第13讲晶闸管及可控整流电路

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K阴极
N2 K
A
P
NN G
PP N
K
A
等效为由二个三极
管组成
P
A
G NN
RL
ßßig
T2
PP
N K
G
T1
UGK ig
UAK
ßig
K
T1、T2都导通后,即使去掉UGK, T1、T2仍然导通
A
RL
ßßig T
可控硅导通的条件: (1)阳极A加正电压 (2)控制极G加正的触发电压
2
UAK 可控硅截止的条件:
URSMURRM
正向电压超过正向转折电
UA
压器U件b开o,通则。漏电流急剧增大,
雪崩
随着门极电流幅值的增大, 击穿
IA 正向 导通
IH
IG2 IG1 IG=0
O
UDRM Ubo +UA
UDSM
正向转折电压降低。
晶闸管本身的压降很小, 在1V左右。
-IA
图1-8 晶闸管的伏安特性
IG2>IG1>IG
17.2 晶闸管的基本特性
额定 正向
I
IF
平均
电流
IH
U U 正向转折
DSM 电压
UDRM
(2) URRM:反向峰值电压
控制极断路时,可以重复作用在晶闸管上的反 向重复电压。一般取URRM = 80% URSM(反向击 穿电压)。普通晶闸管URRM为100V--3000V)
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反向击穿电压
URSM
额定 正向
IFI
平均
电流 IH
正向特性: 控制极开路时,随UAK的加大,阳极
电流逐渐增加。当U = UDSM(正向转折电压)
时,晶闸管自动导通。正常工作时, UAK应 小于 UDSM 。
反向特性:随反向电压的增加,反向漏电流稍
有增加,当 U = URSM (反向击穿电压)时, 反向击穿。正常工作时,反向电压必须小于 URSM。
URRM
UDRM
U U 正向转折
DSM 电压
2)电流定1额.3.3 晶闸管的主要参数
通态平均电流 IT(AV)
——在环境温度为40C和规定的冷却状态下,稳定结温不超过额定 结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定 电流的参数。
——使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。
维持电流 IH
除开通时间tgt和关断时间tq外,还有:
断态电压临界上升率du/dt
——指在额定结温和门极开路的情况下,不导致晶闸管从断态到通 态转换的外加电压最大上升率。
——电压上升率过大,使充电电流足够大,就会使晶闸管误导通 。
别名:可控硅(SCR)(Silicon Controlled Rectifier) 是一种大功率半导体器件,出现于70年代。它 的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领 域。
特点:体积小、重量轻、无噪声、寿命长、 容量大(正 向平均电流达千安、正向耐压达数千伏)。
应用领域:
• 整流(交流 直流) • 逆变(直流 交流) • 变频(交流 交流) • 斩波(直流 直流)
(2)反向特性
反向特性类似二极管的
IA 正向 导通
反向特性。
URSMURRM
IH
IG2 IG1 IG=0
-
反向阻断状态时,只有 UA
O
UDRM Ubo +UA
UDSM
极小的反相漏电流流过。 雪崩 击穿
当反向电压达到反向击
穿电压后,可能导致晶 闸管发热损坏。
-IA
图1-8 晶闸管的伏安特性
IG2>IG1>IG
平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。
1.3.1 晶闸管的结构与工作原理
常用晶闸管的结构
螺栓型晶闸管
晶闸管模块
平板型晶闸管外形及结构
17.1 工作原理
1. 结构
PNPN四层半导体结构
A(阳极)

P1



N1
PN



P2

G(控制极)
N2
K(阴极)
2. 工作原理 符号
阳极
A
控制极
G
A
P1 N1 G P2
17.3 晶闸管的主要参数
1)电压定额
断态重复峰值电压UDRM

——在门极断路而结温为额定值时,允许重复
加在器件上的正向峰值电压。晶闸管耐压值。一
般取 UDRM = 80% UDSM (正向转折电压)。
• 普通晶闸管UDRM 为 100V---3000V
反向重复峰值电压URRM
——在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在 器件上的反向峰值电压。
晶闸管及其应用
此课件及“海南风光”封面属清华大学唐庆玉创作,如发现剽窃,必究法律责任!海南风光
目录
17.1 晶闸管工作原理 17.2 晶闸管特性与参数 17.3 可控整流电路 17.4 触发电路 17.5 单结管触发的可控整流电路 17.6 晶闸管的其它应用 17.7 晶闸管的保护及其它类型
晶闸管(Thyristor)
——使晶闸管维持导通所必需的最小电流。
擎住电流 IL
——晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后, 能维持导通所需 的最小电流。对同一晶闸管来说,通常IL约为IH的2~4倍。
浪涌电流ITSM
——指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性 最大正向过载电流 。
3)动态参1数.3.3 晶闸管的主要参数
此外还可作无触点开关等。
1.3.1 晶闸管的结构与工作原理
A
G
KK
A A
G
G
P1 N1 P2 N2
J1 J2 J3
K
K G
A
a)
b)
c)
图1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号
a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号
外形有螺栓型和平板型两种封装。
有三个联接端。
螺栓型封装,通常螺栓是其阳极,能与散热器紧 密联接且安装方便。
G
T1 ßig
UGK ig
K
A
(1)阳极A加反向电压,或不加 触发信号(即UGK= 0 )。
(2)可控硅正向导通后,若令其关 断,必须减小UAK(或使UAK 反向),使可控硅中电流小于
G
某一最小电流IH ( IH称为维持
电流)
K
晶闸管的工作原理小结
(1)晶闸管具有单向导电性。
正向导通条件:A、K间加正向电压,G、K间加 正的触发信号。
通态(峰值)电压UT
——晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流 时的瞬态峰值电压。
使用注意: 通常取晶闸管的 UDRM和URRM中较小 的标值作为该器件 的额定电压。
选用时,一般取额 定电压为正常工作 时晶闸管所承受峰 值电压2~3倍。
2. 主要参数
(1) UDRM:正向阻断电压
反向击穿电压
URSM
(2)晶闸管一旦导通,控制极便失去作用。
若使其关断,必须降低 UAK 或加 大回路电阻,把阳极电流减小到 维持电流以下。
(3)承受反向电压时,不论门极是否有触发
电流,晶闸管都不会导通
17.2 晶闸管的基本特性
1) 静态特性
(1)正向特性
I向G=电0时压,,器只件有两很端小施的加正正向
漏电流,为正向阻断状态。
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