晶体管及其基本放大电路-9

diB
iC uCE
IB duCE
电阻
无量纲
UIbce
h11Ib h21Ib
h12U ce h22U ce
无量纲
电导
四个参数量纲各不相同，故称为混合(Hybrid)参数（H参数）。
模 拟电子技术
BJT的H参数模型
模 拟电子技术
二.h参数的物理意义
h11
uBE iB
r UCE
be
b-e间的 动态电阻
模 拟电子技术
图解法
优点
存在问题
形象、直观
误差大
可以求静态工作点 电路复杂时，尤其
是带反馈后，根本不
分析失真情况
能用图解法
估算动态工作范围 不能求输入电阻和输 计算电压放大倍数 出电阻
模 拟电子技术
2. 6 等效电路分析法
思路：非线性元件，在一定条件下，用线性模 型来近似。
物理型电路模型 两 它是模拟晶体管结构及放大过程导出的电路模型，它 类 有多种形式，其中较为通用的是混合π型电路模型。 模 模型较复杂，但应用时限制少； 型 网络参数模型
iB f (uBE ) uCE常数
iC f (uCE ) IB 常数
iB
4iC / mA
3
50 µA 40 µA
30 µA
2
20 µA
线
性
O
uBE
1
10 µA
u IB = 0 CE
化
O
（１）输入交流信号小时，Δiｂ
与2 Δu4 be呈6 线8性/V关系
依
据 （２）低频小信号时，β为常数．
根据所选用的自变量不同，常用的参数有Y参数、Z参数和H参数三
模 拟电子技术
３.低频H参数电路模型适用范围
•H参数都是小信号参数，即微变参数或交流参数，只能用来求交 流性能指标； •H参数与工作点有关，在放大区基本不变； •适用于PNP型管子； •适用于共集电极和共基极； •低频中频情况下适用．
模 拟电子技术
2.6.2 共发射极放大电路的分析
1. 共发射极放大电路的静态分析
共
射
极
放
大
电
ui
uo
路
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103Ω 10-3 –10-4 102 10-5
h参数等效电路
模 拟电子技术
2. rbe的求取
基区体电阻
发射结电阻
发射区体电阻 数值小可忽略
利用PN结的电流方程可求得
rbe
U be Ib
rbb'
rb'e
rbb'
(1 ) UT
I EQ
查阅手册
由IEQ算出
在输入特性曲线上，Q点越高，rbe越小！
它是将晶体管看成一个双端口网络，根据端口的电 压、电流关系导出的电路模型，其中应用最广的是 H参数电路模型。模型较简单，但应用时限制多。
模 拟电子技术
2.6.1 晶体管的低频小信号等效模型 （微变信号模型）
1. 低频H 2. rbe的求取
3. H参数电路模型的应用范围讨论
模 拟电子技术
1. 低频H参数电路模型
h12
uBE uCE
IB
反向传 输系数
h21
iC iB
U CE
电流放大系数
h22
iC uCE
iB
1 rce
c-e间的电导
分清主次，合理近似！什么情况下h12和h22的作用可忽略不计？
模 拟电子技术
三.简化的h参数等效电路－交流等效模型
h11e h12e h21e h22e
rbe μr β 1/rce
种。Y、Z、 H之间可以相互转换。以H参数为例进行讲解， H选iB和
u 做自变量。
模 拟电子技术 一.求变化量之间的关系
uBE=f(iB，uCE) iC=g(iB ，uCE)
在小信号情况下， 对上两式取全微分得
duBE
uBE iB
uCE
diB
uBE uCE
IB duCE
dic iC iB
uCE