模拟集成电路设计复习笔记
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模集复习笔记
By 潇然 I/V特性
1. I-V特性
2. 跨导
定义:V GS对I DS的控制能力(I DS对V GS变化的灵敏度)
饱和区跨导gm表达式:
,
2. 线性电阻表达式
二级效应
1. 体效应
γ为体效应系数,典型值沟道长度调制效应
`
MOS器件模型
定义:信号相对于偏置工作点而言比较小、不会显著影响偏置工作点时用该模型简化计算由gm、gmb、r O等构成低频小信号模型,高频时还需加上C GS等寄生电容、寄生电阻(接触孔电阻、导电层电阻等)
1. MOS小信号模型
①沟长调制效应引起的输出电阻
②体效应跨导
《
2. 完整的MOSFET小信号模型
用于计算各节点时间常数、找出极点
放大器的性能参数
AIC设计的八边形法则
;
分别为:速度、功耗、增益、噪声、线性度、电压摆幅、电源电压、输入输出阻抗参数之间互相制约,设计时需要在这些参数间折衷
共源级
1. 电阻负载
理想情况:
考虑沟长调制效应:
2. 二极管接法的MOS做负载
① NMOS二极管负载
)
存在体效应时的阻抗:
忽略η随Vout的变化时,增益只于W/L有关,与偏置电流、电压无关,线性度很好。
② PMOS管负载
、
缺点:a. 大增益需要极大的器件尺寸
b. 输出摆幅小
提高输出摆幅的方法:加电流源
3. 电流源做负载
4. 深线性区MOS管做负载
^
5. 带源极负反馈
①增益与跨导
!
随着RS增大, Gm和增益都变为gm的弱函数,提高了线性度;但以牺牲增益为代价。
另外,可以通过如下方法简便计算:
Av=“在漏极节点看到的电阻”/“在源极通路上看到的电阻”
②输出电阻
¥
源跟随器(共漏)
1. 负载为Rs
2. 负载为电流源
3. 考虑r O和R L后的增益(注意分析过程)
》
4. 负载为理想电流源时输出电阻Ro
共栅级
1. 不考虑沟长调制效应时增益
,体效应导致增益增加
2. 输入阻抗
<
R D=0时,共栅级输入阻抗相当于源跟随器输出阻抗
,故在R D较小时,输入阻抗小
3. 输出阻抗
计算结果同带源极负反馈的共源级的Rout,故输出阻抗很大
;
共源共栅级
1. 增益(不考虑沟长调制)
(注意此处为约等于且结果为负,具体增益参照P71,
掌握方法即可)
2. 输出阻抗
M2管将M1管的输出阻抗提高为原来的(gm2+gmb2)r O2倍;有利于实现高增益
>
3. 其他性质:
①作理想电流源,代价:输出摆幅减小
②屏蔽特性:Vout端有ΔVout的电压跳变时,表现在X点的电压跳变很小,屏蔽了输出节点对输入管的影响
4. 折叠共源共栅
5. 总结:
、
基本差动对
1. 大信号差分特性
上式假定了M1、M2均工作在饱和区,然鹅
2. 大信号共模特性
)
共模输入电平必须满足:
3. 小信号差分特性
因此,当ΔVin为下值时跨导降为0:
,其表征放大器所允许的最大输入差分信号
:
差模增益:
用叠加法、半电路法均可求全差分时的差模增益,结论为:
①单边输入时差模增益为-gmR D
②差分输入时差模增益为-gmR D
③单边输入时单端输出增益为-gmR D/2
4. 小信号共模特性
若电路完全对称,则流过M1和M2管的直流电流总为I SS/2,不随Vin,CM的变化而变化,因此,V X和V Y不变;
非理想性包括:M1和M2之间有失配(W/L、V TH等),R D1和R D2之间有失配(阻值不完全相等等);尾电流源ISS的内阻RSS不是无穷大
¥
①尾电流内阻非无穷大时
若电路完全对称,则V P会随Vin,CM的变化而变化,导致尾电流变化, Vout1和Vout2会随之变化,但Vout1和Vout2总相等,故可短接,将M1、M2并联处理(注意此时跨导为2gm)
共模增益为:
②输入管失配对共模响应的影响
共模到差模转换的增益:
5. CMRR-共模抑制比
<
Common-Mode Rejection Ratio,用来综合反映差分放大器的性能
基本电流镜
原理:利用输出电流与参考电流的过驱动电压相同
、
复制精度受工艺(宽长比)、沟长调制效应的影响有源电流镜
密勒效应
如果上图1的电路可以转换成图2的电路,则
@
是在所关心的频率下的小信号增益,通常为简化计算,我们一般用低频增益来代替AV,这样足可以使我们深入理解电路的频率特性。
极点与结点的关联
1. CS放大器的简化频率特性分析
如果忽略输出结点与输入结点的相互作用,我们可以利用密勒定理得到CS放大器的两个极点频率:
"
2. 共源放大器的频率特性(理论推导)
将分母化为:
其零点:
总而言之:若题目出到图,根据公式给出极点、零点,之后若表达传输函数,则模仿理论推导中增益的表达形式。
噪声类型
.
1. 热噪声
①定义:导体中载流子的随机运动,引起导体两端电压波动
②电阻的热噪声
,教材上默认Δf=1Hz
③ MOS管沟道区的热噪声