模拟集成电路设计复习笔记

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模集复习笔记

By 潇然 I/V特性

1. I-V特性

2. 跨导

定义:V GS对I DS的控制能力(I DS对V GS变化的灵敏度)

饱和区跨导gm表达式:

,

2. 线性电阻表达式

二级效应

1. 体效应

γ为体效应系数,典型值沟道长度调制效应

`

MOS器件模型

定义:信号相对于偏置工作点而言比较小、不会显著影响偏置工作点时用该模型简化计算由gm、gmb、r O等构成低频小信号模型,高频时还需加上C GS等寄生电容、寄生电阻(接触孔电阻、导电层电阻等)

1. MOS小信号模型

①沟长调制效应引起的输出电阻

②体效应跨导

2. 完整的MOSFET小信号模型

用于计算各节点时间常数、找出极点

放大器的性能参数

AIC设计的八边形法则

;

分别为:速度、功耗、增益、噪声、线性度、电压摆幅、电源电压、输入输出阻抗参数之间互相制约,设计时需要在这些参数间折衷

共源级

1. 电阻负载

理想情况:

考虑沟长调制效应:

2. 二极管接法的MOS做负载

① NMOS二极管负载

存在体效应时的阻抗:

忽略η随Vout的变化时,增益只于W/L有关,与偏置电流、电压无关,线性度很好。

② PMOS管负载

缺点:a. 大增益需要极大的器件尺寸

b. 输出摆幅小

提高输出摆幅的方法:加电流源

3. 电流源做负载

4. 深线性区MOS管做负载

^

5. 带源极负反馈

①增益与跨导

随着RS增大, Gm和增益都变为gm的弱函数,提高了线性度;但以牺牲增益为代价。

另外,可以通过如下方法简便计算:

Av=“在漏极节点看到的电阻”/“在源极通路上看到的电阻”

②输出电阻

源跟随器(共漏)

1. 负载为Rs

2. 负载为电流源

3. 考虑r O和R L后的增益(注意分析过程)

4. 负载为理想电流源时输出电阻Ro

共栅级

1. 不考虑沟长调制效应时增益

,体效应导致增益增加

2. 输入阻抗

<

R D=0时,共栅级输入阻抗相当于源跟随器输出阻抗

,故在R D较小时,输入阻抗小

3. 输出阻抗

计算结果同带源极负反馈的共源级的Rout,故输出阻抗很大

;

共源共栅级

1. 增益(不考虑沟长调制)

(注意此处为约等于且结果为负,具体增益参照P71,

掌握方法即可)

2. 输出阻抗

M2管将M1管的输出阻抗提高为原来的(gm2+gmb2)r O2倍;有利于实现高增益

>

3. 其他性质:

①作理想电流源,代价:输出摆幅减小

②屏蔽特性:Vout端有ΔVout的电压跳变时,表现在X点的电压跳变很小,屏蔽了输出节点对输入管的影响

4. 折叠共源共栅

5. 总结:

基本差动对

1. 大信号差分特性

上式假定了M1、M2均工作在饱和区,然鹅

2. 大信号共模特性

共模输入电平必须满足:

3. 小信号差分特性

因此,当ΔVin为下值时跨导降为0:

,其表征放大器所允许的最大输入差分信号

:

差模增益:

用叠加法、半电路法均可求全差分时的差模增益,结论为:

①单边输入时差模增益为-gmR D

②差分输入时差模增益为-gmR D

③单边输入时单端输出增益为-gmR D/2

4. 小信号共模特性

若电路完全对称,则流过M1和M2管的直流电流总为I SS/2,不随Vin,CM的变化而变化,因此,V X和V Y不变;

非理想性包括:M1和M2之间有失配(W/L、V TH等),R D1和R D2之间有失配(阻值不完全相等等);尾电流源ISS的内阻RSS不是无穷大

①尾电流内阻非无穷大时

若电路完全对称,则V P会随Vin,CM的变化而变化,导致尾电流变化, Vout1和Vout2会随之变化,但Vout1和Vout2总相等,故可短接,将M1、M2并联处理(注意此时跨导为2gm)

共模增益为:

②输入管失配对共模响应的影响

共模到差模转换的增益:

5. CMRR-共模抑制比

<

Common-Mode Rejection Ratio,用来综合反映差分放大器的性能

基本电流镜

原理:利用输出电流与参考电流的过驱动电压相同

复制精度受工艺(宽长比)、沟长调制效应的影响有源电流镜

密勒效应

如果上图1的电路可以转换成图2的电路,则

@

是在所关心的频率下的小信号增益,通常为简化计算,我们一般用低频增益来代替AV,这样足可以使我们深入理解电路的频率特性。

极点与结点的关联

1. CS放大器的简化频率特性分析

如果忽略输出结点与输入结点的相互作用,我们可以利用密勒定理得到CS放大器的两个极点频率:

"

2. 共源放大器的频率特性(理论推导)

将分母化为:

其零点:

总而言之:若题目出到图,根据公式给出极点、零点,之后若表达传输函数,则模仿理论推导中增益的表达形式。

噪声类型

.

1. 热噪声

①定义:导体中载流子的随机运动,引起导体两端电压波动

②电阻的热噪声

,教材上默认Δf=1Hz

③ MOS管沟道区的热噪声

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