上看， 相敏检波电路的主要特点是，除了所需解调的调幅信 号外，还要输入一个参考信号。有了参考信号就可以 用它来鉴别输入信号的相位和频率。
R’
C
∞2 V1
R’3
∞
+
+ N1
uA V2
R3
+
+ N2
uo
Uc Uc
R3’=2R3
第二节 调幅式测量电路
5、脉冲箝位式相敏检波电
路
C A R1 us
V Uc Ds Uc′
R2 ∞
-+ +N
Uc
O
U
′
c
O
uo
us O
uA , uo
O
uA us U sm sin
Uc
t
O
U
′
c
t
O us
tO uA, uo
分别为ωc±Ω的上下边频信号。载波信号中不含调制信号x 的信息，因此可以取Um=0，只保留两个边频信号。这种调 制称为双边带调制。
二极管sf14 参数
SF14是一种整流二极管，属于肖特基二极管的一种。
肖特基二极管以其发明人W. Shottky 的名字命名，它是一种金属-半导体结二极管，不同于传统的PN结二极管，它是利用金属与半导体接触形成的势垒来实现的。
SF14二极管通常用于高速、低压、大电流的整流应用，因其具有较快的反向恢复时间和较低的正向压降而受到青睐。
以下是SF14二极管的一些典型参数：
最大正向平均整流电流（IF）：1.0A
最大重复峰值反向电压（VR）：40V
最大直流阻断电压（VD）：40V
正向压降（VF）：在1.0A电流下约为0.55V
反向电流（IR）：在规定温度下，例如TA=25°C时，典型值为0.5mA
反向恢复时间（tr）：通常小于10ns
工作温度范围（TJ）：-65°C至125°C
存储温度范围：-50°C至150°C
封装形式：通常为SMA或SMAF封装。
二次电源常用器件介绍
二次电源常用IC介绍
二、基准
Ⅰ.1.24V基准系列
1.39110272 电压基准源-AZ431L-分流可调型-1.24V-0.5%-SOT23-18Vmax-0.1mAmin
200vv或二极管二次电源常用器件a为二二次电源料本构成以ave15048s03为例组成部分晶体管ic电容电阻pcb磁性元件结构件包装料本价格元19691129091401425006762占生产成本的比率2571191691218418666071000晶体管25ic12电容17电阻1pcb18磁性元件19结构件7包装1二次电源常用器件二次电源常用ic二次电源常用mosfet二次电源常用二极管二电电三三次源常用极管二次电源常用电容二次电源常用电阻二次电源器件选型指导二次电源常用ic介绍一pwm控制芯片隔离模块139110096pwm控制芯片3843pwm控制芯片可调整so8239110302pwm控制器isl6843电流型单端输出so8有铅工艺有铅工艺bicmos工艺339110189pwm控制芯片38c43pwm控制芯片可调整soic8439110309pwm控制器lm5025a电压型有源嵌位输出tssop16539110314pwm控制器lm5034电流型双路有源嵌位输出tssop20rohs多功能集成二次电源常用ic介绍一pwm控制芯片非隔离模块639110225pwm控制芯片sp6120ey同步buck型控制器tssop16注
二次电源电容发展趋势： 瓷片电容特点是精度高；温度、耐压特性好。缺点是容量很难做
大，大部分应用需要多个并联试用。目前业界不断在往大容量方 面发展。
实验二十七负阻抗变换器的研究
实验二十七负阻抗变换器的研究1实验目的1.加深对负阻抗概念的认识，掌握对含有负阻抗器件电路的分析方法。
2.了解负阻抗变换器的工作原理及其运放实现。
3.掌握负阻抗变换器的各种测试方法。
2实验器材1.QY-DT01电源控制屏2.直流稳压电源3.函数信号发生器4.QY-DG05通用电路实验模块5.QY-DG14受控源／回转器／负阻抗变换器实验模块6.示波器3实验原理1.负阻抗是电路理论中一个重要基本概念，在工程实践中广泛的应用。
负阻抗的产生除某些线性元件(如燧道二极管)在某个电压或电流的范围内具有负阻特性外，一般都由一个有源双口网络来形成一个等值的线性负阻抗。
该网络由线性集成电路或晶体管等元件组成，这样的网络称作负阻抗变换器(NIC)。
按有源网络输入电压和电流与输出电压和电流的关系，可分为电流倒置型和电压倒置型两种（INIC及VNIC），电路模型如图1 所示。
图1负阻抗变换器电路模型理想情况下，两种负阻抗变换器的电压、电流变换关系为：（1） 对于INIC 型：12U U = , 21I KI = (K 为正的常实数电流增益) （公式1）（2） 对于VNIC 型： 211U K U =- ， 21I I =- (K 1为电压增益) （公式2）由（公式1）可见，输入电压1U 经传输后等于输出电压2U ，大小和极性均未改变，但电流1I 经传输后变为2KI ，即大小和方向都变了，故名电流倒置型；由式（公式2）可见，经传输后，21I I =-，但电压的大小和正负极性都变了，故名电压倒置型。
2. 阻抗变换作用今在NIC 的输出端接以阻抗Z L ，如图26-2所示，则其输入阻抗可由（式1）求得：1221112121()i L U U U Z Z K I K I K I ====---或由（式2）可得122212i L U K U Z K Z I I -===--图2阻抗变换原理图可见Z i 为Z L 的（-1/K 1）倍或（-K 2）倍，即把正阻抗Z L 变换成了负阻抗，亦即能把R ，L ，C 元件分别变换为-R/K 1，L /K 1，C/K 1（或-K 2R ，-K 2L ，-K 2C ），故名负阻抗变换器。
半导体器件物理 第五章总结
2, 理想MOS电容: 把MOS结构看作电容器,
SiO2为介质层,当施加- VG 时, 就感生电荷密 度为 QS,金属栅上 QG KOO O KS OS QS *这样半导体一侧平板电容器----充电.
SiO2 P-Si
KO: SiO2 介电常数; εoξo: 自由空间电容率; ξo: SiO2 中场强; KS: 半导体介电常数; ξS: 半导体表面处电势.
2
q si
KT
Ppo ni e
q si
2 KT
（1）
14
[5-1-4]强反型的条件（不以厚度为依 据，当ns=Pp0为强反型）
3.临界强反型条件的推导 对于P型硅体内空穴浓度
Ppo ni e
Ei E f KT
ni e
q f KT
（2）
比较（1）（2）式， ∴
q si q f 2
9
3,载流子的反型(半导体表面反型)
a. 当栅上施加较大电压 +VG(正表面势),产生附加 能-q ψs. 半导体表面处能 带将会向下弯曲更明显, b. 由于 能带向下弯曲, Ei 小 于Ef,,可使半导体表面处变 成N型半导体能带结构， 称之为反型.称对应的区域 为反型层”.
10
si 2 f
VG V0 S
即外加电压降落在一部分V0为绝缘层上电压降 Ψs为半导体上的电压降（表面势） 2.VG与半导体表面参量Qs,Ψs关系 MOS为理想结构，绝缘层内电场均匀分布，以ε0表示
V0 x0 0
22
由高斯定理：
K 0 0 QG
QG 改写成 V0 K 0
24
VGB ox S
dQG C d ox d S
晶体二极管与晶体三极管
第四章晶体二极管与晶体三极管本章概述：晶体管是采用半导体晶体材料（如硅、锗、砷化镓等）制成的，在电子产品中应用十分广泛。
本章从二、三极管的型号、分类、外形识别及检测等多个方面，对常用二、三极管进行了较为详细和系统的讲解。
第一节晶体二极管和晶体三极管的型号命名方法一、中华人民共和国国家标准（GB249-74）国标（GB249-74）半导体器件型号命名由五部分组成，见表4-1。
表4-1 国标半导体器件型号命名方法例如：锗PNP高频小功率管为3AG11C，即３（三极管）Ａ（PNP型锗材料）Ｇ（高频小功率管）１１（序号）Ｃ（规格号）二、美国电子半导体协会半导体器件型号命名法表4-2 美国电子半导体协会半导体器件型号命名法三、日本半导体器件型号命名方法表4-3 日本半导体器件型号命名方法第二节半导体器件的外形识别一、晶体二极管的外形识别1.晶体二极管的结构与特性定义：晶体二极管由一个PN结加上引出线和管壳构成。
所以，二极管实际就是一个PN结。
电路图中文字表示符号为用V表示。
基本结构：PN结加上管壳和引线，就成为了半导体二极管。
图4-1 二极管的结构和电路符号二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图4-2所示。
1）正向特性当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。
不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
2）反向特性二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。
不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。
3）击穿特性当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。
实验一电压源与电压测量仪器实验报告
实验⼀电压源与电压测量仪器实验报告实验⼀电压源与电压测量仪器实验报告⼀、实验⽬的：1、掌握电压源（直流稳定电源和函数信号发⽣器）的功能、技术指标和使⽤⽅法；2、掌握四位半数字万⽤表及低频毫伏表的功能、技术指标和使⽤⽅法；3、学会正确选⽤电压表测量直流、交流电压，及含有直流电平的交流电压。
⼆、实验原理以及仪器介绍所需仪器1、直流稳定电源 1台2、数字函数信号发⽣器 1台3、“四位半”数字多⽤表 1台4、交流毫伏表 1台(⼀).设置信号发⽣器各项参数考虑如下信号表达式⼦：()Y B A wtφ=+Φ+在该式⼦中，A：信号的幅值、B为信号的直流分量、(**)Φ表⽰信号的形式、ω表⽰信号的频率，φ表⽰信号的相位⾓。
若不考虑信号的相位⾓，则式可以简化为：()Y B A wt=+Φ若信号没有叠加直流分量，则B为0；从上式可以发现，若需要简单的产⽣某⼀信号，只需要确定该信号的波形的形状（函数形式）、幅值、和频率（周期）即可。
下图（a）、（b）、（c）画的是⼀个完整周期的波形。
对⽐下图（a）和图（b），可以注意到，图（a）的正半周期和负半周期⼤⼩是⼀致的，图（b）信号的周期和图（a）⼀致，但是图（b）的正半周期和负半周期⼤⼩是不⼀致的，这是因为图（a）和图（b）的信号各⾃占空⽐都不⼀样，占空⽐为正半周与周期的⽐值。
对⽐图（c）和图（a）、图（b）的信号，则可以注意到，图（a）、图（b）的信号是关于0电平线对称的，图（c）的信号，其中轴相对0电平线有向上平移；这是因为，图（c）的交流信号，相对图（a）和图（b）的信号，叠加了⼀个直流分量。
通过对以上图形的对⽐，可以得到这么⼀个结论：当需要⽣成⼀个信号的时候，只需要根据信号的波形形状、频率、幅度、占空⽐、直流分量（偏移）等相关参数逐⼀进⾏设置，即可得到我们需要的信号输出；当然，设置好正确的信号后，要使信号能够正确输出，根据信号发⽣器的不同型号，可能还需要进⾏相关的输出设置。
SG系列伺服驱动器说明书
序言感谢您惠购南京开通自动化技术有限公司生产的SG系列伺服驱动器。
SG系列伺服驱动器是南京开通自动化技术有限公司研制、开发生产的高品质、多功能、低噪音的交流伺服驱动器。
SG系列伺服驱动器可对伺服电机的位置、转速、加速度和输出转矩方便地进行控制，SG系列伺服驱动器的研制成功为传动控制领域带来了无限生机。
SG系列伺服驱动器核心采用32位C P U，实现对电机全数字控制,是机械制造业最具竞争力的电气传动产品。
SG系列通用伺服驱动器，是根据自动化领域，针对位置、速度、力矩控制要求而开发，是数控机床、纺织、塑机、造纸及各种自动化流水线等运动控制领域的首选产品。
在使用SG系列伺服驱动器之前，请您仔细阅读该手册，以保证正确使用。
错误使用可能造成驱动器运行不正常、发生故障或降低使用寿命，乃至发生人身伤害事故。
因此使用前应反复阅读本说明书，严格按说明使用。
本手册为随机发送的附件，务必请您使用后妥善保管，以备今后对驱动器进行检修和维护时使用。
安全注意事项在产品存放、安装、配线、运行、检查或维修前，用户必需熟悉并遵2、配线4、运行目录第1章产品检查与安装 (1)1.1产品检查 (1)1.2安装与接线 (1)1.3安装方法 (2)1.4伺服电机安装 (3)1.4.1安装环境条件 (3)1.4.2安装方法 (3)1.5电机旋转方向定义 (4)第2章接线 (5)2.1配线规格 (5)2.2配线方法 (5)2.3注意事项 (6)2.4标准连接 (7)2.4.1SG20A/30A/50A/75A位置/速度控制 (7)2.4.2SG20B/30B/50B/75B位置/速度控制 (8)2.4.3SGH50A/75A位置/速度控制 (9)2.4.4SGH50B/75B位置/速度控制 (10)第3章接口 (11)3.1伺服驱动器电源端子TB (11)3.1.1SG20A/30A/20B/30B伺服驱动器电源端子TB (11)3.1.2SG50A/75A/50B/75B伺服驱动器电源端子TB (12)3.1.3SGH50A/75A/50B/75B伺服驱动器电源端子TB.133.2控制信号输入/输出端子CN1 (14)3.3编码器信号输入端子CN2 (19)3.4接口端子配置 (22)3.5输入/输出接口类型 (22)3.5.1开关量输入接口 (22)3.5.2开关量输出接口 (23)3.5.3脉冲量输入接口 (24)3.5.4模拟输入接口 (27)3.5.5编码器信号输出接口 (28)3.5.6编码器Z信号集电极开路输出接口 (29)3.5.7伺服电机光电编码器输入接口 (29)第4章参数 (30)4.1参数一览表 (30)4.2参数详解 (33)第5章保护功能 (51)5.1报警一览表 (51)5.2报警处理方法 (52)第6章显示与键盘操作 (61)6.1第1层 (61)6.2第2层 (62)6.2.1监视方式 (62)6.2.2参数设置 (64)6.2.3参数管理 (64)6.2.4速度试运行 (66)6.2.5JOG运行 (67)6.2.6模拟量自动调零 (67)第7章运行 (68)7.1接地 (68)7.2工作时序 (68)7.2.1电源接通次序 (68)7.2.2时序图 (69)7.3机械制动器使用 (70)7.4注意事项 (71)7.5试运行 (72)7.5.1运行前的检查 (72)7.5.2通电试运行 (72)7.6位置控制模式的简单接线运行 (74)7.7速度控制模式的简单接线运行 (77)7.8动态电子齿轮使用 (79)7.8.1简要接线 (80)7.8.2操作 (81)7.9单极性模拟电压速度控制 (82)7.10输入端子切换控制方式 (83)7.11用户转矩过载报警功能 (84)7.12调整 (85)7.12.1基本增益调整 (85)7.12.2基本增益参数调整图 (86)7.13常见问题 (86)7.13.1恢复缺省参数 (86)7.13.2频繁出现Err-15、Err-30、Err-31、Err-32报警.877.13.3出现Power灯不能点亮现象 (87)7.14相关知识 (88)7.14.1输入电子齿轮 (88)7.14.2位置控制时的滞后脉冲 (92)第8章规格 (92)8.1伺服驱动器安装尺寸 (93)8.1.1SG20A/30A/20B/30B尺寸图 (93)8.1.2SG50A/50B尺寸图 (94)8.1.3SG75A/75B尺寸图 (94)8.1.4SGH50A/50B尺寸图 (95)8.1.5SGH75A/75B尺寸图 (95)8.2伺服代码参数与电机对照表 (96)8.3伺服电机型号 (101)8.4伺服电机接线 (101)8.4.1绕组接线 (101)8.4.2制动器 (101)8.4.3标准编码器 (102)8.4.4省线编码器 (102)8.5伺服电机参数 (103)8.5.180系列电机参数 (103)8.5.2110系列电机参数 (103)8.5.3130系列电机参数 (104)附录1开通数控系统连接 (105)第1章产品检查与安装1.1产品检查本产品在出厂前均做过完整功能测试，为防止产品运送过程中因疏忽导致产品不正常，拆封后请详细检查下列事项：●检查伺服驱动器与伺服电机型号是否与订购的机型相同。
二极管的型号区分
二极管的型号命名规定由五个部分组成晶体二极管的分类一、根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。
包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。
因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。
因为构造简单，所以价格便宜。
对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。
2、键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。
其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。
与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。
多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。
在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
3、合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。
正向电压降小，适于大电流整流。
因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
4、扩散型二极管在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。
因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。
最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
5、台面型二极管PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。
其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。
初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。
因此，又把这种台面型称为扩散台面型。
对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
6、平面型二极管在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。
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价电子
Si
Si
共价健
Si
Si
晶体中原子的排列方式
硅单晶中的共价健结构
共价键中的两个电子，称为价电子。
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自由电子 本征半导体的导电机理电子技术
Si
Si
空穴
Si Si
价电子
本征激发：价电子在获得 一定能量（温度升高或受 光照）后，即可挣脱原子 核的束缚，成为自由电子 （带负电），同时共价键 中留下一个空位，称为空 穴（带正电）。
多子：空穴 少子：自由电子
无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。
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电子技术
1. 在杂质半导体中多子的数量与 a （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
2. 在杂质半导体中少子的数量与 b （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
3. 当温度升高时，少子的数量 c （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。
(1)自由电子作定向运动 电子电流 (2)价电子递补空穴 空穴电流 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。 在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡， 半导体中载流子便维持一定的数目。 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能 也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。
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二极管的结构示意图
金属触丝 N型锗片
阳极引线阴极引线源自( a) 点接触型 外壳铝合金小球 N型硅
阳极引线
PN结 金锑合金
底座
阴极引线
( b) 面接触型
电子技术
阳极引线 二氧化硅保护层
或N型半导体。
失去一个 电子变为 正离子
磷原子
多数载流子（多子）：自由电子 少数载流子（少子）：空穴
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14.1.2 N型半导体和 P 型半导体
电子技术
Si BS–i
接受一个 电子变为 负离子
Si Si
硼原子
掺入三价元素 空穴 掺杂后空穴数目大量
增加，空穴导电成为这 种半导体的主要导电方 式，称为空穴半导体或 P型半导体。
温度愈高，晶体中产 生的自由电子便愈多。
在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子 来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当 于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。
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本征半导体的导电机理
电子技术
半导体有两种导电粒子（载流子）：自由电子、空穴
当半导体两端加上外电压时，载流子定向运动（漂移 运动），在半导体中将出现两部分电流
－－－ － －－ + + + + + + －－－ － －－ + + + + + + －－－ － －－ + + + + + +
P
外电场
N
– + IR
少子在外电场 作用下定向移 动，形成很小 的反向电流。
PN 结加反向电压时，反向电阻较大，处于截止状态。 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。
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4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 b ，N 型半导体中的电流主要是 a 。
（a. 电子电流、b.空穴电流）
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电子技术
14.2 PN结及其单向导电性
PN 结：P型半导体和N型半导体交界面的特殊薄层 1. PN 结加正向电压（正向偏置） P接正、N接负
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+ + ++ + + + + ++ + + + + ++ + +
P IF
外电场 N +–
多子在外电 场作用下定 向移动，形 成较大的正 向电流。
PN 结加正向电压时，正向电阻较小，处于导通状态。
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电子技术
2. PN 结加反向电压（反向偏置） P接负、N接正
14.3 半导体二极管 电子技术
14.3.1 基本结构（一个PN结）
(a) 点接触型 结面积小、
结电容小、正 向电流小。用 于检波和变频 等高频电路。
(b)面接触型 结面积大、
正向电流大、 结电容大，用 于工频大电流 整流电路。
(c) 平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，
用于高频整流和开关电路中。
器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差， 工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。对 电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不 要过分追究精确的数值。
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电子技术
14.1 半导体的导电特性
半导体的导电特性： 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强
(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做
第14章 二极管和晶体管
14.1 半导体的导电特性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 半导体二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.6 光电器件
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第14章 半导体二极管和三极管
本章要求： 一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和
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14.1.2 N型半导体和 P 型半导体
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在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,
形成杂质半导体。 在常温下即可
变为自由电子 掺入五价元素
Si
Si
pS+i
Si
多
掺杂后自由电子数目
余 大量增加，自由电子导电
电 成为这种半导体的主要导
子 电方式，称为电子半导体
电流放大作用； 二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工
作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 三、会分析含有二极管的电路。
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对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和 正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器 件的目的在于应用。
学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况， 对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近 似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结 果。
成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。
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14.1.1 本征半导体
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完全纯净的、具有晶体结构的鍺、硅、硒，称为
本征半导体。