PSpice模型制作
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
PSpice 模型创建
PSpice 模型是对电路元器件的数学描述,是进行电路仿真分析的前提条件,它的精度和速度直接影响电路分析结果的精确度和仿真速度。因此,在进行 PSpice 仿真之前,需要有相应元器件的适当 PSpice 模型,如合适的直流模型、交流小信号模型、瞬态分析模型、噪声模型、温度模型等等。
在电路设计的过程中,如果直接调用软件自带模型库中的元件模型参数,不一定能够满足各种不同的实际设计需要,这时就需要修改元件模型参数。此外,对于新创建的元件,则需要用户自己设置适当的 PSpice 模型参数。
一、PSpice 模型参数的修改
PSpice 模型修改比较简单:可以直接选择元件,然后右击选择 Edit PSpice model,即可打开PSpice模型编辑器,编辑所需修改的参数,存盘即可。
其中: Models List 栏用以显示模型名称; Simulation Parameters 栏用以修改设置模型参数; Model Text 栏用以显示模型描述语言,当然这里只能读取,不可以在此进行编辑。
二、PSpice模型的创建
为了满足具体设计需要,设计者往往需要创建自己的元件库,要进行 PSpice 仿真,就必须对新建元件进行模型设置,新建模型,有两种主要方式:
1、 Model Editor 模型编辑
(1)执行 Cadence/Release PSpice Accessories/Model Editor 命令,进入模型编辑器界面,执行 File/New 命令,如下图:
(2)点击符号,弹出新建模型的 New Model 对话框,如下图:
在该对话框中选择设置,Model Name填写模型名称;选择 Use Device Characteristic Curves 表示用硬件的典型曲线来描述模型;选择 Use Templates 表示用软件自带样本进行参数的修改设置; From Model 用以选择模型类型。选
择Use Device Characteristic Curves ,再确定模型,点击 OK即可进入模型编
辑器窗口,其中可以设置元件的所有相关仿真参数设定,编辑器会以曲线形式将参数设定后的模型特性实时显示出来。
其中 Reverse Leakage 栏,用以设置曲线特定点的对应 X、Y 值;曲线显示区可以实时显示电压、电流等模型典型特性曲线; Parameters 栏用以编辑模型特定参数范围。
(3)完成模型参数设置后,保存,而后执行File/Model Import Wizard (Capture )弹出 Model Import Wizard:Specify Library 对话框,输入创建的模型库*.lib 文件,输出模型 *.olb 文件,即为所创建的模型自动分配模型的 Capture 符号,便于原理图绘制仿真。
(4)回到 Capture 原理图中,调用刚刚创建的 *.olb 库文件,即可调用新建的元件 PSpice 模型,如下图:
(5)此后若想对该元件进行参数修改,即可直接右击选择Edit PSpice Model 命令,即可进入模型编辑器中进行参数调整。
2、模型文本编辑
元器件模型参数还可以采用文本形式进行编辑设置,即直接将模型参数从键盘输入,新建文本文件,用下列描述语言输入元件模型参数:
* 0627 D model
.MODEL 0627 D
+ IS=
+ RS=
+ CJO=
+ M=.3333
+ VJ=.75 + ISR=
+ BV=100
+ IBV=
+ TT=
模型参数描述文本设置完成后,保存为 *.lib 文件格式即可,然后再在 Model Editor 中可以可以将该文件分配到 Capture 元件库文件 *.olb ,就可以进行模型调用了。
三、PSpice 宏模型的创建
随着集成技术的发展,集成电路规模越来越大,集成度越来越高,芯片中的底层元件越来越多,分析软件受现实因素限制,进行晶体管级的大规模电路仿真分析是很不现实的,因此宏模型应运而生。
宏模型是指在一定精度范围内,电子系统的端口输入输出特性的简化等效模型,可以是一组等效电路、数学函数或一张数据表格,大大简化了原电路复杂度,加快了电路仿真分析计算的速度。由于电路不同的等效模型,不同的宏模型由此产生:电路简化宏模型、电路特性宏模型、表格特性宏模型以及数学函数宏模型等,其中 PSpice 仿真支持行为级宏模型、数学宏模型和表格宏模型。
1、行为级宏模型创建
行为级宏建模即电路模拟行为建模(ABM,经常采用的是字电路形式来描述,例如执行Edit PSpice Model即可对芯片编辑宏模型,以下为 74AS168芯片的行为级宏模型,:
74AS168 Synchronous 4-bit Up/Down Decade Counters
The ALS/AS Data Book, 1986, TI
JSW 7/27/92 Remodeled using LOGICEXP,PINDLY, & CONSTRAINdTevices .SUBCKT
74AS168 CLK_I U/DBAR_I ENPBAR_I ENTBAR_I LOADBAR_I + A_I B_I C_I D_I QA_O QB_O QC_O QD_O RCOBAR_O + OPTIONAL: DPWR=$G_DPWR DGND=$G_DGND
+ PARAMS: MNTYMXDLY=0 IO_LEVEL=0
UAS168LOG LOGICEXP(17,15) DPWR DGND
+ CLK_I U/DBAR_I ENPBAR_I ENTBAR_I LOADBAR_I A_I B_I C_I D_I
+ QA QB QC QD QABAR QBBAR QCBAR QDBAR
+ CLK U/DBAR ENPBAR ENTBAR LOADBAR A B C D RCOBAR DA DB DC DD EN + D0_GATE IO_AS00 IO_LEVEL={IO_LEVEL}
+ LOGIC:
+ CLK = { CLK_I }
+ ENPBAR = { ENPBAR_I }
+ ENTBAR = { ENTBAR_I }
+ U/DBAR = { U/DBAR_I }
+ LOADBAR = { LOADBAR_I }
+ A = { A_I }
+ B = { B_I }
+ C = { C_I }
+ D = { D_I }
+ UD = { ~U/DBAR }
+ LOAD = { ~LOADBAR }
+ EN = { ~ENTBAR & ~ENPBAR & LOADBAR }
+ IA4 = { ~((QABAR & U/DBAR) | (QA & UD)) }
+ IB4 = { ~((QBBAR & U/DBAR) | (QB & UD)) }
+ IC4 = { ~((QCBAR & U/DBAR) | (QC & UD)) }
+ ID4 = { ~((QDBAR & U/DBAR) | (QD & UD)) }
+ IB5 = { ~(U/DBAR & ID4) }
+ IC5 = { ~(QCBAR & UD & QDBAR) }
+ IA1 = { A & LOAD }
+ IA2 = { EN A ( LOADBAR & QA) }
+ IB1 = { B & LOAD }
+ IB2 = { ~(EN & IA4) & LOADBAR & QB }
+ IB3 = { IA4 & EN & IC5 & IB5 & QBBAR }