常用逻辑电平简介
逻辑电平高低电平标准
逻辑电平高低电平标准TTL:Transistor-TransistorLogic三极管结构。
Vcc:5V;VOH=2.4V;VOL=0.5V;VIH=2V;VIL=0.8V。
因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。
所以后来就把一部分"砍"掉了。
也就是后面的LVTTL。
LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(LowVoltageTTL)。
3.3VLVTTL:Vcc:3.3V;VOH=2.4V;VOL=0.4V;VIH=2V;VIL=0.8V。
2.5VLVTTL:Vcc:2.5V;VOH=2.0V;VOL=0.2V;VIH=1.7V;VIL=0.7V。
更低的LVTTL不常用就先不讲了。
多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就OK了。
TTL使用注意:TTL电平一般过冲都会比较严重，可在始端串22欧或33欧电阻，TTL电平输入脚悬空时内部认为是高电平。
要下拉的话应用1k以下电阻下拉。
TTL输出不能驱动CMOS输入。
CMOS:ComplementaryMetalOxideSemiconductorPMOS+NMOS。
Vcc:5V;VOH=4.45V;VOL=0.5V;VIH=3.5V;VIL=1.5V。
相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。
对应3.3VLVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。
3.3VLVCMOS:Vcc:3.3V;VOH=3.2V;VOL=0.1V;VIH=2.0V;VIL=0.7V。
2.5VLVCMOS:Vcc:2.5V;VOH=2V;VOL=0.1V;VIH=1.7V;VIL=0.7V。
CMOS使用注意:CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。
常用电平标准的讨论(TTL,ECL,PECL,LVDS,CMOS,CML,GTL,HSTL,SSTL)
常用电平标准的讨论（TTL，ECL，PECL，LVDS、CMOS、CML, GTL, HSTL, SSTL）部分资料上说它们的逻辑标准,门限都是一样的,就是供电大小不同,这两种电平的区别就是这些么?是否LVTTL电平无法直接驱动TTL电路呢?另外,"因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。
" 中,关于改善噪声容限和系统功耗部分大家还有更深入的解释么?简单列个表把Voh Vol Vih Vil VccTTL 2.4 0.4 2.0 0.8 5CMOS 4.44 0.5 3.5 1.5 5LVTTL 2.4 0.4 2.0 0.8 3.3LVCMOS 2.4 0.5 2.0 0.8 3.3SSTL_2 1.82 0.68 1.43 1.07 2.5根据上表所示，LVTTL可以驱动TTL，至于噪声，功耗问题小弟就不理解了，希望高手赐教！TTL 和LVTTL 的转换电平是相同的, TTL 产生于1970 年代初, 当时逻辑电路的电源电压标准只有5V 一种, TTL 的高电平干扰容限比低电平干扰容限大. CMOS 在晚十几年后才形成规模生产, 转换电平是电源电压的一半. 1990 年代才产生了3.3V/2.5V 等不同的电源标准, 于是重新设计了一部分TTL 电路成为LVTTL.LVTTLTTL 和LVTTL 的转换电平是相同的, TTL 产生于1970 年代初, 当时逻辑电路的电源电压标准只有5V 一种, TTL 的高电平干扰容限比低电平干扰容限大. CMOS 在晚十几年后才形成规模生产, 转换电平是电源电压的一半. 1990 年代才产生了3.3V/2.5V 等不同的电源标准, 于是重新设计了一部分TTL 电路成为LVTTL.ECL电路是射极耦合逻辑（Emitter Couple Logic）集成电路的简称与TTL电路不同，ECL电路的最大特点是其基本门电路工作在非饱和状态所以，ECL电路的最大优点是具有相当高的速度这种电路的平均延迟时间可达几个毫微秒甚至亚毫微秒数量级,这使得ECL集成电路在高速和超高速数字系统中充当无以匹敌的角色。
各种逻辑电平介绍
1X9非对称：应用领域：视频光端机，各类光纤监控系统。
视频信号（高速）采用PECL电平，控制信号84M以下（低速）采用TTL电平，155M以上采用PECL 电平ECL电路是射极耦合逻辑，ECL电路的最大优点是具有相当高的速度这种电路的平均延迟时间可达几个毫微秒甚至亚毫微秒数量级,这使得ECL集成电路在高速和超高速数字系统中充当无以匹敌的角色。
各种电平标准的讨论（TTL，ECL，PECL，LVDS、CMOS、CML.......）已有 601 次阅读2008-9-24 14:30|个人分类:网摘－技术活儿ECL电路是射极耦合逻辑（Emitter Couple Logic）集成电路的简称与TTL电路不同，ECL电路的最大特点是其基本门电路工作在非饱和状态所以，ECL电路的最大优点是具有相当高的速度这种电路的平均延迟时间可达几个毫微秒甚至亚毫微秒数量级,这使得ECL集成电路在高速和超高速数字系统中充当无以匹敌的角色。
ECL电路的逻辑摆幅较小（仅约 0.8V ，而 TTL 的逻辑摆幅约为2.0V ），当电路从一种状态过渡到另一种状态时，对寄生电容的充放电时间将减少，这也是ECL电路具有高开关速度的重要原因。
但逻辑摆幅小，对抗干扰能力不利。
由于单元门的开关管对是轮流导通的，对整个电路来讲没有“截止”状态，所以单元电路的功耗较大。
从电路的逻辑功能来看， ECL 集成电路具有互补的输出，这意味着同时可以获得两种逻辑电平输出，这将大大简化逻辑系统的设计。
ECL集成电路的开关管对的发射极具有很大的反馈电阻，又是射极跟随器输出，故这种电路具有很高的输入阻抗和低的输出阻抗。
射极跟随器输出同时还具有对逻辑信号的缓冲作用。
在通用的电子器件设备中，TTL和CMOS电路的应用非常广泛。
但是面对现在系统日益复杂，传输的数据量越来越大，实时性要求越来越高，传输距离越来越长的发展趋势，掌握高速数据传输的逻辑电平知识和设计能力就显得更加迫切了。
RSRSRS电平及常见逻辑电平标准
R S232、R S485、R S422电平，及常见逻辑电平标准RS232电平或者说串口电平，有的甚至说计算机电平，所有的这些说法，指得都是计算机9针串口（RS232）的电平，采用负逻辑，－15v ~ －3v 代表1＋3v ~ ＋15v 代表0RS485电平和RS422电平由于两者均采用差分传输（平衡传输）的方式，所以他们的电平方式，一般有两个引脚 A,B发送端 AB间的电压差＋2 ～＋6v 1－2 ～－6v 0接收端 AB间的电压差大于＋200mv 1小于－200mv 0定义逻辑1为B>A的状态定义逻辑0为A>B的状态AB之间的电压差不小于200mv一对一的接头的情况下RS232 可做到双向传输，全双工通讯最高传输速率 20kbps422 只能做到单向传输，半双工通讯，最高传输速率10Mbps485 双向传输，半双工通讯, 最高传输速率10Mbps常见逻辑电平标准下面总结一下各电平标准。
和新手以及有需要的人共享一下^_^.现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的 LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。
下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。
TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。
Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。
所以后来就把一部分“砍”掉了。
也就是后面的LVTTL。
LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。
3.3V LVTTL：Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
常用电平标准
常用电平标准现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。
下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。
TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。
Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。
所以后来就把一部分“砍”掉了。
也就是后面的LVTTL。
LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low V oltage TTL)。
3.3V LVTTL：Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
2.5V LVTTL：Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
更低的LVTTL不常用就先不讲了。
多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就OK 了。
TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻；TTL 电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。
要下拉的话应用1k以下电阻下拉。
TTL输出不能驱动CMOS输入。
CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。
Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。
相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。
对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。
信号逻辑电平标准详解
信号逻辑电平标准详解
信号的逻辑电平经历了从单端信号到差分信号、从低速信号到高速信号的发展过程。
最基本的单端信号逻辑电平为CMOS、TTL，在此基础上随着电压摆幅的降低，出现LVCMOS、LVTTL等逻辑电平，随着信号速率的提升又出现ECL、PECL、LVPECL、LVDS、CML等差分信号逻辑电平。
1、信号逻辑电平参数概念定义逻辑电平是指数字信号电压的高、低电平，相关参数定义如下：
（1）输入高电平门限Vih：保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于Vih时，则认为输入电平为高电平;
（2）输入低电平门限Vil：保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平，当输入电平低于Vil时，则认为输入电平为低电平;
（3）输出高电平门限Voh：保证逻辑门的输出为高电平时的输出电平的最小值，逻辑门的输出为高电平时的电平值都必须大于此Voh;。
逻辑电平mos
逻辑电平mos逻辑电平MOS是指Metal Oxide Semiconductor，即金属氧化物半导体。
它是一种常用的电子元件，广泛应用于数字电路中。
MOS是一种基于半导体材料的电子元件，其内部结构包括两个主要部分：MOSFET和MOS电容。
MOSFET是一种三端器件，包括源极、漏极和栅极，通过对栅极电压的控制，可以实现对漏极和源极之间的电流的调节。
MOS电容则是由金属电极、氧化物层和半导体基片组成，通过改变金属电极和半导体基片之间的电压，可以改变电容的电荷量。
逻辑电平MOS的作用是将输入信号转换为输出信号，实现逻辑功能。
在数字电路中，逻辑电平MOS常常被用于构建逻辑门电路，如与门、或门、非门等。
通过逻辑门电路的组合，可以实现各种复杂的数字逻辑功能。
逻辑电平MOS的工作原理是基于场效应。
当栅极电压为低电平时，MOSFET处于截止状态，漏极和源极之间的电流非常小；当栅极电压为高电平时，MOSFET处于导通状态，漏极和源极之间的电流较大。
通过对多个MOSFET的组合和控制，可以实现不同的逻辑功能。
逻辑电平MOS有许多优点。
首先，它具有体积小、功耗低的特点，适用于集成电路的制造。
其次，它具有高度的可靠性和稳定性，能够在宽温度范围内正常工作。
此外，逻辑电平MOS的响应速度较快，适用于高频率的信号处理。
然而，逻辑电平MOS也存在一些局限性。
首先，由于MOS电容的存在，逻辑电平MOS在工作过程中会产生一定的延迟，导致信号的传输速度受到限制。
其次，逻辑电平MOS的输出电流受到栅极电压的限制，不能提供较大的输出功率。
此外，逻辑电平MOS 的工作电压范围较窄，需要额外的电压转换电路来适应不同的工作电压要求。
为了克服逻辑电平MOS的一些缺点，研究者们提出了许多改进的方法。
例如，引入了多通道MOSFET和双栅极MOSFET等新型结构，以提高传输速度和输出功率。
此外，还提出了功耗优化的设计方法，通过降低栅极电压和调整电路结构，减少功耗，提高能效。
逻辑电平和差分电平
逻辑电平和差分电平逻辑电平和差分电平是电子领域中常用的概念。
它们在电路设计和数字信号处理中起着重要的作用。
本文将从人类的视角出发，以通俗易懂的方式，解释逻辑电平和差分电平的含义和应用。
逻辑电平是指数字电路中表示逻辑状态的电压值。
在大多数数字电路中，通常将高电平定义为逻辑"1"，低电平定义为逻辑"0"。
逻辑电平的判断是基于一定的电压范围，如TTL逻辑电平中，高电平范围是2.4V到5V，低电平范围是0V到0.8V。
逻辑电平的变化代表了逻辑电路中信号的传输和处理。
差分电平是指在差分信号传输中使用的电压值。
差分信号传输是一种常见的电路设计技术，用于提高抗干扰性能和传输速度。
差分电平由两个相对的电压值表示，分别称为正电平和负电平。
差分电平的差值代表了信号的幅度，而差分电平的和值则代表了信号的平均值。
差分信号传输常用于高速串行通信、LVDS接口等领域。
逻辑电平和差分电平在数字电路中扮演着不同的角色。
逻辑电平主要用于表示逻辑状态，例如开关的开关状态、数字电路中的逻辑运算结果等。
而差分电平则主要用于信号传输和抗干扰，它通过正负电平的差值来提高信号的可靠性和抗干扰性能。
在数字电路设计中，逻辑电平和差分电平的选择和处理是非常重要的。
合理的逻辑电平设计可以保证电路的正确工作，而差分电平的选择和处理可以提高信号的传输质量和可靠性。
因此，在设计数字电路时，工程师需要仔细考虑逻辑电平和差分电平的要求，以确保电路的性能和可靠性。
总的来说，逻辑电平和差分电平在数字电路中起着重要的作用。
它们代表了电路中信号的状态和传输性能。
合理的逻辑电平和差分电平设计可以提高电路的性能和可靠性。
因此，在数字电路设计中，工程师需要充分理解逻辑电平和差分电平的概念和应用，以确保电路的正确工作和稳定性。
希望通过本文的解释，读者能够对逻辑电平和差分电平有更加清晰的认识。
常用电平类型
常用电平类型
常用电平类型包括以下几种：
1. CMOS电平：CMOS逻辑电平的输入电压范围为0-20V，输出电压范围为-10+10V，输入、输出信号电平相差大于2V。
2. TTL电平：TTL逻辑电平的输入电压范围为0-5V，输出电压范围为0-5V，输入、输出信号电平相差大于0.8V。
3. ECL电平：ECL逻辑电平的输入电压范围为
-1.5-0.5V，输出电压范围为-1.5+0.5V，输入、输出信号电平相差小于0.4V。
4. RS-232电平：RS-232逻辑电平的输入电压范围为
-15-5V，输出电压范围为+3-15V，输入、输出信号电平相差大于3V。
5. USB电平：USB逻辑电平的输入电压范围为0-3.3V，输出电压范围为0-3.3V，输入、输出信号电平相差大于0.4V。
6. HDMI电平：HDMI逻辑电平的输入电压范围为0-3.3V，输出电压范围为0-3.3V，输入、输出信号电平相差大于0.4V。
7. SPI电平：SPI逻辑电平的输入电压范围为0-3.3V，输出电压范围为0-3.3V，输入、输出信号电平相差大于0.4V。
8. I2C电平：I2C逻辑电平的输入电压范围为0-3.3V，输出电压范围为0-3.3V，输入、输出信号电平相差大于0.4V。
逻辑电平及一些基本电平标准
TTL：Transistor Logic 三极管结构。
Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。
更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就OK了。
TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻；TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。
CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。
4：输出低电平（Vol）：保证逻辑门的输出为低电平时的输出电平的最大值，逻辑门的输出为低电平时的电平值都必须小于此Vol。
5：阀值电平(Vt)： 数字电路芯片都存在一个阈值电平，就是电路刚刚勉强能翻转动作时的电平。它是一个界于Vil、Vih之间的电压值，对于CMOS电路的阈值电平，基本上是 二分之一的电源电压值，但要保证稳定的输出，则必须要求输入高电平> Vih，输入低电平<Vil，而如果输入电平在阈值上下，也就是Vil～Vih这个区域，电路的输出会处于不稳定状态。
前面的电平标准摆幅都比较大，为降低电磁辐射，同时提高开关速度又推出LVDS电平标准。
LVDS：Low Voltage Differential Signaling
差分对输入输出，内部有一个恒流源3.5-4mA，在差分线上改变方向来表示0和1。通过外部的100欧匹配电阻(并在差分线上靠近接收端)转换为±350mV的差分电平。
电路 逻辑电平 transition 转变-概述说明以及解释
电路逻辑电平transition 转变-概述说明以及解释1.引言1.1 概述在现代电子设备中，电路的设计和工作原理是至关重要的。
电路可以被看作是一个能够控制电子信号流动的系统，它可以实现各种功能，例如放大信号、逻辑运算等。
在电路中，逻辑电平是一个常见的概念，它表示电路在某个时间点上的电压状态，通常用高电平（1）和低电平（0）来表示。
另一个重要的概念是Transition转变，它指的是电路中信号从一个逻辑电平到另一个逻辑电平的过程。
在电路设计中，Transition的速度和稳定性对于电路的性能有着重要影响。
本文将重点讨论电路的基础知识、逻辑电平和Transition转变，希望能够为读者提供一个清晰的了解和认识。
通过深入研究这些概念，读者将能够更好地理解电路在现代电子设备中的重要性和应用。
1.2 文章结构:本文主要分为引言、正文和结论三个部分。
在引言部分，我们将对电路、逻辑电平和Transition转变进行简要的概述，介绍文章的结构和目的。
在正文部分，我们将详细介绍电路的基础知识，逻辑电平的特点以及Transition转变的原理和应用。
最后在结论部分，我们对本文进行总结，探讨逻辑电平和Transition转变在实际应用中的重要性，并展望它们在未来的发展方向。
通过本文的内容，读者可以全面了解电路中的逻辑电平和Transition转变，为电路设计和应用提供更深入的理解和指导。
1.3 目的本文的目的在于探讨电路中逻辑电平的转变过程，即Transition的概念。
通过对电路基础和逻辑电平的介绍，我们将对Transition的原理和影响因素进行深入分析，以帮助读者更好地理解电路中信号的传输过程。
在现代电子设备中，电路的稳定性和性能至关重要。
了解逻辑电平的转变过程不仅可以帮助我们优化电路设计，提高电路的可靠性和效率，还可以帮助我们更好地理解数字信号在电路中的传播机制。
通过本文的讨论，读者可以深入了解Transition的概念，并掌握如何在实际电路设计中应用和优化Transition来提升电路的性能和稳定性。
常用电平介绍及相互转换
LDVS 输出结构：电路输出阻抗为 1 Nhomakorabea0ohm
LDVS 输入结构
输入差分阻抗为 100Ω， 为适应共模电压宽范围内的变化， 输入级还包括一个自动电平调整电路， 该电路将共模电压调整为一固定值，该电路后面是一个 SCHMITT 触发器。SCHMITT 触发器为防止不 稳定，设计有一定的回滞特性，SCHIMTT 后级是差分放大器
TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构
因为 2.4V 与 5V 之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还 会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的 LVTTL。 LVTTL 又分 3.3V、2.5V 以及更低电压的 LVTTL(Low Voltage TTL)。 TTL 使用注意：TTL 电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串 22 欧或 33 欧电阻； TTL 电平输 入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用 1k 以下电阻下拉。TTL 输出不能驱动 CMOS 输入。 另外，I/O 為 OC 門時，由於只能吸收大電流而不能向外部提供電流，需要外部上拉或者外部電 源。
ECL 电路的最大特点是其基本门电路工作在非饱和状态，因此 ECL 又称为非饱和性逻辑。也正因为如 此，ECL 电路的最大优点是具有相当高的速度。这种电路的平均延迟时间可达几个 ns 数量级甚至更 少。传统的 ECL 以 VCC 为零电压，VEE 为-5.2 V 电源，VOH=VCC-0.9 V=-0.9 V，VOL=VCC-1.7 V=-1.7 V，所以 ECL 电路的逻辑摆幅较小（仅约 0.8 V） 。当电路从一种状态过渡到另一种状态时，对寄生电 容的充放电时间将减少，这也是 ECL 电路具有高开关速度的重要原因。另外，ECL 电路是由一个差分 对管和一对射随器组成的， 所以输入阻抗大， 输出阻抗小， 驱动能力强， 信号检测能力高， 差分输出，
常用逻辑电平介绍
逻辑电平详细介绍逻辑电平有：TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVDS、GTL、BTL、ETL、GTLP；RS232、RS422、RS485等。
常用逻辑系列器件TTL：Transistor-Transistor LogicCMOS：Complementary Metal Oxide SemicondutorLVTTL：Low Voltage TTLLVCMOS：Low Voltage CMOSECL：Emitter Coupled Logic，PECL：Pseudo/Positive Emitter Coupled LogicLVDS：Low Voltage Differential SignalingGTL：Gunning Transceiver LogicBTL：Backplane Transceiver LogicETL：enhanced transceiver logicGTLP：Gunning Transceiver Logic PlusTI的逻辑器件系列有：74、74HC、74AC、74LVC、74LVT等S - Schottky LogicLS - Low-Power Schottky LogicCD4000 - CMOS Logic 4000AS - Advanced Schottky Logic74F - Fast LogicALS - Advanced Low-Power Schottky LogicHC/HCT - High-Speed CMOS LogicBCT - BiCMOS TechnologyAC/ACT - Advanced CMOS LogicFCT - Fast CMOS TechnologyABT - Advanced BiCMOS TechnologyLVT - Low-Voltage BiCMOS TechnologyLVC - Low Voltage CMOS TechnologyLV - Low-VoltageCBT - Crossbar TechnologyALVC - Advanced Low-Voltage CMOS TechnologyAHC/AHCT - Advanced High-Speed CMOSCBTLV - Low-Voltage Crossbar TechnologyALVT - Advanced Low-Voltage BiCMOS TechnologyAVC - Advanced Very-Low-Voltage CMOS LogicTTL器件和CMOS器件的逻辑电平：逻辑电平的一些概念要了解逻辑电平的内容，首先要知道以下几个概念的含义：1：输入高电平（Vih）：保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于Vih时，则认为输入电平为高电平。
RS232、RS485、RS422电平,及常见逻辑电平标准
RS232、RS485、RS422电平，及常见逻辑电平标准RS232电平或者说串口电平，有的甚至说计算机电平，所有的这些说法，指得都是计算机9针串口（RS232）的电平，采用负逻辑，－15v ~ －3v 代表1＋3v ~ ＋15v 代表0RS485电平和RS422电平由于两者均采用差分传输（平衡传输）的方式，所以他们的电平方式，一般有两个引脚 A,B发送端 AB间的电压差＋2 ～＋6v 1－2 ～－6v 0接收端 AB间的电压差大于＋200mv 1小于－200mv 0定义逻辑1为B>A的状态定义逻辑0为A>B的状态AB之间的电压差不小于200mv一对一的接头的情况下RS232 可做到双向传输，全双工通讯最高传输速率 20kbps422 只能做到单向传输，半双工通讯，最高传输速率10Mbps485 双向传输，半双工通讯, 最高传输速率10Mbps常见逻辑电平标准下面总结一下各电平标准。
和新手以及有需要的人共享一下^_^.现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的 LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。
下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。
TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。
Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。
所以后来就把一部分“砍”掉了。
也就是后面的LVTTL。
LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。
3.3V LVTTL：Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
常用逻辑接口电平标准简介及应用
１ｒ ＿ Ｌ和 ＣＭＯＳ
１ｒ 即 Ｔ ａ ｓｓｏ — ｒｎ ｉｔ ｒＬ ｇｃ ＿Ｌ ｒ ｎ ｉｔ ｒ Ｔ ａ ｓｓ ｏ ｏ ｉ，
Ｌ Ｃ Ｓ驱动和 接收器通常是简 单的对 Ｖ ＭＯ
称 上 下拉 结 构 ， 要 满 足 Ｖ 和 Ｖ 的高 低 只 ｉ ｏ 电 平标 准 和 驱 动 电流 范 围 ， 者 就 可 以相 二
仅约 Ｏ８Ｖ） 当电路从 ． 。 摆 幅 提 供 更 大 的 电压 增 益 和 带 宽 ， 时还 的逻辑摆幅较小 （ 同 可 以去 除共模 和偶次谐波 的干扰 ， 而提 从
一
种状 态过渡到另一种状态时 ， 对寄生 电
这也是 Ｅ Ｌ电路 Ｃ 供更高的数据传输 率。其缺点是差分信号 容 的充放 电时间将减 少，
比较高｛％精度） １ 。
传 统 的 Ｅ Ｌ以 Ｖ ｃ为零 电压 ， Ｅ为 Ｃ ｃ ＶＥ
一
差分信 号接 口标 准
５２ Ｖ 电 源 ， ｏ＝ ｃ 一 ． Ｖ 一 ． Ｖ， ． Ｖ ． Ｖ ｃ ０ ９ ＝ ０９
ＯＬ Ｖ ｃ １７ ＝ １７ 所 Ｃ 差 分信号 较单 端信 号能 够 以低 电压 Ｖ ＝ ｃ 一 ． Ｖ 一 ． Ｖ， 以 Ｅ Ｌ 电路
与 Ｌ厂Ｔ ＼ｒ Ｌ和 Ｌ Ｃ Ｓ 的 不 同 在 于 Ｓ Ｔ Ｖ ＭＯ ＳＬ
的接口标准共存是必然的。本文将介绍 目
前 常 用 的 单 端 和 差 分 接 口标 ； 其 相 互 隹及 间的 转化 和 应用 。
ｌ 厂＿Ｌ和 Ｌ 、ｒｒ ＶＣＭＯＳ
随 着 技 术 和 工 艺 的 发 展 以及 设 备 低 是传输线终端匹配的，因此 Ｓ Ｔ Ｓ Ｌ具有输 功 耗 等 要 求 ，供 电 电压 越 来越 低 ，＼＿Ｌ Ｌ几 ｒ
逻辑电平标准说明
在通用的电子器件设备中，TTL和CMOS电路的应用非常广泛。
但是面对现在系统日益复杂，传输的数据量越来越大，实时性要求越来越高，传输距离越来越长的发展趋势，掌握高速数据传输的逻辑电平知识和设计能力就显得更加迫切了。
5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。
·3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平。
·低电压的逻辑电平还有2.5V和1.8V两种。
·ECL/PECL和LVDS是差分输入输出。
·RS-422/485和RS-232是串口的接口标准，RS-422/485是差分输入常用电平标准现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。
下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。
TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。
Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。
所以后来就把一部分“砍”掉了。
也就是后面的LVTTL。
LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。
3.3V LVTTL：Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
2.5V LVTTL：Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
更低的LVTTL不常用。
多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就OK了。
TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻；TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。
什么是逻辑电平
在通用的电子器件设备中，TTL和CMOS电路的应用非常广泛。
但是面对现在系统日益复杂，传输的数据量越来越大，实时性要求越来越高，传输距离越来越长的发展趋势，掌握高速数据传输的逻辑电平知识和设计能力就显得更加迫切了。
5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。
·3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平。
·低电压的逻辑电平还有2.5V和1.8V两种。
·ECL/PECL和LVDS是差分输入输出。
·RS-422/485和RS-232是串口的接口标准，RS-422/485是差分输入常用电平标准现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。
下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。
TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。
Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。
所以后来就把一部分“砍”掉了。
也就是后面的LVTTL。
LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low V oltage TTL)。
3.3V LVTTL：Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。
2.5V LVTTL：Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
更低的LVTTL不常用。
多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就OK了。
TTL电平
逻辑电平简介（转摘）2006-7-24 14:12:00推荐TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。
在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0. 8V，噪声容限是0.4V。
2，CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。
哈哈4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。
否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
5，TTL和COMS电路比较：1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
TTL和CMOS的逻辑电平关系图2－1：TTL和CMOS的逻辑电平图上图为5V TTL逻辑电平、5V CMOS逻辑电平、LVTTL逻辑电平和LVCMOS逻辑电平的示意图。
5V TTL逻辑电平和5V CMOS逻辑电平是很通用的逻辑电平，注意他们的输入输出电平差别较大，在互连时要特别注意。
另外5V CMOS器件的逻辑电平参数与供电电压有一定关系，一般情况下，Voh≥Vcc-0.2V，Vih ≥0.7Vcc；Vol≤0. 1V，Vil≤0.3Vcc；噪声容限较TTL电平高。
JEDEC组织在定义3. 3V的逻辑电平标准时，定义了LVTTL和LVCMOS逻辑电平标准。
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常用逻辑电平简介（转载）逻辑电平有：TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVDS、GTL、BTL、ETL、GTLP；RS232、RS422、RS485等。
图1－1：常用逻辑系列器件TTL：Transistor-Transistor LogicCMOS：Complementary Metal Oxide SemicondutorLVTTL：Low Voltage TTLLVCMOS：Low Voltage CMOSECL：Emitter Coupled Logic，PECL：Pseudo/Positive Emitter Coupled LogicLVDS：Low Voltage Differential SignalingGTL：Gunning Transceiver LogicBTL： Backplane Transceiver LogicETL： enhanced transceiver logicGTLP：Gunning Transceiver Logic PlusTI的逻辑器件系列有：74、74HC、74AC、74LVC、74LVT等S - Schottky LogicLS - Low-Power Schottky LogicCD4000 - CMOS Logic 4000AS - Advanced Schottky Logic74F - Fast LogicALS - Advanced Low-Power Schottky LogicHC/HCT - High-Speed CMOS LogicBCT - BiCMOS TechnologyAC/ACT - Advanced CMOS LogicFCT - Fast CMOS TechnologyABT - Advanced BiCMOS TechnologyLVT - Low-Voltage BiCMOS TechnologyLVC - Low Voltage CMOS TechnologyLV - Low-VoltageCBT - Crossbar TechnologyALVC - Advanced Low-Voltage CMOS TechnologyAHC/AHCT - Advanced High-Speed CMOSCBTLV - Low-Voltage Crossbar TechnologyALVT - Advanced Low-Voltage BiCMOS TechnologyAVC - Advanced Very-Low-Voltage CMOS LogicTTL器件和CMOS器件的逻辑电平：逻辑电平的一些概念要了解逻辑电平的内容，首先要知道以下几个概念的含义：1：输入高电平（Vih）：保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于Vih时，则认为输入电平为高电平。
2：输入低电平（Vil）：保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平，当输入电平低于Vil时，则认为输入电平为低电平。
3：输出高电平（Voh）：保证逻辑门的输出为高电平时的输出电平的最小值，逻辑门的输出为高电平时的电平值都必须大于此Voh。
4：输出低电平（Vol）：保证逻辑门的输出为低电平时的输出电平的最大值，逻辑门的输出为低电平时的电平值都必须小于此Vol。
5：阀值电平(Vt)：数字电路芯片都存在一个阈值电平，就是电路刚刚勉强能翻转动作时的电平。
它是一个界于Vil、Vih之间的电压值，对于CMOS电路的阈值电平，基本上是二分之一的电源电压值，但要保证稳定的输出，则必须要求输入高电平> Vih，输入低电平<Vil，而如果输入电平在阈值上下，也就是Vil～Vih 这个区域，电路的输出会处于不稳定状态。
对于一般的逻辑电平，以上参数的关系如下：Voh > Vih > Vt > Vil > Vol。
6：Ioh：逻辑门输出为高电平时的负载电流（为拉电流）。
7：Iol：逻辑门输出为低电平时的负载电流（为灌电流）。
8：Iih：逻辑门输入为高电平时的电流（为灌电流）。
9：Iil：逻辑门输入为低电平时的电流（为拉电流）。
门电路输出极在集成单元内不接负载电阻而直接引出作为输出端，这种形式的门称为开路门。
开路的TTL、CMOS、ECL门分别称为集电极开路（OC）、漏极开路（OD）、发射极开路（OE），使用时应审查是否接上拉电阻（OC、OD门）或下拉电阻（OE门），以及电阻阻值是否合适。
对于集电极开路（OC）门，其上拉电阻阻值RL应满足下面条件：（1）： RL < （VCC－Voh）/（n*Ioh＋m*Iih）（2）：RL > （VCC－Vol）/（Iol＋m*Iil）其中n：线与的开路门数；m：被驱动的输入端数。
：常用的逻辑电平·逻辑电平：有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL；RS232、RS422、LVDS等。
·其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类：5V系列（5V TTL和5V CMOS）、3.3V系列，2.5V系列和1.8V系列。
·5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。
·3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平。
·低电压的逻辑电平还有2.5V和1.8V两种。
·ECL/PECL和LVDS是差分输入输出。
·RS-422/485和RS-232是串口的接口标准，RS-422/485是差分输入输出，RS-232是单端输入输出。
TTL和CMOS的逻辑电平关系图2－1：TTL和CMOS的逻辑电平图上图为5V TTL逻辑电平、5V CMOS逻辑电平、LVTTL逻辑电平和LVCMOS逻辑电平的示意图。
5V TTL逻辑电平和5V CMOS逻辑电平是很通用的逻辑电平，注意他们的输入输出电平差别较大，在互连时要特别注意。
另外5V CMOS器件的逻辑电平参数与供电电压有一定关系，一般情况下，Voh≥Vcc-0.2V，Vih≥0.7Vcc；Vol≤0.1V，Vil≤0.3Vcc；噪声容限较TTL电平高。
JEDEC组织在定义3.3V的逻辑电平标准时，定义了LVTTL和LVCMOS逻辑电平标准。
LVTTL逻辑电平标准的输入输出电平与5V TTL逻辑电平标准的输入输出电平很接近，从而给它们之间的互连带来了方便。
LVTTL逻辑电平定义的工作电压范围是3.0－3.6V。
LVCMOS逻辑电平标准是从5V CMOS逻辑电平关注移植过来的，所以它的Vih、Vil 和Voh、Vol与工作电压有关，其值如上图所示。
LVCMOS逻辑电平定义的工作电压范围是2.7－3.6V。
5V的CMOS逻辑器件工作于3.3V时，其输入输出逻辑电平即为LVCMOS逻辑电平，它的Vih大约为0.7×VCC＝2.31V左右，由于此电平与LVTTL的Voh（2.4V）之间的电压差太小，使逻辑器件工作不稳定性增加，所以一般不推荐使用5V CMOS 器件工作于3.3V电压的工作方式。
由于相同的原因，使用LVCMOS输入电平参数的3.3V逻辑器件也很少。
JEDEC组织为了加强在3.3V上各种逻辑器件的互连和3.3V与5V逻辑器件的互连，在参考LVCMOS和LVTTL逻辑电平标准的基础上，又定义了一种标准，其名称即为3.3V逻辑电平标准，其参数如下：图2－2：低电压逻辑电平标准从上图可以看出，3.3V逻辑电平标准的参数其实和LVTTL逻辑电平标准的参数差别不大，只是它定义的Vol可以很低（0.2V），另外，它还定义了其Voh最高可以到VCC-0.2V，所以3.3V逻辑电平标准可以包容LVCMOS的输出电平。
在实际使用当中，对LVTTL标准和3.3V逻辑电平标准并不太区分，某些地方用LVTTL 电平标准来替代3.3V逻辑电平标准，一般是可以的。
JEDEC组织还定义了2.5V逻辑电平标准，如上图所示。
另外，还有一种2.5V CMOS 逻辑电平标准，它与上图的2.5V逻辑电平标准差别不大，可兼容。
低电压的逻辑电平还有1.8V、1.5V、1.2V的逻辑电平。
、TTL和CMOS逻辑器件逻辑器件的分类方法有很多，下面以逻辑器件的功能、工艺特点和逻辑电平等方法来进行简单描述。
：TTL和CMOS器件的功能分类按功能进行划分，逻辑器件可以大概分为以下几类：门电路和反相器、选择器、译码器、计数器、寄存器、触发器、锁存器、缓冲驱动器、收发器、总线开关、背板驱动器等。
1：门电路和反相器逻辑门主要有与门74X08、与非门74X00、或门74X32、或非门74X02、异或门74X86、反相器74X04等。
2：选择器选择器主要有2-1、4-1、8-1选择器74X157、74X153、74X151等。
3：编/译码器编/译码器主要有2/4、3/8和4/16译码器74X139、74X138、74X154等。
4：计数器计数器主要有同步计数器74X161和异步计数器74X393等。
5：寄存器寄存器主要有串-并移位寄存器74X164和并-串寄存器74X165等。
6：触发器触发器主要有J-K触发器、带三态的D触发器74X374、不带三态的D触发器74X74、施密特触发器等。
7：锁存器锁存器主要有D型锁存器74X373、寻址锁存器74X259等。
8：缓冲驱动器缓冲驱动器主要有带反向的缓冲驱动器74X240和不带反向的缓冲驱动器74X244等。
9：收发器收发器主要有寄存器收发器74X543、通用收发器74X245、总线收发器等。
10：总线开关总线开关主要包括总线交换和通用总线器件等。
11：背板驱动器背板驱动器主要包括TTL或LVTTL电平与GTL/GTL+（GTLP）或BTL之间的电平转换器件。
：TTL和CMOS逻辑器件的工艺分类特点按工艺特点进行划分，逻辑器件可以分为Bipolar、CMOS、BiCMOS等工艺，其中包括器件系列有：Bipolar（双极）工艺的器件有： TTL、S、LS、AS、F、ALS。
CMOS工艺的器件有： HC、HCT、CD40000、ACL、FCT、LVC、LV、CBT、ALVC、AHC、AHCT、CBTLV、AVC、GTLP。
BiCMOS工艺的器件有： BCT、ABT、LVT、ALVT。
：TTL和CMOS逻辑器件的电平分类特点TTL和CMOS的电平主要有以下几种：5VTTL、5VCMOS（Vih≥0.7*Vcc，Vil≤0.3*Vcc）、3.3V电平、2.5V电平等。
5V的逻辑器件5V器件包含TTL、S、LS、ALS、AS、HCT、HC、BCT、74F、ACT、AC、AHCT、AHC、ABT等系列器件3.3V及以下的逻辑器件包含LV的和V 系列及AHC和AC系列，主要有LV、AHC、AC、ALB、LVC、ALVC、LVT等系列器件。