核磁图谱

相邻碳原子影响峰耦合裂分的个数，数量为相邻碳原子数加一。
总结
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2.化学位移 不同化学环境的质子对外界磁场感觉不同， 导致在不同磁场强度下的共振吸收。质子的核外电 子由于磁场作用产生反磁场即屏蔽作用，故电子云 密度越大，屏蔽效应越强，需要更强的磁场才能共 振，表现在图谱上就是化学位移越小，反之电子云 密度越小、越分散化学位移越大。电子云的密度又 与共轭和超共轭效应有关，与空间效应也有密切关 系（苯、乙烯与乙炔空间不同）
共振图谱的解释
影响氢谱化学位移大小及峰的耦合裂分的因素
主讲人：李华翔 组员：张锟、王秉贤、鞠治凯
Cl2CHCH2Cl
CI原子为吸电子原子使H原子上电子云密度减小，b上电子云密 度更小，去屏蔽效应更强，故处于左侧，相较之下a在右侧。 据裂分峰数n+1规则b裂为（2+1）个峰，a裂为（1+1）个峰。
CH3CHO
若从n+1规则上很易于判断a, b.从化学位移来说a号H处于碳氧双 键上有去屏蔽效应,且氧的电负性较大吸电子,使H电子云密度减 小,故化学位移较大.对于b号H来说碳氧双键有吸电子效应,故化 学位移比之烷烃上的甲基化学位移稍大.
CH3COOH
a号H紧邻电负性大吸电子能力强的氧使得其化学位移较大,甲 基上的b号H受碳氧双键吸电子以及超共轭效应使得其化学位 移比之烷烃上较大.
ClCH2CH2CH2Br
比较a与c, c号H连的卤素CI比a号H连的Br吸电子能力更强，c上 的电子云密度更小，化学位移更大。b号H受两较远吸电子基团 影响，电子云密度稍有减小，化学位移增大。根据（n+1）规则 b的裂分峰数为（2+1）*（2+1）=9个。
CH3COOCH2CH3
b号H紧邻电负性大吸电子能力强的氧使得其化学位移较大,甲 基上的c号H受碳氧双键吸电子以及超共轭效应使得其化学位 移比之烷烃上较大.a号H为普通甲基上的氢原子，屏蔽效应较 强化学位移较小。
C6H5CH2CH2CH3
对于苯环上的d号H，苯环有强烈的共轭效应，使其电子云密度 分散、减小，故其化学位移较大。苯环的吸电子效应随碳链增长 而减弱，故电子云密度：a>b>c，屏蔽效应：a>b>c，化学位移： a<b<c。b的裂分峰数为（2+1）*（3+1）=12个。
总结
一、用化学结构解释氢谱图 1.裂分峰数 由于相邻碳上质子自旋的相互作用相互影响而起的自旋-耦合裂分，故
总结
官能团在图谱上的位置
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