Vishay：威世半导体新能源市场和应用

Trr 平衡图
Vf @ If=8A Vs Trr @ If=8A, di/dt=500A/µs, Vr=390V, Tj=25°C (soft mode)
80
Trr @ If=8A, di/dt=500A/µs, Vr=390V, Tj=25°C (ns)
70
ETL Series
60
DCM PFC
50
Package TO220
IF (A) 30 30
Vrrm (V) 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 1200
Vf (V) 1.4 1.15 1.4 1.15 1.4 1.15 1.4 1.15 1.4 1.15 1.1 1.2 1.4
trr (ns) 26 30 26 30 26 30 26 30 26 30 27 34 95
威世半导体新能源市场和应用
ht 导 tp 体 :/ 器 /b 件 bs 应 ic 用 .b 技 ig 术 -b 论 it 坛 .c om /
肖特基旁路二极管，快恢二极管，逆变IGBT模块，高 压MOSFET
半
威世市场部 2011年12月
Click to edit Master Title Style 威世半导体产品太阳能系统市场优势
半
超快恢复升压二极管
ht 导 tp 体 :/ 器 /b 件 bs 应 ic 用 .b 技 ig 术 -b 论 it 坛 .c om /
Fred Pt® 超快恢复二极管
半
Click to edit Master Title Style 超快恢复二极管太阳能逆变应用电路
Ultrafast diodes
D Series (400V, 500V, 600V)
D Series Planar MOSFET (400V)
Part Number SiHx6N40D SiHx10N40D SiHx25N40D Cross to Existing Technology IRF730PBF IRF740PBF NA V(BR)DSS (V) ID (A) (min) 25°C 400 400 400 6 10 23 RDS(on) (mΩ), Vgs=10V (max) 1000 550 200 RDS(on) (mΩ), Vgs=10V (max) 3000 QGS (nC), Vgs=10V (typ) 7.3 12.6 45 QGS (nC), Vgs=10V (typ) 4.1 Package TO-220/TO-220F TO-220/TO-220F TO-220/TO-247 Samples January January December
Released Release Starting 2011 Q3 Investigating Potential No Plan
400V MOSFET
5.5A - 10A 6A - 23A
500V MOSFET
2.5A - 36A 12A - 43A 8 - 40A 3A to 36A
600V MOSFET
500
8
13.6
半
500 500 500
14 18 20
400 270 270
45 38 TBD 52
500
22
230
500 500
32 36
160 130 RDS(on) (mΩ), Vgs=10V (max) 340
72 92 QGS (nC), Vgs=10V (typ) 45
D Series Planar MOSFET (600V)
40
30
20
ht 导 tp 体 :/ 器 /b 件 bs 应 ic 用 .b 技 ig 术 -b 论 it 坛 .c om /
4 PNs
ETU Series ETH Series
1.50 1.60 1.70 1.80 1.90 2.00 2.10 2.20
NEW TANDEM DIODES
半
ETX Series
7A - 68A (2012) 2012-13
800V
900V
1000V FREDFET来自MOSFETFREDFET
MOSFET
FREDFET
MOSFET
1.8A - 7.8A
1.7A - 6.7A
1.4A - 6.1A
半
14
2011-12 产品规划 Click to edit Master Title Style
TMBS® 沟槽式MOS工艺肖特基二极管
半
肖特基旁路二极管
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太阳能面板和接线盒
Solar cell (Photo Voltaic cell)
Junction box
ht 导 tp 体 :/ 器 /b 件 bs 应 ic 用 .b 技 ig 术 -b 论 it 坛 .c om /
650V
2nd Generation
650V
F
Low FOM
Conventional Planar MOSFETs
D
~Q4-10 ~Q3-11 Q4-11
半
Q4-12
Q1-13
Q2-13
YEAR
Click to edit Master Title Style 高压 MOS产品目录
Product Families Generation 3.x Generation 6.x/C Series D Series S Series E Series Product Families Generation 3.x Generation 6.x/C Series D Series S Series E Series
ht 导 tp 体 :/ 器 /b 件 bs 应 ic 用 .b 技 ig 术 -b 论 it 坛 .c om /
TO220 TO220FP TO220FP D2pak 30 30 30 D2pak 30 TO-247 (2 pins) 30 TO-247 (2 pins) TO-247AC 30 30 TO-247AC TO-247AC TO-247 (2 pins) TO-247(2 pins) 30 60 60 60
Sample Released December
SiHx3N50D
SiHx5N50D SiHx8N50D SiHx14N50D SiHF18N50D IRFP460BPBF SiHG22N50D SiHG32N50D SiHS36N50D
500
5
1500 850
8.2
December December February February January February February February
ht 导 tp 体 :/ 器 /b 件 bs 应 ic 用 .b 技 ig 术 -b 论 it 坛 .c om /
Package IPAK/TO-251 DPAK/TO-252 IPAK/TO-251 DPAK/TO-252 TO-220/TO-220F TO-220/TO-220F TO-220/TO-247 TO-220F TO-247 TO-247 TO-247 Super TO-247
1.4A - 11A 22A - 40A 17A 21A - 38A
650V MOSFET
5.1A - 8.5A
FREDFET
FREDFET
FREDFET
FREDFET
ht 导 tp 体 :/ 器 /b 件 bs 应 ic 用 .b 技 ig 术 -b 论 it 坛 .c om /
22A & 47A 7A - 68A
ht 导 tp 体 :/ 器 /b 件 bs 应 ic 用 .b 技 ig 术 -b 论 it 坛 .c om /
VS-ETH3006-M3 VS-ETH3006S-M3 VS-EPH3006-F3/ VS-APH3006F3 VS-60EPU06PBF VS-60APU06PBF
半
Click to edit Master Title Style 600V 超快恢复 VF 和
10 1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
2.30
2.40
2.50
2.60
2.70
Vf @ If=8A, Tj=25°C
(V)
Boost/APD
CCM PFC
Click to edit Master Title Style 新一代超快恢复二极管
600V 1200V
Part number VS-ETH3006-M3 VS-ETU3006-M3
SS12P4L
半
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肖特基旁路二极管核心参数
1. 2. 3. 4. 5.
VRRM – 最大反向耐压 VF – 正向导通压降 IR – 反向漏电流 RthJC – 热阻
ESD capability – 防静电能力
ht 导 tp 体 :/ 器 /b 件 bs 应 ic 用 .b 技 ig 术 -b 论 it 坛 .c om /
D Series Planar MOSFET (500V)
Part Number Cross to Existing Technology IRFR420TRPBF IRFR420APBF IRFU420PBF IRF830PBF IRFI840GPBF IRFR430APBF IRF840PBF IRF840APBF IRFP450PBF NA IRFP460PBF IRFP22N50APBF IRFP460 IRFP32N50KPBF IRFPS37N50APBF V(BR)DSS (V) ID (A) (min) 25°C 500 3
半
POWER PACK TO-220
VT3045(C)BP *
ht 导 tp 体 :/ 器 /b 件 bs 应 ic 用 .b 技 ig 术 -b 论 it 坛 .c om /
VSB1545 (P600)
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肖特基旁路二极管 --- 贴片
半
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肖特基旁路二极管 --- 插件
现有产品 Q4 '11
AXIAL
VSB2045 (P600) SB15H45 (P600)
VT2045(C)BP *
VT4045(C)BP * VT6045(C) *
All HPS Gen2, Gen5 30~45V CTQ, CTT Series
600V
Super Junction MOSFETs
1st Generation
Super Junction FRFETs
ht 导 tp 体 :/ 器 /b 件 bs 应 ic 用 .b 技 ig 术 -b 论 it 坛 .c om /
400V 500V 600V
Q1-12 Q2-12 Q3-12
600V
Part Number SiHP17N60D Cross to Existing Technology NA V(BR)DSS (V) ID (A) (min) 25°C 600 20 Package TO-220 Sample Released Available
VS-ETH3006FP-M3 VS-ETU3006FP-M3 VS-ETH3006S-M3 VS-ETU3006S-M3 VS-EPH3006-F3 VS-EPU3006-F3
VS-APH3006-F3 VS-APU3006-F3 VS-60CPU06-F
VS-60EPU06PbF VS-60EPF12PbF
半
ht 导 tp 体 :/ 器 /b 件 bs 应 ic 用 .b 技 ig 术 -b 论 it 坛 .c om /
Super Junction HVMOS 超级结高压MOS
高压 MOSFET
半
Click to edit Master Title Style 高压 MOS产品技术历史
S E
SERIES
2, 产品定位追求最高性能、高效率、高可靠性 3, 专利技术及差异化的产品提供专业技术服务
半
ht 导 tp 体 :/ 器 /b 件 bs 应 ic 用 .b 技 ig 术 -b 论 it 坛 .c om /
1, 从面板到电网一站式功率半导体产品供应
ht 导 tp 体 :/ 器 /b 件 bs 应 ic 用 .b 技 ig 术 -b 论 it 坛 .c om /
SMPC
SS15P3S
SS10PH45
DPAK
10WQ045FN
20WT04FN (Gen5)
20TQ045S
TO-263
MBRB16(H)45 MB3045S
ht 导 tp 体 :/ 器 /b 件 bs 应 ic 用 .b 技 ig 术 -b 论 it 坛 .c om /
V10P45S V15P45S VBT1045(C)BP * VBT2045(C)BP * VBT3045(C)BP * VBT4045(C)BP *