博世普通管标准

BOSCHREUTLINGEN Einzelbestellvorschrift für Diode ED9-50A, vernickelt Detail Specification for Diodes ED9-50A, nickel plated Seite / Page 1 1 279 926 611The master document is written in German language. In case of doubt the German edition is the only Lieferer: AESupplier: AEBestell-Nr.: 0270 100 508Ordering-No.: 0270 100 508 Ausgabedatum:Issue Date:Original: 15.04.2005 Original: 15.04.2005 Überarbeitung vom:Revision from:Änderung:Change:€ Bedingte Zustimmung (siehe Anhang)Conditional Approval (See Appendix)Unterschriften / Signatures: Verkauf / Sales: AE / SCS Datum / Date : Entwicklung / Development: Datum / Date: AE / EDB Kunde/ Customer: Datum / Date: Fertigung / Production: Datum / Date: RtP1 / MFDQualitätssicherung / Quality Assurance:Datum / Date:RtP1 / QMMGefahrenhinweise WarningsDie spezifizierten Produkte dürfen nicht außerhalb des sicheren Be-triebsbereiches (siehe Punkt 6.3) betrieben werden. The specified products must not be operated outside the Safe Operating Area (SOA), specified in point 6.3.VORSICHT!1. Nichtbeachtung der Spezifikation kann zu Brandverletzungen und zu Schäden am Kraftfahrzeug führen. ATTENTION!1. To ignore this specification can lead to burn injuries and damages in the vehicle.2. Wird die Diode bei Batterieverpolung außerhalb des sicheren Bereichs betrieben, können brennbare Gase entstehen. Es sind geeignete Vorsichtsmaßnahmen zur Feuervermeidung (geeignete Konstruktion und Auswahl der Materialien des Generators) zu treffen. 2. Reasonable fire precautions (concerning the used materials and the design of the alternator) must be undertaken since applying reverse polarity out of the defined area can create burnable gases.EMPFEHLUNGRECOMMENDATIONWir empfehlen, die Dioden durch Sicherungelemente zu schützen. We recommend to install fuses to protect the diodes.Inhaltsverzeichnis Contentsdocuments1. Weitere anwendbare Unterlagen 1. Applicable2. Chip 2. Chip3. Gehäuse 3. Package4. Konstruktions- und Verarbeitungshinweise 4. Application and handling instructions5. Umwelt- und Klimaprüfungen 5. Enviromental and climatic tests6. ElektrischespecificationWerte 6. Electricalconfiguration7. Anschlussbelegung 7. Pintests8. Dauerlaufprüfungen 8. ReliabilityDer Einsatz dieser Dioden ist nur in der Lichtmaschine von Kraftfahrzeugen erlaubt. These diodes must only be used in automotive alternators.1. Weitere anwendbare UnterlagenZeichnung Nr.: 0 270 100 503Das Produkt (Gehäuse, Kopfdraht und Laserbild)muss der Werkzeichnung entsprechen.1. ApplicabledocumentsPart drawing: 0 270 100 503.The product (diode case, lead wire and laser marking)must be in conformity with the drawing).2. ChipSi Chip in p+nn+-Zonenfolge.Sechseck mit Diagonale 6,3 mm ± 0,3 mm 2. ChipSilicon chip with p+nn+ zones.Hexagon with 6.3 mm ± 0.3 mm diagonal.3. GehäusePlastikverpackte Diode, Entflammbarkeit UL94HB 3. HousingPlastic encapsulated diode, flammability UL94HB3.1 Zulässige Vertiefungen in der Vergußmasse 3.1 Allowed cavities in the epoxy surfaceDie Kunststoffhülse der Diode muß vollständig ausgegossen sein. Kleine Vertiefungen und sichtbare Bläschen in der Oberfläche sind bis zu einem Durchmesser von 1 mm und einer Tiefe von 0,5 mm zulässig. Risse im Epoxid sind nur im Meniskusbereich bis zu einer maximalen Länge von 1 mm erlaubt. The plastic ring of the diode must be completely filled with epoxy. Small dents and bubbles at the surface with a maximum diameter of 1 mm and a maximum depth of 0.5 mm are allowed. Cracks in the epoxy are only allowed in the meniscus area up to a length of 1 mm.3.2 Zulässige Verunreinigungen 3.2 Allowed contaminationsNach Vereinbarung Must be agreed3.3 Verbiegung des Anschlußdrahtes 3.3 Bending of lead wireInfolge Transport kann der Anschlußdraht verbogen sein. Wir empfehlen ein von Bosch angewandtes Verfahren zum Geraderichten der Drähte. In consequence of transport the lead wire could be bent. We recommend a procedure which is used by Bosch to straighten the lead wire.3.4 Härte des Kupfersockels 3.4 Hardness of copper heatsinkDie Härte des Kupfers wird nach dem Vickers-Verfahren an der Stirnseite des Kupfersockels in max. 4,5 mm Entfernung vom Mittelpunkt gemessen. Vor der Messung ist die Nickel-Oberflächenschicht zu entfernen. Die Härte muss der Angabe auf der Zeichnnung entsprechen. The hardness is measured according to the Vickers procedure at the bottom of the heatsink, maximum 4.5 mm away from the center. The nickel plating has to be removed before the measurement. The hardness has to corrspond to the drawing.3.5 Oberfläche 3.5 SurfaceStromlosNickelSchichtdicke: 1µm - 7 µmPhosphorgehalt: 3 % - 15 %Schmelzbereich (Solidus): 860 °C – 890 °C ElectrolessnickelThickness: 1µm - 7 µm Phosphorus content: 3 % - 15 %Melting area (solidus): 860 °C – 890 °C4. Konstruktions- und Verarbeitungshinweise 4. Application and handling instructions 4.1 Zugfestigkeit 4.1 PullstrengthPrüfung entsprechend IEC 60068-2-21, Blatt 3,Prüfung Ua1.Zugkraft: 70 NNach der Prüfung müssen alle Dioden die in Punkt 6.4 und 6.5 (ϑG = 25 °C) angegebenen elektrischen Parameter erfüllen. Die Zugkraft auf den Draht der Diode darf weder bei der Verarbeitung noch im eingebauten Zustand 70 N überschreiten.Test according to IEC 60068-2-21, page 3,test Ua1.Pull force: 70 NAfter the test all diodes must fullfill the electrical parameters of point 6.4 and 6.5 (ϑG = 25 °C). The pull force should be neither during handling nor after assembly be higher than 70 N.4.2 Biegefestigkeit 4.2 BendstrengthPrüfung entsprechend IEC 60068-2-21, Blatt 5,Prüfung Ub, 4 Biegezyklen.Die Kraft greift 7 mm über dem Kunststoffverschluß an.Gewicht: 20 NNach der Prüfung müssen alle Dioden die in 6.4 und 6.5 (ϑG = 25 °C) angegebenen elektrischen Parameter erfüllen. Test according to IEC 60068-2-21, page 5, Test Ub4 bending cycles.The force is applied 7 mm above the epoxy.Weight: 20 NAfter the test all diodes must fullfill the electrical parameters of point 6.4 and 6.5 (ϑG = 25 °C).4.3 Biegewinkel 4.3 BendangleIm eingebauten Zustand darf der Draht der Diode um maximal 20 ° verbogen sein. If assembled, the lead of the diode may not be bent more than 20 °.4.4 Druckfestigkeit 4.4 Resistance to pressureDie Kraft auf den Draht der Diode darf weder bei der Verarbeitung noch im eingebauten Zustand 10 N überschreiten. The force to the lead of the diode should not be higher than 10 N, neither during handling nor when assembled.4.5 Einwirkung auf das Epoxid 4.5Force on the epoxyJede Krafteinwirkung auf das Epoxid ist zu vermeiden.Every force on the epoxy should be avoided.4.6 Einpressen 4.6 Press inHöchste zum Einpressen der Diode in den Kühlkörper zulässige Kraft:10 kNMinimale Einpresskraft: 1,5 kN Stempelgeometrie: siehe ZeichnungKonzentrizität Stempel <=> Diode: ≤ ∅ 1 mmMaximum allowed press in force: 10 kN Minimum allowed press in force: 1.5 kN Geometry of the stamp: see drawing Concentricity stamp <=> diode: ≤ ∅ 1 mmEmpfohlener Einpressstempel:Recommended press in tool4.7 Schütthöhe 4.7 Feeding height Maximal zulässige Schütthöhe: 0,5 m Maximum allowed feeding height: 0.5 m4.8 Drahtanschluss 4.8Connection of the leadMinimaler Abstand zwischen Löt- bzw. Schweißpunktund Epoxid: 5 mmMaximal zulässige Chiptemperatur für Schweißen und Löten: 200 °CMinimum distance between the soldering- or welding-point and the epoxy: 5 mmMaximum allowed chip temperature for welding and soldering: 200 °C4.9 Anlieferqualität4.9Quality of incomming partsDie Dioden werden dry pack plus verpackt angeliefert. Sie sind nach Öffnen des Dry Pack plus innerhalb von 5 Tagen zu verarbeiten, da ansonsten aufgrund vonThe diodes will be delivered dry packed plus. After having opened the dry pack plus, the diodes have to be used in less than 5 days. Otherwise reverse currentUmwelt-einflüssen (Feuchte) Sperrstromanstiege nicht auszu-schliessen sind.Aufgrund der Verpackungsart als Schüttgut können äußere Einflüsse wie Transport- und Umwelteinflüsse nicht ausgeschlossen werden. Darum wird dem Kunden die Installation eines Eingangstests zur Vermeidung von Bandausfällen empfohlen. Die erlaubte Eingangstest-Fehlerrate ist in einem separaten Dokument zu vereinbaren. increases caused by environmental influences (humidity) cannot be excluded.As the diodes are packed as bulk material there will be influences of transport and environmental conditions.To avoid in-line-failures the customer is recommended to install a start of line test. The allowed start of line failure rate has to be defined in a separate document.5. 5.1 Umwelt- und KlimaprüfungenAusfallkriterium: siehe Punkt 8.1Beständigkeit gegen verschiedene FlüssigkeitenDie Diode wird für jeweils 24h in folgendenFlüssigkeiten gelagert:Flüssigkeit TemperaturNormal Benzin 23°CSuper Benzin 23°CDiesel 23°CMotoröl 100°CGetriebeöl(Handschaltgetriebe)100°CGetriebeöl(Automatikgetriebe)100°CHydrauliköl 100°CKühlflüssigkeit 100°CScheibenreiniger 70°CBremsflüssigkeit 55°CEs sind keine chemischen Angriffe, Risse und Verlustder mechaischen Eigenschaften erlaubt.Nach der Lagerung in den Flüssigkeiten wird dieDiode mit einem Tuch gereinigt bevor sie elektrischgemessen wird.5.5.1Enviromental and climatic testsFailure criterion: see point 8.1Resistance to liquidsThe diode shall be stored in the following fluids for24h:Fluid TemperatureRegular gas 23°CPremium gas 23°CDiesel gas 23°CMotor oil 100°CGear oil (manuallyshifted transmission)100°CGear oil (automaticgearbox)100°CHydraulic fluid 100°CCooling fluid 100°CWindshield cleaner 70°Cbreakfluid 55°CNo chemical attacks, cracks and loss of mechanicalproperties are allowed.After storage in the fluids, the diode is cleaned with acloth before the electrical measurement.5.2 Druckwassertest5.2Water immersion testDie Dioden werden 4h lang in 1-molarer Natrium-acetatlösung unter einem Druck von (50 ± 5) N/cm 2 und Raumtemperatur gelagert. Nach dem Versuch sind die Dioden in deionisiertem Wasser sorgfältig zu spülen (15 min in fließendem DI-Wasser) und an derLuft zu trocknen (Wassertropfen abblasen, dann 60 min. trocknen in ruhender Luft bei Raumtemperatur The diodes shall be submerged in a solution of sodium acetate (1-molar solution). The diode shall be stored for 4 h in the solution, under a pressure of (50 ± 5) N/cm 2 at room temperature. After the test the diodes should be rinsed carefully (15 min under running DI-water) and dried at the air (blow away the waterdrops, then dry for 60 min. at still air at room temperature).6. Elektrische Werte 6. Electrical specification 6.1 Dauergrenzstrom 6.1 Average forward currentBei Belastung mit Sinus-Halbwellen und bei einer Gehäusetemperatur ϑG ≤ 190 °C.Höchster zulässiger arithmetischer Mittelwert des Stroms I FAV = 50 A.Bei höheren Gehäusetemperaturen s. Skizze:If loaded with half sine waves and a case temperature ϑC ≤190 °C, the maximum allowed arithmetic mean of the current is : I FAV = 50 AFor higher case temperatures see drawing:6.2 Stoßstromgrenzwert 6.2 Non repetitive peak surge current (forwarddirection)Eine Sinushalbwelle 50Hz. Gehäusetemperatur der Diode vor dem Stromstoß ϑG ≤ 150 °C. höchster zulässiger Scheitelwert I FSM = 380 AOne half sine wave 50 Hz, case temperature of the diode before surge current ϑC ≤ 150 °C. Non Repetitive Peak Surge Current: I FSM = 380 A175°C 200°C50AI FAV / AG/C / °C6.3 Zulässiger Flußstrom als Funktion der Belast-ungsdauer 6.3 Allowed forward current as function of loadingtimeTemperatur der Diode vor der Belastung ϑG≤ 25°C Temperature of the diode before loading: ϑC≤ 25°C 6.4 Sperrstrom 6.4 LeakagecurrentϑG = 25 °C ± 5°C I R (200V ± 0.5V) ≤ 50 µAϑC = 25 °C ± 5°C I R (200V ± 0.5V) ≤ 50 µA ϑG = 195 ± 5°C I R (200V ± 0.5V) ≤ 5 mAϑC = 195 ± 5°C I R (200V ± 0.5V) ≤ 5 mA6.5 Flussspannung 6.5 ForwardvoltagedropBei einer Belastung mit einem Durchlaßstrom I F = 100A ±3A und einer Diodensperrschicht-temperatur ϑJ = 25 °C ±5°C gilt für die Durchlaß-spannung U F≤ 1,08 V (± 0,02 V Messfehler). Loading with a forward current of I F = 100A ± 3A. Diode junction temperature ϑJ = 25 °C ± 5°C:V F≤ 1,08 V (± 0,02V measuring accuracy)6.6 Betriebsfrequenzbereich 6.6 FrequencyrangeZulässige Frequenz des Netzes bei Betrieb mit den Grenzdaten: 50 Hz - 2 kHz Allowed frequency during operation with maximum ratings: 50 Hz - 2 kHz6.7 Abschaltverhalten 6.7 SwitchingoffbehaviourMaximale Stromänderungsgeschwindigkeit beim Ab-reißen des Stromes nach dem Umschalten von Fluß- in Sperrichtung ∆I / ∆ttyp. ≤ 25 A / µs. Maximum speed of current change during break down of current after switching from forward to reverse direction: ∆I / ∆ttyp. ≤ 25A / µs.8. Dauerlaufprüfungen für Freigabe 8. Reliability tests for Release 8.1 Ausfallkriterien 8.1 FailurecriterionWenn nichts anderes angegeben, gilt ein Prüfling als ausgefallen, wenn er einer der folgenden Bedingungen genügt:∆I R (200V ± 0,5V) > 450µA∆U F (100A± 3A) > 5%∆Z(th)t (10ms ± 1ms) > 50% If nothing different indicated a part has failed if any of the following conditions apply:∆I R (200V ± 0,5V) > 450µA∆V F (100A± 3A) > 5%∆Z(th)t (10ms ± 1ms) > 50%8.2 Passive Temperaturwechsel 8.2 Passive thermal cycling100 Zyklen dreistufig -40°C bis +200°C 100 cycles in three steps -40 °C bis +200 °CPrüfeinstellungen Parameters1.Stufe-40°C ± 5°C/+130°C ± 5°C 30 Wechsel 1. step -40°C ± 5°C/+130°C ± 5°C 30 cycles 2.Stufe0°C ± 5°C/+180°C ± 5°C 60 Wechsel 2. step 0°C ± 5°C/+180°C ± 5°C 60 cycles 3.Stufe+30°C ± 5°C/+200°C ± 5°C 10 Wechsel 3. step +30°C ± 5°C/+200°C ± 5°C 10 cycles 8.3 Aktive Temperaturwechsel 8.3 Powered thermal cyclingDie Dioden werden während einer festen Zeit t1 = (45-55) s (Heizzeit) mit gepulstem Gleichstrom (1 ms Strom, 1 ms Pause, I FAV = 20+5A) betrieben, dadurch aufgeheizt und anschließend während einer festen Zeit t2= (45-55) s (Kühlzeit) durch Anblasen mit Luft wieder abgekühlt.Die Zeiten t1 und t2 sind so zu wählen, daß die Sperrschichttemperatur der Dioden im Mittel am Ende der Heizzeit 190°C ±10°C, am Ende der Kühlzeit 70°C ± 10°C beträgt.Prüfdauer: 3000 ZyklenEs ist kein Kurzschluss erlaubt. The diodes where heated during a fixed time t1 = (45-55) s (heating time) with pulsed direct current (1 ms on, 1 ms off, I FAV = 20+5A) and afterwards during a fixed time t2 = (45-55) s (cooling time) cooled down by forced air. The periodes are to be taken in such a way that the junction temperature of the diode reaches at the end of the heating time 190°C ±10°C, at the end of the cooling time 70°C ± 10°C.Number of cycles: 3000No short allowed.8.4 Sperrspannungsdauerlauf 8.4 High temperature reverse bias testBelastungmit:U R = 200V ± 0,5 VϑG = 195°C ± 5°CDauer = 20 h Loadingwith:V R = 200V± 0,5 V ϑC = 195°C± 5°C Duration = 20 h8.5 Lagerung unter minimaler und maximaler Temperatur 8.5Storage under minimum and maximum temperatureDie Dioden werden gelagert:• 24 h bei -40 °C. •24 h bei 200 °C.The diodes shall be stored for: • 24 h at -40 °C. • 24 h at 200 °C.8.6 Anzahl der Prüflinge für Freigabe / zulässige Ausfälle 8.6Number of samples for product release / maximum number of failuresPrüfungAnzahl Prüflinge/ zul. AusfälleTestNumber of samples / max. failures5.1 Beständigkeit gegen verschiedene Flüssigkeiten20/05.1 Resistance to liquids20/0 5.2 Druckwassertest30/0 5.2 water immersion test 30/0 8.2 Passive Temperaturwechsel 30/1 8.2 passive thermal cycling 30/1 8.3Aktive Temperaturwechsel30/3* 8.3 powered thermal cycling 30/3* 8.4 Sperrspannungsdauerlauf30/1 8.4 high temperature reverse bias test30/18.5 Lagerung unter minimaler undmaximaler Temperatur20/08.5Storage under minimum and maximum temperature20/0* Parameterausfälle wie unter 8.1 definiert*Parameter failures as defined in point 8.1。