第二章+晶体管及放大电路基础-自测题教学文稿
第二章自测习题1 55页PPT文档
+VCC15V
5k
56k Rb Rc
RS 3k +
+
+
uo
+ U i Rb --
uS -
-
T Rc
交流通路
+
RL U o
-
33
画出微变等效电路计算 电压放大倍数，输入输 出电阻。
Ib
Ic
RS +
+
U i Rb r b e I b Rc
+
Uo
U S-
-
-
微变等效电路
Au
Uo
第二章自 测 题
一、在括号内用“”或“×”表明下列说法是否正确。 （1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用（×） （2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（） （3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（×） （4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（×） （5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（） （6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时， 任何放大电路的输出都毫无变化；（×） （7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。 （×）
最大不失真电压幅度：
Uom(60.7)/ 2V 23
2. RL=3k时
Rb + ui _
VBB
+VCC Rc
T RL
3k Rc c
RL 3k e +
c 1.5k RO
VCC 12V
6V VO
e
uo等效！ _
Rb ICQ IBQ
RO +
晶体管及放大电路基础A.(DOC)
晶体管及放大电路基础一、概念及知识点1、三极管的四种工作状态a ．发射结正偏而集电结反偏，三极管工作在放大状态b ．发射结正偏而集电结正偏，三极管工作在饱和状态c ．发射结反偏而集电结反偏，三极管工作在截止状态d ．发射结反偏而集电结正偏，三极管工作在倒置状态2、三极管的主要参数3、共射基极放大电路：输出电压与输入电压反相，有电压和电流放大能力；共集电极放大电路：输出电压与输入电压同相；电压放大倍数≦1；输入阻抗大，输出阻抗小，常用于多级放大电路的输入级和中间级之间的阻抗匹配。
二、例题1、判断如图2-1所示中，各管的工作状态图2-1答：（a ）发射结反偏，集电结反偏，三极管工作在截止状态； （b ）发射结正偏，集电结反偏，三极管工作在放大状态； （c ）发射结反偏，集电结正偏，三极管工作在倒置状态； （d ）发射结正偏，集电结正偏，三极管工作在饱和状态； （e ）发射结正偏，集电结反偏，三极管工作在放大状态； （f ）发射结正偏，集电结正偏，三极管工作在饱和状态； （g ）发射结正偏，集电结反偏，三极管工作在放大状态；0.3BE U V =-3BC U V =-0.3BE U V =- 2.7BC U V =3.5BE U V =0.7BC U V =-0.3BE U V =0.2BC U V =0.7BE U V = 1.4BC U V =-0.3BE U V =-0.1BC U V =-0.3BE U V = 1.9BC U V =-（h ），，管子损坏。
2、：如图2-2所示中，各管处于放大状态，判断各管的管脚名称及类型第一步：根据U BE 为0.7V 判断是硅管，U BE 为0.3V 是锗管，同时可知第三脚为集电极。
第二步：如果集电极电位最低表明是PNP 管，如果集电极电位最高表明是NPN 管；如果是PNP 管则最高电位表明是发射极；如果是NPN 管则电位最低电位表明是发射极。
图2-2答：（a ）第一步：，可判断为锗管且X 为集电极；由于为三脚最低，可知该管为PNP 管；第二步：因为判断为PNP 管，则最高电位表明是发射极，即Y 发射极，Z 为基极；或者根据放大状态下发射结必须为正偏可得：Y 发射极，Z 为基极。
第1章《自测题、习题》参考答案
模拟电子技术基础自测题与习题参考答案刘波粒刘彩霞主编高等教育出版社Higher Education Press目录目录第1章半导体二极管及其基本电路.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1第2章双极型晶体管及其基本放大电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . 6第3章场效应管及其基本放大电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18第4章多级放大电路与频率响应. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26第5章放大电路中的反馈. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . .40第6章功率放大电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . .50第7章集成运算放大电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . .60第8章集成运算放大电路的基本应用. . . . . . . . . . . .. . . . . . .73第9章信号发生电路. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . .91第10章直流电源. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . .102模拟电子技术基础 1 第1章半导体二极管及其基本电路自测题1.1填空题1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于________，而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。
第2章 双极型晶体管及其基本放大电路 参考答案
均很小。（1）若要求放大电路的最大不失真输出电压幅度尽可能大，则上偏置电阻 Rb1
应为多大？设晶体管的 ICEO 和UCES 皆为零，UBE = 0.7V 。（2）在上述条件下，求
Aɺu = ?
解：（1）Q 点在交流负载线的中点时输出幅度最大，由此可得
，解得 ， 。 UICCQERQL′≈=VUCCCEQ− ICQ (Rc +Re )
2.7 分压式稳定工作点共射放大电路如图 （ ） 2.6.4 a
所示，习题 2.7 图为晶体管输出特性及交直流负载线，
且负载电阻 RL = 6kΩ 。（1）确定 Rc 、Re 和VCC 的数值；
（ ）若 ， ，试确定 、 。 2 IRb2 = 370µA UBE = 0.7V
Rb1 Rb2
习题 2.7 图
解：UB
≈
Rb2 Rb1 + Rb2
VCC
=
12 30 +12
×12
≈
3.43V
I EQ
= UB − UBEQ Re1 + Re2
=
3.43 − 0.7 200 +1300
= 1.82mA
rbe
=
rbb′
+
(1 +
β)
26(mV) IEQ (mA)
=
80
+
61× 26 1.82
≈
0.95kΩ
Aɺ u
管 （ 其 极 限 参 数 ， ， ICM = 30mA
U(BR)CEO = 9V
）， ，取 。 ， PCM =100mW β = 20 UBE = −0.3V Rb = 24kΩ
Rc = 0.5kΩ ，−VCC = −12V 。试分析：（1）电路中的晶体
双极型晶体管和基本放大电路课件
IB /A
0V
0
0.5V UCE ≥ 1V
UBE/V
双极型晶体管和基本放大电路课件
19
2. 共射接法晶体管的输出特性
IC = f (UCE ) IB = 常数
对于每个确定的IB均 有一条对应曲线，因此
温度升高时，输入
特性曲线将左移，在
室温附近，温度每升
高1℃，|UBE|减小
2~2.5mV。
I / mA 75℃ 20℃
0
UBE / V
双极型晶体管和基本放大电路课件
25
(2)温度对输出特性曲线的影响
温度升高输出特性上移（温度升高时， 增加,iC的变化量增大）。
１）温度对ICEO 和ICBO的影
响：
输出特性是一族曲线。
IC /mA
对于一条固定的曲线，
随着UCE的增加 ，IC逐渐
增加，当UCE增大到一定
的程度， IC 几乎不变，
IC仅仅决定于IB。
0
双极型晶体管和基本放大电路课件
IB =60µA
IB增加
IB =40µA IB 减小
IB = 20µA
IB= 0 µA
UCE/V 20
晶体管的三个工作区－截止区
IC = IB
(IC仅仅由IB决定)
饱和区
UBE Uon 且UCE UBE
（发射结和集电结均正向 偏置）
IC IB
(IC随uCE的增大而增大)
临界饱和 （临界放大）
UCE = UBE即UCB = 0
ICS = IBS
双极型晶体管和基本放大电路课件
第二章晶体管及基本放大电路 87页PPT
11
3.晶体管特性曲线
3DG6的输入特性
3DG6的输出特性
第二章 晶体管及基本放大电路/2.1 半导体晶体管/特性曲线
12
4.晶体管输出回路电阻
a) 静态电阻
RCE
U CE IC
b) 动态电阻
rce
U CE I C
rce>>RCE
第二章 晶体管及基本放大电路/2.1 半导体晶体管/特性曲线
等效为一个线性电路，也就是把晶体管线性化， 等效为一个线性元件。这就是微变等效电路法。
• 线性化的条件：晶体管在小信号(微变量)情况
下工作，才能在静态工作点附近的小范围内用 直线段近似地代替晶体管的特性曲线。
第二章 晶体管及基本放大电路/2.4 动态分析/微变等效电路
28
1. 晶体管的微变等效电路 1)输入回路
=12 - 2×3=6V
第二章 晶体管及基本放大电路/2.3 静态（直流）分析
25
例2：判断图中各晶体管的工作状态（饱和，放大， 截止）。设所有的二极管和晶体管均为硅管， β＝40。
解： （a） 截止 , （b） 饱和 , （c） 放大 ,
第二章 晶体管及基本放大电路/2.3 静态（直流）分析
26
型半导体。
• 3） 集电极面积大，保证尽可能收
集到发射区发射的电子。
T 放大作 用的内部 条件
• （二）载流子运动规律及电流分配关系 • 当一个 NPN 型的晶体管接成共射极接法的
放大电路时：
• 发射结正向偏置 • 集电结反向偏置
T 放大作用 的外部条件
第二章 晶体管及基本放大电路/2.1 半导体晶体管/晶体管的放大作用
流IB（偏流），以使放大电路获得合适的工作点。 C1、C2 ：用以耦合交流，隔断直流，通常称为耦合
模拟电路自测题2(晶体管及放大电路)讲解学习
晶体管及放大电路基础1.晶体管能够放大的外部条件是_____C____。
（A）发射结正偏，集电结正偏（B）发射结反偏，集电结反偏（C）发射结正偏，集电结反偏2.当晶体管工作于饱和状态时，其___A______。
（A）发射结正偏，集电结正偏（B）发射结反偏，集电结反偏（C）发射结正偏，集电结反偏3.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。
则该管的 为___。
（A）40 （B）50 （C）604.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能____A_____。
（A）越好（B）越差（C）无变化5.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能___A______。
（A）高（B）低（C）一样6.温度升高，晶体管的电流放大系数b_____A____。
（A）增大（B）减小（C）不变7.温度升高，晶体管的管压降|UBE|______B___。
（A）升高（B）降低（C）不变8.温度升高，晶体管输入特性曲线______B___。
（A）右移（B）左移（C）不变9.温度升高，晶体管输出特性曲线_____A____。
（A）上移（B）下移（C）不变10.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔____C_____。
（A）不变（B）减小（C）增大11.对于电压放大器来说，______B___越小，电路的带负载能力越强。
（A）输入电阻（B）输出电阻（C）电压放大倍数12.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位__B_______。
（A）同相（B）反相（C）相差90度13.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_____A____失真。
（A）饱和（B）截止（C）饱和和截止14.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是___C______。
（A）输入电阻太小（B）静态工作点偏低（C）静态工作点偏高15.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_____C____。
模拟电路及技术基础课件2双极型晶体管及其放大电路PPT演示文稿
40A
20A IB=0 9 12 UCE(V)
2-20
临界饱和 BE结正偏
BC结零偏 4
3
2
1
IC(mA
) 此区域中
U1B0E0>0A,
UCEUBE ,集电结正偏，
IB>IC， U8C0E（Asat）称
为饱和压降。
60A
40A
20A IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
2-21
IC(mA ) 4
2-10
IC=ICN+ICBO
ICN = IC - ICBO
ICN IBN
ICN•IBN
IC ICBO •(IB ICBO) IB=IBN -ICBO
IC IB (1)ICBO
IB ICEO
定义： (1)•ICB OICEO，称为穿透电流
IB=0
IC
2-11
IE IBIC
IBIB(1)ICBO
当UCE>0时，由于BC结反偏， 随着UCE增 大， BC结空间电荷区变厚，基区变薄， 内部复合减弱，致使基极电流变小，称 为基区调宽效应。
2-19
二、输出特性
此区域满4 足IC=IB 称为线性3 区（放大 区）。 2
IC(mA )
1
36
当UCE大于一 定的10数0值A时， IC只与IB有关， IC=8I0B。A
即：UCEUBE ， IB>IC，
深饱和时，UCE（sat）0.3V
(3) 截止区： BE结反偏，BC结反偏，iB≤ - ICBO
2-23
例： =50， USC =12V，
RB =70k， RC =6k 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？
第2章《自测题、习题》参考答案
第2章《自测题、习题》参考答案6 第2章自测题与习题参考答案第2章双极型晶体管及其基本放大电路自测题2.1填空题1．晶体管的穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的倍。
在选用管子时，一般希望ICEO尽量。
2．晶体管的电流放大作用是用较小的电流控制较大的电流，所以晶体管是一种控制器件。
3．某三极管的极限参数PCM?150mW，ICM?100mA，U(BR)CEO?30V，若它的工作电压UCE?10V，则工作电流IC不得超过mA；若工作电压UCE?1V，则工作电流不得超过______ mA；若工作电流IC?1mA，则工作电压不得超过______V。
4．根据题2.1.4图中各三极管的电位，分别填写出它们所处的状态。
（从左到右）______、______、______、______、______、______、______。
题2.1.4图5．题2.1.5图画出了固定偏置共射放大电路中的晶体管的输出特性曲线和直流、交流负载线。
由此可得出：（1）电源电压VCC?_____；（2）静态集电极电流ICQ?_____，管压降UCEQ?_____；（3）集电极电阻Rc?_____，负载电阻RL?_____；（4）晶体管的电流放大系数β?_____，进一步计算可得电压放大倍??_____（r??200Ω）数A；（5）放大电路bbu题2.1.5图模拟电子技术基础7的最大不失真输出正弦电压的有效值约为_____；（6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅应小于；（7）不产生失真时的最大输入电压的峰值为_____。
6．在晶体管放大电路中，集电极负载电阻Rc的主要作用是把电流的控制和放大作用转化为放大作用。
7．在不带Ce的分压式稳定工作点放大电路中，已知晶体管β?100，rbb??300Ω，UBE?0.6V。
VCC?12V，Rb1?60kΩ，Rb2?20kΩ，电容C1、C2足够大，（1）静态工作点ICQ?_____，UCEQ?_____；（2）输入Rc?3.6kΩ，Re?2.4k Ω。
第二章+晶体管与放大电路基础_自测题
第二章晶体管及放大电路基础1．晶体管能够放大的外部条件是_________。
(a) 发射结正偏，集电结正偏 (b) 发射结反偏，集电结反偏(c) 发射结正偏，集电结反偏2．当晶体管工作于饱和状态时，其_________。
(a) 发射结正偏，集电结正偏 (b) 发射结反偏，集电结反偏(c) 发射结正偏，集电结反偏3．对于硅晶体管来说其死区电压约为_________。
(a) 0.1V (b) 0.5V (c) 0.7V4．锗晶体管的导通压降约|U BE|为_________。
(a) 0.1V (b) 0.3V (c) 0.5V5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。
则该管的为_________。
(a) 40 (b) 50 (c) 606．反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________。
(a) 越好 (b) 越差 (c) 无变化7．与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________。
(a) 高 (b) 低 (c) 一样8．温度升高，晶体管的电流放大系数b_________。
(a) 增大 (b) 减小 (c) 不变9．温度升高，晶体管的管压降|U BE|_________。
(a) 升高 (b) 降低 (c) 不变10．对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________极的电位最低。
(a) 发射极 (b) 基极 (c) 集电极11．温度升高，晶体管输入特性曲线_________。
(a) 右移 (b) 左移 (c) 不变12．温度升高，晶体管输出特性曲线_________。
(a) 上移 (b) 下移 (c) 不变13．温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________。
(a) 不变 (b) 减小 (c) 增大14．晶体管共射极电流放大系数b随集电极电流i C_________。
(a) 不变化 (b) 有一定变化 (c) 无法判断15.当晶体管的集电极电流时，下列说确的是_________。
晶体管及其基本放大电路自测题习题解案08829
第2章 晶体管及其基本放大电路2.1 知识点归纳1. 晶体管的类型及工作状态晶体管有NPN 、PNP 两种类型，它们均有三个工作区：放大区、饱和区和截止区。
主要有三种工作状态：放大状态（发射结正向偏置、集电结反向偏置）、饱和状态（发射结正向偏置、集电结正向偏置）、截止状态（发射结反向偏置、集电结反向偏置）。
（1）根据管脚电流判别晶体管的工作状态方法如表2-1所示（2）根据工作电压判别NPN 管的工作状态方法如表2-2所示。
PNP 管工作电压的极性和各极电流方向与NPN 管相反。
2. (1) 晶体管的电流关系① 晶体管三个电极的电流关系为： ② 工作于放大状态时其中B I 最小、C I 居中、E I 最大。
对于NPN 管：E I 流出晶体管，B I 、C I 流入晶体管。
对于PNP 管：E I 流入晶体管，B I 、C I 流出晶体管。
(2) 两种极间反向电流：集电极-基极反向饱和电流I CBO 与集电极-发射极反向穿透电流I CEO 的关系I CEO = (1+β)I CBO(3) 两种电流放大系数：共基极交流电流放大系数α与共发射极交流电流放大系数β的关系α-=1αβ，ββα+=1 (4) 晶体管的放大作用晶体管是一种电流控制型器件，它要具有放大作用除了满足发射区掺杂浓度高、基区很薄、集电结面积大的内部结构条件外，还必须满足发射结正向偏置、集电结反向偏置的外部条件。
此时，各电极电位之间的关系：NPN 管 U C ＞U B ＞U E PNP 管 U C ＜U B ＜U E 硅管的BE U 约为0.6~0.8V ，锗管的BE U 约为0.2~0.4V 。
3. 晶体管放大电路的组成原则(1) 确保晶体管工作于放大区，即满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的外部条件。
(2) 确保被放大的交流输入信号能够作用于晶体管的输入回路。
(3) 确保放大后的交流输出信号能传送到负载上去。
4. 放大电路的分析(1) 静态分析无外部输入信号时，放大电路的工作状态称为静态，此时，晶体管各极电流、电压值为静态工作点Q。
第二章晶体管及基本放大电路
第⼆章晶体管及基本放⼤电路第⼆章晶体管及基本放⼤电路时间90分钟总分150分⼀、选择题(4分⼀空共40分)1.在放⼤状态的硅三极管，发射结正偏电压为( )A.0.1-0.3VB.0.5-0.8VC.＞1VD.＝1V2.某放⼤状态的三极管，对地电位分别是①9V ②6.3V ③6V，则以下答案正确的是( )A.NPN型硅管，①e ②b ③cB.NPN型锗管，①c ②b ③eC.PNP型硅管，①b ②c ③eD.PNP型锗管，①e ②b ③c3.在分压式偏置放⼤电路中，在发射极放置电容的原因是( )A.和发射极电阻并联构成滤波电路，减⼩⾮线性失真。
B.减⼩电阻对其衰减，加电容使信号能够顺利通过。
C.消除负载的失真，以消除电路对负载影响造成失真。
D.与输出电容配合，保证信号输出不失真的波形。
4.当⽤万⽤表测量加了电压的三极管Vce间电压时，发现为电压很⼩，则( )A.三极管处于饱和状态B.三极管已经击穿C.三极管处于截⽌状态D.以上答案都不正确5.在固定偏置式放⼤电路中，Rb和Rc电阻为以下答案哪⼀个阻值最为合适( )A.Rb，50kΩRc,500kΩ。
B.Rb,5000kΩ，Rc，200Ω。
C.Rb,200Ω，Rc,10Ω。
D.Rb,300kΩ，Rc,100Ω。
6.固定偏置式放⼤电路和分压式偏置放⼤电路，相同点是( )A.都是输⼊Vi和输出Vo同相位。
B.都能够放⼤电流。
C.都是输⼊Vi和输出Vo反相位。
D.都能够⾃动调节静态⼯作点。
7.集电极-基极偏置放⼤电路和分压式偏置放⼤电路其相同之处( )A.都能够⾃动稳定静态⼯作点。
B.都能够放⼤电流。
C.输⼊输出都是同相位。
D.都只能够实现电压放⼤，不能够放⼤功率。
8.关于多级放⼤器，以下不正确的是( )A.阻容耦合可以实现前后级静态⼯作点互不影响，所以设计电路时会相对简单⼀些。
B.变压器耦合能够实现阻抗变换和阻抗匹配。
C.直接耦合能够实现电隔离。
D.光电耦合利于集成化。
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第二章+晶体管及放大电路基础-自测题第二章晶体管及放大电路基础1．晶体管能够放大的外部条件是_________。
(a) 发射结正偏，集电结正偏 (b) 发射结反偏，集电结反偏(c) 发射结正偏，集电结反偏2．当晶体管工作于饱和状态时，其_________。
(a) 发射结正偏，集电结正偏 (b) 发射结反偏，集电结反偏(c) 发射结正偏，集电结反偏3．对于硅晶体管来说其死区电压约为_________。
(a) 0.1V (b) 0.5V (c) 0.7V4．锗晶体管的导通压降约|U BE|为_________。
(a) 0.1V (b) 0.3V (c) 0.5V5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。
则该管的为_________。
(a) 40 (b) 50 (c) 606．反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________。
(a) 越好 (b) 越差 (c) 无变化7．与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________。
(a) 高 (b) 低 (c) 一样8．温度升高，晶体管的电流放大系数b_________。
(a) 增大 (b) 减小 (c) 不变9．温度升高，晶体管的管压降|U BE|_________。
(a) 升高 (b) 降低 (c) 不变10．对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________极的电位最低。
(a) 发射极 (b) 基极 (c) 集电极11．温度升高，晶体管输入特性曲线_________。
(a) 右移 (b) 左移 (c) 不变12．温度升高，晶体管输出特性曲线_________。
(a) 上移 (b) 下移 (c) 不变13．温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________。
(a) 不变 (b) 减小 (c) 增大14．晶体管共射极电流放大系数b随集电极电流i C_________。
(a) 不变化 (b) 有一定变化 (c) 无法判断15.当晶体管的集电极电流时，下列说法正确的是_________。
(a) 晶体管一定被烧毁 (b) 晶体管的(c) 晶体管的一定减小16．对于电压放大器来说，_________越小，电路的带负载能力越强。
(a) 输入电阻 (b) 输出电阻 (c) 电压放大倍数17．测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为_________。
(a) NPN型锗管 (b) PNP型锗管 (c) PNP型硅管18．测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管_________ 。
(a) 处于饱和状态 (b) 放大状态 (c) 截止状态 (d) 已损坏19．在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________。
(a) 同相 (b) 反相 (c) 相差90度20．在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________失真。
(a) 饱和 (b) 截止 (c) 饱和和截止21．引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是_________。
(a) 输入电阻太小 (b) 静态工作点偏低(c) 静态工作点偏高22．一放大电路如图所示，当逐渐增大输入电压的幅度时，输出电压的波形首先出现了底部被削平的情况，为了消除这种失真，应_________。
(a) 减小 (b) 减小 (c) 减小23．利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_________。
(a) 输出功率 (b) 静态工作点 (c) 交流参数24. NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射结电压与电极电流的关系为_________。
（a） (b)（c）25. 既能放大电压，也能放大电流的是_________放大电路。
(a) 共射极 (b) 共集电极 (c) 共基极26．引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_______。
(a) 晶体管的电流放大系数太大 (b) 电源电压太高(c) 晶体管参数随环境温度的变化而变化27. 在放大电路中，直流负反馈可以________。
(a) 提高晶体管电流放大倍数的稳定性(b) 提高放大电路的放大倍数(c) 稳定电路的静态工作点28. 可以放大电压，但不能放大电流的是_________放大电路。
(a) 共射极 (b) 共集电极 (c) 共基极29. 射极输出器无放大_________的能力。
(a) 电压 (b) 电流 (c) 功率30. 在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是________放大电路。
(a) 共射极 (b) 共集电极 (c) 共基极31. 与空载相比，接上负载后，放大电路的动态范围一定_________。
(a) 不变 (b) 变大 (c) 变小32．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入的负载后输出电压降为3 V，则此电路的输出电阻为_________。
(a) 0.5kW (b) 1kW (c) 2kW33．已知图示放大电路中的，，,晶体管的，。
则可以判定，该晶体管处于_________。
(a) 放大状态 (b) 饱和状态(c) 截止状态34．在上题中，若晶体管的降为50，则可以判定，(1)该晶体管处于_______。
(a) 放大状态 (b) 饱和状态 (c) 截止状态(2) 放大电路的动态范围_______。
(a) 增大 (b) 减小 (c) 不变(3) 当增大输入信号的幅值时，电路的输出波形将首先出现_______失真。
(a) 饱和 (b) 截止 (c) 饱和35. 在多级放大电路中，即能放大直流信号，又能放大交流信号的是_______多级放大电路。
(a) 阻容耦合 (b) 变压器耦合 (c) 直接耦合36 .直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应_________(a) 好 (b) 差 (c) 相同37. 在多级放大电路中，不能抑制零点漂移的_________多级放大电路。
(a) 阻容耦合 (b) 变压器耦合 (c) 直接耦合38. 若三级放大电路的，，电路将输入信号放大了_________倍。
(a) 80 (b) 800 (c) 1000039. 有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，，。
现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为_________。
（a）40dB (b) 32dB （c）16dB40．由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移，因此会引起放大电路的输出信号产生失真。
这种失真称为_________失真。
(a) 饱和 (b) 截止 (c) 频率41．放大电路的两种失真分别为_________失真。
(a) 线性和非线性 (b) 饱和和截止 (c) 幅度和相位42. 直接耦合多级放大电路与阻容耦合（或变压器耦合）多级放大电路相比，低频响应_______ 。
（a）差 (b) 好（c）差不多43. 在放大电路幅频响应（波特图）曲线中，在上限截止频率和下限截止频率频率点处，电压增益比中频区增益下降了，亦即在该频率点处的输出电压是中频区输出电压的_______倍。
（a） (b) （c）44. 在考虑放大电路的频率失真时，若输入信号为正弦波，则输出信号_________。
(a) 会产生线性失真 (b) 会产生非线性失真 (c) 为正弦波45.在晶体管组成的三种基本放大电路中，_________放大电路的高频特性最好。
(a) 共射极 (b) 共集电极 (c) 共基极46. 对于多级放大电路，其通频带与组成它的任何一级单级放大电路相比_________。
(a) 变宽 (b) 变窄 (c) 两者一样47. 多级放大电路的级数愈多则上限频率f H _________。
(a) 越高 (b) 越低 (c) 无变化48.具有相同参数的两级放大电路在组成它的各个单管的截至频率处，幅值下降_______ 。
(a)3dB (b)6dB (c) 20dB49. 多级放大电路的级数愈多，则高频附加相移_________。
(a) 越大 (b) 越小 (c) 无变化50. 晶体管的共射截止频率、共基截止频率及特征频率三者之间的大小关系是_________。
（a） (b) (c)51. 已知某晶体管的，。
当其工作频率为时，_________。
(a) (b) (c)52. 单级阻容耦合放大电路加入频率为和的输入信号时，输出电压的相位与中频区相比，在量值上有_________度的附加值。
(a) 180 (b) 90 (c) 4553．在单级阻容耦合放大电路的波特图中（1）频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为_________；(a) 20dB/十倍频，-20dB/十倍频， (b) 20dB/十倍频，20dB/十倍频，(c) -20dB/十倍频，20dB/十倍频，（2）相频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为_________。
(a) 45°/十倍频，-45°B/十倍频(b) (a) 45°/十倍频，45°B/十倍频(c) -45°/十倍频，-45°B/十倍频54．两级放大电路中，已知，；，。
则（1）总的下限截止频率_________；(a) 30Hz (b) 40Hz (c) 55Hz（2）总的上限截止频率_________ 。
(a) 18kHz (b) 30kHz (c) 60kHz。